【課題】薄膜半導体発光素子における反りやクラックの発生を防止し、歩留まりを向上することを目的とする。
【解決手段】半導体発光装置１００は、基板１０９と、基板１０９上に実装された複数の薄膜半導体発光素子１０１とを備える。各薄膜半導体発光素子１０１は、アノード接続パッド１１１およびカソード接続パッド１１５を有する。アノード接続パッド１１１およびカソード接続パッド１１５の少なくとも一方は、微細加工された部分（例えば、メッシュ形状、縞模様、渦巻模様、回折模様など）を有している。 （もっと読む）

【課題】活性層の端面での非発光再結合が抑制され、発光効率の向上した発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層がこの順に設けられ、前記第２導電型半導体層に光取り出し面を有する積層体と、少なくとも前記活性層の端面近傍に設けられ、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する再結合抑制構造とを備えた発光素子。 （もっと読む）

【課題】光の出射方向の違いによる配光色度のバラツキが小さい発光装置および発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１と、基材１上に載置された発光素子１０と、発光素子１０を被覆する封止部材３と、を備える発光装置１００であって、封止部材３は、蛍光体４と、複数の透明部材５とを含有し、透明部材５は、発光素子１０上に設けられ、各透明部材５の最大高さおよび最大幅のそれぞれが、蛍光体４の粒径の１倍を超え３倍未満であり、透明部材５の含有量が、封止部材３に対して１０〜７８体積％であり、透明部材５と蛍光体４との体積比率（透明部材量／蛍光体量）が０．２〜１０であり、蛍光体４は、発光素子１０からの発光経路の少なくとも一部に隙間を設けて配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置の光の利用効率が向上する。
【解決手段】配線パターンが設けられた基板１１０と、基板１１０の一方の主面に搭載され、配線パターンに電気的に接続された半導体発光素子１３０とを備える。基板１１０は、半導体発光素子１３０からこの基板１１０に向けて放射された光の少なくとも一部を上記一方の主面に対して直交する方向に反射させる凹凸構造１１１を上記一方の主面に有する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子に接合されている部材に起因して半導体発光素子に生じる応力を低減できる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、半導体発光素子１０と、半導体発光素子１０を支持する基板２０と、半導体発光素子１０と基板２０との間に位置するシリコーンエラストマー層３０と、を含み、半導体発光素子１０とシリコーンエラストマー層３０とは、接合されている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子と光学素子との高い位置合わせ精度を有し、かつ、半導体発光素子の出射部へのダメージを抑制できる光源モジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る光源モジュール１００は、出射部１１を有する半導体発光素子１０と、出射部１１から出射される光Ｌ１が入射する光学素子２０と、を含み、光学素子２０は、出射部１１を避けて、半導体発光素子１０に接合されている。 （もっと読む）

【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、電極により得られる光の導波路は、帯状かつ直線状の第１利得領域１６０および第２利得領域１７０と、第１利得領域１６０および第２利得領域１７０を接続し、かつ帯状の円弧形状を含む第３利得領域１９０と、を含み、第１利得領域１６０と第２利得領域１７０とは、第３利得領域１９０に接続される端部と反対の端部が第１層の側面に接続され、第１層の側面において第１利得領域１６０から出射される光２０と、第１層の側面において第２利得領域１７０から出射される光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】低電圧で高輝度の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１、第２電極層、第１、第２半導体層、発光層及び第１中間層を含む半導体発光素子が提供される。第１電極層は、金属部を有する。金属部には、円相当直径が１０ｎｍ以上５μｍ以下の複数の貫通孔が設けられている。第２電極層は光反射性である。第１半導体層は、第１電極層と第２電極層との間に設けられ第１導電形である。第２半導体層は第１半導体層と第２電極層との間に設けられ第２導電形である。発光層は、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられる。第１中間層は、第２半導体層と第２電極層との間に設けられ、光透過性である。第１中間層は、複数の第１コンタクト部と、第１非コンタクト部と、を含む。第１非コンタクト部は、積層方向に対して垂直な平面内において第１コンタクト部と並置される。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、リードフレームと封止樹脂と間の剥離を抑制し、信頼性を向上させた発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る発光装置は、第１のリードと、発光素子と、第２のリードと、成型体と、を備える。前記第１のリードには、前記発光素子が固着される。前記第２のリードは、前記第１のリードから離間して設けられ、前記発光素子の電極に金属ワイヤを介して電気的に接続される。そして、前記成型体は、前記発光素子と、前記第１のリードの前記発光素子が固着された端部と、前記第２のリードの前記金属ワイヤがボンディングされた端部と、を覆う封止樹脂からなる。さらに、前記第２のリードの表面において、前記成型体の外縁に接する第１の部分と、前記金属ワイヤがボンディングされた第２の部分と、の間に、前記第１の部分から前記第２の部分に向かう方向に交差し、前記封止樹脂が充填された第１の溝が設けられる。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、導電性ペーストを用いて発光素子をリードフレームに固着する発光装置であって、発光効率および信頼度を向上させることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る発光装置は、凹部が設けられた第１のリードと、前記凹部の底面に固着された発光素子と、前記第１のリードから離間して配置され、金属ワイヤを介して前記発光素子に電気的に接続された第２のリードと、を備える。前記発光素子は、前記金属ワイヤがボンディングされた発光面側とは反対の裏面において、導電性のペーストを介して前記底面に固着される。そして、前記底面の面積は、前記発光面の面積よりも広く、前記ペーストは、前記凹部の内部において、前記発光素子の前記発光面と前記裏面とに交差する側面の少なくとも一部と、前記凹部の壁面の少なくとも一部と、を覆う厚さに充填される。 （もっと読む）

【課題】素子作製時の裏面チッピングを抑制する。
【解決手段】半導体発光素子用ウエハを切削して素子化する半導体発光素子の製造方法において、前記半導体発光素子用ウエハは、半導体積層部と、前記半導体積層部の第一主面側に設けられる第一電極と、前記半導体積層部の第二主面側に設けられる金属層と、前記金属層の前記半導体積層部とは反対側に設けられる支持基板と、前記支持基板の前記金属層とは反対側に設けられる第二電極とを備え、前記半導体発光素子用ウエハの切削は、前記半導体発光素子用ウエハの第一方向及び該第一方向と直交する第二方向の複数の切削ラインに沿って、前記半導体発光素子用ウエハを前記支持基板の途中の深さまで切削して前記半導体発光素子用ウエハに格子状のハーフカット溝を形成する第一切削工程と、前記支持基板を完全に切断し溝の深さが前記半導体発光素子用ウエハに貼り付けたダイシングシートにまで達するように前記ハーフカット溝を更に切削する第二切削工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高輝度化に適した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード５０は、基板１と、基板１上に結晶成長によって形成された半導体積層構造２と、半導体積層構造２の表面に形成された透明電極膜３とを含む。半導体積層構造２は、ｐ型クラッド層１５に対して活性層１０とは反対側に配置されたｐ型ＧａＰウインドウ層１７と、ｐ型ＧａＰウインドウ層１７におけるｐ型クラッド層１５とは反対側に形成されたｐ型コンタクト層１８とを含む。ｐ型コンタクト層１８は、炭素がドープされたＧａＰからなる。 （もっと読む）

【課題】複数の出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第２光導波路１６２の延出方向は、第１側面１３１と平行であり、第３層１０８は、第２側面１３２と連続する第４側面１４２の少なくとも一部を含んで形成された第１酸化領域１７０と、第３側面１３３と連続する第５側面１４３の少なくとも一部を含んで形成された第２酸化領域１７２と、を有し、第１酸化領域１７０は、前記第１層、前記第２層、および前記第３層の積層方向から見て、前記第１反射部と重なり、第２酸化領域１６２は、前記積層方向から見て、前記第２反射部と重なる。 （もっと読む）

【課題】優れた発光効率を示すエレクトロルミネッセンス素子のパルス光の発光制御を効率よく行う。
【解決手段】順方向バイアス電圧に基づいて発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れかの層の表面形状及び／又はドーパント分布を変化させることを繰り返し、近接場光が発生した箇所では反転分布に基づき非断熱過程により複数段階で誘導放出させることが可能なＥＬ素子１と、コンデンサ４０とを互いに並列に接続し、これらに対して電源４１から電圧を印加し続けることにより、ＥＬ素子１からパルス光を発光させる。 （もっと読む）

【課題】複数の出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第１層１０６には、第１側面１３１に設けられた第１出射部１８１から第２側面１３２に設けられた第１反射部１９０まで延出する第１光導波路１６０と、第１反射部１９０から第３側面１３３に設けられた第２反射部１９２まで延出する第２光導波路１６２と、第２反射部１９２から第１側面１３１に設けられた第２出射部１８６まで延出する第３光導波路１６４と、が形成され、第２光導波路１６２の延出方向は、第１側面１３１と平行であり、第１反射部１９０および第２反射部１９２は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、第１出射部１８１から出射される第１の光２０と、第２出射部１８６から出射される第２の光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れた発熱デバイスを提供すること。
【解決手段】発熱デバイス１は、板状をなすベース基板２と、ベース基板２の一方の面側に配置され、通電により発熱する第１の発熱体４ａと、ベース基板２の一方の面側に第１の発熱体４ａに対し離間して配置され、通電により発熱する第２の発熱体４ｂと、少なくとも第１の発熱体４ａと第２の発熱体４ｂとの間をつなぐように設けられ、第１の発熱体４ａと第２の発熱体４ｂとからそれぞれ発生する熱を放熱する、主として樹脂材料で構成された放熱体５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】反射率の低下を防ぎ、高輝度発光が可能となる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板１上に順に、反射層６と、複数のオーミックコンタクト電極７が離間して埋設された透明膜８と、電流拡散層２５及び発光層２４を順に含む化合物半導体層１０とを具備する発光ダイオードであって、オーミックコンタクト電極７の基板１側の面の周縁部は透明膜８に覆われ、オーミックコンタクト電極７は反射層６及び電流拡散層２５に接触している、ことを特徴とする （もっと読む）

【課題】従来構造よりも低コストで高輝度な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第一導電型の半導体基板１上に、第一導電型のクラッド層２、アンドープ活性層３、第二導電型のクラッド層４からなる発光部１０１が積層された半導体発光素子１００において、発光部１０１の一部である第一導電型のクラッド層２中に、互いに組成が異なる２層の半導体層５ａ，５ｂを一対とする多層膜からなるクラッド側光反射層５が具備されたものである。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子チップを接合するマウント材の劣化を抑制する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光装置は、サファイア基板、活性領域、及び光遮断層が設けられる。活性領域は、サファイア基板上に設けられ、通電されてサファイア基板の厚み方向で発光する発光層を有する。光遮断層は、サファイア基板の裏面に設けられ、発光層で発生された光をサファイア基板の裏面側に透過するのを遮断し、サファイア基板が酸化アルミニウム（Ａｌ_ｘＯ_ｙ）に改質されてなる。 （もっと読む）