発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置
【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供する。
【解決手段】組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層11と、該活性層11を挟む第1のクラッド層9と第2のクラッド層13とを有する発光部7と、発光部7上に形成された電流拡散層8と、電流拡散層8に接合された機能性基板3とを備え、第1及び第2のクラッド層9、13が組成式(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする。
【解決手段】組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層11と、該活性層11を挟む第1のクラッド層9と第2のクラッド層13とを有する発光部7と、発光部7上に形成された電流拡散層8と、電流拡散層8に接合された機能性基板3とを備え、第1及び第2のクラッド層9、13が組成式(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置に関するものであり、特に、高速応答性と高出力性を備えた、赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置に関する。
【背景技術】
【0002】
赤色光又は赤外光を発光する発光ダイオードは、通信、各種センサー、夜間照明、植物工場用の光源など用途が広がっている。
それに応じて、赤外光を発光する発光ダイオードに対する要求は、主に高出力性を重視するもの、あるいは、主に高速応答性を重視するものから、それらの両方を重視するものへと変化している。特に、通信用の発光ダイオードでは、大容量の光空間伝送を行うため、高速応答性と高出力性とが必須である。
【0003】
赤色光及び赤外光を発光する発光ダイオードとして、GaAs基板にAlGaAs活性層を含む化合物半導体層を液相エピタキシャル法で成長させた発光ダイオードが知られている(例えば、特許文献1〜4)。
【0004】
特許文献4において、液相エピタキシャル法を用いてGaAs基板にAlGaAs活性層を含む化合物半導体層を成長させ、その後、成長基板として用いたGaAs基板を除去する、いわゆる基板除去型の発光ダイオードが開示されている。特許文献4において開示された発光ダイオードでは、応答速度(立ち上がり時間)が40〜55nsec程度においては出力が4mW以下である。また、応答速度が20nsec程度においては出力が5mWを若干超えた程度であり、液相エピタキシャル法を用いて作製した発光ダイオードとしては現在最も高い応答速度で高出力のものであると思われる。
【0005】
また、900nm以上の高い発光ピーク波長を有し得る赤外発光ダイオードとして、InGaAs活性層を用いるものが知られている(特許文献5〜7)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開平6−21507号公報
【特許文献2】特開2001−274454号公報
【特許文献3】特開平7−38148号公報
【特許文献4】特開2006−190792号公報
【特許文献5】特開2002−26377号公報
【特許文献6】特開2002−111048号公報
【特許文献7】特開2002−344013号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、上記した従来の技術の出力では通信用の発光ダイオードとしては十分ではない。
発光ダイオードは半導体レーザーと異なり、自然放出光を利用しているため、高速応答性と高出力性とはトレードオフの関係にある。従って、例えば、単に発光層の層厚を薄くしてキャリアの閉じ込め効果を増大して電子と正孔の発光再結合確率を高め、高速応答化を図っても、発光出力が低下してしまうという問題がある。
【0008】
また、900nm以上の高い発光ピーク波長を有し得る赤外発光ダイオードとして、InGaAsからなる井戸層を備える活性層を用いた発光ダイオードが実用化されている。このようなInGaAs井戸層を備えた発光ダイオードにおいても、さらなる性能向上や省エネ、コスト面等から、より発光効率の高いものの開発が望まれている。
【0009】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、InGaAsからなる3元混晶の井戸層と、AlGaAsからなる3元混晶のバリア層とを交互に5ペア以下で積層した量子井戸構造を活性層とし、この活性層を挟むクラッド層を4元混晶のAlGaInPからなるものとし、活性層及びクラッド層を含む化合物半導体層を成長基板にエピタキシャル成長させた後、その成長基板を除去し、化合物半導体層を透明基板に改めて貼り付ける(接合する)構成とすることにより、高速応答性を維持しつつ、高出力で赤外光を発光する発光ダイオードを完成させた。
【0011】
これに加え、本発明者は、InGaAsからなる3元混晶の井戸層と、AlGaInPからなる4元混晶のバリア層とを交互に5ペア以下で積層した量子井戸構造を活性層とし、この活性層を挟むクラッド層を4元混晶のAlGaInPからなるものとし、活性層及びクラッド層を含む化合物半導体層を成長基板にエピタキシャル成長させた後、その成長基板を除去し、化合物半導体層を透明基板に改めて貼り付ける(接合する)構成とすることにより、高速応答性を維持しつつ、高出力で赤外光を発光する発光ダイオードを完成させた。
【0012】
この際、本発明者は、まず、高いキャリアの閉じ込め効果を有し、高速応答に適した量子井戸構造を活性層に採用すると共に、高い注入キャリア密度を確保するために井戸層及びバリア層のペア数を5以下とした。この構成により、液相エピタキシャル法を用いて作製された発光ダイオードの上記の最も高速の応答速度と同程度か若しくはそれ以上の応答速度を実現した。
【0013】
また、3元混晶の量子井戸構造、又は、3元混晶の井戸層と4元混晶のバリア層とからなる量子井戸構造を挟むクラッド層に、バンドギャップが大きくて発光波長に対して透明であり、かつ、欠陥を作りやすいAsを含まないので結晶性の良い4元混晶のAlGaInPを採用した。
【0014】
また、従来、InGaAs系の活性層を用いる赤外発光ダイオードにおいては、この活性層を含む化合物半導体層を透明基板に貼り付ける(接合する)タイプはなく、化合物半導体層を成長させたGaAs基板をそのまま用いていた。しかしながら、GaAs基板は伝導性を高めるために高ドープされており、キャリアによる光の吸収が避けられない。そこで、化合物半導体層の成長後に、成長基板であるGaAs基板を除去し、キャリアによる光の吸収を回避でき、高出力・高効率が期待できる透明基板に貼り付ける(接合する)タイプを採用した。
【0015】
以上の通り、本発明者は、5ペア以下の量子井戸構造を活性層とする構成を採用して高速応答性を確保し、また、この構成において、3元混晶あるいは3元−4元の量子井戸構造を挟むクラッド層に4元混晶を用いるという画期的な組み合わせを採用すると共に、化合物半導体層の成長に用いた成長基板を除去して、光吸収のない基板に改めて化合物半導体層を貼り付けた構成を採用することにより、高出力化を図ることに成功したのである。
【0016】
本発明は、以下の手段を提供する。
(1) 組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
(2) 組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX5Ga1−X5)Y3In1−Y3P(0≦X5≦1,0<Y3≦1)の化合物半導体からなり、前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
(3) 前記活性層と前記クラッド層との接合面積が20000〜90000μm2であることを特徴とする前項(1)または(2)のいずれかに記載の発光ダイオード。
なお、「前記活性層と前記クラッド層との接合面積」とは、ガイド層等の層を介して活性層とクラッド層とが接合されている場合には、それらの層と活性層若しくはクラッド層との間の接合面積を含む。
(4) 前記井戸層のIn組成X1を0≦X1≦0.3とし、前記井戸層の厚さが3〜10nmであることを特徴とする前項(1)から(3)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(5) 前記井戸層のIn組成X1が0.1≦X1≦0.3であることを特徴とする前項(1)から(3)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(6) 前記機能性基板は発光波長に対して透明であることを特徴とする前項(1)から(5)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(7) 前記機能性基板はGaP、サファイア又はSiCからなることを特徴とする前項(1)から(6)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【0017】
(8) 組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記発光部に対向して配置され、発光波長に対して90%以上の反射率を有する反射層を含み、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
(9) 組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記発光部に対向して配置され、発光波長に対して90%以上の反射率を有する反射層を含み、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX5Ga1−X5)Y3In1−Y3P(0≦X5≦1,0<Y3≦1)の化合物半導体からなり、前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
(10) 前記活性層と前記クラッド層との接合面積が20000〜90000μm2であることを特徴とする前項(8)または(9)のいずれかに記載の発光ダイオード。
(11) 前記井戸層のIn組成X1を0≦X1≦0.3とし、前記井戸層の厚さが3〜10nmであることを特徴とする前項(8)から(10)のいずれか一項に発光ダイオード。
(12) 前記井戸層のIn組成X1が0.1≦X1≦0.3であることを特徴とする前項(8)から(10)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(13) 前記機能性基板はシリコンまたはゲルマニウムからなる層を含むことを特徴とする前項(8)から(12)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(14) 前記機能性基板は金属基板を含むことを特徴とする前項(8)から(12)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(15) 前記金属基板は複数の金属層からなることを特徴とする前項(14)に記載の発光ダイオード。
(16) 前記井戸層及びバリア層のペア数が3以下であることを特徴とする前項(1)から(15)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(17) 前記電流拡散層はGaPからなることを特徴とする前項(1)から(16)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(18) 前記電流拡散層の厚さは0.5〜20μmの範囲であることを特徴とする前項(1)から(17)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(19) 前記機能性基板の側面は、前記発光部に近い側においては主たる光取り出し面に対して略垂直である垂直面を有し、前記発光部に遠い側においては前記主たる光取り出し面に対して内側に傾斜した傾斜面を有することを特徴とする前項(1)から(18)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(20) 前記傾斜面は粗い面を含むことを特徴とする前項(19)に記載の発光ダイオード。
(21) 第1の電極及び第2の電極が発光ダイオードの前記主たる光取り出し面側に設けられていることを特徴とする前項(19)または(20)のいずれかに記載の発光ダイオード。
(22) 前記第1の電極及び前記第2の電極がオーミック電極であることを特徴とする前項(21)に記載の発光ダイオード。
【0018】
(23) 前項(1)から(22)のいずれか一項に記載の発光ダイオードを備えることを特徴とする発光ダイオードランプ。
(24) 前項(1)から(22)のいずれか一項に記載の発光ダイオード、および/または、前項(23)に記載の発光ダイオードランプを複数個搭載した照明装置。
【0019】
なお、本発明において、「機能性基板」とは、成長基板に化合物半導体層を成長させた後にその成長基板を除去し、電流拡散層を介して化合物半導体層に接合して化合物半導体層を支持する基板をいうが、電流拡散層に所定の層を形成した後に、その所定の層の上に所定の基板を接合する構成の場合は、その所定の層を含めて「機能性基板」という。
【発明の効果】
【0020】
本発明の発光ダイオードによれば、InGaAsの3元混晶からなる井戸層及びAlGaAsの3元混晶からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層を採用し、注入キャリアの閉じ込め効果が大きい量子井戸構造を用いる構成とすることにより、井戸層内に十分な注入キャリアが閉じ込められることで、井戸層内のキャリア密度が高くなり、その結果、発光再結合確率が増大して、応答速度が向上する。
また、量子井戸構造内に注入されたキャリアはその波動性のためにトンネル効果によって量子井戸構造内の井戸層間全体に広がることになるが、量子井戸構造の井戸層及びバリア層のペア数を5以下とする構成を採用したので、その広がりによる注入キャリアの閉じ込め効果の低下を極力回避し、高速応答性が担保されている。
さらにまた、量子井戸構造の活性層から発光する構成なので単色性が高い。
【0021】
さらに、本発明の発光ダイオードによれば、InGaAsの3元混晶からなる井戸層及びAlGaInPの4元混晶からなるバリア層を交互に積層した3元−4元量子井戸構造の活性層を採用し、注入キャリアの閉じ込め効果が大きい量子井戸構造を用いた構成とすることができる。
【0022】
また、活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層として、発光波長に対して透明であると共に、欠陥を作りやすいAsを含まないために結晶性が高いAlGaInPからなる構成を採用したので、欠陥を介した電子と正孔の非発光再結合確率が低下し、発光出力が向上する。
さらに、活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層として、4元混晶のAlGaInPからなる構成を採用したので、バリア層及びクラッド層が3元混晶からなる発光ダイオードに比べてAl濃度が低く、耐湿性が向上する。
【0023】
また、化合物半導体層の成長基板を除去して、電流拡散層に機能性基板を接合した構成を採用したので、成長基板による光の吸収が回避され、発光出力が向上する。すなわち、化合物半導体層の成長基板として通常用いられるGaAs基板はバンドギャップが活性層のバンドギャップよりも狭いために、活性層からの光がGaAs基板に吸収され、光取り出し効率が低下するが、このGaAs基板を除去することによって、発光出力が向上する。
【0024】
本発明の発光ダイオードによれば、活性層とクラッド層との接合面積を20000〜90000μm2である構成を採用することにより、その接合面積を90000μm2以下とすることで電流密度が高くなり、高出力を担保しつつ、発光再結合確率が増大して応答速度が向上する。他方、接合面積を20000μm2以上とすることで、通電電流に対する発光出力の飽和を抑制することにより、発光出力の大きな低下がなく、高出力が担保される。
【0025】
本発明の発光ダイオードによれば、井戸層のIn組成X1を0≦X1≦0.3とし、井戸層の厚さを3〜10nmとしてなる構成を採用することにより、従来の赤外発光ダイオードに比べて応答速度が高くかつ高出力が実現される。
【0026】
本発明の発光ダイオードによれば、機能性基板は発光波長に対して透明である構成を採用することにより、吸収がある基板を用いた発光ダイオードに比べて高出力が実現される。
【0027】
本発明の発光ダイオードによれば、機能性基板がGaP、サファイア又はSiC、シリコン、又はゲルマニウムからなる構成を採用することにより、発光部と熱膨張係数が近い為、応力を低減できる。また、腐食しにくい材質である為、耐湿性が向上する。
【0028】
本発明の発光ダイオードによれば、機能性基板と電流拡散層とをいずれもGaPからなる構成を採用することにより、それらの間の接合強度を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】本発明の一実施形態である発光ダイオードを用いた発光ダイオードランプの平面図である。
【図2】本発明の一実施形態である発光ダイオードを用いた発光ダイオードランプの、図1中に示すA−A’線に沿った断面模式図である。
【図3】本発明の一実施形態である発光ダイオードの平面図である。
【図4】本発明の一実施形態である発光ダイオードの、図3中に示すB−B’線に沿った断面模式図である。
【図5】本発明の一実施形態である発光ダイオードを構成する活性層を説明するための図である。
【図6】本発明の第1の実施形態である発光ダイオードの井戸層及びバリア層のペア数と、発光出力及び応答速度との相関を示すグラフである(活性層とクラッド層との接合面積が123000μm2の場合)。
【図7】本発明の第1の実施形態である発光ダイオードの井戸層及びバリア層のペア数と、発光出力及び応答速度との相関を示すグラフである(活性層とクラッド層との接合面積が53000μm2の場合)。
【図8】本発明の一実施形態である発光ダイオードに用いるエピウェーハの断面模式図である。
【図9】本発明の一実施形態である発光ダイオードに用いる接合ウェーハの断面模式図である。
【図10】本発明の一実施形態である発光ダイオードの、バリア層にAlGaInPを用いた場合の発光ダイオードの井戸層及びバリア層のペア数と発光出力との相関を示すグラフである。
【図11】本発明の一実施形態である発光ダイオードの、バリア層にAlGaInPを用いた場合の発光ダイオードのバリア層のIn組成(Y1)と発光出力との相関を示すグラフである。
【図12】本発明の一実施形態である発光ダイオードの、バリア層にAlGaInPを用いた場合の発光ダイオードの順方向電流と発光出力の相関に対する、井戸層及びバリア層のペア数の依存性を示すグラフである。
【図13】本発明の他の実施形態である発光ダイオードの平面図であり、(a)平面図、(b)(a)中に示すC−C’線に沿った断面模式図である。
【図14】本発明の他の実施形態である発光ダイオードの断面模式図である。
【図15】本発明の一実施形態である発光ダイオードのバリア層にAlGaAsを用いた場合の接合面積が123000μm2の場合と53000μm2の場合のペア数と応答速度との関係を示すグラフである。
【図16】本発明の一実施形態である発光ダイオードのバリア層にAlGaAsを用いた場合の接合面積が123000μm2の場合と53000μm2の場合のペア数と発光出力との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0030】
以下、本発明を適用した一実施形態である発光ダイオード及びこれを用いた発光ダイオードランプについて図面を用いて詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面において、同一部材には同一符号を付し若しくは符号を省略する。また、以下の説明で用いる図面は模式的であり、長さ、幅、及び厚みの比率等は現実のものとは異なる場合がある。
【0031】
<発光ダイオードランプ>
図1及び図2は、本発明を適用した一実施形態である発光ダイオードを用いた発光ダイオードランプを説明するための図であり、図1は平面図、図2は図1中に示すA−A’線に沿った断面図である。
【0032】
図1及び図2に示すように、本実施形態の発光ダイオード1を用いた発光ダイオードランプ41は、マウント基板42の表面に1以上の発光ダイオード1が実装されている。
より具体的には、マウント基板42の表面には、n電極端子43とp電極端子44とが設けられている。また、発光ダイオード1の第1の電極であるn型オーミック電極4とマウント基板42のn電極端子43とが金線45を用いて接続されている(ワイヤボンディング)。一方、発光ダイオード1の第2の電極であるp型オーミック電極5とマウント基板42のp電極端子44とが金線46を用いて接続されている。そして、マウント基板42の発光ダイオード1が実装された表面は、シリコン樹脂やエポキシ樹脂等の一般的な封止樹脂47によって封止されている。
【0033】
<発光ダイオード(第1の実施形態)>
図3及び図4は、本発明を適用した第1の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための図であり、図3は平面図、図4は図3中に示すB−B’線に沿った断面図である。また、図5は井戸層とバリア層の積層構造の断面図である。
第1の実施形態に係る発光ダイオードは、組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層17、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層18を交互に積層した量子井戸構造の活性層11と、該活性層11を挟む第1のクラッド層9と第2のクラッド層13とを有する発光部7と、発光部7上に形成された電流拡散層8と、電流拡散層8に接合された機能性基板3とを備え、第1及び第2のクラッド層9、13が組成式(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、井戸層17及びバリア層18のペア数が5以下であることを特徴とするものである。
なお、本実施形態における主たる光取り出し面とは、化合物半導体層2において、機能性基板3を貼り付けた面の反対側の面である。
【0034】
化合物半導体層(エピタキシャル成長層ともいう)2は、図4に示すように、pn接合型の発光部7と電流拡散層8とが順次積層された構造を有している。この化合物半導体層2の構造には、公知の機能層を適時加えることができる。例えば、オーミック(Ohmic)電極の接触抵抗を下げるためのコンタクト層、素子駆動電流を発光部の全般に平面的に拡散させるための電流拡散層、逆に素子駆動電流の通流する領域を制限するための電流阻止層や電流狭窄層など公知の層構造を設けることができる。なお、化合物半導体層2は、GaAs基板上にエピタキシャル成長させて形成されたものであることが好ましい。
【0035】
発光部7は、図4に示すように、電流拡散層8上に、少なくともp型の下部クラッド層(第1のクラッド層)9、下部ガイド層10、活性層11、上部ガイド層12、n型の上部クラッド層(第2のクラッド層)13が順次積層されて構成されている。すなわち、発光部7は、放射再結合をもたらすキャリア(担体;carrier)及び発光を活性層11に「閉じ込める」ために、活性層11の下側及び上側に対峙して配置した下部クラッド層9、下部ガイド(guide)層10、及び上部ガイド層12、上部クラッド層13を含む、所謂、ダブルヘテロ(英略称:DH)構造とすることが高強度の発光を得る上で好ましい。
【0036】
活性層11は、図5に示すように、発光ダイオード(LED)の発光波長を制御するため、量子井戸構造を構成する。すなわち、活性層11は、バリア層(障壁層ともいう)18を両端に有する、井戸層17とバリア層(障壁層ともいう)18との多層構造(積層構造)である。従って、例えば、5対のペア数の量子井戸構造は、5層の井戸層17と6層のバリア層18とからなる。
【0037】
活性層11の層厚は、0.02〜2μmの範囲であることが好ましい。また、活性層11の伝導型は特に限定されるものではなく、アンドープ、p型及びn型のいずれも選択することができる。発光効率を高めるには、結晶性が良好なアンドープ又は3×1017cm−3未満のキャリア濃度とすることが望ましい。結晶性を向上させて欠陥を少なくすると、光の吸収が抑制され、発光出力の向上を図ることができる。
【0038】
井戸層17は、組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる。
In組成X1は0≦X1≦0.3であるのが好ましい。In組成X1をこの範囲とすることにより、830〜1000nmの範囲で所望の発光波長を有するものとすることができる。
【0039】
下記表1に、井戸層17の層厚を5nmに固定した、In組成(X1)と発光ピーク波長との相関を示す。下記表1に示すように、井戸層17のIn組成(X1)が低くなるほど、発光ピーク波長が長くなっていることがわかる。また、その変化の傾向から、下記表1に記載されていない発光ピーク波長に対応する、In組成(X1)を推定することができる。
【0040】
【表1】
【0041】
井戸層17の層厚は、3〜30nmの範囲が好適であり、より好ましくは、3〜10nmの範囲である。
下記表2に、井戸層17のIn組成(X1)を0.20とした際の、井戸層17の層厚と発光ピーク波長との相関を示す。また、下記表3に、井戸層17のIn組成(X1)を0.05とした際の、井戸層17の層厚と発光ピーク波長との関係を示す。
【0042】
【表2】
【0043】
【表3】
【0044】
表2、3に示すように、井戸層17の層厚が薄くなると、量子効果によって発光ピーク波長が短くなる一方、層厚が厚い場合には、発光ピーク波長は組成によって決まる。また、それらの変化の傾向から、上記表2、3に記載されていない発光ピーク波長に対応する層厚を推定することができる。
【0045】
以上のような、発光ピーク波長と、井戸層17のIn組成(X1)及び層厚との関係に基づいて、830nm〜1000nmの範囲内で所望の発光波長が得られるように、井戸層17のIn組成(X1)と層厚を決めることができる。
例えば、井戸層のIn組成X1を0≦X1≦0.3とし、井戸層の厚さを3〜10nmの範囲とし、発光波長が830〜1000nmに設定されてなる発光ダイオードを作製できる。
【0046】
バリア層18は、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなる。Xは、バリア層18での吸収を防止して発光効率を高めるため、井戸層17よりもバンドギャップが大きくなる組成とするのが好ましい。また、バリア層18は、結晶性の観点からAl濃度が低いことが好ましい。従って、バリア層18のAl組成X2は0.1〜0.3の範囲であることがより好ましい。
また、最適なX2の組成は井戸層の組成との関係で決まる。結晶性を向上させて欠陥を少なくすると、光の吸収が抑制され、その結果、発光出力の向上を図ることができる。
【0047】
バリア層18の層厚は、井戸層17の層厚と等しいか又は井戸層17の層厚より厚いことが好ましい。バリア層18の層厚を、トンネル効果が生じる層厚範囲で十分に厚くすることにより、トンネル効果による井戸層の結合と、広がりの制限を両立することにより、キャリアの閉じ込め効果が増大し、電子と正孔の発光再結合確率が大きくなり、発光出力の向上を図ることができる。
【0048】
本発明の発光ダイオードにおいては、井戸層17とバリア層18との多層構造において、井戸層17とバリア層18とを交互に積層する対の数は5ペア以下であり、1ペアであっても構わない。すなわち、活性層11には、井戸層17が1〜5層含まれていることが好ましい。このような構成により、キャリアの閉じ込め効果を増大し、電子と正孔の発光再結合確率が大きくして、25nsec以下の高速の応答速度(立ち上がり時間)が確保できる。後述する実施例で示すように、井戸層17及びバリア層18のペア数を5対から1対に少なくするほど、応答速度は高速になった。実施例で示した条件ではペア数が1対のときに最高速の15nsecを実現した。多重量子井戸構造の活性層の場合、量子井戸層の数が少ないほど、電子と正孔が閉じ込められる領域が狭くなるために発光再結合確率が高くなり、その結果、応答速度が高速化する。
【0049】
図6及び図7はそれぞれ、活性層11と下部クラッド層9又は上部クラッド層13との接合面積を123000μm2(350μm×350μm:図6)とした場合と、それよりも狭く53000μm2(230μm×230μm:図7)とした場合の発光ダイオードの井戸層及びバリア層のペア数と、発光出力及び応答速度との相関を示すグラフである。
図6及び図7に示すグラフに基づくと、活性層11の発光効率が好適な範囲としては井戸層17が1層でも十分である。一方、井戸層17及びバリア層18の間には格子不整が存在する為、ペア数が多すぎると、結晶欠陥の発生により、発光効率が低下してしまう。このため、本発明では、井戸層17とバリア層18とのペア数は、5ペア以下である。
【0050】
例えば、図6のグラフに示すデータでは、井戸層17とバリア層18とのペア数が1ペアの場合は、発光出力が6.8mWで応答速度Trが15nsecであり、3ペアの場合には、発光出力が7mWで応答速度Trが18nsec、5ペアの場合には、発光出力が6.9mWで応答速度Trが23nsecと、何れも高い発光効率並びに高速応答性が得られる。一方、井戸層とバリア層とのペア数が10ペアでは、発光出力が6.5mW、応答速度Trが32nsecであり、ペア数が1〜5ペアの場合に比べて、出力並びに応答速度の何れも劣るものとなっている。また、井戸層とバリア層とのペア数が20ペアでは、発光出力が5.0mWに低下するとともに、応答速度Trが43nsecとなり、発光効率及び高速性の何れも劣ることがわかる。
【0051】
また、図7のグラフに示すデータでは、井戸層17とバリア層18とのペア数が1ペアの場合は、発光出力が7.0mWで応答速度Trが12nsecであり、3ペアの場合には、発光出力が7.1mWで応答速度Trが15nsec、5ペアの場合には、発光出力が7.0mWで応答速度Trが18nsecと、何れも高い発光効率並びに高速応答性が得られる。一方、井戸層とバリア層とのペア数が10ペアでは、発光出力が6.2mW、応答速度Trが23nsecであり、ペア数が1〜5ペアの場合に比べて、出力並びに応答速度の何れも劣るものとなっている。また、井戸層とバリア層とのペア数が20ペアでは、発光出力が5.2mWに低下するとともに、応答速度Trが36nsecとなり、発光効率及び高速性の何れも劣ることがわかる。
【0052】
図6及び図7のいずれの場合も、ペア数が1〜5ペアのうち、井戸層17とバリア層18とのペア数が3ペアのときはそれぞれ、応答速度Trも18nsec、15nsecと高速性にも優れているだけでなく、それぞれ7.0mV、7.1mVと最高出力であるから、発光出力を最重視する場合には3ペアが最も好ましい。
高速化の観点からすれば、1ペアがもっとも望ましいが、電子および正孔の閉じ込めが非常に狭い範囲で限定されることから、注入電流の増加に対する出力の飽和が発生しやすい。一方、本発明の井戸層には歪が存在することから、3ペア以上の領域ではペア数の増加に伴い、歪による結晶欠陥が拡大し出力が低下する。このことから、応答速度では2ペア以下の構造に劣るが、出力とのバランスを鑑み、3ペアがより望ましい。
【0053】
なお、井戸層17とバリア層18の数を減らすと、PN接合の接合容量(キャパシタンス)は大きくなる。これは、井戸層17とバリア層18はアンドープ、または低いキャリア濃度とされるので、PN接合において空乏層として機能し、空乏層が薄いほどキャパシタンスが大きくなることに起因する。
一般に応答速度を早くするためにはキャパシタンスが小さい方が望ましいが、本発明の構造では、井戸層17とバリア層18の数を少なくすることにより、キャパシタンスが大きくなるにも関わらず、応答速度が早くなる効果が見出された。これは、井戸層17とバリア層18の数を少なくすることにより、注入キャリアの再結合速度が速くなる効果がより大きいためであるものと推定される。
【0054】
活性層11と下部クラッド層9又は上部クラッド層13との接合面積は20000〜90000μm2であるのが好ましい。
【0055】
活性層11と下部クラッド層9又は上部クラッド層13との接合面積を90000μm2以下とすることで、電流密度が高くなり、発光再結合確率が増大して応答速度が向上する。後述する実施例で示すように、本発明者が鋭意実験したところ、例えば、活性層11と下部クラッド層9又は上部クラッド層13との接合面積を123000μm2(350μm×350μm)とした場合と、それよりも狭く53000μm2(230μm×230μm)とした場合とでは、後者の方が、井戸層17及びバリア層18のペア数が5ペアのときで20%以上応答速度が向上し、また、ペア数が1ペアのときでも、20%応答速度が向上することが明らかとなった。
【0056】
他方、活性層11と下部クラッド層9又は上部クラッド層13との接合面積を20000μm2以上とすることで、発光出力の大きな低下がなく、高出力が担保される。後述する実施例で示すように、本発明者が鋭意実験したところ、例えば、活性層11と下部クラッド層9又は上部クラッド層13との接合面積を53000μm2とした場合に、井戸層17及びバリア層18のペア数が5ペアのときに発光出力7.0mW(応答速度18nsec)で、1ペアのときでも発光出力7.0mW(応答速度12nsec)という高い発光出力を維持できることが明らかとなった。
【0057】
本実施形態においては、図4に例示するように、下部ガイド層10及び上部ガイド層12が、活性層11の下面及び上面にそれぞれ設けられている。具体的には、活性層11の下面に下部ガイド層10が設けられ、活性層11の上面に上部ガイド層12が設けられている。
【0058】
下部ガイド層10及び上部ガイド層12は、(AlX6Ga1−X6)As(0<X6≦1)の組成を有している。Al組成X6は、バリア層15よりもバンドギャップが等しいか又は大きくなる組成とすることが好ましく、0.2〜0.5の範囲がより好ましい。結晶性の観点から最適なX6の組成は、井戸層17の組成との関係で決まる。結晶性を向上させて欠陥を少なくすると、光の吸収が抑制され、その結果、発光出力の向上を図ることができる。
【0059】
下記表4に、井戸層17の層厚を5nmとした際に、各発光ピーク波長における発光出力が最大となる、バリア層18、下部ガイド層10及び上部ガイド層12のAl組成(X2、X6)を示す。ここで、バリア層18、下部ガイド層10及び上部ガイド層12は、井戸層17よりもバンドギャップが大きくなる組成とするのが好ましいが、結晶性を高めて発光出力を向上させるためには、井戸層17の組成との関係で最適な組成が定まる。このように、バリア層18、下部ガイド層10及び上部ガイド層12の結晶性を向上させて欠陥を少なくすると、光の吸収が抑制され、その結果、発光出力の向上を図ることができる。
【0060】
【表4】
【0061】
下部ガイド層10及び上部ガイド層12はそれぞれ、下部クラッド層9及び上部クラッド層13と、活性層11との愛大における欠陥の伝搬を低減するために設けられている。すなわち、下部ガイド層10、上部ガイド層12及び活性層11のV族構成元素は砒素(As)であるのに対し、本発明では下部クラッド層9及び上部クラッド層13のV族構成元素はリン(P)とするため、界面において欠陥が生じやすい。このような欠陥の活性層11への伝播は、発光ダイオードの性能低下の原因となる。このため、下部ガイド層10及び上部ガイド層12の層厚は10nm以上が好ましく、20nm〜100nmがより好ましい。
【0062】
下部ガイド層10及び上部ガイド層12の伝導型は特に限定されるものではなく、アンドープ、p型及びn型のいずれも選択することができる。発光効率を高めるには、結晶性が良好なアンドープ又は3×1017cm−3未満のキャリア濃度とすることが望ましい。
【0063】
下部クラッド層9及び上部クラッド層13は、図4に示すように、下部ガイド層10の下面及び上部ガイド層12上面にそれぞれ設けられている。
【0064】
下部クラッド層9及び上部クラッド層13は、(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、バリア層18よりもバンドギャップの大きい材質が好ましく、下部ガイド層10及び上部ガイド層12よりもバンドギャップが大きい材質がより好ましい。上記材質としては、(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)のAl組成X3が、0.2〜0.4である組成を有することが好ましい。また、Y1は0.4〜0.6とすることが好ましい。X3は、クラッド層として機能し、且つ、発光波長に対して透明な範囲で選ばれ、Y1は、クラッド層が厚膜なので基板との格子整合の観点から良質な結晶成長ができる範囲として選ばれる。
【0065】
下部クラッド層9と上部クラッド層13とは、極性が異なるように構成されている。また、下部クラッド層9及び上部クラッド層13のキャリア濃度及び厚さは、公知の好適な範囲を用いることができ、活性層11の発光効率が高まるように条件を最適化することが好ましい。また、下部クラッド層9及び上部クラッド層13の組成を制御することによって、化合物半導体層2の反りを低減させることができる。
【0066】
具体的に、下部クラッド層9としては、例えば、Mgをドープしたp型の(AlX3aGa1−X3a)Y1aIn1−Y1aP(0.3≦X3a≦0.7,0.4≦Y1a≦0.6)からなる半導体材料を用いることが望ましい。また、キャリア濃度は2×1017〜2×1018cm−3の範囲が好ましく、層厚は0.1〜1μmの範囲が好ましい。
【0067】
一方、上部クラッド層13としては、例えば、Siをドープしたn型の(AlX3bGa1−X3b)Y1bIn1−Y1bP(0.3≦X3b≦0.7,0.4≦Y1b≦0.6)からなる半導体材料を用いることが望ましい。また、キャリア濃度は1×1017〜1×1018cm−3の範囲が好ましく、層厚は0.1〜1μmの範囲が好ましい。
なお、下部クラッド層9及び上部クラッド層13の極性は、化合物半導体層2の素子構造を考慮して選択することができる。
【0068】
また、発光部7の構成層の上方には、オーミック(Ohmic)電極の接触抵抗を下げるためのコンタクト層、素子駆動電流を発光部の全般に平面的に拡散させるための電流拡散層、逆に素子駆動電流の通流する領域を制限するための電流阻止層や電流狭窄層など公知の層構造を設けることができる。
【0069】
電流拡散層8は、図4に示すように、発光部7の下方に設けられている。この電流拡散層8は、GaAs基板上に化合物半導体層2をエピタキシャル成長させる際に、活性層12によって生じた歪を緩和させる。
また、電流拡散層8は、発光部7(活性層11)からの発光波長に対して透明である材料、例えば、GaPを適用することができる。電流拡散層8にGaPを適用する場合、機能性基板3をGaP基板とすることにより、接合を容易にし、高い接合強度を得ることができる。
【0070】
また、電流拡散層8の厚さは0.5〜20μmの範囲であることが好ましい。0.5μm以下であると電流拡散が不十分であり、20μm以上であるとその厚さまで結晶成長させるためのコストが増大するであるからである。
【0071】
機能性基板3は、化合物半導体層2の主たる光取り出し面と反対側の面に接合されている。すなわち、機能性基板3は、図4に示すように、化合物半導体層2を構成する電流拡散層8側に接合される。この機能性基板3は、発光部7を機械的に支持するのに充分な強度を有し、且つ、発光部7から出射される発光を透過でき、活性層11からの発光波長に対して光学的に透明な材料から構成する。また、耐湿性に優れた化学的に安定な材質が、望ましく、例えば、腐食しやすいAl等を含有しない材質を採用することが望ましい。
【0072】
機能性基板3は発光部と熱膨張係数が近く、耐湿性に優れた基板であり、更に熱伝導の良いGaP、SiC、また、機械強度が強いサファイアからなるのが好ましい。また、機能性基板3は、発光部7を機械的に充分な強度で支持するために、例えば、約50μm以上の厚みとすることが好ましい。また、化合物半導体層2へ接合した後に機能性基板3への機械的な加工を施し易くするため、約300μmの厚さを超えないものとすることが好ましい。すなわち、機能性基板3は、約50μm以上約300μm以下の厚さを有する透明度、コスト面からn型GaP基板から構成するのが最も好ましい。
【0073】
また、図4に示すように、機能性基板3の側面は、化合物半導体層2に近い側において主たる光取り出し面に対して略垂直である垂直面3aとされており、化合物半導体層2に遠い側において主たる光取り出し面に対して内側に傾斜した傾斜面3bとされている。これにより、活性層11から機能性基板3側に放出された光を効率よく外部に取り出すことができる。また、活性層11から機能性基板3側に放出された光のうち、一部は垂直面3aで反射され傾斜面3bで取り出すことができる。一方、傾斜面3bで反射された光は垂直面3aで取り出すことができる。このように、垂直面3aと傾斜面3bとの相乗効果により、光の取り出し効率を高めることができる。
【0074】
また、本実施形態では、図4に示すように、傾斜面3bと発光面に平行な面とのなす角度αを、55度〜80度の範囲内とすることが好ましい。このような範囲とすることで、機能性基板3の底部で反射された光を効率よく外部に取り出すことができる。
また、垂直面3aの幅(厚さ方向)を、30μm〜100μmの範囲内とすることが好ましい。垂直面3aの幅を上記範囲内にすることで、機能性基板3の底部で反射された光を垂直面3aにおいて効率よく発光面に戻すことができ、さらには、主たる光取り出し面から放出させることが可能となる。これにより、発光ダイオード1の発光効率を高めることができる。
【0075】
また、機能性基板3の傾斜面3bは粗面化されているのが好ましい。傾斜面3bが粗面化されていることにより、この傾斜面3bでの光取り出し効率を上げる効果が得られる。すなわち、傾斜面3bを粗面化することにより、傾斜面3bでの全反射を抑制して、光取り出し効率を上げることができる。
【0076】
化合物半導体層2と機能性基板3との接合界面は、高抵抗層となっている場合がある。すなわち、化合物半導体層2と機能性基板3との間には、図示略の高抵抗層が形成されている場合がある。この高抵抗層は、機能性基板3よりも高い抵抗値を示し、高抵抗層が形成されている場合には化合物半導体層2の電流拡散層8側から機能性基板3側への逆方向の電流を低減する機能を有している。また、機能性基板3側から電流拡散層8側へと不用意に印加される逆方向の電圧に対して耐電圧性を発揮する接合構造を構成しているが、その降伏電圧は、pn接合型の発光部7の逆方向電圧より低値となる様に構成するのが好ましい。
【0077】
n型オーミック電極(第1の電極)4およびp型オーミック電極(第2の電極)5は、発光ダイオード1の主たる光取り出し面に設けられた低抵抗のオーミック接触電極である。
ここで、n型オーミック電極4は、上部クラッド層11の上方に設けられており、例えば、AuGe、Ni合金/Auからなる合金を用いることができる。一方、p型オーミック電極5は、図4に示すように、露出させた電流拡散層8の表面にAuBe/Au、またはAuZn/Auからなる合金を用いることができる。
【0078】
ここで、本実施形態の発光ダイオード1では、第2の電極としてp型オーミック電極5を、電流拡散層8上に形成するのが好ましい。このような構成とすることにより、作動電圧を下げる効果が得られる。また、p型オーミック電極5をp型GaPからなる電流拡散層8上に形成することにより、良好なオーミックコンタクトが得られるため、作動電圧を下げることができる。
【0079】
なお、本実施形態では、第1の電極の極性をn型とし、第2の電極の極性をp型とするのが好ましい。このような構成とすることにより、発光ダイオード1の高輝度化を達成することができる。一方、第1の電極をp型とすると、電流拡散が悪くなり、輝度の低下を招く。これに対して、第1の電極をn型とすることにより、電流拡散が良くなり、発光ダイオード1の高輝度化を達成することができる。
【0080】
本実施形態の発光ダイオード1では、図3に示すように、n型オーミック電極4とp型オーミック電極5とが対角の位置となるように配置することが好ましい。また、p型オーミック電極5の周囲を、化合物半導体層2で囲んだ構成とすることが最も好ましい。このような構成とすることにより、作動電圧を下げる効果が得られる。また、p型オーミック電極5の四方をn型オーミック電極4で囲むことにより、電流が四方に流れやすくなり、その結果作動電圧が低下する。
【0081】
また、本実施形態の発光ダイオード1では、図3に示すように、n型オーミック電極4を、ハニカム、格子形状など網目とすることが好ましい。このような構成とすることにより、信頼性を向上させる効果が得られる。また、格子状とすることにより、活性層11に均一に電流を注入することができ、その結果、信頼性を向上させる効果が得られる。
なお、本実施形態の発光ダイオード1では、n型オーミック電極4を、パッド形状の電極(パッド電極)と幅10μm以下の線状の電極(線状電極)とで構成することが好ましい。このような構成とすることにより、高輝度化をはかることができる。さらに、線状電極の幅を狭くすることにより、光取り出し面の開口面積を上げることができ、高輝度化を達成することができる。
【0082】
なお、本実施形態においては、図示を省略するが、さらに、機能性基板3の裏側に第3の電極が形成された構成を採用することができる。このような第3の電極を備えた構成とすることにより、透明基板(機能性基板)において、光が基板側へ反射する構造にすることで、さらなる高出力化ができる。反射金属材料としては、Au、Ag、Alなどの材料が使用できる。
また、電極表面側を、例えば、AuSn等の共晶金属、半田材料にすることで、ダイボンド工程においてペーストを使用する必要がなくなり、工程が簡易化できる。さらに、機能性基板3とn電極端子43との間を、金属からなる第3の電極で接続することにより、熱伝導が向上して発光ダイオードの放熱特性が良好となる。
【0083】
<発光ダイオードの製造方法>
次に、本実施形態の発光ダイオード1の製造方法について説明する。図8は、本実施形態の発光ダイオード1に用いるエピウェーハの断面図である。また、図9は、本実施形態の発光ダイオード1に用いる接合ウェーハの断面図である。
【0084】
(化合物半導体層の形成工程)
まず、図8に示すように、化合物半導体層2を作製する。化合物半導体層2は、GaAs基板14上に、GaAsからなる緩衝層15、選択エッチングに利用するために設けられたエッチングストップ層(図示略)、Siをドープしたn型のAlGaAsからなるコンタクト層16、n型の上部クラッド層13、上部ガイド層12、活性層11、下部ガイド層10、p型の下部クラッド層9、Mgドープしたp型GaPからなる電流拡散層8を順次積層して作製する。
【0085】
GaAs基板14は、公知の製法で作製された市販品の単結晶基板を使用することができる。GaAs基板14のエピタキシャル成長させる表面は、平滑であることが望ましい。GaAs基板14の表面の面方位は、エピタキシャル成長しやすく、量産されている(100)面および(100)から、±20°以内にオフした基板が、品質の安定性の面から望ましい。さらに、GaAs基板14の面方位の範囲が、(100)方向から(0−1−1)方向に15°オフ±5°であることがより好ましい。なお、本明細書では、ミラー指数の表記において、“−”はその直後の指数につくバーを意味する。
【0086】
GaAs基板14の転位密度は、化合物半導体層2の結晶性を良くするために低い方が望ましい。具体的には、例えば、10,000個cm−2以下、望ましくは、1,000個cm−2以下であることが好適である。
【0087】
GaAs基板14は、n型であってもp型であっても良い。GaAs基板14のキャリア濃度は、所望の電気伝導度と素子構造から、適宜選択することができる。例えば、GaAs基板14がシリコンドープのn型である場合には、キャリア濃度が1×1017〜5×1018cm−3の範囲であることが好ましい。これに対して、GaAs基板14が亜鉛をドープしたp型の場合には、キャリア濃度2×1018〜5×1019cm−3の範囲であることが好ましい。
【0088】
GaAs基板14の厚さは、基板のサイズに応じて適切な範囲がある。GaAs基板14の厚さが適切な範囲よりも薄いと、化合物半導体層2の製造プロセス中に割れてしまうおそれがある。一方、GaAs基板14の厚さが適切な範囲よりも厚いと材料コストが増加することになる。このため、GaAs基板14の基板サイズが大きい場合、例えば、直径75mmの場合には、ハンドリング時の割れを防止するために250〜500μmの厚さが望ましい。同様に、直径50mmの場合は、200〜400μmの厚さが望ましく、直径100mmの場合は、350〜600μmの厚さが望ましい。
【0089】
このように、GaAs基板14の基板サイズに応じて基板の厚さを厚くすることにより、活性層7に起因する化合物半導体層2の反りを低減することができる。これにより、エピタキシャル成長中の温度分布が均一となることため、活性層11の面内の波長分布を小さくすることができる。なお、GaAs基板14の形状は、特に円形に限定されず、矩形等であっても問題ない。
【0090】
緩衝層(buffer)15は、GaAs基板14と発光部7の構成層との欠陥の伝搬を低減するために設けられている。このため、基板の品質やエピタキシャル成長条件を選択すれば、緩衝層15は、必ずしも必要ではない。また、緩衝層15の材質は、エピタキシャル成長させる基板と同じ材質とすることが好ましい。したがって、本実施形態では、緩衝層15には、GaAs基板14と同じくGaAsを用いることが好ましい。また、緩衝層15には、欠陥の伝搬を低減するためにGaAs基板14と異なる材質からなる多層膜を用いることもできる。緩衝層15の厚さは、0.1μm以上とすることが好ましく、0.2μm以上とすることがより好ましい。
【0091】
コンタクト層16は、電極との接触抵抗を低下させるために設けられている。コンタクト層16の材質は、活性層11よりバンドギャップの大きい材質であることが好ましく、AlX7Ga1−X7As、(AlX7Ga1−X7)Y4In1−Y4P(0≦X7≦1,0<Y4≦1)を好適に用いることができる。また、コンタクト層16のキャリア濃度の下限値は、電極との接触抵抗を低下させるために5×1017cm−3以上であることが好ましく、1×1018cm−3以上がより好ましい。キャリア濃度の上限値は、結晶性の低下が起こりやすくなる2×1019cm−3以下が望ましい。コンタクト層16の厚さは、0.5μm以上が好ましく、1μm以上が最適である。コンタクト層16の厚さの上限値は特に限定されてはいないが、エピタキシャル成長に係るコストを適正範囲にするため、5μm以下とすることが望ましい。
【0092】
本実施形態では、分子線エピタキシャル法(MBE)や減圧有機金属化学気相堆積法(MOCVD法)等の公知の成長方法を適用することができる。なかでも、量産性に優れるMOCVD法を適用することが、最も望ましい。具体的には、化合物半導体層2のエピタキシャル成長に使用するGaAs基板14は、成長前に洗浄工程や熱処理等の前処理を実施して、表面の汚染や自然酸化膜を除去することが望ましい。上記化合物半導体層2を構成する各層は、直径50〜150mmのGaAs基板14をMOCVD装置内にセットし、同時にエピタキシャル成長させて積層することができる。また、MOCVD装置としては、自公転型、高速回転型等の市販の大型装置を適用することができる。
【0093】
上記化合物半導体層2の各層をエピタキシャル成長する際、III族構成元素の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム((CH3)3Al)、トリメチルガリウム((CH3)3Ga)及びトリメチルインジウム((CH3)3In)を用いることができる。また、Mgのドーピング原料としては、例えば、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(bis−(C5H5)2Mg)等を用いることができる。また、Siのドーピング原料としては、例えば、ジシラン(Si2H6)等を用いることができる。
また、V族構成元素の原料としては、ホスフィン(PH3)、アルシン(AsH3)等を用いることができる。
また、各層の成長温度としては、電流拡散層8としてp型GaPを用いる場合は、720〜770℃を適用することができ、その他の各層では600〜700℃を適用することができる。
さらに、各層のキャリア濃度及び層厚、温度条件は、適宜選択することができる。
【0094】
このようにして製造した化合物半導体層2は、発光部7を有するにもかかわらず結晶欠陥が少ない良好な表面状態が得られる。また、化合物半導体層2は、素子構造に対応して研磨などの表面加工を施しても良い。
【0095】
(機能性基板の接合工程)
次に、化合物半導体層2と機能性基板3とを接合する。
化合物半導体層2と機能性基板3との接合は、先ず、化合物半導体層2を構成する電流拡散層8の表面を研磨して、鏡面加工する。次に、この電流拡散層8の鏡面研磨した表面に貼付する機能性基板3を用意する。なお、この機能性基板3の表面は、電流拡散層8に接合させる以前に鏡面に研磨する。次に、一般の半導体材料貼付装置に、化合物半導体層2と機能性基板3とを搬入し、真空中で鏡面研磨した双方の表面に電子を衝突させて中性(ニュートラル)化したArビームを照射する。その後、真空を維持した貼付装置内で双方の表面を重ね合わせて荷重をかけることで、室温で接合することができる(図7参照)。接合に関しては、接合条件の安定性から、接合面が同じ材質がより望ましい。
接合(貼り付け)はこのような真空下での常温接合が最適であるが、共晶金属、接着剤を用いて接合することもできる。
【0096】
(第1及び第2の電極の形成工程)
次に、第1の電極であるn型オーミック電極4及び第2の電極であるp型オーミック電極5を形成する。
n型オーミック電極4及びp型オーミック電極5の形成の際は、先ず、機能性基板3と接合した化合物半導体層2から、GaAs基板14及び緩衝層15をアンモニア系エッチャントによって選択的に除去する。次に、露出したコンタクト層16の表面にn型オーミック電極4を形成する。具体的には、例えば、AuGe、Ni合金/Pt/Auを任意の厚さとなるように真空蒸着法により積層した後、一般的なフォトリソグラフィー手段を利用してパターニングを行ってn型オーミック電極4の形状を形成する。
【0097】
次に、コンタクト層16、上部クラッド層13、上部ガイド層12、活性層11、下部ガイド層10、p型の下部クラッド層9の所定範囲について選択的に除去して電流拡散層8を露出させ、この露出した電流拡散層8の表面にp型オーミック電極5を形成する。具体的には、例えば、AuBe/Auを任意の厚さとなるように真空蒸着法により積層した後、一般的なフォトリソグラフィー手段を利用してパターニングを行ってp型オーミック電極5の形状を形成する。その後、例えば400〜500℃、5〜20分間の条件で熱処理を行って合金化することにより、低抵抗のn型オーミック電極4及びp型オーミック電極5を形成することができる。
【0098】
(第3の電極の形成工程)
上述したような、図示略の第3の電極を設けた構成を採用する場合には、機能性基板3の裏面に第3の電極を形成する。第3の電極には、素子の構造により、オーミック電極、ショットキー電極、反射機能、共晶ダイボンド構造などの機能を組み合わせ付加することができる。また、透明基板(機能性基板)上においては、Au、Ag、Al等の材料を形成し、光を反射可能な構造にする。この際、機能性基板と前記材料の間に、例えば、酸化ケイ素やITO等の透明膜を挿入することができる。また、この際の形成方法としては、スパッタ法、蒸着法等の公知の技術を利用できる。
【0099】
また、電極表面側を、例えば、AuSn等の共晶金属、鉛フリー半田材料等にすることで、ダイボンド工程においてペーストを使用する必要がなくなり、工程が簡易化できる。また、この際の形成方法としては、スパッタ法、蒸着法、めっき、印刷等の公知の技術を利用できる。このように、機能性基板3とn電極端子43との間を金属からなる第3の電極で接続することで、熱伝導性が向上して発光ダイオードの放熱特性が良好となる。また、上述した機能の2つ以上を組み合わせる場合には、金属が拡散しないように、各層の愛大にバリア金属、酸化物を挿入することも好適な方法である。このようなバリア金属、酸化物としても、素子構造や基板材料に応じて、最適なものを選択すれば良い。
【0100】
(機能性基板の加工工程)
次に、機能性基板3の形状を加工する。
機能性基板3の加工は、先ず、図示略の第3の電極を形成していない表面にV字状の溝入れを行う。この際、V字状の溝の第3の電極側の内側面が発光面に平行な面とのなす角度αを有する傾斜面3bとなる。次に、化合物半導体層2側から所定の間隔でダイシングを行ってチップ化する。なお、チップ化の際のダイシングによって機能性基板3の垂直面3aが形成される。
【0101】
傾斜面3bの形成方法は、特に限定されるものではなく、ウェットエッチング、ドライエッチング、スクライブ法、レーザー加工などの従来からの方法を組み合わせて用いることができるが、形状の制御性及び生産性の高いダイシング法を適用することが最も好ましい。ダイシング法を適用することにより、製造歩留まりを向上することができる。
【0102】
また、垂直面3aの形成方法は、特に限定されるものではないが、レーザー加工、スクライブ・ブレーク法又はダイシング法で形成するのが好ましい。レーザー加工、スクライブ・ブレーク法を採用することにより、製造コストを低下させることができる。即ち、チップ分離の際に切りしろを設ける必要がなく、数多くの発光ダイオードが製造できるため、製造コストを下げることができる。一方、ダイシング法では、切断の安定性に優れている。
【0103】
最後に、破砕層及び汚れを必要に応じて硫酸・過酸化水素混合液等でエッチング除去する。このようにして発光ダイオード1を製造する。
【0104】
<発光ダイオードランプの製造方法>
次に、上記発光ダイオード1を用いた発光ダイオードランプ41の製造方法、すなわち、発光ダイオード1の実装方法について説明する。
図1及び図2に示すように、マウント基板42の表面に所定の数量の発光ダイオード1を実装する。発光ダイオード1の実装は、先ず、マウント基板42と発光ダイオード1との位置合わせを行い、マウント基板42の表面の所定の位置に発光ダイオード1を配置する。次に、Agペーストでダイボンドし、発光ダイオード1がマウント基板42の表面に固定される。次に、発光ダイオード1のn型オーミック電極4とマウント基板42のn電極端子43とを金線45を用いて接続する(ワイヤボンディング)。次に、発光ダイオード1のp型オーミック電極5とマウント基板42のp電極端子44とを金線46を用いて接続する。最後に、マウント基板42の発光ダイオード1が実装された表面を、シリコン樹脂やエポキシ樹脂等の一般的な封止樹脂47によって封止する。このようにして、発光ダイオード1を用いた発光ダイオードランプ41を製造する。
【0105】
また、発光ダイオードランプ41の発光スペクトルは、活性層11の組成が調整されているため、ピーク発光波長が830〜1000nmの範囲となる。また、電流拡散層8によって井戸層17及びバリア層18の活性層11内のばらつきが抑制されているため、発光スペクトルの半値幅が、10〜40nmの範囲となる。
【0106】
以上説明したように、本実施形態の発光ダイオード1によれば、組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の3元混晶からなる井戸層17、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の3元混晶からなるバリア層18を交互に積層した量子井戸構造の活性層11を有する発光部7を備えている。このように、注入キャリアの閉じ込め効果が大きい量子井戸構造を用いる構成とすることで、井戸層17内に十分な注入キャリアが閉じ込められることにより、井戸層17内のキャリア密度が高くなり、その結果、発光再結合確率が増大して、応答速度が向上する。
また、量子井戸構造の井戸層17及びバリア層18のペア数を5以下としたので、量子井戸構造内に注入されたキャリアが、その波動性によるトンネル効果で井戸層間全体に広がって注入キャリアの閉じ込め効果が低下するのを極力回避し、高速応答性が担保できる。
【0107】
また、活性層11を挟む上部クラッド層13及び下部クラッド層9を、発光波長に対して透明であるとともに、欠陥を作りやすいAsを含まないために結晶性が高いAlGaInPから構成したので、欠陥を介した電子と正孔の非発光再結合確率が低下し、発光出力が向上する。さらに、上部クラッド層13及び下部クラッド層9として、4元混晶のAlGaInPを採用することで、バリア層及びクラッド層の両方が3元混晶からなる発光ダイオードに比べてAl濃度が低く、耐湿性が向上する。
【0108】
また、本実施形態の発光ダイオード1では、発光部7上に電流拡散層8が設けられている。この電流拡散層8は、発光波長に対して透明であるため、発光部7からの発光を吸収することなく高出力・高効率の発光ダイオード1とすることができる。機能性基板は、材質的に安定で、腐食の心配がなく耐湿性に優れている。
【0109】
従って、本実施形態の発光ダイオード1によれば、活性層の条件を調整することで、830〜1000nmの発光波長を有し、単色性に優れると共に、高出力・高効率であって、耐湿性の高い発光ダイオード1を提供することができる。また、本実施形態の発光ダイオード1によれば、従来の液相エピタキシャル法で作製された、GaAs基板が除去されてなる透明基板型AlGaAs系の発光ダイオードと比較して、少なくとも約1.5倍以上の発光出力を有する高出力の発光ダイオード1を提供することができる。
【0110】
また、本実施形態の発光ダイオードランプ41によれば、単色性に優れると共に、高出力・高効率であって耐湿性の上記発光ダイオード1を備えている。このため、赤外線照明、センサーに適した発光ダイオードランプ41を提供することができる。
【0111】
<発光ダイオード(第2の実施形態)>
本発明を適用した第2の実施形態に係る発光ダイオードは、第1の実施形態に係る発光ダイオードにおけるAlGaAsバリア層18を、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層に置き換えた点が異なる。
【0112】
上述したように、本実施形態で用いられるバリア層18は、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の4元混晶の化合物半導体からなる。
Al組成X4は、井戸層17よりもバンドギャップが大きくなる組成とすることが好ましく、具体的には0〜0.2の範囲とすることが好ましい。
また、Y2は、基板との格子不整によるひずみの発生を防止するため、0.4〜0.6の範囲とすることが好ましく、0.45〜0.55の範囲とすることがより好ましい。
バリア層18の層厚は、井戸層17の層厚と等しいか、又は、井戸層17の層厚より厚いことが好ましい。このように、バリア層18の層厚を、トンネル効果が生じる層厚の範囲で十分に厚くすることにより、トンネル効果による井戸層の結合と、広がりの制限を両立することにより、キャリアの閉じ込め効果が増大し、電子と正孔の発光再結合確率が大きくなり、発光出力の向上を図ることができる。
【0113】
<発光ダイオード(第3の実施形態)>
図13(a)、(b)は、本発明を適用した第3の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための図であり、図13(a)は平面図、図13(b)は図13(a)中に示すC−C’線に沿った断面図である(ガイド層10及び12は図示省略)。
第3の実施形態に係る発光ダイオード20は、組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層17、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層18を交互に積層した量子井戸構造の活性層11と、該活性層11を挟む下部クラッド層(第1のクラッド層)9及び上部クラッド層(第2のクラッド層)13とを有する発光部7と、発光部7上に形成された電流拡散層8と、発光部7に対向して配置され、発光波長に対して90%以上の反射率を有する反射層23を含み、電流拡散層8に接合された機能性基板31とを備え、下部クラッド層9及び上部クラッド層13が組成式(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、井戸層17及びバリア層18のペア数が5以下であることを特徴とする。
【0114】
第3の実施形態に係る発光ダイオード20では、発光波長に対して90%以上の反射率を有し、発光部に対向して配置する反射層23を備えた機能性基板31を有するので、主たる光取り出し面から効率的に光を取り出すことができる。
図13(a)、(b)に示した例では、機能性基板31は、電流拡散層8の下側の面8bに、第2の電極21を備え、さらにその第2の電極8を覆うように透明導電膜22と反射層23とが積層されてなる反射構造体と、シリコン又はゲルマニウムからなる層(基板)30を備えている。
【0115】
第3の実施形態に係る発光ダイオードにおいては、機能性基板31はシリコン又はゲルマニウムからなる層を含むのが好ましい。これは、シリコン又はゲルマニウムは腐食しにくい材質である為、耐湿性が向上するからである。
【0116】
反射層23は例えば、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、金(Au)又はこれらの合金などにより構成される。これらの材料は光反射率が高く、反射層23からの光反射率を90%以上とすることができる。
【0117】
機能性基板31は、上記の反射層23に、AuIn、AuGe、AuSn等の共晶金属で、シリコン、ゲルマニウム等の安価な基板(層)に接合する組み合わせを用いることができる。特にAuInは、接合温度が低く、熱膨張係数が発光部と差があるが、最も安価なシリコン基板(シリコン層)を接合するには最適な組み合わせである。
機能性基板31はさらに、電流拡散層、反射層金属および共晶金属が相互拡散しないよう、例えば、チタン(Ti)、タングステン(W)、白金(Pt)などの高融点金属からなる層を挿入された構成とすることも品質の安定性から望ましい。
【0118】
<発光ダイオード(第4の実施形態)>
図14は、本発明を適用した第4の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための図である。
本発明を適用した第4の実施形態に係る発光ダイオードは、組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層11(図5に示す井戸層17、バリア層18、活性層11を参照)と、該活性層11を挟む下部クラッド層(第1のクラッド層)9及び上部クラッド層(第2のクラッド層)13とを有する発光部と、この発光部上に形成された電流拡散層8と、発光部に対向して配置され、発光波長に対して90%以上の反射率を有する反射層53と金属基板50とを含み、電流拡散層8に接合された機能性基板51とを備え、下部クラッド層9及び上部クラッド層13が組成式(AlX5Ga1−X5)Y3In1−Y3P(0≦X5≦1,0<Y3≦1)の化合物半導体からなり、井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする。
【0119】
第4の実施形態に係る発光ダイオード60では、機能性基板51が金属基板50を含む点が、第2の実施形態に係る発光ダイオードに対して特徴的な構成である。
金属基板50は放熱性が高く、発光ダイオードを高輝度で発光するのに寄与すると共に、発光ダイオードの寿命を長寿命とすることができる。
放熱性の観点からは、金属基板50は熱伝導率が130W/m・K以上の金属からなるのが特に好ましい。熱伝導率が130W/m・K以上の金属としては、例えば、モリブデン(138W/m・K)やタングステン(174W/m・K)がある。
【0120】
図14に示すように、化合物半導体層2は、活性層11と、ガイド層(図示せず)を介してその活性層11を挟む第1のクラッド層(下部クラッド)9及び第2のクラッド層(上部クラッド)13と、第1のクラッド層(下部クラッド)9の下側に電流拡散層8と、第2のクラッド層(上部クラッド)13の上側に第1の電極55と平面視してほぼ同じサイズのコンタクト層56とを有する。
機能性基板51は、電流拡散層8の下側の面8bに、第2の電極57を備え、さらにその第2の電極57を覆うように透明導電膜52と反射層53とが積層されてなる反射構造体と、金属基板50とからなり、反射構造体を構成する反射層53の化合物半導体層2と反対側の面53bに、金属基板50の接合面50aが接合されている。
【0121】
反射層53は例えば、銅、銀、金、アルミニウムなどの金属又はこれらの合金などにより構成される。これらの材料は光反射率が高く、反射構造体からの光反射率を90%以上とすることができる。反射層53を形成することにより、活性層11からの光を反射層53で正面方向fへ反射させて、正面方向fでの光取り出し効率を向上させることができる。これにより、発光ダイオードをより高輝度化できる。
【0122】
反射層53は、透明導電膜52側からAg、Ni/Tiバリア層、Au系の共晶金属(接続用金属)からなる積層構造が好ましい。
上記接続用金属は、電気抵抗が低く、低温で溶融する金属である。上記接続用金属を用いることにより、化合物半導体層2に熱ストレスを与えることなく、金属基板50を接続することができる。
接続用金属としては、化学的に安定で、融点の低いAu系の共晶金属などが用いられる。上記Au系の共晶金属としては、例えば、AuSn、AuGe、AuSiなどの合金の共晶組成(Au系の共晶金属)を挙げることができる。
また、接続用金属には、チタン、クロム、タングステンなどの金属を添加することが好ましい。これにより、チタン、クロム、タングステンなどの金属がバリア金属として機能して、金属基板50に含まれる不純物などが反射層53側に拡散して、反応することを抑制できる。
【0123】
透明導電膜52は、ITO膜、IZO膜などにより構成されている。なお、反射構造体は、反射層53だけで構成してもよい。
また、透明導電膜52の代わりに、または、透明導電膜52とともに、透明な材料の屈折率差を利用したいわゆるコールドミラー、例えば、酸化チタン膜、酸化ケイ素膜の多層膜や白色のアルミナ、AlNを用いて、反射層53に組み合わせてもよい。
【0124】
金属基板50は複数の金属層からなるものを用いることができる。
複数の金属層の構成としては、図14に示す例のように、2種類の金属層、即ち、第1の金属層50Aと第2の金属層50Bとが交互に積層されてなるものが好ましい。特に、第1の金属層50Aと第2の金属層50Bの層数は、合わせて奇数とすることがより好ましい。
【0125】
この場合、金属基板の反りや割れの観点から、第2の金属層50Bとして化合物半導体層2よりも熱膨張係数が小さい材料を用いる際は、第1の金属層50Aとして化合物半導体層3よりも熱膨張係数が大きい材料からなるものを用いることが好ましい。これは、金属基板全体としての熱膨張係数が化合物半導体層の熱膨張係数に近いものとなるため、化合物半導体層と金属基板とを接合する際の金属基板の反りや割れを抑制することができ、発光ダイオードの製造歩留まりを向上させることができるからである。
同様に、第2の金属層50Bとして化合物半導体層2よりも熱膨張係数が大きい材料を用いる際は、第1の金属層50Aとして化合物半導体層2より熱膨張係数が小さい材料からなるものを用いることが好ましい。これも、上記同様、金属基板全体としての熱膨張係数が化合物半導体層の熱膨張係数に近いものとなるため、化合物半導体層と金属基板とを接合する際の金属基板の反りや割れを抑制でき、発光ダイオードの製造歩留まりを向上できるからである。
以上の観点からは、2種類の金属層は、何れが第1の金属層でも第2の金属層でも構わない。
【0126】
2種類の金属層としては、例えば、銀(熱膨張係数=18.9ppm/K)、銅(熱膨張係数=16.5ppm/K)、金(熱膨張係数=14.2ppm/K)、アルミニウム(熱膨張係数=23.1ppm/K)、ニッケル(熱膨張係数=13.4ppm/K)およびこれらの合金のいずれかからなる金属層と、モリブデン(熱膨張係数=5.1ppm/K)、タングステン(熱膨張係数=4.3ppm/K)、クロム(熱膨張係数=4.9ppm/K)およびこれらの合金のいずれかからなる金属層との組み合わせを用いることができる。
金属基板50の好適な例としては、Cu/Mo/Cuの3層からなるものが挙げられる。また、上記の観点ではMo/Cu/Moの3層からなる金属基板でも同様な効果が得られるが、Cu/Mo/Cuの3層からなる金属基板は、機械的強度が高いMoを、加工しやすいCuで挟んだ構成なので、Mo/Cu/Moの3層からなる金属基板よりも切断等の加工が容易であるという利点がある。
【0127】
金属基板全体としての熱膨張係数は、例えば、Cu(30μm)/Mo(25μm)/Cu(30μm)の3層からなる金属基板では6.1ppm/Kであり、Mo(25μm)/Cu(70μm)/Mo(25μm)の3層からなる金属基板では5.7ppm/Kとなる。
【0128】
また、放熱の観点からは、金属基板を構成する金属層は熱伝導率が高い材料からなることが好ましい。これにより、金属基板の放熱性を高くすることで発光ダイオードを高輝度で発光させることができるとともに、発光ダイオードの寿命を長寿命とすることができるからである。
例えば、金属基板としては、銀(熱伝導率=420W/m・K)、銅(熱伝導率=398W/m・K)、金(熱伝導率=320W/m・K)、アルミニウム(熱伝導率=236W/m・K)、モリブデン(熱伝導率=138W/m・K)、タングステン(熱伝導率=174W/m・K)及びこれらの合金等を用いることが好ましい。また、金属基板は、各金属層の熱膨張係数が、化合物半導体層の熱膨張係数と略等しい材料からなることがさらに好ましい。特に、金属層の材料が、化合物半導体層の熱膨張係数の±1.5ppm/K以内である熱膨張係数を有する材料であることが好ましい。これにより、金属基板と化合物半導体層との接合時の、発光部への熱によるストレスを小さくすることができ、金属基板を化合物半導体層と接続させた際の熱による金属基板の割れを抑制することができ、発光ダイオードの製造歩留まりを向上させることができる。金属基板全体としての熱伝導率は、例えば、Cu(30μm)/Mo(25μm)/Cu(30μm)の3層からなる金属基板では250W/m・Kとなり、また、Mo(25μm)/Cu(70μm)/Mo(25μm)の3層からなる金属基板では220W/m・Kとなる。
【0129】
<発光ダイオード(第5の実施形態)>
本発明を適用した第5の実施形態に係る発光ダイオードは、組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層17と、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層18を交互に積層した量子井戸構造の活性層11と、該活性層11を挟む下部クラッド層(第1のクラッド層)9及び上部クラッド層(第2のクラッド層)13とを有する発光部7と、発光部7上に形成された電流拡散層8と、発光部7に対向して配置され、発光波長に対して90%以上の反射率を有する反射層23を含み、電流拡散層8に接合された機能性基板31とを備え、下部クラッド層9及び上部クラッド層13が組成式(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、井戸層17及びバリア層18のペア数が5以下であることを特徴とする。
第5の実施形態に係る発光ダイオードは、第3の実施形態に係る発光ダイオードにおけるAlGaAsバリア層18を、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層に置き換えた構成とされている。
【0130】
本実施形態のバリア層18は、上述したように、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなる。
上記組成式におけるAl組成(X4)としては、井戸層17よりもバンドギャップが大きくなる組成とすることが好ましく、具体的には0〜0.2の範囲が好ましい。
また、Y2としては、基板との格子不整によるひずみの発生を防止する為に0.4〜0.6の範囲とすることが好ましく、0.45〜0.55の範囲がより好ましい。
また、バリア層18の層厚は、井戸層17の層厚と等しいか、又は、井戸層17の層厚よりも厚いことが好ましい。バリア層18の層厚を、トンネル効果が生じる層厚の範囲で十分に厚くすることにより、トンネル効果による井戸層の結合と、広がりの制限を両立することにより、キャリアの閉じ込め効果が増大し、電子と正孔の発光再結合確率が大きくなり、発光出力の向上を図ることができる。
【0131】
本実施形態に係る発光ダイオードも、第3の実施形態と同様に、発光波長に対して90%以上の反射率を有し、発光部に対向して配置する反射層を備えた機能性基板を有する構成なので、主たる光取り出し面から効率的に光を取り出すことができる。
また、本実施形態においても、機能性基板として、第3の実施形態で例示したものを用いることができる。
【0132】
<発光ダイオード(第6の実施形態)>
本発明を適用した第6の実施形態に係る発光ダイオードは、組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層17と、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体層からなるバリア層18を交互に積層した量子井戸構造の活性層11と、該活性層11を挟む下部クラッド層(第1のクラッド層)9及び上部クラッド層(第2のクラッド層)13とを有する発光部7と、発光部7上に形成された電流拡散層8と、発光部7に対向して配置され、発光波長に対して90%以上の反射率を有する反射層53と金属基板50とを含み、電流拡散層8に接合された機能性基板51とを備え、下部クラッド層9及び上部クラッド層13が組成式(AlX5Ga1−X5)Y3In1−Y3P(0≦X5≦1,0<Y3≦1)の化合物半導体からなり、井戸層17及びバリア層18のペア数が5以下であることを特徴とする。
第6の実施形態に係る発光ダイオードは、第4の実施形態に係る発光ダイオードにおけるAlGaAsバリア層18を、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層に置き換えた構成とされている。
【0133】
本実施形態に係る発光ダイオードも第4の実施形態と同様に、発光波長に対して90%以上の反射率を有し、発光部に対向して配置する反射層を備えた機能性基板を有する構成なので、主たる光取り出し面から効率的に光を取り出すことができる。
また、本実施形態においても、機能性基板として、第4の実施形態で例示したものを用いることができる。
【実施例】
【0134】
以下、本発明の効果を、実施例を用いて具体的に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0135】
本実施例では、本発明に係る発光ダイオードを作製した例を具体的に説明する。また、本実施例で作製した発光ダイオードは、InGaAsからなる井戸層とAlGaAsからなるバリア層との量子井戸構造からなる活性層を有する赤外発光ダイオードである。本実施例では、GaAs基板上に成長させた化合物半導体層と機能性基板とを結合させて発光ダイオードを作製した。そして、特性評価のために発光ダイオードチップを基板上に実装した発光ダイオードランプを作製した。
【0136】
(実施例1)
実施例1の発光ダイオードは、図3、4に示すような第1の実施形態の実施例であり、井戸層とバリア層との接合面積は123000μm2(350μm×350μm)であった。
実施例1の発光ダイオードは、まず、Siをドープしたn型のGaAs単結晶からなるGaAs基板上に、化合物半導体層を順次積層して発光波長920nmのエピタキシャルウェーハを作製した。GaAs基板は、(100)面から(0−1−1)方向に15°傾けた面を成長面とし、キャリア濃度を2×1018cm−3とした。また、GaAs基板の層厚は、約0.5μmとした。化合物半導体層としては、SiをドープしたGaAsからなるn型の緩衝層、Siをドープした(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなるn型のコンタクト層、Siをドープした(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなるn型の上部クラッド層、Al0.3Ga0.7Asからなる上部ガイド層、In0.2 Ga0.8 As/Al0.1Ga0.9Asの対からなる井戸層/バリア層、Al0.3Ga0.7Asからなる下部ガイド層、Mgをドープした(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなるp型の下部クラッド層、(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5Pからなる薄膜の中間層、Mgドープしたp型GaPからなる電流拡散層を用いた。
【0137】
本実施例では、減圧有機金属化学気相堆積装置法(MOCVD装置)を用い、直径76mm、厚さ350μmのGaAs基板に化合物半導体層をエピタキシャル成長させて、エピタキシャルウェーハを形成した。エピタキシャル成長層を成長させる際、III族構成元素の原料としては、トリメチルアルミニウム((CH3)3Al)、トリメチルガリウム((CH3)3Ga)及びトリメチルインジウム((CH3)3In)を使用した。また、Mgのドーピング原料としては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(bis−(C5H5)2Mg)を使用した。また、Siのドーピング原料としては、ジシラン(Si2H6)を使用した。また、V族構成元素の原料としては、ホスフィン(PH3)、アルシン(AsH3)を使用した。また、各層の成長温度としては、p型GaPからなる電流拡散層は、750℃で成長させた。その他の各層では700℃で成長させた。
【0138】
GaAsからなる緩衝層は、キャリア濃度を約2×1018cm−3、層厚を約0.5μmとした。コンタクト層は、キャリア濃度を約2×1018cm−3、層厚を約3.5μmとした。上部クラッド層は、キャリア濃度を約1×1018cm−3、層厚を約0.5μmとした。上部ガイド層は、アンドープで層厚を約50nmとした。井戸層は、アンドープで層厚が約5nmのIn0.2Ga0.8Asとし、バリア層はアンドープで層厚が約19nmのAl0.1Ga0.9Asとした。また、井戸層及びバリア層のペア数を1対とした。下部ガイド層は、アンドープで層厚を約50nmとした。下部クラッド層は、キャリア濃度を約8×1017cm−3、層厚を約0.5μmとした。中間層は、キャリア濃度を約8×1017cm−3、層厚を約0.05μmとした。GaPからなる電流拡散層は、キャリア濃度を約3×1018cm−3、層厚を約9μmとした。
【0139】
次に、電流拡散層を表面から約1μmの深さに至る領域まで研磨して、鏡面加工した。この鏡面加工によって、電流拡散層の表面の粗さ(二乗平均平方根:rms)を0.18nmとした。
一方、上記の電流拡散層の鏡面研磨した表面に貼付するn型GaPからなる機能性基板を用意した。この貼付用の機能性基板には、キャリア濃度が約2×1017cm−3となるようにSiを添加し、面方位を(111)とした単結晶を用いた。また、機能性基板の直径は76mmで、厚さは250μmであった。この機能性基板の表面は、電流拡散層に接合させる以前に鏡面に研磨し、表面の粗さを、二乗平均平方根(rms)にして0.12nmに仕上げておいた。
【0140】
次に、一般の半導体材料貼付装置に、上記の機能性基板及びエピタキシャルウェーハを搬入し、3×10−5Paとなるまで装置内を真空に排気した。
【0141】
次に、機能性基板、及び電流拡散層の双方の表面に、電子を衝突させて中性(ニュートラル)化したArビームを3分間に亘り照射した。その後、真空に維持した貼付装置内で、機能性基板及び電流拡散層の表面を重ね合わせ、各々の表面での圧力が50g/cm2となる様に荷重を掛け、双方を室温で接合した。このようにして接合ウェーハを形成した。
【0142】
次に、上記接合ウェーハから、GaAs基板およびGaAs緩衝層をアンモニア系エッチャントにより選択的に除去した。次に、コンタクト層の表面に第1の電極として、AuGe、Ni合金を厚さが0.5μm、Ptを0.2μm、Auを1μmとなるように真空蒸着法によって成膜した。その後、一般的なフォトリソグラフィー手段を利用してパターニングを施し、第1の電極としてn型オーミック電極を形成した。次に、GaAs基板を除去した面である光取り出し面の表面に粗面化処理を施した。
【0143】
次に、第2の電極としてp型オーミック電極を形成する領域のエピ層を選択的に除去し、電流拡散層を露出させた。この露出した電流拡散層の表面に、AuBeを0.2μm、Auを1μmとなるように真空蒸着法でp形オーミック電極を形成した。その後、450℃で10分間熱処理を行って合金化し、低抵抗のp型およびn型オーミック電極を形成した。さらに、機能性基板の裏面側にAuを厚さ0.2μmで形成し、230μm□の正方形にパターンを形成することにより、第3の電極を形成した。
【0144】
次に、ダイシングソーを用いて、機能性基板の裏面から、第3の電極を形成していない領域を傾斜面の角度αが70°となると共に垂直面の厚さが130μmとなるようにV字状の溝入れを行った。次に、化合物半導体層側からダイシングソーを用い350μm間隔で切断し、チップ化した。そして、ダイシングによる破砕層および汚れを硫酸・過酸化水素混合液でエッチング除去して、実施例1の発光ダイオードを作製した。
【0145】
上記の様にして作製した実施例1の発光ダイオードチップを、マウント基板上に実装した発光ダイオードランプを100個組み立てた。この発光ダイオードランプは、マウントは、ダイボンダーで支持(マウント)し、発光ダイオードのn型オーミック電極とマウント基板の表面に設けたn電極端子とを金線でワイヤボンディングし、p型オーミック電極とp電極端子とを金線でワイヤボンディングした後、一般的なエポキシ樹脂で封止して作製した。
【0146】
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果を下記表8、図15及び図16に示す。図15は、バリア層が組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなり、活性層とクラッド層との接合面積が123000μm2の場合と53000μm2の場合のペア数と応答速度との関係を示すグラフであり、図16は、図15と同じ場合のペア数と発光出力との関係を示すグラフである。
【0147】
【表5】
【0148】
実施例1では、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長920nmとする赤外光が出射された。また、表6に示すように、実施例1では、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、化合物半導体層を構成する電流拡散層と機能性基板との接合界面での抵抗の低さ及び各オーミック電極の良好なオーミック特性を反映し、1.2ボルトとなった。また、順方向電流を20mAとした際の応答速度(立ち上がり時間)tr及び発光出力(P0)はそれぞれ、15nsec、6.8mWであった。
【0149】
(実施例2)
実施例2の発光ダイオードは第1の実施形態の実施例であり、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした以外は、実施例1と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、18nsec、7.0mW、1.2Vであった。
【0150】
(実施例3)
実施例3の発光ダイオードは第1の実施形態の実施例であり、井戸層及びバリア層のペア数を5対とした以外は、実施例1と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、23nsec、6.9mW、1.22Vであった。
【0151】
以下に示す実施例4〜6の発光ダイオードも、第1の実施形態の実施例であるが、活性層とクラッド層との接合面積を53000μm2(230μm×230μm)とした点のみが実施例1等とは異なる実施例である。
【0152】
(実施例4)
実施例4の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積以外の条件は、実施例1と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、12nsec、7.0mW、1.25Vであった。
【0153】
(実施例5)
実施例5の発光ダイオードは、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした点以外は実施例4と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、15nsec、7.1mW、1.26Vであった。
【0154】
(実施例6)
実施例6の発光ダイオードは、井戸層及びバリア層のペア数を5対とした点以外は、実施例4と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、18nsec、7.0mW、1.30Vであった。
【0155】
(実施例7)
実施例7の発光ダイオードも第1の実施形態の実施例であるが、活性層とクラッド層との接合面積を20000μm2(200μm×100μm)とした実施例である。
【0156】
実施例7の発光ダイオードは活性層とクラッド層との接合面積以外の条件は、実施例1と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、14nsec、7.0mW、1.36Vであった。
【0157】
(実施例8)
実施例8の発光ダイオードも第1の実施形態の実施例であるが、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした点以外は、実施例7と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、12nsec、7.0mW、1.35Vであった。
【0158】
(実施例9)
実施例9の発光ダイオードも第1の実施形態の実施例であるが、活性層とクラッド層との接合面積を90000μm2(300μm×300μm)とした実施例である。
【0159】
実施例9の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積以外の条件は、実施例1と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、21nsec、6.9mW、1.23Vであった。
【0160】
(実施例10)
実施例10の発光ダイオードも第1の実施形態の実施例であるが、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした点以外は、実施例9と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、16nsec、7.0mW、1.22Vであった。
【0161】
以下に示す実施例11〜13の発光ダイオードは、第2の実施形態の実施例である。
【0162】
(実施例11)
実施例11の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積を123000μm2(350μm×350μm)で、発光波長が960nmの実施例である。
【0163】
実施例11の発光ダイオードの層構成は以下の通りである。
実施例11では、Siをドープしたn型のGaAs単結晶からなるGaAs基板上は、(100)面から(0−1−1)方向に15°傾けた面を成長面とし、キャリア濃度を2×1018cm−3とした。化合物半導体層としては、SiをドープしたGaAsからなるn型の緩衝層、Siをドープした(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなるn型のコンタクト層、Siをドープした(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5Pからなるn型の上部クラッド層、(Al0.1 Ga0.9 )0.5 In0.5 Pからなる上部ガイド層、In0.25Ga0.75As/(Al0.1Ga0.9 )0.5 In0.5Pの対からなる井戸層/バリア層、(Al0.1 Ga0.9)0.5 In0.5Pからなる下部ガイド層、Mgをドープした(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5Pからなるp型の下部クラッド層、(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5Pからなる薄膜の中間層、Mgドープしたp型GaPからなる電流拡散層を用いた。
【0164】
GaAsからなる緩衝層は、キャリア濃度を約2×1018cm−3、層厚を約0.5μmとした。コンタクト層は、キャリア濃度を約2×1018cm−3、層厚を約3.5μmとした。上部クラッド層は、キャリア濃度を約1×1018cm−3、層厚を約0.5μmとした。上部ガイド層は、アンドープで層厚を約50nmとした。井戸層は、アンドープで層厚が約5nmのIn0.25Ga0.75Asとし、バリア層はアンドープで層厚が約19nmの(Al0.1Ga0.9 )0.5 In0.5Pとした。また、井戸層及びバリア層のペア数は5対とした。下部ガイド層は、アンドープで層厚を約50nmとした。下部クラッド層は、キャリア濃度を約8×1017cm−3、層厚を約0.5μmとした。中間層は、キャリア濃度を約8×1017cm−3、層厚を約0.05μmとした。GaPからなる電流拡散層は、キャリア濃度を約3×1018cm−3、層厚を約9μmとした。
実施例11の発光ダイオードは、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)が、それぞれ、24nsec、6.7mW、1.26Vであった。
【0165】
(実施例12)
実施例12の発光ダイオードも第2の実施形態の実施例であるが、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした点以外は、実施例11と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、18nsec、6.8mW、1.24Vであった。
【0166】
(実施例13)
実施例13の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積を53000μm2(230μm×230μm)とし、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした以外は、実施例11と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、14nsec、6.8mW、1.29Vであった。
【0167】
以下に示す実施例14〜19は、実施例1〜13と同様に化合物半導体層を作製し、その後、反射層を含む機能性基板を電流拡散層に接合した構成であり、機能性基板がシリコンからなる層を含む実施例である。ここで、実施例14〜16の発光ダイオードは第3の実施形態の実施例であり、実施例17〜19の発光ダイオードは第5の実施形態の実施例である。
【0168】
(実施例14)
実施例14の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積を123000μm2(350μm×350μm)とした実施例であり、実施例1等と同様の手順で化合物半導体層を作製した後、電流拡散層に反射層を備えた機能性基板を接合した構成である。この際、井戸層及びバリア層のペア数は5対とした。
以下、実施例14の発光ダイオードの作製方法を、図13(a)、(b)を参照して説明する。
【0169】
まず、電流拡散層8の表面に、AuBe/Au合金を厚さ0.2μmで20μmφのドットでなる電極(第2の電極)21を、光取り出し面の端から50μmになるように等間隔で8個配置した。
次に、透明導電膜であるITO膜22を0.4μmの厚さでスパッタ法により形成した。さらに、銀合金/Ti/Auでなる層23を0.2μm/0.1μm/1μmの厚さで形成し、反射層23とした。
【0170】
一方、シリコン基板(機能性基板)31の表面に、Ti/Au/Inでなる層32を0.1μm/0.5μm/0.3μmの厚さで形成した。また、シリコン基板31の裏面に、Ti/Auでなる層33を、0.1μm/0.5μmの厚さで形成した。そして、前記発光ダイオードウェーハ側のAuとシリコン基板側のIn表面とを重ね合わせ、320℃で加熱・500g/cm2で加圧し、機能性基板を発光ダイオードウェーハに接合した。
【0171】
次に、GaAs基板を除去し、コンタクト層16の表面に、AuGe/Auでなる直径100μmで厚さ3μmのオーミック電極(第1の電極)25を形成し、420℃で5分間熱処理し、p、nオーミック電極を合金化処理した。
【0172】
次に、第1の電極25をマスクとして、コンタクト層16の電極25直下分以外を除去した後、表面を粗面化処理した。
次に、チップに分離する為の切断予定部分の半導体層と反射層、共晶金属を除去し、シリコン基板31を、ダイシングソーで、350μmピッチで正方形に切断した。
【0173】
このようにして得られた発光ダイオード(発光ダイオードランプ)に対し、上面及び下面の電極間に電流を流したところ、ピーク波長920nmとする赤外光が出射された。また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、化合物半導体層を構成する電流拡散層と機能性基板との接合界面での抵抗の低さ及び各オーミック電極の良好なオーミック特性を反映し、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、24nsec、6.5mW、1.24Vであった。
【0174】
(実施例15)
実施例15の発光ダイオードも第3の実施形態の実施例であるが、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした点以外は、実施例14と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、20nsec、6.7mW、1.24Vであった。
【0175】
(実施例16)
実施例16の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積を53000μm2(230μm×230μm)とし、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした以外は、実施例11と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
【0176】
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、15nsec、6.5mW、1.28Vであった。
【0177】
(実施例17)
実施例17の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積を123000μm2(350μm×350μm)とし、井戸層及びバリア層のペア数は5対とした実施例である。実施例17の発光ダイオードは、実施例11と同様の手順で化合物半導体層を作製した後、実施例14と同様の手順で、電流拡散層に反射層を備えた機能性基板を接合した構成である。
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、24nsec、6.4mW、1.26Vであった。
【0178】
(実施例18)
実施例18の発光ダイオードも第5の実施形態の実施例であるが、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした点以外は、実施例17と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、20nsec、6.5mW、1.25Vであった。
【0179】
(実施例19)
実施例19の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積を53000μm2(230μm×230μm)とし、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした以外は、実施例13と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、15nsec、6.5mW、1.29Vであった。
【0180】
以下に示す実施例20及び21は第4の実施形態の実施例であり、実施例22及び23は第6の実施形態の実施例であり、実施例1〜13と同様に化合物半導体層を作製し、その後、反射層と金属基板とを含む機能性基板を電流拡散層に接合した構成である。
【0181】
(実施例20)
実施例20の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積を123000μm2(350μm×350μm)とし、井戸層及びバリア層のペア数は5対とした実施例である。実施例20の発光ダイオードの作製方法を、図14を参照しながら説明する。
【0182】
まず、電流拡散層8の表面8bに、AuBe/Au合金を厚さ0.2μmで20μmφのドットでなる第2の電極57を、光取り出し面の端から50μmになるように等間隔で8個配置した。
次に、透明導電膜であるITO膜52を0.4μmの厚さでスパッタ法により形成した。さらに、銀合金/Ti/Auでなる層53を0.2μm/0.1μm/1μmの厚さで形成し、反射層53とした。
【0183】
次に、熱膨張係数が化合物半導体層2の材料よりも大きい材質からなる第1の金属板50A、50Aと、熱膨張係数が化合物半導体層2の材料よりも小さい材質からなる第2の金属板50Bとを採用して、ホットプレスによって金属基板50を形成した。具体的には、第1の金属板50Aとしては厚さ10μmのCu、第2の金属板50Bとしては厚さ75μmのMoを用い、図14に示すように、2枚の第1の金属板50A、50Aの間に第2の金属板50Bを挿入し、これらを重ねて所定の加圧装置によって高温下で荷重をかけることにより、Cu(10μm)/Mo(75μm)/Cu(10μm)の3層からなる金属基板50を形成した。
【0184】
次に、発光ダイオードの反射層53の表面と金属基板50とを重ね合わせ、400℃で加熱・500g/cm2で加圧して接合することにより、機能性基板51が接合されてなる発光ダイオードウェーハを作製した。
【0185】
次に、GaAs基板を除去し、コンタクト層56の表面に、AuGe/Auからなる直径100μmで厚さ3μmのオーミック電極55を形成し、420℃で、5分間熱処理し、p、nオーミック電極を合金化処理した。
次に、第1の電極25をマスクとして、コンタクト層16の電極25直下分以外を除去した後、表面を粗面化処理した。
そして、チップに分離する為の切断予定部分の半導体層と反射層、共晶金属を除去し、シリコン基板を、ダイシングソーで、350μmピッチで正方形に切断した。
【0186】
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)はそれぞれ、25nsec、6.6mW、1.27Vであった。
【0187】
(実施例21)
実施例21の発光ダイオードも第4の実施形態の実施例であるが、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした点以外は、実施例20と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、20nsec、6.7mW、1.27Vであった。
【0188】
(実施例22)
実施例22の発光ダイオードは、実施例20の発光ダイオードにおけるAlGaAsバリア層を、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層に置き換えた点が異なる。
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、25nsec、6.4mW、1.31Vであった。
【0189】
(実施例23)
実施例23の発光ダイオードも第6の実施形態の実施例であるが、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした点以外は、実施例22と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、21nsec、6.5mW、1.30Vであった。
【0190】
以下に示す参考例1〜4は、井戸層及びバリア層のペア数を10対及び20対とした例であり、本発明の3元混晶の量子井戸構造、又は、3元混晶の井戸層と4元混晶のバリア層とからなる量子井戸構造を4元クラッド層で挟む構成が、何れも高い発光出力に適した構成であることを示すためのものである。
【0191】
(参考例1)
参考例1の発光ダイオードは、井戸層及びバリア層のペア数を10対とした点以外は、実施例1の発光ダイオードと同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、32nsec、6.5mW、1.32Vであった。
【0192】
(参考例2)
参考例2の発光ダイオードは、井戸層及びバリア層のペア数を20対とした点以外は、実施例1の発光ダイオードと同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、43nsec、5mW、1.38Vであった。
【0193】
(参考例3)
参考例3の発光ダイオードは、井戸層及びバリア層のペア数を10対とした点以外は、実施例4の発光ダイオードと同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、23nsec、6.2mW、1.40Vであった。
【0194】
(参考例4)
参考例4の発光ダイオードは、井戸層及びバリア層のペア数を20対とした点以外は、実施例1の発光ダイオードと同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、36nsec、5.2mW、1.51Vであった。
【0195】
上記参考例1〜4の結果から明らかなように、例え、井戸層及びバリア層のペア数を多くした場合であっても、上記実施例に比べて、決して高い発光出力(P0)が得られるものとはならないことがわかる。
【0196】
(比較例1)
比較例1の発光ダイオードは、従来技術である液相エピタキシャル法を用いて化合物半導体層を形成した比較例である。具体的には、GaAs基板にAl0.01Ga0.99Asを発光層とするダブルヘテロ構造の発光部をエピタキシャル成長させ、発光ダイオードを作製、評価した。
【0197】
比較例1の発光ダイオードの作製においては、GaAs基板上に、スライドボート型成長装置を用いて結晶成長を行った。
具体的には、まず、スライドボート型成長装置の基板収納溝にn型のGaAs単結晶からなる基板をセットし、各層の成長用に用意したルツボにGaメタル、GaAs多結晶、金属Al、及びドーパントを入れた。成長する層は、透明厚膜層(第1のp型層)、下部クラッド層(p型クラッド層)、活性層、上部クラッド層(n型クラッド層)の4層構造とし、この順序で積層した。
【0198】
次に、これらの原料をセットしたスライドボート型成長装置を、石英反応管内にセットし、水素気流中で950℃まで加温し、原料を溶解した後、雰囲気温度を910℃まで降温し、スライダーを右側に押して原料溶液(メルト)に接触させたあと0.5℃/分の速度で降温し、所定温度に達した後、またスライダーを押して順次各原料溶液に接触させたあと高温させる動作を繰り返し、最終的にはメルトと接触させた後、雰囲気温度を703℃まで降温してnクラッド層を成長させた後、スライダーを押して原料溶液とウェーハを切り離してエピタキシャル成長を終了させた。
【0199】
上記条件により、n型の(100)面のGaAs単結晶基板上に、Al0.01Ga0.99Asからなるn型上部クラッド層を50μm、Al0.01Ga0.99AsからなるSiドープの発光層を20μm、Al0.7Ga0.3Asからなるp型の下部クラッド層を20μm、発光波長に対して透明なAl0.25Ga0.75Asからなるp型の厚膜層を60μmとなるように、各層を液相エピタキシャル方法によって成長させた。
【0200】
エピタキシャル成長終了後、エピタキシャル基板を取り出し、n型のGaAlAsクラッド層表面を保護しながら、アンモニア−過酸化水素系エッチャントでp型のGaAs基板を選択的に除去した。
次に、エピタキシャルウェーハ両面に金電極を形成し、長辺が350μmの電極マスクを用いて、n型AlGaAs上部クラッド層の表面に、直径100μmのワイヤボンディング用パッドが中央に配置された表面電極を形成した。また、p型AlGaAs厚膜層の裏面に、裏面電極として、直径20μmのオーミック電極を80μm間隔に形成した。
そして、ダイシングソーにより、ウェーハを350μm間隔で切断した後、破砕層をエッチング除去することにより、n型のAlGaAs層が表面側となるように、比較例1の発光ダイオードチップを作製した。
【0201】
比較例1の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を、上記表6に示した。
表6に示すように、比較例1の発光ダイオードのn型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク波長を940nmとする赤外光が出射された。また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.2ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、2mWであった。また、応答速度(tr)は、1700nsecであり、比較例1のいずれのサンプルについても、本発明の実施例に比べ、高速応答に劣るものとなった。
【産業上の利用可能性】
【0202】
本発明の発光ダイオードは、高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置として利用できる。
【符号の説明】
【0203】
1・・・発光ダイオード、
2・・・化合物半導体層、
3・・・機能性基板、
3a・・・垂直面、
3b・・・傾斜面、
4・・・n型オーミック電極(第1の電極)、
5・・・p型オーミック電極(第2の電極)、
7・・・発光部、
8・・・電流拡散層、
9・・・下部クラッド層(第1のクラッド層)、
10・・・下部ガイド層、
11・・・活性層、
12・・・上部ガイド層、
13・・・上部クラッド層(第2のクラッド層)、
14・・・GaAs基板、
15・・・緩衝層、
16・・・コンタクト層、
17・・・井戸層、
18・・・バリア層、
20・・・発光ダイオード、
21・・・電極、
22・・・透明導電膜、
23・・・反射層、
25・・・ボンディング電極、
31…機能性基板、
41・・・発光ダイオードランプ、
42・・・マウント基板、
43・・・n電極端子、
44・・・p電極端子、
45,46・・・金線、
47・・・エポキシ樹脂、
α・・・傾斜面と発光面に平行な面とのなす角度、
50・・・金属基板、
51・・・機能性基板、
52・・・透明導電膜、
53・・・反射層、
55・・・第1の電極、
56・・・コンタクト層、
57・・・第2の電極、
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置に関するものであり、特に、高速応答性と高出力性を備えた、赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置に関する。
【背景技術】
【0002】
赤色光又は赤外光を発光する発光ダイオードは、通信、各種センサー、夜間照明、植物工場用の光源など用途が広がっている。
それに応じて、赤外光を発光する発光ダイオードに対する要求は、主に高出力性を重視するもの、あるいは、主に高速応答性を重視するものから、それらの両方を重視するものへと変化している。特に、通信用の発光ダイオードでは、大容量の光空間伝送を行うため、高速応答性と高出力性とが必須である。
【0003】
赤色光及び赤外光を発光する発光ダイオードとして、GaAs基板にAlGaAs活性層を含む化合物半導体層を液相エピタキシャル法で成長させた発光ダイオードが知られている(例えば、特許文献1〜4)。
【0004】
特許文献4において、液相エピタキシャル法を用いてGaAs基板にAlGaAs活性層を含む化合物半導体層を成長させ、その後、成長基板として用いたGaAs基板を除去する、いわゆる基板除去型の発光ダイオードが開示されている。特許文献4において開示された発光ダイオードでは、応答速度(立ち上がり時間)が40〜55nsec程度においては出力が4mW以下である。また、応答速度が20nsec程度においては出力が5mWを若干超えた程度であり、液相エピタキシャル法を用いて作製した発光ダイオードとしては現在最も高い応答速度で高出力のものであると思われる。
【0005】
また、900nm以上の高い発光ピーク波長を有し得る赤外発光ダイオードとして、InGaAs活性層を用いるものが知られている(特許文献5〜7)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開平6−21507号公報
【特許文献2】特開2001−274454号公報
【特許文献3】特開平7−38148号公報
【特許文献4】特開2006−190792号公報
【特許文献5】特開2002−26377号公報
【特許文献6】特開2002−111048号公報
【特許文献7】特開2002−344013号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、上記した従来の技術の出力では通信用の発光ダイオードとしては十分ではない。
発光ダイオードは半導体レーザーと異なり、自然放出光を利用しているため、高速応答性と高出力性とはトレードオフの関係にある。従って、例えば、単に発光層の層厚を薄くしてキャリアの閉じ込め効果を増大して電子と正孔の発光再結合確率を高め、高速応答化を図っても、発光出力が低下してしまうという問題がある。
【0008】
また、900nm以上の高い発光ピーク波長を有し得る赤外発光ダイオードとして、InGaAsからなる井戸層を備える活性層を用いた発光ダイオードが実用化されている。このようなInGaAs井戸層を備えた発光ダイオードにおいても、さらなる性能向上や省エネ、コスト面等から、より発光効率の高いものの開発が望まれている。
【0009】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、InGaAsからなる3元混晶の井戸層と、AlGaAsからなる3元混晶のバリア層とを交互に5ペア以下で積層した量子井戸構造を活性層とし、この活性層を挟むクラッド層を4元混晶のAlGaInPからなるものとし、活性層及びクラッド層を含む化合物半導体層を成長基板にエピタキシャル成長させた後、その成長基板を除去し、化合物半導体層を透明基板に改めて貼り付ける(接合する)構成とすることにより、高速応答性を維持しつつ、高出力で赤外光を発光する発光ダイオードを完成させた。
【0011】
これに加え、本発明者は、InGaAsからなる3元混晶の井戸層と、AlGaInPからなる4元混晶のバリア層とを交互に5ペア以下で積層した量子井戸構造を活性層とし、この活性層を挟むクラッド層を4元混晶のAlGaInPからなるものとし、活性層及びクラッド層を含む化合物半導体層を成長基板にエピタキシャル成長させた後、その成長基板を除去し、化合物半導体層を透明基板に改めて貼り付ける(接合する)構成とすることにより、高速応答性を維持しつつ、高出力で赤外光を発光する発光ダイオードを完成させた。
【0012】
この際、本発明者は、まず、高いキャリアの閉じ込め効果を有し、高速応答に適した量子井戸構造を活性層に採用すると共に、高い注入キャリア密度を確保するために井戸層及びバリア層のペア数を5以下とした。この構成により、液相エピタキシャル法を用いて作製された発光ダイオードの上記の最も高速の応答速度と同程度か若しくはそれ以上の応答速度を実現した。
【0013】
また、3元混晶の量子井戸構造、又は、3元混晶の井戸層と4元混晶のバリア層とからなる量子井戸構造を挟むクラッド層に、バンドギャップが大きくて発光波長に対して透明であり、かつ、欠陥を作りやすいAsを含まないので結晶性の良い4元混晶のAlGaInPを採用した。
【0014】
また、従来、InGaAs系の活性層を用いる赤外発光ダイオードにおいては、この活性層を含む化合物半導体層を透明基板に貼り付ける(接合する)タイプはなく、化合物半導体層を成長させたGaAs基板をそのまま用いていた。しかしながら、GaAs基板は伝導性を高めるために高ドープされており、キャリアによる光の吸収が避けられない。そこで、化合物半導体層の成長後に、成長基板であるGaAs基板を除去し、キャリアによる光の吸収を回避でき、高出力・高効率が期待できる透明基板に貼り付ける(接合する)タイプを採用した。
【0015】
以上の通り、本発明者は、5ペア以下の量子井戸構造を活性層とする構成を採用して高速応答性を確保し、また、この構成において、3元混晶あるいは3元−4元の量子井戸構造を挟むクラッド層に4元混晶を用いるという画期的な組み合わせを採用すると共に、化合物半導体層の成長に用いた成長基板を除去して、光吸収のない基板に改めて化合物半導体層を貼り付けた構成を採用することにより、高出力化を図ることに成功したのである。
【0016】
本発明は、以下の手段を提供する。
(1) 組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
(2) 組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX5Ga1−X5)Y3In1−Y3P(0≦X5≦1,0<Y3≦1)の化合物半導体からなり、前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
(3) 前記活性層と前記クラッド層との接合面積が20000〜90000μm2であることを特徴とする前項(1)または(2)のいずれかに記載の発光ダイオード。
なお、「前記活性層と前記クラッド層との接合面積」とは、ガイド層等の層を介して活性層とクラッド層とが接合されている場合には、それらの層と活性層若しくはクラッド層との間の接合面積を含む。
(4) 前記井戸層のIn組成X1を0≦X1≦0.3とし、前記井戸層の厚さが3〜10nmであることを特徴とする前項(1)から(3)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(5) 前記井戸層のIn組成X1が0.1≦X1≦0.3であることを特徴とする前項(1)から(3)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(6) 前記機能性基板は発光波長に対して透明であることを特徴とする前項(1)から(5)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(7) 前記機能性基板はGaP、サファイア又はSiCからなることを特徴とする前項(1)から(6)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【0017】
(8) 組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記発光部に対向して配置され、発光波長に対して90%以上の反射率を有する反射層を含み、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
(9) 組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記発光部に対向して配置され、発光波長に対して90%以上の反射率を有する反射層を含み、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX5Ga1−X5)Y3In1−Y3P(0≦X5≦1,0<Y3≦1)の化合物半導体からなり、前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
(10) 前記活性層と前記クラッド層との接合面積が20000〜90000μm2であることを特徴とする前項(8)または(9)のいずれかに記載の発光ダイオード。
(11) 前記井戸層のIn組成X1を0≦X1≦0.3とし、前記井戸層の厚さが3〜10nmであることを特徴とする前項(8)から(10)のいずれか一項に発光ダイオード。
(12) 前記井戸層のIn組成X1が0.1≦X1≦0.3であることを特徴とする前項(8)から(10)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(13) 前記機能性基板はシリコンまたはゲルマニウムからなる層を含むことを特徴とする前項(8)から(12)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(14) 前記機能性基板は金属基板を含むことを特徴とする前項(8)から(12)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(15) 前記金属基板は複数の金属層からなることを特徴とする前項(14)に記載の発光ダイオード。
(16) 前記井戸層及びバリア層のペア数が3以下であることを特徴とする前項(1)から(15)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(17) 前記電流拡散層はGaPからなることを特徴とする前項(1)から(16)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(18) 前記電流拡散層の厚さは0.5〜20μmの範囲であることを特徴とする前項(1)から(17)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(19) 前記機能性基板の側面は、前記発光部に近い側においては主たる光取り出し面に対して略垂直である垂直面を有し、前記発光部に遠い側においては前記主たる光取り出し面に対して内側に傾斜した傾斜面を有することを特徴とする前項(1)から(18)のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
(20) 前記傾斜面は粗い面を含むことを特徴とする前項(19)に記載の発光ダイオード。
(21) 第1の電極及び第2の電極が発光ダイオードの前記主たる光取り出し面側に設けられていることを特徴とする前項(19)または(20)のいずれかに記載の発光ダイオード。
(22) 前記第1の電極及び前記第2の電極がオーミック電極であることを特徴とする前項(21)に記載の発光ダイオード。
【0018】
(23) 前項(1)から(22)のいずれか一項に記載の発光ダイオードを備えることを特徴とする発光ダイオードランプ。
(24) 前項(1)から(22)のいずれか一項に記載の発光ダイオード、および/または、前項(23)に記載の発光ダイオードランプを複数個搭載した照明装置。
【0019】
なお、本発明において、「機能性基板」とは、成長基板に化合物半導体層を成長させた後にその成長基板を除去し、電流拡散層を介して化合物半導体層に接合して化合物半導体層を支持する基板をいうが、電流拡散層に所定の層を形成した後に、その所定の層の上に所定の基板を接合する構成の場合は、その所定の層を含めて「機能性基板」という。
【発明の効果】
【0020】
本発明の発光ダイオードによれば、InGaAsの3元混晶からなる井戸層及びAlGaAsの3元混晶からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層を採用し、注入キャリアの閉じ込め効果が大きい量子井戸構造を用いる構成とすることにより、井戸層内に十分な注入キャリアが閉じ込められることで、井戸層内のキャリア密度が高くなり、その結果、発光再結合確率が増大して、応答速度が向上する。
また、量子井戸構造内に注入されたキャリアはその波動性のためにトンネル効果によって量子井戸構造内の井戸層間全体に広がることになるが、量子井戸構造の井戸層及びバリア層のペア数を5以下とする構成を採用したので、その広がりによる注入キャリアの閉じ込め効果の低下を極力回避し、高速応答性が担保されている。
さらにまた、量子井戸構造の活性層から発光する構成なので単色性が高い。
【0021】
さらに、本発明の発光ダイオードによれば、InGaAsの3元混晶からなる井戸層及びAlGaInPの4元混晶からなるバリア層を交互に積層した3元−4元量子井戸構造の活性層を採用し、注入キャリアの閉じ込め効果が大きい量子井戸構造を用いた構成とすることができる。
【0022】
また、活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層として、発光波長に対して透明であると共に、欠陥を作りやすいAsを含まないために結晶性が高いAlGaInPからなる構成を採用したので、欠陥を介した電子と正孔の非発光再結合確率が低下し、発光出力が向上する。
さらに、活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層として、4元混晶のAlGaInPからなる構成を採用したので、バリア層及びクラッド層が3元混晶からなる発光ダイオードに比べてAl濃度が低く、耐湿性が向上する。
【0023】
また、化合物半導体層の成長基板を除去して、電流拡散層に機能性基板を接合した構成を採用したので、成長基板による光の吸収が回避され、発光出力が向上する。すなわち、化合物半導体層の成長基板として通常用いられるGaAs基板はバンドギャップが活性層のバンドギャップよりも狭いために、活性層からの光がGaAs基板に吸収され、光取り出し効率が低下するが、このGaAs基板を除去することによって、発光出力が向上する。
【0024】
本発明の発光ダイオードによれば、活性層とクラッド層との接合面積を20000〜90000μm2である構成を採用することにより、その接合面積を90000μm2以下とすることで電流密度が高くなり、高出力を担保しつつ、発光再結合確率が増大して応答速度が向上する。他方、接合面積を20000μm2以上とすることで、通電電流に対する発光出力の飽和を抑制することにより、発光出力の大きな低下がなく、高出力が担保される。
【0025】
本発明の発光ダイオードによれば、井戸層のIn組成X1を0≦X1≦0.3とし、井戸層の厚さを3〜10nmとしてなる構成を採用することにより、従来の赤外発光ダイオードに比べて応答速度が高くかつ高出力が実現される。
【0026】
本発明の発光ダイオードによれば、機能性基板は発光波長に対して透明である構成を採用することにより、吸収がある基板を用いた発光ダイオードに比べて高出力が実現される。
【0027】
本発明の発光ダイオードによれば、機能性基板がGaP、サファイア又はSiC、シリコン、又はゲルマニウムからなる構成を採用することにより、発光部と熱膨張係数が近い為、応力を低減できる。また、腐食しにくい材質である為、耐湿性が向上する。
【0028】
本発明の発光ダイオードによれば、機能性基板と電流拡散層とをいずれもGaPからなる構成を採用することにより、それらの間の接合強度を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】本発明の一実施形態である発光ダイオードを用いた発光ダイオードランプの平面図である。
【図2】本発明の一実施形態である発光ダイオードを用いた発光ダイオードランプの、図1中に示すA−A’線に沿った断面模式図である。
【図3】本発明の一実施形態である発光ダイオードの平面図である。
【図4】本発明の一実施形態である発光ダイオードの、図3中に示すB−B’線に沿った断面模式図である。
【図5】本発明の一実施形態である発光ダイオードを構成する活性層を説明するための図である。
【図6】本発明の第1の実施形態である発光ダイオードの井戸層及びバリア層のペア数と、発光出力及び応答速度との相関を示すグラフである(活性層とクラッド層との接合面積が123000μm2の場合)。
【図7】本発明の第1の実施形態である発光ダイオードの井戸層及びバリア層のペア数と、発光出力及び応答速度との相関を示すグラフである(活性層とクラッド層との接合面積が53000μm2の場合)。
【図8】本発明の一実施形態である発光ダイオードに用いるエピウェーハの断面模式図である。
【図9】本発明の一実施形態である発光ダイオードに用いる接合ウェーハの断面模式図である。
【図10】本発明の一実施形態である発光ダイオードの、バリア層にAlGaInPを用いた場合の発光ダイオードの井戸層及びバリア層のペア数と発光出力との相関を示すグラフである。
【図11】本発明の一実施形態である発光ダイオードの、バリア層にAlGaInPを用いた場合の発光ダイオードのバリア層のIn組成(Y1)と発光出力との相関を示すグラフである。
【図12】本発明の一実施形態である発光ダイオードの、バリア層にAlGaInPを用いた場合の発光ダイオードの順方向電流と発光出力の相関に対する、井戸層及びバリア層のペア数の依存性を示すグラフである。
【図13】本発明の他の実施形態である発光ダイオードの平面図であり、(a)平面図、(b)(a)中に示すC−C’線に沿った断面模式図である。
【図14】本発明の他の実施形態である発光ダイオードの断面模式図である。
【図15】本発明の一実施形態である発光ダイオードのバリア層にAlGaAsを用いた場合の接合面積が123000μm2の場合と53000μm2の場合のペア数と応答速度との関係を示すグラフである。
【図16】本発明の一実施形態である発光ダイオードのバリア層にAlGaAsを用いた場合の接合面積が123000μm2の場合と53000μm2の場合のペア数と発光出力との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0030】
以下、本発明を適用した一実施形態である発光ダイオード及びこれを用いた発光ダイオードランプについて図面を用いて詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面において、同一部材には同一符号を付し若しくは符号を省略する。また、以下の説明で用いる図面は模式的であり、長さ、幅、及び厚みの比率等は現実のものとは異なる場合がある。
【0031】
<発光ダイオードランプ>
図1及び図2は、本発明を適用した一実施形態である発光ダイオードを用いた発光ダイオードランプを説明するための図であり、図1は平面図、図2は図1中に示すA−A’線に沿った断面図である。
【0032】
図1及び図2に示すように、本実施形態の発光ダイオード1を用いた発光ダイオードランプ41は、マウント基板42の表面に1以上の発光ダイオード1が実装されている。
より具体的には、マウント基板42の表面には、n電極端子43とp電極端子44とが設けられている。また、発光ダイオード1の第1の電極であるn型オーミック電極4とマウント基板42のn電極端子43とが金線45を用いて接続されている(ワイヤボンディング)。一方、発光ダイオード1の第2の電極であるp型オーミック電極5とマウント基板42のp電極端子44とが金線46を用いて接続されている。そして、マウント基板42の発光ダイオード1が実装された表面は、シリコン樹脂やエポキシ樹脂等の一般的な封止樹脂47によって封止されている。
【0033】
<発光ダイオード(第1の実施形態)>
図3及び図4は、本発明を適用した第1の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための図であり、図3は平面図、図4は図3中に示すB−B’線に沿った断面図である。また、図5は井戸層とバリア層の積層構造の断面図である。
第1の実施形態に係る発光ダイオードは、組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層17、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層18を交互に積層した量子井戸構造の活性層11と、該活性層11を挟む第1のクラッド層9と第2のクラッド層13とを有する発光部7と、発光部7上に形成された電流拡散層8と、電流拡散層8に接合された機能性基板3とを備え、第1及び第2のクラッド層9、13が組成式(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、井戸層17及びバリア層18のペア数が5以下であることを特徴とするものである。
なお、本実施形態における主たる光取り出し面とは、化合物半導体層2において、機能性基板3を貼り付けた面の反対側の面である。
【0034】
化合物半導体層(エピタキシャル成長層ともいう)2は、図4に示すように、pn接合型の発光部7と電流拡散層8とが順次積層された構造を有している。この化合物半導体層2の構造には、公知の機能層を適時加えることができる。例えば、オーミック(Ohmic)電極の接触抵抗を下げるためのコンタクト層、素子駆動電流を発光部の全般に平面的に拡散させるための電流拡散層、逆に素子駆動電流の通流する領域を制限するための電流阻止層や電流狭窄層など公知の層構造を設けることができる。なお、化合物半導体層2は、GaAs基板上にエピタキシャル成長させて形成されたものであることが好ましい。
【0035】
発光部7は、図4に示すように、電流拡散層8上に、少なくともp型の下部クラッド層(第1のクラッド層)9、下部ガイド層10、活性層11、上部ガイド層12、n型の上部クラッド層(第2のクラッド層)13が順次積層されて構成されている。すなわち、発光部7は、放射再結合をもたらすキャリア(担体;carrier)及び発光を活性層11に「閉じ込める」ために、活性層11の下側及び上側に対峙して配置した下部クラッド層9、下部ガイド(guide)層10、及び上部ガイド層12、上部クラッド層13を含む、所謂、ダブルヘテロ(英略称:DH)構造とすることが高強度の発光を得る上で好ましい。
【0036】
活性層11は、図5に示すように、発光ダイオード(LED)の発光波長を制御するため、量子井戸構造を構成する。すなわち、活性層11は、バリア層(障壁層ともいう)18を両端に有する、井戸層17とバリア層(障壁層ともいう)18との多層構造(積層構造)である。従って、例えば、5対のペア数の量子井戸構造は、5層の井戸層17と6層のバリア層18とからなる。
【0037】
活性層11の層厚は、0.02〜2μmの範囲であることが好ましい。また、活性層11の伝導型は特に限定されるものではなく、アンドープ、p型及びn型のいずれも選択することができる。発光効率を高めるには、結晶性が良好なアンドープ又は3×1017cm−3未満のキャリア濃度とすることが望ましい。結晶性を向上させて欠陥を少なくすると、光の吸収が抑制され、発光出力の向上を図ることができる。
【0038】
井戸層17は、組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる。
In組成X1は0≦X1≦0.3であるのが好ましい。In組成X1をこの範囲とすることにより、830〜1000nmの範囲で所望の発光波長を有するものとすることができる。
【0039】
下記表1に、井戸層17の層厚を5nmに固定した、In組成(X1)と発光ピーク波長との相関を示す。下記表1に示すように、井戸層17のIn組成(X1)が低くなるほど、発光ピーク波長が長くなっていることがわかる。また、その変化の傾向から、下記表1に記載されていない発光ピーク波長に対応する、In組成(X1)を推定することができる。
【0040】
【表1】
【0041】
井戸層17の層厚は、3〜30nmの範囲が好適であり、より好ましくは、3〜10nmの範囲である。
下記表2に、井戸層17のIn組成(X1)を0.20とした際の、井戸層17の層厚と発光ピーク波長との相関を示す。また、下記表3に、井戸層17のIn組成(X1)を0.05とした際の、井戸層17の層厚と発光ピーク波長との関係を示す。
【0042】
【表2】
【0043】
【表3】
【0044】
表2、3に示すように、井戸層17の層厚が薄くなると、量子効果によって発光ピーク波長が短くなる一方、層厚が厚い場合には、発光ピーク波長は組成によって決まる。また、それらの変化の傾向から、上記表2、3に記載されていない発光ピーク波長に対応する層厚を推定することができる。
【0045】
以上のような、発光ピーク波長と、井戸層17のIn組成(X1)及び層厚との関係に基づいて、830nm〜1000nmの範囲内で所望の発光波長が得られるように、井戸層17のIn組成(X1)と層厚を決めることができる。
例えば、井戸層のIn組成X1を0≦X1≦0.3とし、井戸層の厚さを3〜10nmの範囲とし、発光波長が830〜1000nmに設定されてなる発光ダイオードを作製できる。
【0046】
バリア層18は、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなる。Xは、バリア層18での吸収を防止して発光効率を高めるため、井戸層17よりもバンドギャップが大きくなる組成とするのが好ましい。また、バリア層18は、結晶性の観点からAl濃度が低いことが好ましい。従って、バリア層18のAl組成X2は0.1〜0.3の範囲であることがより好ましい。
また、最適なX2の組成は井戸層の組成との関係で決まる。結晶性を向上させて欠陥を少なくすると、光の吸収が抑制され、その結果、発光出力の向上を図ることができる。
【0047】
バリア層18の層厚は、井戸層17の層厚と等しいか又は井戸層17の層厚より厚いことが好ましい。バリア層18の層厚を、トンネル効果が生じる層厚範囲で十分に厚くすることにより、トンネル効果による井戸層の結合と、広がりの制限を両立することにより、キャリアの閉じ込め効果が増大し、電子と正孔の発光再結合確率が大きくなり、発光出力の向上を図ることができる。
【0048】
本発明の発光ダイオードにおいては、井戸層17とバリア層18との多層構造において、井戸層17とバリア層18とを交互に積層する対の数は5ペア以下であり、1ペアであっても構わない。すなわち、活性層11には、井戸層17が1〜5層含まれていることが好ましい。このような構成により、キャリアの閉じ込め効果を増大し、電子と正孔の発光再結合確率が大きくして、25nsec以下の高速の応答速度(立ち上がり時間)が確保できる。後述する実施例で示すように、井戸層17及びバリア層18のペア数を5対から1対に少なくするほど、応答速度は高速になった。実施例で示した条件ではペア数が1対のときに最高速の15nsecを実現した。多重量子井戸構造の活性層の場合、量子井戸層の数が少ないほど、電子と正孔が閉じ込められる領域が狭くなるために発光再結合確率が高くなり、その結果、応答速度が高速化する。
【0049】
図6及び図7はそれぞれ、活性層11と下部クラッド層9又は上部クラッド層13との接合面積を123000μm2(350μm×350μm:図6)とした場合と、それよりも狭く53000μm2(230μm×230μm:図7)とした場合の発光ダイオードの井戸層及びバリア層のペア数と、発光出力及び応答速度との相関を示すグラフである。
図6及び図7に示すグラフに基づくと、活性層11の発光効率が好適な範囲としては井戸層17が1層でも十分である。一方、井戸層17及びバリア層18の間には格子不整が存在する為、ペア数が多すぎると、結晶欠陥の発生により、発光効率が低下してしまう。このため、本発明では、井戸層17とバリア層18とのペア数は、5ペア以下である。
【0050】
例えば、図6のグラフに示すデータでは、井戸層17とバリア層18とのペア数が1ペアの場合は、発光出力が6.8mWで応答速度Trが15nsecであり、3ペアの場合には、発光出力が7mWで応答速度Trが18nsec、5ペアの場合には、発光出力が6.9mWで応答速度Trが23nsecと、何れも高い発光効率並びに高速応答性が得られる。一方、井戸層とバリア層とのペア数が10ペアでは、発光出力が6.5mW、応答速度Trが32nsecであり、ペア数が1〜5ペアの場合に比べて、出力並びに応答速度の何れも劣るものとなっている。また、井戸層とバリア層とのペア数が20ペアでは、発光出力が5.0mWに低下するとともに、応答速度Trが43nsecとなり、発光効率及び高速性の何れも劣ることがわかる。
【0051】
また、図7のグラフに示すデータでは、井戸層17とバリア層18とのペア数が1ペアの場合は、発光出力が7.0mWで応答速度Trが12nsecであり、3ペアの場合には、発光出力が7.1mWで応答速度Trが15nsec、5ペアの場合には、発光出力が7.0mWで応答速度Trが18nsecと、何れも高い発光効率並びに高速応答性が得られる。一方、井戸層とバリア層とのペア数が10ペアでは、発光出力が6.2mW、応答速度Trが23nsecであり、ペア数が1〜5ペアの場合に比べて、出力並びに応答速度の何れも劣るものとなっている。また、井戸層とバリア層とのペア数が20ペアでは、発光出力が5.2mWに低下するとともに、応答速度Trが36nsecとなり、発光効率及び高速性の何れも劣ることがわかる。
【0052】
図6及び図7のいずれの場合も、ペア数が1〜5ペアのうち、井戸層17とバリア層18とのペア数が3ペアのときはそれぞれ、応答速度Trも18nsec、15nsecと高速性にも優れているだけでなく、それぞれ7.0mV、7.1mVと最高出力であるから、発光出力を最重視する場合には3ペアが最も好ましい。
高速化の観点からすれば、1ペアがもっとも望ましいが、電子および正孔の閉じ込めが非常に狭い範囲で限定されることから、注入電流の増加に対する出力の飽和が発生しやすい。一方、本発明の井戸層には歪が存在することから、3ペア以上の領域ではペア数の増加に伴い、歪による結晶欠陥が拡大し出力が低下する。このことから、応答速度では2ペア以下の構造に劣るが、出力とのバランスを鑑み、3ペアがより望ましい。
【0053】
なお、井戸層17とバリア層18の数を減らすと、PN接合の接合容量(キャパシタンス)は大きくなる。これは、井戸層17とバリア層18はアンドープ、または低いキャリア濃度とされるので、PN接合において空乏層として機能し、空乏層が薄いほどキャパシタンスが大きくなることに起因する。
一般に応答速度を早くするためにはキャパシタンスが小さい方が望ましいが、本発明の構造では、井戸層17とバリア層18の数を少なくすることにより、キャパシタンスが大きくなるにも関わらず、応答速度が早くなる効果が見出された。これは、井戸層17とバリア層18の数を少なくすることにより、注入キャリアの再結合速度が速くなる効果がより大きいためであるものと推定される。
【0054】
活性層11と下部クラッド層9又は上部クラッド層13との接合面積は20000〜90000μm2であるのが好ましい。
【0055】
活性層11と下部クラッド層9又は上部クラッド層13との接合面積を90000μm2以下とすることで、電流密度が高くなり、発光再結合確率が増大して応答速度が向上する。後述する実施例で示すように、本発明者が鋭意実験したところ、例えば、活性層11と下部クラッド層9又は上部クラッド層13との接合面積を123000μm2(350μm×350μm)とした場合と、それよりも狭く53000μm2(230μm×230μm)とした場合とでは、後者の方が、井戸層17及びバリア層18のペア数が5ペアのときで20%以上応答速度が向上し、また、ペア数が1ペアのときでも、20%応答速度が向上することが明らかとなった。
【0056】
他方、活性層11と下部クラッド層9又は上部クラッド層13との接合面積を20000μm2以上とすることで、発光出力の大きな低下がなく、高出力が担保される。後述する実施例で示すように、本発明者が鋭意実験したところ、例えば、活性層11と下部クラッド層9又は上部クラッド層13との接合面積を53000μm2とした場合に、井戸層17及びバリア層18のペア数が5ペアのときに発光出力7.0mW(応答速度18nsec)で、1ペアのときでも発光出力7.0mW(応答速度12nsec)という高い発光出力を維持できることが明らかとなった。
【0057】
本実施形態においては、図4に例示するように、下部ガイド層10及び上部ガイド層12が、活性層11の下面及び上面にそれぞれ設けられている。具体的には、活性層11の下面に下部ガイド層10が設けられ、活性層11の上面に上部ガイド層12が設けられている。
【0058】
下部ガイド層10及び上部ガイド層12は、(AlX6Ga1−X6)As(0<X6≦1)の組成を有している。Al組成X6は、バリア層15よりもバンドギャップが等しいか又は大きくなる組成とすることが好ましく、0.2〜0.5の範囲がより好ましい。結晶性の観点から最適なX6の組成は、井戸層17の組成との関係で決まる。結晶性を向上させて欠陥を少なくすると、光の吸収が抑制され、その結果、発光出力の向上を図ることができる。
【0059】
下記表4に、井戸層17の層厚を5nmとした際に、各発光ピーク波長における発光出力が最大となる、バリア層18、下部ガイド層10及び上部ガイド層12のAl組成(X2、X6)を示す。ここで、バリア層18、下部ガイド層10及び上部ガイド層12は、井戸層17よりもバンドギャップが大きくなる組成とするのが好ましいが、結晶性を高めて発光出力を向上させるためには、井戸層17の組成との関係で最適な組成が定まる。このように、バリア層18、下部ガイド層10及び上部ガイド層12の結晶性を向上させて欠陥を少なくすると、光の吸収が抑制され、その結果、発光出力の向上を図ることができる。
【0060】
【表4】
【0061】
下部ガイド層10及び上部ガイド層12はそれぞれ、下部クラッド層9及び上部クラッド層13と、活性層11との愛大における欠陥の伝搬を低減するために設けられている。すなわち、下部ガイド層10、上部ガイド層12及び活性層11のV族構成元素は砒素(As)であるのに対し、本発明では下部クラッド層9及び上部クラッド層13のV族構成元素はリン(P)とするため、界面において欠陥が生じやすい。このような欠陥の活性層11への伝播は、発光ダイオードの性能低下の原因となる。このため、下部ガイド層10及び上部ガイド層12の層厚は10nm以上が好ましく、20nm〜100nmがより好ましい。
【0062】
下部ガイド層10及び上部ガイド層12の伝導型は特に限定されるものではなく、アンドープ、p型及びn型のいずれも選択することができる。発光効率を高めるには、結晶性が良好なアンドープ又は3×1017cm−3未満のキャリア濃度とすることが望ましい。
【0063】
下部クラッド層9及び上部クラッド層13は、図4に示すように、下部ガイド層10の下面及び上部ガイド層12上面にそれぞれ設けられている。
【0064】
下部クラッド層9及び上部クラッド層13は、(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、バリア層18よりもバンドギャップの大きい材質が好ましく、下部ガイド層10及び上部ガイド層12よりもバンドギャップが大きい材質がより好ましい。上記材質としては、(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)のAl組成X3が、0.2〜0.4である組成を有することが好ましい。また、Y1は0.4〜0.6とすることが好ましい。X3は、クラッド層として機能し、且つ、発光波長に対して透明な範囲で選ばれ、Y1は、クラッド層が厚膜なので基板との格子整合の観点から良質な結晶成長ができる範囲として選ばれる。
【0065】
下部クラッド層9と上部クラッド層13とは、極性が異なるように構成されている。また、下部クラッド層9及び上部クラッド層13のキャリア濃度及び厚さは、公知の好適な範囲を用いることができ、活性層11の発光効率が高まるように条件を最適化することが好ましい。また、下部クラッド層9及び上部クラッド層13の組成を制御することによって、化合物半導体層2の反りを低減させることができる。
【0066】
具体的に、下部クラッド層9としては、例えば、Mgをドープしたp型の(AlX3aGa1−X3a)Y1aIn1−Y1aP(0.3≦X3a≦0.7,0.4≦Y1a≦0.6)からなる半導体材料を用いることが望ましい。また、キャリア濃度は2×1017〜2×1018cm−3の範囲が好ましく、層厚は0.1〜1μmの範囲が好ましい。
【0067】
一方、上部クラッド層13としては、例えば、Siをドープしたn型の(AlX3bGa1−X3b)Y1bIn1−Y1bP(0.3≦X3b≦0.7,0.4≦Y1b≦0.6)からなる半導体材料を用いることが望ましい。また、キャリア濃度は1×1017〜1×1018cm−3の範囲が好ましく、層厚は0.1〜1μmの範囲が好ましい。
なお、下部クラッド層9及び上部クラッド層13の極性は、化合物半導体層2の素子構造を考慮して選択することができる。
【0068】
また、発光部7の構成層の上方には、オーミック(Ohmic)電極の接触抵抗を下げるためのコンタクト層、素子駆動電流を発光部の全般に平面的に拡散させるための電流拡散層、逆に素子駆動電流の通流する領域を制限するための電流阻止層や電流狭窄層など公知の層構造を設けることができる。
【0069】
電流拡散層8は、図4に示すように、発光部7の下方に設けられている。この電流拡散層8は、GaAs基板上に化合物半導体層2をエピタキシャル成長させる際に、活性層12によって生じた歪を緩和させる。
また、電流拡散層8は、発光部7(活性層11)からの発光波長に対して透明である材料、例えば、GaPを適用することができる。電流拡散層8にGaPを適用する場合、機能性基板3をGaP基板とすることにより、接合を容易にし、高い接合強度を得ることができる。
【0070】
また、電流拡散層8の厚さは0.5〜20μmの範囲であることが好ましい。0.5μm以下であると電流拡散が不十分であり、20μm以上であるとその厚さまで結晶成長させるためのコストが増大するであるからである。
【0071】
機能性基板3は、化合物半導体層2の主たる光取り出し面と反対側の面に接合されている。すなわち、機能性基板3は、図4に示すように、化合物半導体層2を構成する電流拡散層8側に接合される。この機能性基板3は、発光部7を機械的に支持するのに充分な強度を有し、且つ、発光部7から出射される発光を透過でき、活性層11からの発光波長に対して光学的に透明な材料から構成する。また、耐湿性に優れた化学的に安定な材質が、望ましく、例えば、腐食しやすいAl等を含有しない材質を採用することが望ましい。
【0072】
機能性基板3は発光部と熱膨張係数が近く、耐湿性に優れた基板であり、更に熱伝導の良いGaP、SiC、また、機械強度が強いサファイアからなるのが好ましい。また、機能性基板3は、発光部7を機械的に充分な強度で支持するために、例えば、約50μm以上の厚みとすることが好ましい。また、化合物半導体層2へ接合した後に機能性基板3への機械的な加工を施し易くするため、約300μmの厚さを超えないものとすることが好ましい。すなわち、機能性基板3は、約50μm以上約300μm以下の厚さを有する透明度、コスト面からn型GaP基板から構成するのが最も好ましい。
【0073】
また、図4に示すように、機能性基板3の側面は、化合物半導体層2に近い側において主たる光取り出し面に対して略垂直である垂直面3aとされており、化合物半導体層2に遠い側において主たる光取り出し面に対して内側に傾斜した傾斜面3bとされている。これにより、活性層11から機能性基板3側に放出された光を効率よく外部に取り出すことができる。また、活性層11から機能性基板3側に放出された光のうち、一部は垂直面3aで反射され傾斜面3bで取り出すことができる。一方、傾斜面3bで反射された光は垂直面3aで取り出すことができる。このように、垂直面3aと傾斜面3bとの相乗効果により、光の取り出し効率を高めることができる。
【0074】
また、本実施形態では、図4に示すように、傾斜面3bと発光面に平行な面とのなす角度αを、55度〜80度の範囲内とすることが好ましい。このような範囲とすることで、機能性基板3の底部で反射された光を効率よく外部に取り出すことができる。
また、垂直面3aの幅(厚さ方向)を、30μm〜100μmの範囲内とすることが好ましい。垂直面3aの幅を上記範囲内にすることで、機能性基板3の底部で反射された光を垂直面3aにおいて効率よく発光面に戻すことができ、さらには、主たる光取り出し面から放出させることが可能となる。これにより、発光ダイオード1の発光効率を高めることができる。
【0075】
また、機能性基板3の傾斜面3bは粗面化されているのが好ましい。傾斜面3bが粗面化されていることにより、この傾斜面3bでの光取り出し効率を上げる効果が得られる。すなわち、傾斜面3bを粗面化することにより、傾斜面3bでの全反射を抑制して、光取り出し効率を上げることができる。
【0076】
化合物半導体層2と機能性基板3との接合界面は、高抵抗層となっている場合がある。すなわち、化合物半導体層2と機能性基板3との間には、図示略の高抵抗層が形成されている場合がある。この高抵抗層は、機能性基板3よりも高い抵抗値を示し、高抵抗層が形成されている場合には化合物半導体層2の電流拡散層8側から機能性基板3側への逆方向の電流を低減する機能を有している。また、機能性基板3側から電流拡散層8側へと不用意に印加される逆方向の電圧に対して耐電圧性を発揮する接合構造を構成しているが、その降伏電圧は、pn接合型の発光部7の逆方向電圧より低値となる様に構成するのが好ましい。
【0077】
n型オーミック電極(第1の電極)4およびp型オーミック電極(第2の電極)5は、発光ダイオード1の主たる光取り出し面に設けられた低抵抗のオーミック接触電極である。
ここで、n型オーミック電極4は、上部クラッド層11の上方に設けられており、例えば、AuGe、Ni合金/Auからなる合金を用いることができる。一方、p型オーミック電極5は、図4に示すように、露出させた電流拡散層8の表面にAuBe/Au、またはAuZn/Auからなる合金を用いることができる。
【0078】
ここで、本実施形態の発光ダイオード1では、第2の電極としてp型オーミック電極5を、電流拡散層8上に形成するのが好ましい。このような構成とすることにより、作動電圧を下げる効果が得られる。また、p型オーミック電極5をp型GaPからなる電流拡散層8上に形成することにより、良好なオーミックコンタクトが得られるため、作動電圧を下げることができる。
【0079】
なお、本実施形態では、第1の電極の極性をn型とし、第2の電極の極性をp型とするのが好ましい。このような構成とすることにより、発光ダイオード1の高輝度化を達成することができる。一方、第1の電極をp型とすると、電流拡散が悪くなり、輝度の低下を招く。これに対して、第1の電極をn型とすることにより、電流拡散が良くなり、発光ダイオード1の高輝度化を達成することができる。
【0080】
本実施形態の発光ダイオード1では、図3に示すように、n型オーミック電極4とp型オーミック電極5とが対角の位置となるように配置することが好ましい。また、p型オーミック電極5の周囲を、化合物半導体層2で囲んだ構成とすることが最も好ましい。このような構成とすることにより、作動電圧を下げる効果が得られる。また、p型オーミック電極5の四方をn型オーミック電極4で囲むことにより、電流が四方に流れやすくなり、その結果作動電圧が低下する。
【0081】
また、本実施形態の発光ダイオード1では、図3に示すように、n型オーミック電極4を、ハニカム、格子形状など網目とすることが好ましい。このような構成とすることにより、信頼性を向上させる効果が得られる。また、格子状とすることにより、活性層11に均一に電流を注入することができ、その結果、信頼性を向上させる効果が得られる。
なお、本実施形態の発光ダイオード1では、n型オーミック電極4を、パッド形状の電極(パッド電極)と幅10μm以下の線状の電極(線状電極)とで構成することが好ましい。このような構成とすることにより、高輝度化をはかることができる。さらに、線状電極の幅を狭くすることにより、光取り出し面の開口面積を上げることができ、高輝度化を達成することができる。
【0082】
なお、本実施形態においては、図示を省略するが、さらに、機能性基板3の裏側に第3の電極が形成された構成を採用することができる。このような第3の電極を備えた構成とすることにより、透明基板(機能性基板)において、光が基板側へ反射する構造にすることで、さらなる高出力化ができる。反射金属材料としては、Au、Ag、Alなどの材料が使用できる。
また、電極表面側を、例えば、AuSn等の共晶金属、半田材料にすることで、ダイボンド工程においてペーストを使用する必要がなくなり、工程が簡易化できる。さらに、機能性基板3とn電極端子43との間を、金属からなる第3の電極で接続することにより、熱伝導が向上して発光ダイオードの放熱特性が良好となる。
【0083】
<発光ダイオードの製造方法>
次に、本実施形態の発光ダイオード1の製造方法について説明する。図8は、本実施形態の発光ダイオード1に用いるエピウェーハの断面図である。また、図9は、本実施形態の発光ダイオード1に用いる接合ウェーハの断面図である。
【0084】
(化合物半導体層の形成工程)
まず、図8に示すように、化合物半導体層2を作製する。化合物半導体層2は、GaAs基板14上に、GaAsからなる緩衝層15、選択エッチングに利用するために設けられたエッチングストップ層(図示略)、Siをドープしたn型のAlGaAsからなるコンタクト層16、n型の上部クラッド層13、上部ガイド層12、活性層11、下部ガイド層10、p型の下部クラッド層9、Mgドープしたp型GaPからなる電流拡散層8を順次積層して作製する。
【0085】
GaAs基板14は、公知の製法で作製された市販品の単結晶基板を使用することができる。GaAs基板14のエピタキシャル成長させる表面は、平滑であることが望ましい。GaAs基板14の表面の面方位は、エピタキシャル成長しやすく、量産されている(100)面および(100)から、±20°以内にオフした基板が、品質の安定性の面から望ましい。さらに、GaAs基板14の面方位の範囲が、(100)方向から(0−1−1)方向に15°オフ±5°であることがより好ましい。なお、本明細書では、ミラー指数の表記において、“−”はその直後の指数につくバーを意味する。
【0086】
GaAs基板14の転位密度は、化合物半導体層2の結晶性を良くするために低い方が望ましい。具体的には、例えば、10,000個cm−2以下、望ましくは、1,000個cm−2以下であることが好適である。
【0087】
GaAs基板14は、n型であってもp型であっても良い。GaAs基板14のキャリア濃度は、所望の電気伝導度と素子構造から、適宜選択することができる。例えば、GaAs基板14がシリコンドープのn型である場合には、キャリア濃度が1×1017〜5×1018cm−3の範囲であることが好ましい。これに対して、GaAs基板14が亜鉛をドープしたp型の場合には、キャリア濃度2×1018〜5×1019cm−3の範囲であることが好ましい。
【0088】
GaAs基板14の厚さは、基板のサイズに応じて適切な範囲がある。GaAs基板14の厚さが適切な範囲よりも薄いと、化合物半導体層2の製造プロセス中に割れてしまうおそれがある。一方、GaAs基板14の厚さが適切な範囲よりも厚いと材料コストが増加することになる。このため、GaAs基板14の基板サイズが大きい場合、例えば、直径75mmの場合には、ハンドリング時の割れを防止するために250〜500μmの厚さが望ましい。同様に、直径50mmの場合は、200〜400μmの厚さが望ましく、直径100mmの場合は、350〜600μmの厚さが望ましい。
【0089】
このように、GaAs基板14の基板サイズに応じて基板の厚さを厚くすることにより、活性層7に起因する化合物半導体層2の反りを低減することができる。これにより、エピタキシャル成長中の温度分布が均一となることため、活性層11の面内の波長分布を小さくすることができる。なお、GaAs基板14の形状は、特に円形に限定されず、矩形等であっても問題ない。
【0090】
緩衝層(buffer)15は、GaAs基板14と発光部7の構成層との欠陥の伝搬を低減するために設けられている。このため、基板の品質やエピタキシャル成長条件を選択すれば、緩衝層15は、必ずしも必要ではない。また、緩衝層15の材質は、エピタキシャル成長させる基板と同じ材質とすることが好ましい。したがって、本実施形態では、緩衝層15には、GaAs基板14と同じくGaAsを用いることが好ましい。また、緩衝層15には、欠陥の伝搬を低減するためにGaAs基板14と異なる材質からなる多層膜を用いることもできる。緩衝層15の厚さは、0.1μm以上とすることが好ましく、0.2μm以上とすることがより好ましい。
【0091】
コンタクト層16は、電極との接触抵抗を低下させるために設けられている。コンタクト層16の材質は、活性層11よりバンドギャップの大きい材質であることが好ましく、AlX7Ga1−X7As、(AlX7Ga1−X7)Y4In1−Y4P(0≦X7≦1,0<Y4≦1)を好適に用いることができる。また、コンタクト層16のキャリア濃度の下限値は、電極との接触抵抗を低下させるために5×1017cm−3以上であることが好ましく、1×1018cm−3以上がより好ましい。キャリア濃度の上限値は、結晶性の低下が起こりやすくなる2×1019cm−3以下が望ましい。コンタクト層16の厚さは、0.5μm以上が好ましく、1μm以上が最適である。コンタクト層16の厚さの上限値は特に限定されてはいないが、エピタキシャル成長に係るコストを適正範囲にするため、5μm以下とすることが望ましい。
【0092】
本実施形態では、分子線エピタキシャル法(MBE)や減圧有機金属化学気相堆積法(MOCVD法)等の公知の成長方法を適用することができる。なかでも、量産性に優れるMOCVD法を適用することが、最も望ましい。具体的には、化合物半導体層2のエピタキシャル成長に使用するGaAs基板14は、成長前に洗浄工程や熱処理等の前処理を実施して、表面の汚染や自然酸化膜を除去することが望ましい。上記化合物半導体層2を構成する各層は、直径50〜150mmのGaAs基板14をMOCVD装置内にセットし、同時にエピタキシャル成長させて積層することができる。また、MOCVD装置としては、自公転型、高速回転型等の市販の大型装置を適用することができる。
【0093】
上記化合物半導体層2の各層をエピタキシャル成長する際、III族構成元素の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム((CH3)3Al)、トリメチルガリウム((CH3)3Ga)及びトリメチルインジウム((CH3)3In)を用いることができる。また、Mgのドーピング原料としては、例えば、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(bis−(C5H5)2Mg)等を用いることができる。また、Siのドーピング原料としては、例えば、ジシラン(Si2H6)等を用いることができる。
また、V族構成元素の原料としては、ホスフィン(PH3)、アルシン(AsH3)等を用いることができる。
また、各層の成長温度としては、電流拡散層8としてp型GaPを用いる場合は、720〜770℃を適用することができ、その他の各層では600〜700℃を適用することができる。
さらに、各層のキャリア濃度及び層厚、温度条件は、適宜選択することができる。
【0094】
このようにして製造した化合物半導体層2は、発光部7を有するにもかかわらず結晶欠陥が少ない良好な表面状態が得られる。また、化合物半導体層2は、素子構造に対応して研磨などの表面加工を施しても良い。
【0095】
(機能性基板の接合工程)
次に、化合物半導体層2と機能性基板3とを接合する。
化合物半導体層2と機能性基板3との接合は、先ず、化合物半導体層2を構成する電流拡散層8の表面を研磨して、鏡面加工する。次に、この電流拡散層8の鏡面研磨した表面に貼付する機能性基板3を用意する。なお、この機能性基板3の表面は、電流拡散層8に接合させる以前に鏡面に研磨する。次に、一般の半導体材料貼付装置に、化合物半導体層2と機能性基板3とを搬入し、真空中で鏡面研磨した双方の表面に電子を衝突させて中性(ニュートラル)化したArビームを照射する。その後、真空を維持した貼付装置内で双方の表面を重ね合わせて荷重をかけることで、室温で接合することができる(図7参照)。接合に関しては、接合条件の安定性から、接合面が同じ材質がより望ましい。
接合(貼り付け)はこのような真空下での常温接合が最適であるが、共晶金属、接着剤を用いて接合することもできる。
【0096】
(第1及び第2の電極の形成工程)
次に、第1の電極であるn型オーミック電極4及び第2の電極であるp型オーミック電極5を形成する。
n型オーミック電極4及びp型オーミック電極5の形成の際は、先ず、機能性基板3と接合した化合物半導体層2から、GaAs基板14及び緩衝層15をアンモニア系エッチャントによって選択的に除去する。次に、露出したコンタクト層16の表面にn型オーミック電極4を形成する。具体的には、例えば、AuGe、Ni合金/Pt/Auを任意の厚さとなるように真空蒸着法により積層した後、一般的なフォトリソグラフィー手段を利用してパターニングを行ってn型オーミック電極4の形状を形成する。
【0097】
次に、コンタクト層16、上部クラッド層13、上部ガイド層12、活性層11、下部ガイド層10、p型の下部クラッド層9の所定範囲について選択的に除去して電流拡散層8を露出させ、この露出した電流拡散層8の表面にp型オーミック電極5を形成する。具体的には、例えば、AuBe/Auを任意の厚さとなるように真空蒸着法により積層した後、一般的なフォトリソグラフィー手段を利用してパターニングを行ってp型オーミック電極5の形状を形成する。その後、例えば400〜500℃、5〜20分間の条件で熱処理を行って合金化することにより、低抵抗のn型オーミック電極4及びp型オーミック電極5を形成することができる。
【0098】
(第3の電極の形成工程)
上述したような、図示略の第3の電極を設けた構成を採用する場合には、機能性基板3の裏面に第3の電極を形成する。第3の電極には、素子の構造により、オーミック電極、ショットキー電極、反射機能、共晶ダイボンド構造などの機能を組み合わせ付加することができる。また、透明基板(機能性基板)上においては、Au、Ag、Al等の材料を形成し、光を反射可能な構造にする。この際、機能性基板と前記材料の間に、例えば、酸化ケイ素やITO等の透明膜を挿入することができる。また、この際の形成方法としては、スパッタ法、蒸着法等の公知の技術を利用できる。
【0099】
また、電極表面側を、例えば、AuSn等の共晶金属、鉛フリー半田材料等にすることで、ダイボンド工程においてペーストを使用する必要がなくなり、工程が簡易化できる。また、この際の形成方法としては、スパッタ法、蒸着法、めっき、印刷等の公知の技術を利用できる。このように、機能性基板3とn電極端子43との間を金属からなる第3の電極で接続することで、熱伝導性が向上して発光ダイオードの放熱特性が良好となる。また、上述した機能の2つ以上を組み合わせる場合には、金属が拡散しないように、各層の愛大にバリア金属、酸化物を挿入することも好適な方法である。このようなバリア金属、酸化物としても、素子構造や基板材料に応じて、最適なものを選択すれば良い。
【0100】
(機能性基板の加工工程)
次に、機能性基板3の形状を加工する。
機能性基板3の加工は、先ず、図示略の第3の電極を形成していない表面にV字状の溝入れを行う。この際、V字状の溝の第3の電極側の内側面が発光面に平行な面とのなす角度αを有する傾斜面3bとなる。次に、化合物半導体層2側から所定の間隔でダイシングを行ってチップ化する。なお、チップ化の際のダイシングによって機能性基板3の垂直面3aが形成される。
【0101】
傾斜面3bの形成方法は、特に限定されるものではなく、ウェットエッチング、ドライエッチング、スクライブ法、レーザー加工などの従来からの方法を組み合わせて用いることができるが、形状の制御性及び生産性の高いダイシング法を適用することが最も好ましい。ダイシング法を適用することにより、製造歩留まりを向上することができる。
【0102】
また、垂直面3aの形成方法は、特に限定されるものではないが、レーザー加工、スクライブ・ブレーク法又はダイシング法で形成するのが好ましい。レーザー加工、スクライブ・ブレーク法を採用することにより、製造コストを低下させることができる。即ち、チップ分離の際に切りしろを設ける必要がなく、数多くの発光ダイオードが製造できるため、製造コストを下げることができる。一方、ダイシング法では、切断の安定性に優れている。
【0103】
最後に、破砕層及び汚れを必要に応じて硫酸・過酸化水素混合液等でエッチング除去する。このようにして発光ダイオード1を製造する。
【0104】
<発光ダイオードランプの製造方法>
次に、上記発光ダイオード1を用いた発光ダイオードランプ41の製造方法、すなわち、発光ダイオード1の実装方法について説明する。
図1及び図2に示すように、マウント基板42の表面に所定の数量の発光ダイオード1を実装する。発光ダイオード1の実装は、先ず、マウント基板42と発光ダイオード1との位置合わせを行い、マウント基板42の表面の所定の位置に発光ダイオード1を配置する。次に、Agペーストでダイボンドし、発光ダイオード1がマウント基板42の表面に固定される。次に、発光ダイオード1のn型オーミック電極4とマウント基板42のn電極端子43とを金線45を用いて接続する(ワイヤボンディング)。次に、発光ダイオード1のp型オーミック電極5とマウント基板42のp電極端子44とを金線46を用いて接続する。最後に、マウント基板42の発光ダイオード1が実装された表面を、シリコン樹脂やエポキシ樹脂等の一般的な封止樹脂47によって封止する。このようにして、発光ダイオード1を用いた発光ダイオードランプ41を製造する。
【0105】
また、発光ダイオードランプ41の発光スペクトルは、活性層11の組成が調整されているため、ピーク発光波長が830〜1000nmの範囲となる。また、電流拡散層8によって井戸層17及びバリア層18の活性層11内のばらつきが抑制されているため、発光スペクトルの半値幅が、10〜40nmの範囲となる。
【0106】
以上説明したように、本実施形態の発光ダイオード1によれば、組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の3元混晶からなる井戸層17、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の3元混晶からなるバリア層18を交互に積層した量子井戸構造の活性層11を有する発光部7を備えている。このように、注入キャリアの閉じ込め効果が大きい量子井戸構造を用いる構成とすることで、井戸層17内に十分な注入キャリアが閉じ込められることにより、井戸層17内のキャリア密度が高くなり、その結果、発光再結合確率が増大して、応答速度が向上する。
また、量子井戸構造の井戸層17及びバリア層18のペア数を5以下としたので、量子井戸構造内に注入されたキャリアが、その波動性によるトンネル効果で井戸層間全体に広がって注入キャリアの閉じ込め効果が低下するのを極力回避し、高速応答性が担保できる。
【0107】
また、活性層11を挟む上部クラッド層13及び下部クラッド層9を、発光波長に対して透明であるとともに、欠陥を作りやすいAsを含まないために結晶性が高いAlGaInPから構成したので、欠陥を介した電子と正孔の非発光再結合確率が低下し、発光出力が向上する。さらに、上部クラッド層13及び下部クラッド層9として、4元混晶のAlGaInPを採用することで、バリア層及びクラッド層の両方が3元混晶からなる発光ダイオードに比べてAl濃度が低く、耐湿性が向上する。
【0108】
また、本実施形態の発光ダイオード1では、発光部7上に電流拡散層8が設けられている。この電流拡散層8は、発光波長に対して透明であるため、発光部7からの発光を吸収することなく高出力・高効率の発光ダイオード1とすることができる。機能性基板は、材質的に安定で、腐食の心配がなく耐湿性に優れている。
【0109】
従って、本実施形態の発光ダイオード1によれば、活性層の条件を調整することで、830〜1000nmの発光波長を有し、単色性に優れると共に、高出力・高効率であって、耐湿性の高い発光ダイオード1を提供することができる。また、本実施形態の発光ダイオード1によれば、従来の液相エピタキシャル法で作製された、GaAs基板が除去されてなる透明基板型AlGaAs系の発光ダイオードと比較して、少なくとも約1.5倍以上の発光出力を有する高出力の発光ダイオード1を提供することができる。
【0110】
また、本実施形態の発光ダイオードランプ41によれば、単色性に優れると共に、高出力・高効率であって耐湿性の上記発光ダイオード1を備えている。このため、赤外線照明、センサーに適した発光ダイオードランプ41を提供することができる。
【0111】
<発光ダイオード(第2の実施形態)>
本発明を適用した第2の実施形態に係る発光ダイオードは、第1の実施形態に係る発光ダイオードにおけるAlGaAsバリア層18を、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層に置き換えた点が異なる。
【0112】
上述したように、本実施形態で用いられるバリア層18は、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の4元混晶の化合物半導体からなる。
Al組成X4は、井戸層17よりもバンドギャップが大きくなる組成とすることが好ましく、具体的には0〜0.2の範囲とすることが好ましい。
また、Y2は、基板との格子不整によるひずみの発生を防止するため、0.4〜0.6の範囲とすることが好ましく、0.45〜0.55の範囲とすることがより好ましい。
バリア層18の層厚は、井戸層17の層厚と等しいか、又は、井戸層17の層厚より厚いことが好ましい。このように、バリア層18の層厚を、トンネル効果が生じる層厚の範囲で十分に厚くすることにより、トンネル効果による井戸層の結合と、広がりの制限を両立することにより、キャリアの閉じ込め効果が増大し、電子と正孔の発光再結合確率が大きくなり、発光出力の向上を図ることができる。
【0113】
<発光ダイオード(第3の実施形態)>
図13(a)、(b)は、本発明を適用した第3の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための図であり、図13(a)は平面図、図13(b)は図13(a)中に示すC−C’線に沿った断面図である(ガイド層10及び12は図示省略)。
第3の実施形態に係る発光ダイオード20は、組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層17、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層18を交互に積層した量子井戸構造の活性層11と、該活性層11を挟む下部クラッド層(第1のクラッド層)9及び上部クラッド層(第2のクラッド層)13とを有する発光部7と、発光部7上に形成された電流拡散層8と、発光部7に対向して配置され、発光波長に対して90%以上の反射率を有する反射層23を含み、電流拡散層8に接合された機能性基板31とを備え、下部クラッド層9及び上部クラッド層13が組成式(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、井戸層17及びバリア層18のペア数が5以下であることを特徴とする。
【0114】
第3の実施形態に係る発光ダイオード20では、発光波長に対して90%以上の反射率を有し、発光部に対向して配置する反射層23を備えた機能性基板31を有するので、主たる光取り出し面から効率的に光を取り出すことができる。
図13(a)、(b)に示した例では、機能性基板31は、電流拡散層8の下側の面8bに、第2の電極21を備え、さらにその第2の電極8を覆うように透明導電膜22と反射層23とが積層されてなる反射構造体と、シリコン又はゲルマニウムからなる層(基板)30を備えている。
【0115】
第3の実施形態に係る発光ダイオードにおいては、機能性基板31はシリコン又はゲルマニウムからなる層を含むのが好ましい。これは、シリコン又はゲルマニウムは腐食しにくい材質である為、耐湿性が向上するからである。
【0116】
反射層23は例えば、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、金(Au)又はこれらの合金などにより構成される。これらの材料は光反射率が高く、反射層23からの光反射率を90%以上とすることができる。
【0117】
機能性基板31は、上記の反射層23に、AuIn、AuGe、AuSn等の共晶金属で、シリコン、ゲルマニウム等の安価な基板(層)に接合する組み合わせを用いることができる。特にAuInは、接合温度が低く、熱膨張係数が発光部と差があるが、最も安価なシリコン基板(シリコン層)を接合するには最適な組み合わせである。
機能性基板31はさらに、電流拡散層、反射層金属および共晶金属が相互拡散しないよう、例えば、チタン(Ti)、タングステン(W)、白金(Pt)などの高融点金属からなる層を挿入された構成とすることも品質の安定性から望ましい。
【0118】
<発光ダイオード(第4の実施形態)>
図14は、本発明を適用した第4の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための図である。
本発明を適用した第4の実施形態に係る発光ダイオードは、組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層11(図5に示す井戸層17、バリア層18、活性層11を参照)と、該活性層11を挟む下部クラッド層(第1のクラッド層)9及び上部クラッド層(第2のクラッド層)13とを有する発光部と、この発光部上に形成された電流拡散層8と、発光部に対向して配置され、発光波長に対して90%以上の反射率を有する反射層53と金属基板50とを含み、電流拡散層8に接合された機能性基板51とを備え、下部クラッド層9及び上部クラッド層13が組成式(AlX5Ga1−X5)Y3In1−Y3P(0≦X5≦1,0<Y3≦1)の化合物半導体からなり、井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする。
【0119】
第4の実施形態に係る発光ダイオード60では、機能性基板51が金属基板50を含む点が、第2の実施形態に係る発光ダイオードに対して特徴的な構成である。
金属基板50は放熱性が高く、発光ダイオードを高輝度で発光するのに寄与すると共に、発光ダイオードの寿命を長寿命とすることができる。
放熱性の観点からは、金属基板50は熱伝導率が130W/m・K以上の金属からなるのが特に好ましい。熱伝導率が130W/m・K以上の金属としては、例えば、モリブデン(138W/m・K)やタングステン(174W/m・K)がある。
【0120】
図14に示すように、化合物半導体層2は、活性層11と、ガイド層(図示せず)を介してその活性層11を挟む第1のクラッド層(下部クラッド)9及び第2のクラッド層(上部クラッド)13と、第1のクラッド層(下部クラッド)9の下側に電流拡散層8と、第2のクラッド層(上部クラッド)13の上側に第1の電極55と平面視してほぼ同じサイズのコンタクト層56とを有する。
機能性基板51は、電流拡散層8の下側の面8bに、第2の電極57を備え、さらにその第2の電極57を覆うように透明導電膜52と反射層53とが積層されてなる反射構造体と、金属基板50とからなり、反射構造体を構成する反射層53の化合物半導体層2と反対側の面53bに、金属基板50の接合面50aが接合されている。
【0121】
反射層53は例えば、銅、銀、金、アルミニウムなどの金属又はこれらの合金などにより構成される。これらの材料は光反射率が高く、反射構造体からの光反射率を90%以上とすることができる。反射層53を形成することにより、活性層11からの光を反射層53で正面方向fへ反射させて、正面方向fでの光取り出し効率を向上させることができる。これにより、発光ダイオードをより高輝度化できる。
【0122】
反射層53は、透明導電膜52側からAg、Ni/Tiバリア層、Au系の共晶金属(接続用金属)からなる積層構造が好ましい。
上記接続用金属は、電気抵抗が低く、低温で溶融する金属である。上記接続用金属を用いることにより、化合物半導体層2に熱ストレスを与えることなく、金属基板50を接続することができる。
接続用金属としては、化学的に安定で、融点の低いAu系の共晶金属などが用いられる。上記Au系の共晶金属としては、例えば、AuSn、AuGe、AuSiなどの合金の共晶組成(Au系の共晶金属)を挙げることができる。
また、接続用金属には、チタン、クロム、タングステンなどの金属を添加することが好ましい。これにより、チタン、クロム、タングステンなどの金属がバリア金属として機能して、金属基板50に含まれる不純物などが反射層53側に拡散して、反応することを抑制できる。
【0123】
透明導電膜52は、ITO膜、IZO膜などにより構成されている。なお、反射構造体は、反射層53だけで構成してもよい。
また、透明導電膜52の代わりに、または、透明導電膜52とともに、透明な材料の屈折率差を利用したいわゆるコールドミラー、例えば、酸化チタン膜、酸化ケイ素膜の多層膜や白色のアルミナ、AlNを用いて、反射層53に組み合わせてもよい。
【0124】
金属基板50は複数の金属層からなるものを用いることができる。
複数の金属層の構成としては、図14に示す例のように、2種類の金属層、即ち、第1の金属層50Aと第2の金属層50Bとが交互に積層されてなるものが好ましい。特に、第1の金属層50Aと第2の金属層50Bの層数は、合わせて奇数とすることがより好ましい。
【0125】
この場合、金属基板の反りや割れの観点から、第2の金属層50Bとして化合物半導体層2よりも熱膨張係数が小さい材料を用いる際は、第1の金属層50Aとして化合物半導体層3よりも熱膨張係数が大きい材料からなるものを用いることが好ましい。これは、金属基板全体としての熱膨張係数が化合物半導体層の熱膨張係数に近いものとなるため、化合物半導体層と金属基板とを接合する際の金属基板の反りや割れを抑制することができ、発光ダイオードの製造歩留まりを向上させることができるからである。
同様に、第2の金属層50Bとして化合物半導体層2よりも熱膨張係数が大きい材料を用いる際は、第1の金属層50Aとして化合物半導体層2より熱膨張係数が小さい材料からなるものを用いることが好ましい。これも、上記同様、金属基板全体としての熱膨張係数が化合物半導体層の熱膨張係数に近いものとなるため、化合物半導体層と金属基板とを接合する際の金属基板の反りや割れを抑制でき、発光ダイオードの製造歩留まりを向上できるからである。
以上の観点からは、2種類の金属層は、何れが第1の金属層でも第2の金属層でも構わない。
【0126】
2種類の金属層としては、例えば、銀(熱膨張係数=18.9ppm/K)、銅(熱膨張係数=16.5ppm/K)、金(熱膨張係数=14.2ppm/K)、アルミニウム(熱膨張係数=23.1ppm/K)、ニッケル(熱膨張係数=13.4ppm/K)およびこれらの合金のいずれかからなる金属層と、モリブデン(熱膨張係数=5.1ppm/K)、タングステン(熱膨張係数=4.3ppm/K)、クロム(熱膨張係数=4.9ppm/K)およびこれらの合金のいずれかからなる金属層との組み合わせを用いることができる。
金属基板50の好適な例としては、Cu/Mo/Cuの3層からなるものが挙げられる。また、上記の観点ではMo/Cu/Moの3層からなる金属基板でも同様な効果が得られるが、Cu/Mo/Cuの3層からなる金属基板は、機械的強度が高いMoを、加工しやすいCuで挟んだ構成なので、Mo/Cu/Moの3層からなる金属基板よりも切断等の加工が容易であるという利点がある。
【0127】
金属基板全体としての熱膨張係数は、例えば、Cu(30μm)/Mo(25μm)/Cu(30μm)の3層からなる金属基板では6.1ppm/Kであり、Mo(25μm)/Cu(70μm)/Mo(25μm)の3層からなる金属基板では5.7ppm/Kとなる。
【0128】
また、放熱の観点からは、金属基板を構成する金属層は熱伝導率が高い材料からなることが好ましい。これにより、金属基板の放熱性を高くすることで発光ダイオードを高輝度で発光させることができるとともに、発光ダイオードの寿命を長寿命とすることができるからである。
例えば、金属基板としては、銀(熱伝導率=420W/m・K)、銅(熱伝導率=398W/m・K)、金(熱伝導率=320W/m・K)、アルミニウム(熱伝導率=236W/m・K)、モリブデン(熱伝導率=138W/m・K)、タングステン(熱伝導率=174W/m・K)及びこれらの合金等を用いることが好ましい。また、金属基板は、各金属層の熱膨張係数が、化合物半導体層の熱膨張係数と略等しい材料からなることがさらに好ましい。特に、金属層の材料が、化合物半導体層の熱膨張係数の±1.5ppm/K以内である熱膨張係数を有する材料であることが好ましい。これにより、金属基板と化合物半導体層との接合時の、発光部への熱によるストレスを小さくすることができ、金属基板を化合物半導体層と接続させた際の熱による金属基板の割れを抑制することができ、発光ダイオードの製造歩留まりを向上させることができる。金属基板全体としての熱伝導率は、例えば、Cu(30μm)/Mo(25μm)/Cu(30μm)の3層からなる金属基板では250W/m・Kとなり、また、Mo(25μm)/Cu(70μm)/Mo(25μm)の3層からなる金属基板では220W/m・Kとなる。
【0129】
<発光ダイオード(第5の実施形態)>
本発明を適用した第5の実施形態に係る発光ダイオードは、組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層17と、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層18を交互に積層した量子井戸構造の活性層11と、該活性層11を挟む下部クラッド層(第1のクラッド層)9及び上部クラッド層(第2のクラッド層)13とを有する発光部7と、発光部7上に形成された電流拡散層8と、発光部7に対向して配置され、発光波長に対して90%以上の反射率を有する反射層23を含み、電流拡散層8に接合された機能性基板31とを備え、下部クラッド層9及び上部クラッド層13が組成式(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、井戸層17及びバリア層18のペア数が5以下であることを特徴とする。
第5の実施形態に係る発光ダイオードは、第3の実施形態に係る発光ダイオードにおけるAlGaAsバリア層18を、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層に置き換えた構成とされている。
【0130】
本実施形態のバリア層18は、上述したように、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなる。
上記組成式におけるAl組成(X4)としては、井戸層17よりもバンドギャップが大きくなる組成とすることが好ましく、具体的には0〜0.2の範囲が好ましい。
また、Y2としては、基板との格子不整によるひずみの発生を防止する為に0.4〜0.6の範囲とすることが好ましく、0.45〜0.55の範囲がより好ましい。
また、バリア層18の層厚は、井戸層17の層厚と等しいか、又は、井戸層17の層厚よりも厚いことが好ましい。バリア層18の層厚を、トンネル効果が生じる層厚の範囲で十分に厚くすることにより、トンネル効果による井戸層の結合と、広がりの制限を両立することにより、キャリアの閉じ込め効果が増大し、電子と正孔の発光再結合確率が大きくなり、発光出力の向上を図ることができる。
【0131】
本実施形態に係る発光ダイオードも、第3の実施形態と同様に、発光波長に対して90%以上の反射率を有し、発光部に対向して配置する反射層を備えた機能性基板を有する構成なので、主たる光取り出し面から効率的に光を取り出すことができる。
また、本実施形態においても、機能性基板として、第3の実施形態で例示したものを用いることができる。
【0132】
<発光ダイオード(第6の実施形態)>
本発明を適用した第6の実施形態に係る発光ダイオードは、組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層17と、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体層からなるバリア層18を交互に積層した量子井戸構造の活性層11と、該活性層11を挟む下部クラッド層(第1のクラッド層)9及び上部クラッド層(第2のクラッド層)13とを有する発光部7と、発光部7上に形成された電流拡散層8と、発光部7に対向して配置され、発光波長に対して90%以上の反射率を有する反射層53と金属基板50とを含み、電流拡散層8に接合された機能性基板51とを備え、下部クラッド層9及び上部クラッド層13が組成式(AlX5Ga1−X5)Y3In1−Y3P(0≦X5≦1,0<Y3≦1)の化合物半導体からなり、井戸層17及びバリア層18のペア数が5以下であることを特徴とする。
第6の実施形態に係る発光ダイオードは、第4の実施形態に係る発光ダイオードにおけるAlGaAsバリア層18を、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層に置き換えた構成とされている。
【0133】
本実施形態に係る発光ダイオードも第4の実施形態と同様に、発光波長に対して90%以上の反射率を有し、発光部に対向して配置する反射層を備えた機能性基板を有する構成なので、主たる光取り出し面から効率的に光を取り出すことができる。
また、本実施形態においても、機能性基板として、第4の実施形態で例示したものを用いることができる。
【実施例】
【0134】
以下、本発明の効果を、実施例を用いて具体的に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0135】
本実施例では、本発明に係る発光ダイオードを作製した例を具体的に説明する。また、本実施例で作製した発光ダイオードは、InGaAsからなる井戸層とAlGaAsからなるバリア層との量子井戸構造からなる活性層を有する赤外発光ダイオードである。本実施例では、GaAs基板上に成長させた化合物半導体層と機能性基板とを結合させて発光ダイオードを作製した。そして、特性評価のために発光ダイオードチップを基板上に実装した発光ダイオードランプを作製した。
【0136】
(実施例1)
実施例1の発光ダイオードは、図3、4に示すような第1の実施形態の実施例であり、井戸層とバリア層との接合面積は123000μm2(350μm×350μm)であった。
実施例1の発光ダイオードは、まず、Siをドープしたn型のGaAs単結晶からなるGaAs基板上に、化合物半導体層を順次積層して発光波長920nmのエピタキシャルウェーハを作製した。GaAs基板は、(100)面から(0−1−1)方向に15°傾けた面を成長面とし、キャリア濃度を2×1018cm−3とした。また、GaAs基板の層厚は、約0.5μmとした。化合物半導体層としては、SiをドープしたGaAsからなるn型の緩衝層、Siをドープした(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなるn型のコンタクト層、Siをドープした(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなるn型の上部クラッド層、Al0.3Ga0.7Asからなる上部ガイド層、In0.2 Ga0.8 As/Al0.1Ga0.9Asの対からなる井戸層/バリア層、Al0.3Ga0.7Asからなる下部ガイド層、Mgをドープした(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなるp型の下部クラッド層、(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5Pからなる薄膜の中間層、Mgドープしたp型GaPからなる電流拡散層を用いた。
【0137】
本実施例では、減圧有機金属化学気相堆積装置法(MOCVD装置)を用い、直径76mm、厚さ350μmのGaAs基板に化合物半導体層をエピタキシャル成長させて、エピタキシャルウェーハを形成した。エピタキシャル成長層を成長させる際、III族構成元素の原料としては、トリメチルアルミニウム((CH3)3Al)、トリメチルガリウム((CH3)3Ga)及びトリメチルインジウム((CH3)3In)を使用した。また、Mgのドーピング原料としては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(bis−(C5H5)2Mg)を使用した。また、Siのドーピング原料としては、ジシラン(Si2H6)を使用した。また、V族構成元素の原料としては、ホスフィン(PH3)、アルシン(AsH3)を使用した。また、各層の成長温度としては、p型GaPからなる電流拡散層は、750℃で成長させた。その他の各層では700℃で成長させた。
【0138】
GaAsからなる緩衝層は、キャリア濃度を約2×1018cm−3、層厚を約0.5μmとした。コンタクト層は、キャリア濃度を約2×1018cm−3、層厚を約3.5μmとした。上部クラッド層は、キャリア濃度を約1×1018cm−3、層厚を約0.5μmとした。上部ガイド層は、アンドープで層厚を約50nmとした。井戸層は、アンドープで層厚が約5nmのIn0.2Ga0.8Asとし、バリア層はアンドープで層厚が約19nmのAl0.1Ga0.9Asとした。また、井戸層及びバリア層のペア数を1対とした。下部ガイド層は、アンドープで層厚を約50nmとした。下部クラッド層は、キャリア濃度を約8×1017cm−3、層厚を約0.5μmとした。中間層は、キャリア濃度を約8×1017cm−3、層厚を約0.05μmとした。GaPからなる電流拡散層は、キャリア濃度を約3×1018cm−3、層厚を約9μmとした。
【0139】
次に、電流拡散層を表面から約1μmの深さに至る領域まで研磨して、鏡面加工した。この鏡面加工によって、電流拡散層の表面の粗さ(二乗平均平方根:rms)を0.18nmとした。
一方、上記の電流拡散層の鏡面研磨した表面に貼付するn型GaPからなる機能性基板を用意した。この貼付用の機能性基板には、キャリア濃度が約2×1017cm−3となるようにSiを添加し、面方位を(111)とした単結晶を用いた。また、機能性基板の直径は76mmで、厚さは250μmであった。この機能性基板の表面は、電流拡散層に接合させる以前に鏡面に研磨し、表面の粗さを、二乗平均平方根(rms)にして0.12nmに仕上げておいた。
【0140】
次に、一般の半導体材料貼付装置に、上記の機能性基板及びエピタキシャルウェーハを搬入し、3×10−5Paとなるまで装置内を真空に排気した。
【0141】
次に、機能性基板、及び電流拡散層の双方の表面に、電子を衝突させて中性(ニュートラル)化したArビームを3分間に亘り照射した。その後、真空に維持した貼付装置内で、機能性基板及び電流拡散層の表面を重ね合わせ、各々の表面での圧力が50g/cm2となる様に荷重を掛け、双方を室温で接合した。このようにして接合ウェーハを形成した。
【0142】
次に、上記接合ウェーハから、GaAs基板およびGaAs緩衝層をアンモニア系エッチャントにより選択的に除去した。次に、コンタクト層の表面に第1の電極として、AuGe、Ni合金を厚さが0.5μm、Ptを0.2μm、Auを1μmとなるように真空蒸着法によって成膜した。その後、一般的なフォトリソグラフィー手段を利用してパターニングを施し、第1の電極としてn型オーミック電極を形成した。次に、GaAs基板を除去した面である光取り出し面の表面に粗面化処理を施した。
【0143】
次に、第2の電極としてp型オーミック電極を形成する領域のエピ層を選択的に除去し、電流拡散層を露出させた。この露出した電流拡散層の表面に、AuBeを0.2μm、Auを1μmとなるように真空蒸着法でp形オーミック電極を形成した。その後、450℃で10分間熱処理を行って合金化し、低抵抗のp型およびn型オーミック電極を形成した。さらに、機能性基板の裏面側にAuを厚さ0.2μmで形成し、230μm□の正方形にパターンを形成することにより、第3の電極を形成した。
【0144】
次に、ダイシングソーを用いて、機能性基板の裏面から、第3の電極を形成していない領域を傾斜面の角度αが70°となると共に垂直面の厚さが130μmとなるようにV字状の溝入れを行った。次に、化合物半導体層側からダイシングソーを用い350μm間隔で切断し、チップ化した。そして、ダイシングによる破砕層および汚れを硫酸・過酸化水素混合液でエッチング除去して、実施例1の発光ダイオードを作製した。
【0145】
上記の様にして作製した実施例1の発光ダイオードチップを、マウント基板上に実装した発光ダイオードランプを100個組み立てた。この発光ダイオードランプは、マウントは、ダイボンダーで支持(マウント)し、発光ダイオードのn型オーミック電極とマウント基板の表面に設けたn電極端子とを金線でワイヤボンディングし、p型オーミック電極とp電極端子とを金線でワイヤボンディングした後、一般的なエポキシ樹脂で封止して作製した。
【0146】
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果を下記表8、図15及び図16に示す。図15は、バリア層が組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなり、活性層とクラッド層との接合面積が123000μm2の場合と53000μm2の場合のペア数と応答速度との関係を示すグラフであり、図16は、図15と同じ場合のペア数と発光出力との関係を示すグラフである。
【0147】
【表5】
【0148】
実施例1では、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長920nmとする赤外光が出射された。また、表6に示すように、実施例1では、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、化合物半導体層を構成する電流拡散層と機能性基板との接合界面での抵抗の低さ及び各オーミック電極の良好なオーミック特性を反映し、1.2ボルトとなった。また、順方向電流を20mAとした際の応答速度(立ち上がり時間)tr及び発光出力(P0)はそれぞれ、15nsec、6.8mWであった。
【0149】
(実施例2)
実施例2の発光ダイオードは第1の実施形態の実施例であり、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした以外は、実施例1と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、18nsec、7.0mW、1.2Vであった。
【0150】
(実施例3)
実施例3の発光ダイオードは第1の実施形態の実施例であり、井戸層及びバリア層のペア数を5対とした以外は、実施例1と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、23nsec、6.9mW、1.22Vであった。
【0151】
以下に示す実施例4〜6の発光ダイオードも、第1の実施形態の実施例であるが、活性層とクラッド層との接合面積を53000μm2(230μm×230μm)とした点のみが実施例1等とは異なる実施例である。
【0152】
(実施例4)
実施例4の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積以外の条件は、実施例1と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、12nsec、7.0mW、1.25Vであった。
【0153】
(実施例5)
実施例5の発光ダイオードは、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした点以外は実施例4と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、15nsec、7.1mW、1.26Vであった。
【0154】
(実施例6)
実施例6の発光ダイオードは、井戸層及びバリア層のペア数を5対とした点以外は、実施例4と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、18nsec、7.0mW、1.30Vであった。
【0155】
(実施例7)
実施例7の発光ダイオードも第1の実施形態の実施例であるが、活性層とクラッド層との接合面積を20000μm2(200μm×100μm)とした実施例である。
【0156】
実施例7の発光ダイオードは活性層とクラッド層との接合面積以外の条件は、実施例1と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、14nsec、7.0mW、1.36Vであった。
【0157】
(実施例8)
実施例8の発光ダイオードも第1の実施形態の実施例であるが、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした点以外は、実施例7と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、12nsec、7.0mW、1.35Vであった。
【0158】
(実施例9)
実施例9の発光ダイオードも第1の実施形態の実施例であるが、活性層とクラッド層との接合面積を90000μm2(300μm×300μm)とした実施例である。
【0159】
実施例9の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積以外の条件は、実施例1と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、21nsec、6.9mW、1.23Vであった。
【0160】
(実施例10)
実施例10の発光ダイオードも第1の実施形態の実施例であるが、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした点以外は、実施例9と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、16nsec、7.0mW、1.22Vであった。
【0161】
以下に示す実施例11〜13の発光ダイオードは、第2の実施形態の実施例である。
【0162】
(実施例11)
実施例11の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積を123000μm2(350μm×350μm)で、発光波長が960nmの実施例である。
【0163】
実施例11の発光ダイオードの層構成は以下の通りである。
実施例11では、Siをドープしたn型のGaAs単結晶からなるGaAs基板上は、(100)面から(0−1−1)方向に15°傾けた面を成長面とし、キャリア濃度を2×1018cm−3とした。化合物半導体層としては、SiをドープしたGaAsからなるn型の緩衝層、Siをドープした(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなるn型のコンタクト層、Siをドープした(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5Pからなるn型の上部クラッド層、(Al0.1 Ga0.9 )0.5 In0.5 Pからなる上部ガイド層、In0.25Ga0.75As/(Al0.1Ga0.9 )0.5 In0.5Pの対からなる井戸層/バリア層、(Al0.1 Ga0.9)0.5 In0.5Pからなる下部ガイド層、Mgをドープした(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5Pからなるp型の下部クラッド層、(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5Pからなる薄膜の中間層、Mgドープしたp型GaPからなる電流拡散層を用いた。
【0164】
GaAsからなる緩衝層は、キャリア濃度を約2×1018cm−3、層厚を約0.5μmとした。コンタクト層は、キャリア濃度を約2×1018cm−3、層厚を約3.5μmとした。上部クラッド層は、キャリア濃度を約1×1018cm−3、層厚を約0.5μmとした。上部ガイド層は、アンドープで層厚を約50nmとした。井戸層は、アンドープで層厚が約5nmのIn0.25Ga0.75Asとし、バリア層はアンドープで層厚が約19nmの(Al0.1Ga0.9 )0.5 In0.5Pとした。また、井戸層及びバリア層のペア数は5対とした。下部ガイド層は、アンドープで層厚を約50nmとした。下部クラッド層は、キャリア濃度を約8×1017cm−3、層厚を約0.5μmとした。中間層は、キャリア濃度を約8×1017cm−3、層厚を約0.05μmとした。GaPからなる電流拡散層は、キャリア濃度を約3×1018cm−3、層厚を約9μmとした。
実施例11の発光ダイオードは、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)が、それぞれ、24nsec、6.7mW、1.26Vであった。
【0165】
(実施例12)
実施例12の発光ダイオードも第2の実施形態の実施例であるが、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした点以外は、実施例11と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、18nsec、6.8mW、1.24Vであった。
【0166】
(実施例13)
実施例13の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積を53000μm2(230μm×230μm)とし、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした以外は、実施例11と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、14nsec、6.8mW、1.29Vであった。
【0167】
以下に示す実施例14〜19は、実施例1〜13と同様に化合物半導体層を作製し、その後、反射層を含む機能性基板を電流拡散層に接合した構成であり、機能性基板がシリコンからなる層を含む実施例である。ここで、実施例14〜16の発光ダイオードは第3の実施形態の実施例であり、実施例17〜19の発光ダイオードは第5の実施形態の実施例である。
【0168】
(実施例14)
実施例14の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積を123000μm2(350μm×350μm)とした実施例であり、実施例1等と同様の手順で化合物半導体層を作製した後、電流拡散層に反射層を備えた機能性基板を接合した構成である。この際、井戸層及びバリア層のペア数は5対とした。
以下、実施例14の発光ダイオードの作製方法を、図13(a)、(b)を参照して説明する。
【0169】
まず、電流拡散層8の表面に、AuBe/Au合金を厚さ0.2μmで20μmφのドットでなる電極(第2の電極)21を、光取り出し面の端から50μmになるように等間隔で8個配置した。
次に、透明導電膜であるITO膜22を0.4μmの厚さでスパッタ法により形成した。さらに、銀合金/Ti/Auでなる層23を0.2μm/0.1μm/1μmの厚さで形成し、反射層23とした。
【0170】
一方、シリコン基板(機能性基板)31の表面に、Ti/Au/Inでなる層32を0.1μm/0.5μm/0.3μmの厚さで形成した。また、シリコン基板31の裏面に、Ti/Auでなる層33を、0.1μm/0.5μmの厚さで形成した。そして、前記発光ダイオードウェーハ側のAuとシリコン基板側のIn表面とを重ね合わせ、320℃で加熱・500g/cm2で加圧し、機能性基板を発光ダイオードウェーハに接合した。
【0171】
次に、GaAs基板を除去し、コンタクト層16の表面に、AuGe/Auでなる直径100μmで厚さ3μmのオーミック電極(第1の電極)25を形成し、420℃で5分間熱処理し、p、nオーミック電極を合金化処理した。
【0172】
次に、第1の電極25をマスクとして、コンタクト層16の電極25直下分以外を除去した後、表面を粗面化処理した。
次に、チップに分離する為の切断予定部分の半導体層と反射層、共晶金属を除去し、シリコン基板31を、ダイシングソーで、350μmピッチで正方形に切断した。
【0173】
このようにして得られた発光ダイオード(発光ダイオードランプ)に対し、上面及び下面の電極間に電流を流したところ、ピーク波長920nmとする赤外光が出射された。また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、化合物半導体層を構成する電流拡散層と機能性基板との接合界面での抵抗の低さ及び各オーミック電極の良好なオーミック特性を反映し、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、24nsec、6.5mW、1.24Vであった。
【0174】
(実施例15)
実施例15の発光ダイオードも第3の実施形態の実施例であるが、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした点以外は、実施例14と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、20nsec、6.7mW、1.24Vであった。
【0175】
(実施例16)
実施例16の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積を53000μm2(230μm×230μm)とし、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした以外は、実施例11と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
【0176】
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、15nsec、6.5mW、1.28Vであった。
【0177】
(実施例17)
実施例17の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積を123000μm2(350μm×350μm)とし、井戸層及びバリア層のペア数は5対とした実施例である。実施例17の発光ダイオードは、実施例11と同様の手順で化合物半導体層を作製した後、実施例14と同様の手順で、電流拡散層に反射層を備えた機能性基板を接合した構成である。
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、24nsec、6.4mW、1.26Vであった。
【0178】
(実施例18)
実施例18の発光ダイオードも第5の実施形態の実施例であるが、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした点以外は、実施例17と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、20nsec、6.5mW、1.25Vであった。
【0179】
(実施例19)
実施例19の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積を53000μm2(230μm×230μm)とし、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした以外は、実施例13と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、15nsec、6.5mW、1.29Vであった。
【0180】
以下に示す実施例20及び21は第4の実施形態の実施例であり、実施例22及び23は第6の実施形態の実施例であり、実施例1〜13と同様に化合物半導体層を作製し、その後、反射層と金属基板とを含む機能性基板を電流拡散層に接合した構成である。
【0181】
(実施例20)
実施例20の発光ダイオードは、活性層とクラッド層との接合面積を123000μm2(350μm×350μm)とし、井戸層及びバリア層のペア数は5対とした実施例である。実施例20の発光ダイオードの作製方法を、図14を参照しながら説明する。
【0182】
まず、電流拡散層8の表面8bに、AuBe/Au合金を厚さ0.2μmで20μmφのドットでなる第2の電極57を、光取り出し面の端から50μmになるように等間隔で8個配置した。
次に、透明導電膜であるITO膜52を0.4μmの厚さでスパッタ法により形成した。さらに、銀合金/Ti/Auでなる層53を0.2μm/0.1μm/1μmの厚さで形成し、反射層53とした。
【0183】
次に、熱膨張係数が化合物半導体層2の材料よりも大きい材質からなる第1の金属板50A、50Aと、熱膨張係数が化合物半導体層2の材料よりも小さい材質からなる第2の金属板50Bとを採用して、ホットプレスによって金属基板50を形成した。具体的には、第1の金属板50Aとしては厚さ10μmのCu、第2の金属板50Bとしては厚さ75μmのMoを用い、図14に示すように、2枚の第1の金属板50A、50Aの間に第2の金属板50Bを挿入し、これらを重ねて所定の加圧装置によって高温下で荷重をかけることにより、Cu(10μm)/Mo(75μm)/Cu(10μm)の3層からなる金属基板50を形成した。
【0184】
次に、発光ダイオードの反射層53の表面と金属基板50とを重ね合わせ、400℃で加熱・500g/cm2で加圧して接合することにより、機能性基板51が接合されてなる発光ダイオードウェーハを作製した。
【0185】
次に、GaAs基板を除去し、コンタクト層56の表面に、AuGe/Auからなる直径100μmで厚さ3μmのオーミック電極55を形成し、420℃で、5分間熱処理し、p、nオーミック電極を合金化処理した。
次に、第1の電極25をマスクとして、コンタクト層16の電極25直下分以外を除去した後、表面を粗面化処理した。
そして、チップに分離する為の切断予定部分の半導体層と反射層、共晶金属を除去し、シリコン基板を、ダイシングソーで、350μmピッチで正方形に切断した。
【0186】
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)はそれぞれ、25nsec、6.6mW、1.27Vであった。
【0187】
(実施例21)
実施例21の発光ダイオードも第4の実施形態の実施例であるが、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした点以外は、実施例20と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、20nsec、6.7mW、1.27Vであった。
【0188】
(実施例22)
実施例22の発光ダイオードは、実施例20の発光ダイオードにおけるAlGaAsバリア層を、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層に置き換えた点が異なる。
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、25nsec、6.4mW、1.31Vであった。
【0189】
(実施例23)
実施例23の発光ダイオードも第6の実施形態の実施例であるが、井戸層及びバリア層のペア数を3対とした点以外は、実施例22と同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、21nsec、6.5mW、1.30Vであった。
【0190】
以下に示す参考例1〜4は、井戸層及びバリア層のペア数を10対及び20対とした例であり、本発明の3元混晶の量子井戸構造、又は、3元混晶の井戸層と4元混晶のバリア層とからなる量子井戸構造を4元クラッド層で挟む構成が、何れも高い発光出力に適した構成であることを示すためのものである。
【0191】
(参考例1)
参考例1の発光ダイオードは、井戸層及びバリア層のペア数を10対とした点以外は、実施例1の発光ダイオードと同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、32nsec、6.5mW、1.32Vであった。
【0192】
(参考例2)
参考例2の発光ダイオードは、井戸層及びバリア層のペア数を20対とした点以外は、実施例1の発光ダイオードと同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、43nsec、5mW、1.38Vであった。
【0193】
(参考例3)
参考例3の発光ダイオードは、井戸層及びバリア層のペア数を10対とした点以外は、実施例4の発光ダイオードと同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、23nsec、6.2mW、1.40Vであった。
【0194】
(参考例4)
参考例4の発光ダイオードは、井戸層及びバリア層のペア数を20対とした点以外は、実施例1の発光ダイオードと同じ条件で作製し、同様の評価を行った。
この発光ダイオード(発光ダイオードランプ)の特性を評価した結果、応答速度(tr)、発光出力(P0)及び順方向電圧(VF)は、それぞれ、36nsec、5.2mW、1.51Vであった。
【0195】
上記参考例1〜4の結果から明らかなように、例え、井戸層及びバリア層のペア数を多くした場合であっても、上記実施例に比べて、決して高い発光出力(P0)が得られるものとはならないことがわかる。
【0196】
(比較例1)
比較例1の発光ダイオードは、従来技術である液相エピタキシャル法を用いて化合物半導体層を形成した比較例である。具体的には、GaAs基板にAl0.01Ga0.99Asを発光層とするダブルヘテロ構造の発光部をエピタキシャル成長させ、発光ダイオードを作製、評価した。
【0197】
比較例1の発光ダイオードの作製においては、GaAs基板上に、スライドボート型成長装置を用いて結晶成長を行った。
具体的には、まず、スライドボート型成長装置の基板収納溝にn型のGaAs単結晶からなる基板をセットし、各層の成長用に用意したルツボにGaメタル、GaAs多結晶、金属Al、及びドーパントを入れた。成長する層は、透明厚膜層(第1のp型層)、下部クラッド層(p型クラッド層)、活性層、上部クラッド層(n型クラッド層)の4層構造とし、この順序で積層した。
【0198】
次に、これらの原料をセットしたスライドボート型成長装置を、石英反応管内にセットし、水素気流中で950℃まで加温し、原料を溶解した後、雰囲気温度を910℃まで降温し、スライダーを右側に押して原料溶液(メルト)に接触させたあと0.5℃/分の速度で降温し、所定温度に達した後、またスライダーを押して順次各原料溶液に接触させたあと高温させる動作を繰り返し、最終的にはメルトと接触させた後、雰囲気温度を703℃まで降温してnクラッド層を成長させた後、スライダーを押して原料溶液とウェーハを切り離してエピタキシャル成長を終了させた。
【0199】
上記条件により、n型の(100)面のGaAs単結晶基板上に、Al0.01Ga0.99Asからなるn型上部クラッド層を50μm、Al0.01Ga0.99AsからなるSiドープの発光層を20μm、Al0.7Ga0.3Asからなるp型の下部クラッド層を20μm、発光波長に対して透明なAl0.25Ga0.75Asからなるp型の厚膜層を60μmとなるように、各層を液相エピタキシャル方法によって成長させた。
【0200】
エピタキシャル成長終了後、エピタキシャル基板を取り出し、n型のGaAlAsクラッド層表面を保護しながら、アンモニア−過酸化水素系エッチャントでp型のGaAs基板を選択的に除去した。
次に、エピタキシャルウェーハ両面に金電極を形成し、長辺が350μmの電極マスクを用いて、n型AlGaAs上部クラッド層の表面に、直径100μmのワイヤボンディング用パッドが中央に配置された表面電極を形成した。また、p型AlGaAs厚膜層の裏面に、裏面電極として、直径20μmのオーミック電極を80μm間隔に形成した。
そして、ダイシングソーにより、ウェーハを350μm間隔で切断した後、破砕層をエッチング除去することにより、n型のAlGaAs層が表面側となるように、比較例1の発光ダイオードチップを作製した。
【0201】
比較例1の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を、上記表6に示した。
表6に示すように、比較例1の発光ダイオードのn型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク波長を940nmとする赤外光が出射された。また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.2ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、2mWであった。また、応答速度(tr)は、1700nsecであり、比較例1のいずれのサンプルについても、本発明の実施例に比べ、高速応答に劣るものとなった。
【産業上の利用可能性】
【0202】
本発明の発光ダイオードは、高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置として利用できる。
【符号の説明】
【0203】
1・・・発光ダイオード、
2・・・化合物半導体層、
3・・・機能性基板、
3a・・・垂直面、
3b・・・傾斜面、
4・・・n型オーミック電極(第1の電極)、
5・・・p型オーミック電極(第2の電極)、
7・・・発光部、
8・・・電流拡散層、
9・・・下部クラッド層(第1のクラッド層)、
10・・・下部ガイド層、
11・・・活性層、
12・・・上部ガイド層、
13・・・上部クラッド層(第2のクラッド層)、
14・・・GaAs基板、
15・・・緩衝層、
16・・・コンタクト層、
17・・・井戸層、
18・・・バリア層、
20・・・発光ダイオード、
21・・・電極、
22・・・透明導電膜、
23・・・反射層、
25・・・ボンディング電極、
31…機能性基板、
41・・・発光ダイオードランプ、
42・・・マウント基板、
43・・・n電極端子、
44・・・p電極端子、
45,46・・・金線、
47・・・エポキシ樹脂、
α・・・傾斜面と発光面に平行な面とのなす角度、
50・・・金属基板、
51・・・機能性基板、
52・・・透明導電膜、
53・・・反射層、
55・・・第1の電極、
56・・・コンタクト層、
57・・・第2の電極、
【特許請求の範囲】
【請求項1】
組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、
前記発光部上に形成された電流拡散層と、
前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、
前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、
前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項2】
組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、
前記発光部上に形成された電流拡散層と、
前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、
前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX5Ga1−X5)Y3In1−Y3P(0≦X5≦1,0<Y3≦1)の化合物半導体からなり、
前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項3】
前記活性層と前記クラッド層との接合面積が20000〜90000μm2であることを特徴とする請求項1または2に記載の発光ダイオード。
【請求項4】
前記井戸層のIn組成X1を0≦X1≦0.3とし、前記井戸層の厚さが3〜10nmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項5】
前記井戸層のIn組成X1が0.1≦X1≦0.3であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項6】
前記機能性基板は発光波長に対して透明であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項7】
前記機能性基板はGaP、サファイア又はSiCからなることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項8】
組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、
前記発光部上に形成された電流拡散層と、
前記発光部に対向して配置され、発光波長に対して90%以上の反射率を有する反射層を含み、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、
前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、
前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項9】
組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、
前記発光部上に形成された電流拡散層と、
前記発光部に対向して配置され、発光波長に対して90%以上の反射率を有する反射層を含み、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、
前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX5Ga1−X5)Y3In1−Y3P(0≦X5≦1,0<Y3≦1)の化合物半導体からなり、
前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項10】
前記活性層と前記クラッド層との接合面積が20000〜90000μm2であることを特徴とする請求項8または9に記載の発光ダイオード。
【請求項11】
前記井戸層のIn組成X1を0≦X1≦0.3とし、前記井戸層の厚さが3〜10nmであることを特徴とする請求項8〜10のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項12】
前記井戸層のIn組成X1が0.1≦X1≦0.3であることを特徴とする請求項8〜10のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項13】
前記機能性基板はシリコンまたはゲルマニウムからなる層を含むことを特徴とする請求項8から12のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項14】
前記機能性基板は金属基板を含むことを特徴とする請求項8から12のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項15】
前記金属基板は複数の金属層からなることを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオード。
【請求項16】
前記井戸層及びバリア層のペア数が3以下であることを特徴とする請求項1から15のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項17】
前記電流拡散層はGaPからなることを特徴とする請求項1から16のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項18】
前記電流拡散層の厚さは0.5〜20μmの範囲であることを特徴とする請求項1から17のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項19】
前記機能性基板の側面は、前記発光部に近い側においては主たる光取り出し面に対して略垂直である垂直面を有し、前記発光部に遠い側においては前記主たる光取り出し面に対して内側に傾斜した傾斜面を有することを特徴とする請求項1から18のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項20】
前記傾斜面は粗い面を含むことを特徴とする請求項19に記載の発光ダイオード。
【請求項21】
第1の電極及び第2の電極が発光ダイオードの前記主たる光取り出し面側に設けられていることを特徴とする請求項19または20のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項22】
前記第1の電極及び前記第2の電極がオーミック電極であることを特徴とする請求項21に記載の発光ダイオード。
【請求項23】
請求項1から22のいずれか一項に記載の発光ダイオードを備えることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項24】
請求項1から22のいずれか一項に記載の発光ダイオード、および/または、請求項23に記載の発光ダイオードランプを複数個搭載した照明装置。
【請求項1】
組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、
前記発光部上に形成された電流拡散層と、
前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、
前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、
前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項2】
組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、
前記発光部上に形成された電流拡散層と、
前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、
前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX5Ga1−X5)Y3In1−Y3P(0≦X5≦1,0<Y3≦1)の化合物半導体からなり、
前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項3】
前記活性層と前記クラッド層との接合面積が20000〜90000μm2であることを特徴とする請求項1または2に記載の発光ダイオード。
【請求項4】
前記井戸層のIn組成X1を0≦X1≦0.3とし、前記井戸層の厚さが3〜10nmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項5】
前記井戸層のIn組成X1が0.1≦X1≦0.3であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項6】
前記機能性基板は発光波長に対して透明であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項7】
前記機能性基板はGaP、サファイア又はSiCからなることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項8】
組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、
前記発光部上に形成された電流拡散層と、
前記発光部に対向して配置され、発光波長に対して90%以上の反射率を有する反射層を含み、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、
前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX3Ga1−X3)Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、
前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項9】
組成式(InX1Ga1−X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX4Ga1−X4)Y2In1−Y2P(0≦X4≦1,0<Y2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、
前記発光部上に形成された電流拡散層と、
前記発光部に対向して配置され、発光波長に対して90%以上の反射率を有する反射層を含み、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、
前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX5Ga1−X5)Y3In1−Y3P(0≦X5≦1,0<Y3≦1)の化合物半導体からなり、
前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項10】
前記活性層と前記クラッド層との接合面積が20000〜90000μm2であることを特徴とする請求項8または9に記載の発光ダイオード。
【請求項11】
前記井戸層のIn組成X1を0≦X1≦0.3とし、前記井戸層の厚さが3〜10nmであることを特徴とする請求項8〜10のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項12】
前記井戸層のIn組成X1が0.1≦X1≦0.3であることを特徴とする請求項8〜10のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項13】
前記機能性基板はシリコンまたはゲルマニウムからなる層を含むことを特徴とする請求項8から12のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項14】
前記機能性基板は金属基板を含むことを特徴とする請求項8から12のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項15】
前記金属基板は複数の金属層からなることを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオード。
【請求項16】
前記井戸層及びバリア層のペア数が3以下であることを特徴とする請求項1から15のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項17】
前記電流拡散層はGaPからなることを特徴とする請求項1から16のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項18】
前記電流拡散層の厚さは0.5〜20μmの範囲であることを特徴とする請求項1から17のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項19】
前記機能性基板の側面は、前記発光部に近い側においては主たる光取り出し面に対して略垂直である垂直面を有し、前記発光部に遠い側においては前記主たる光取り出し面に対して内側に傾斜した傾斜面を有することを特徴とする請求項1から18のいずれか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項20】
前記傾斜面は粗い面を含むことを特徴とする請求項19に記載の発光ダイオード。
【請求項21】
第1の電極及び第2の電極が発光ダイオードの前記主たる光取り出し面側に設けられていることを特徴とする請求項19または20のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項22】
前記第1の電極及び前記第2の電極がオーミック電極であることを特徴とする請求項21に記載の発光ダイオード。
【請求項23】
請求項1から22のいずれか一項に記載の発光ダイオードを備えることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項24】
請求項1から22のいずれか一項に記載の発光ダイオード、および/または、請求項23に記載の発光ダイオードランプを複数個搭載した照明装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図2】
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【図16】
【公開番号】特開2012−119585(P2012−119585A)
【公開日】平成24年6月21日(2012.6.21)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−269709(P2010−269709)
【出願日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【出願人】(000002004)昭和電工株式会社 (3,251)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年6月21日(2012.6.21)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【出願人】(000002004)昭和電工株式会社 (3,251)
【Fターム(参考)】
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