【課題】半導体発光素子のＦＣ（フリップチップ）実装技術における光の取り出し効率を改良する。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の（ｎ型）半導体層１４０、発光層１５０及び第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２の（ｐ型）半導体層１６０が積層された積層半導体層１００と、積層半導体層１００のｎ型半導体層１４０の表面に形成された第１の電極１８０と、積層半導体層１００のｐ型半導体層１６０の表面に形成された第２の電極１７０と、を備え、第２の電極１７０は、積層半導体層１００のｐ型半導体層１６０上に、ｐ型半導体層１６０側と反対側の膜面が凹凸形状を有するように形成された、又はｐ型半導体層１６０を覆わない不連続な部分を設けるように形成された、光に対して透過性且つ導電性の透明導電層１７１と、透明導電層１７１上に設けられ光に対して反射性を有する金属反射層１７２と、を有することを特徴とする半導体発光素子１０。 （もっと読む）

【課題】遠視野像の水平方向における光強度分布形状を単峰化することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光層を有する半導体発光素子１００であって、発光層からの第一の光を出射する第一の光出射面１３１ａおよび発光層からの光を反射する後端面１００ｂを両端とする第一の光導波路１２１と、発光層からの第二の光を出射する第二の光出射面１４１ａおよび後端面１００ｂを両端とする第二の光導波路１２２とを備え、第一の光導波路１２１と第二の光導波路１２２とは、後端面１００ｂで接続されており、第一の光出射面１３１ａと第二の光出射面１４１ａとは、第一の光の光軸と第二の光の光軸とが近づくように、互いに非平行である。 （もっと読む）

【課題】結晶性が改善された発光層を有し量産化が容易な発光素子及び発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体からなる第１の基板上に、前記第１の基板に隣接したエッチング容易層と、窒化物系半導体からなる発光層と、を含む積層体を結晶成長する工程と、前記積層体の上に透明電極と第１の金属層とをこの順に形成する工程と、第２の基板の上に設けられた第２の金属層の表面と前記第１の金属層の表面とを貼り合わせた状態で加熱して接合する工程と、溶液エッチング法を用いて前記エッチング容易層を除去するか、または機械的研磨法を用いて前記第１の基板及び前記エッチング容易層を除去することにより、前記発光層が設けられた前記第２の基板と前記第１の基板とを分離する工程と、を備えた発光素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面を有し、表面と垂直する法線方向を含む基板と；基板の表面に位置して表面と接触し、基板の表面の一部を露出する複数の第一種結晶柱と；第一種結晶柱の側壁及び基板の露出表面に位置する第一保護層と；複数の第一種結晶柱の上に位置し、第一表面及び第一表面と相対する第二表面を有し、第一表面は複数の第一種結晶柱と直接接触する第一緩衝層と；複数の第一種結晶柱、基板の表面及び第一緩衝層の第一表面の間に位置する少なくとも一つの第一空洞構造と、を含み、少なくとも一つの第一空洞構造は幅と高さを有し、幅は第一空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは第一空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さと幅の比率は１／５〜３の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】上下電極構造を採り得る窒化物半導体発光素子であって、内部量子効率、光取り出し効率および駆動電圧に優れ、量産性にも優れる窒化物半導体発光素子、ならびにその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に凹凸加工が施されたサファイア基板からなる成長用基板、ｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層、透明導電層および誘電体からなる反射層をこの順で含む窒化物半導体発光素子およびその製造方法である。誘電体からなる反射層は、全反射する光が多くなるように全反射臨界角が小さくなる厚さで形成したＳｉＯ₂層；斜め２５°方向で反射率が最大になるように形成したＳｉＯ₂層とＳｉＮ層との周期構造；および、垂直方向で反射率が最大になるように形成したＳｉＯ₂層とＳｉＮ層との周期構造；からなることができる。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、半導体積層体の上で、半導体積層体に直接的に接続された第１上部電極と、半導体積層体の上で、半導体積層体に第１コンタクト層を介して接続され、第１上部電極から延出された、少なくとも１つの第２上部電極と、半導体積層体の下に設けられた下部電極と、を備える。発光素子は、半導体積層体と、下部電極と、の間に設けられ、発光層から発せられる光を透過する透明導電層と、透明導電層と、下部電極と、の間に設けられた光反射層と、半導体積層体と、透明導電層と、の間および半導体積層体と、第１上部電極および第２上部電極と、の間の少なくともいずれかに設けられ、発光層の主面に対して垂直な方向からみて少なくとも１つのスリットが選択的に設けられた電流阻止層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光抽出効率を改善して、光効率を向上させること。
【解決手段】実施例は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下部に形成されて、前記活性層から放出される光を放出する透明支持層と、前記透明支持層の下部に形成され、前記透明支持層を取り囲む反射層と、前記反射層の下部に形成され、前記反射層を取り囲む伝導層と、を含む発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】導電性を有する支持基板Ｓ上に、反射金属膜２６を介して、円錐台形状を有し発光領域となる活性層２３２を有する化合物半導体からなる化合物半導体発光ユニットＵを複数個並設した構造を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＧａＮ系化合物半導体発光素子及びその製造方法に関し、金属保護膜層と金属支持層により水平型発光素子の特性を高めることのできる垂直型ＧａＮ発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、垂直型ＧａＮ−ＬＥＤの側面及び／または下面に１０ミクロン以上の厚い金属保護膜層を形成して外部の衝撃から素子を保護することができ、チップ分離を容易に行うことができる他、サファイア基板の代わりに金属基板を用いて素子動作時に生じる熱放出を容易に行うことができることから、高出力素子に用いて好適であり、しかも、光出力特性が向上した素子を製造することができ、金属支持層を形成してチップの分離時に素子が歪んだり衝撃により損傷されたりするような現象を防ぐことができ、ｐ型電極をｐ−ＧａＮ上に網目状に部分的に形成して活性層において形成した光子がｎ−ＧａＮ層に向かって放射されることを極大化させることができる。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供する。
【解決手段】組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０≦Ｘ２≦１）の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層１１と、該活性層１１を挟む第１のクラッド層９と第２のクラッド層１３とを有する発光部７と、発光部７上に形成された電流拡散層８と、電流拡散層８に接合された機能性基板３とを備え、第１及び第２のクラッド層９、１３が組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなり、井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）