発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター
【課題】複数の出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第１層１０６には、第１側面１３１に設けられた第１出射部１８１から第２側面１３２に設けられた第１反射部１９０まで延出する第１光導波路１６０と、第１反射部１９０から第３側面１３３に設けられた第２反射部１９２まで延出する第２光導波路１６２と、第２反射部１９２から第１側面１３１に設けられた第２出射部１８６まで延出する第３光導波路１６４と、が形成され、第２光導波路１６２の延出方向は、第１側面１３１と平行であり、第１反射部１９０および第２反射部１９２は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、第１出射部１８１から出射される第１の光２０と、第２出射部１８６から出射される第２の光２２とは、同じ方向に出射される。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第１層１０６には、第１側面１３１に設けられた第１出射部１８１から第２側面１３２に設けられた第１反射部１９０まで延出する第１光導波路１６０と、第１反射部１９０から第３側面１３３に設けられた第２反射部１９２まで延出する第２光導波路１６２と、第２反射部１９２から第１側面１３１に設けられた第２出射部１８６まで延出する第３光導波路１６４と、が形成され、第２光導波路１６２の延出方向は、第１側面１３１と平行であり、第１反射部１９０および第２反射部１９２は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、第１出射部１８１から出射される第１の光２０と、第２出射部１８６から出射される第２の光２２とは、同じ方向に出射される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクターに関する。
【背景技術】
【０００２】
スーパールミネッセントダイオード（Super Luminescent Diode、以下「ＳＬＤ」ともいう）は、通常の発光ダイオード同様にインコヒーレント性を示し、かつ広帯域なスペクトル形状を示しながら、光出力特性では半導体レーザー同様に単一の素子で数百ｍＷ程度までの出力を得ることが可能な半導体発光素子である。
【０００３】
ＳＬＤは、例えばプロジェクターの光源として用いられるが、小型かつ高輝度なプロジェクターを実現するためには、光出力が大きくかつエテンデュの小さな光源を用いる必要がある。そのためには、複数の利得領域から出射される光が、同一の方向に進むことが望ましい。特許文献１では、直線状の形状を有する利得領域と、反射面を介することによって屈曲した形状を有する利得領域と、を組合せることによって、２つの利得領域の光出射部（発光点）から出射される光を、同一の方向に進行させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−３８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光学系の損失低減と部品点数の削減とのため、ＳＬＤをライトバルブの直下に配置し、レンズアレイを用いて集光と均一照明とを同時に行う方式のプロジェクターが提案されている。このような方式のプロジェクターでは、レンズアレイの間隔に合わせて、出射部を配置する必要がある。
【０００６】
特許文献１に記載された技術では、複数の出射部の間隔をピッチの異なる様々なレンズアレイに合わせて配置することが困難であり、上記の方式のプロジェクターに適用できない。
【０００７】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、複数の出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記発光装置を有するプロジェクターを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る発光装置は、
電流を注入することによって光を発生させる第１層と、
前記第１層を挟み、かつ前記光の漏れを抑制する第２層および第３層と、
を含み、
前記第１層には、
前記第１層の第１側面に設けられた第１出射部から前記第１層の第２側面に設けられた第１反射部まで延出する帯状の形状を有する第１光導波路と、
前記第１反射部から前記第１層の第３側面に設けられた第２反射部まで延出する帯状の形状を有する第２光導波路と、
前記第２反射部から前記第１側面に設けられた第２出射部まで延出する帯状の形状を有する第３光導波路と、
が形成され、
前記第２光導波路の延出方向は、前記第１側面と平行であり、
前記第１反射部および前記第２反射部は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、
前記第１出射部から出射される第１の光と、前記第２出射部から出射される第２の光とは、同じ方向に出射される。
【０００９】
このような発光装置によれば、第２光導波路は、第２側面から第３側面まで、第１出射部および第２出射部が形成される第１側面に対して、平行に設けられている。そのため、例えば、第２光導波路が第１側面に対して平行ではない場合に比べて、光導波路の全長が増大することを抑制しつつ、第１出射部および第２出射部の間隔を大きくすることができる。すなわち、第１出射部および第２出射部が形成される側面に垂直な方向の素子長の小型化を図りつつ、第１出射部および第２出射部の間隔を大きくすることができる。
【００１０】
さらに、このような発光装置によれば、第１反射部および第２反射部は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散されている。これにより、第１反射部および第２反射部のバンドギャップを、第１層のＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散されていない部分のバンドギャップより、大きくすることができる。その結果、第１反射部および第２反射部において量子井戸における光の再吸収を抑制することができ、第１反射部および第２反射部におけるＣＯＤ破壊を抑制することができる。
【００１１】
本発明に係る発光装置において、
前記第１反射部および前記第２反射部の表面は、誘電体層で覆われていてもよい。
【００１２】
このような発光装置によれば、第１反射部および第２反射部の表面に現れるダングリングボンドの一部を終端することができる。これにより、ＣＯＤに対する耐圧を向上させることができる。
【００１３】
本発明に係る発光装置において、
前記誘電体層を介して前記第１反射部および前記第２反射部の反対側に、樹脂層が形成されていてもよい。
【００１４】
このような発光装置によれば、第１反射部および第２反射部を形成する際にできる切り欠き部を、短時間で埋め込むことができる。
【００１５】
本発明に係る発光装置において、
前記第１反射部および前記第２反射部の表面は、露出していてもよい。
【００１６】
このような発光装置によれば、小型化を図りつつ、第１出射部および第２出射部の間隔を大きくすることができる。
【００１７】
本発明に係る発光装置において、
前記第２層に電気的に接続された第１電極と、
前記第３層に電気的に接続された第２電極と、
前記第３層と前記第２電極との間に設けられ、前記第２電極と接してオーミックコンタクトする第４層と、
を、さらに含み、
前記第１層、前記第２層、および前記第３層の積層方向から見て、
前記第１反射部と、前記第２電極と前記第４層との接触面の端部と、の間の最短距離は、２０μｍ以上であり、
前記第２反射部と前記接触面の端部との間の最短距離は、２０μｍ以上であってもよい。
【００１８】
このような発光装置によれば、拡散した電流が第１反射部および第２反射部に到達することを抑制することができる。これにより、いっそう第１反射部および第２反射部のＣＯＤ破壊を抑制することができる。
【００１９】
本発明に係る発光装置において、
前記第１層、前記第２層、および前記第３層の積層方向から見て、
前記第１光導波路と前記第２光導波路とは、前記第２側面の垂線に対して第１角度で傾いて前記第１反射部と接続され、
前記第２光導波路と前記第３光導波路とは、前記第３側面の垂線に対して第２角度で傾いて前記第２反射部と接続され、
前記第１角度および前記第２角度は、臨界角以上であってもよい。
【００２０】
このような発光装置によれば、第１反射部および第２反射部は、第１光導波路、第２光導波路、および第３光導波路に発生する光を、全反射させることができる。したがって、第１反射部および第２反射部における光損失を抑制することができ、効率よく光を反射させることができる。
【００２１】
本発明に係る発光装置において、
前記第２光導波路の延出方向の長さは、
前記第１光導波路の延出方向の長さ、および前記第３光導波路の延出方向の長さよりも大きくてもよい。
【００２２】
このような発光装置によれば、第１出射部および第２出射部の間隔を確実に大きくすることができる。
【００２３】
本発明に係る発光装置において、
前記第２側面および前記第３側面は、エッチングにより形成されたエッチング面であってもよい。
【００２４】
このような発光装置によれば、ダングリングボンドが形成されやすいエッチング面においても、第１反射部および第２反射部のバンドギャップを大きくすることにより、ＣＯＤ破壊を抑制することができる。
【００２５】
本発明に係る発光装置において、
前記元素は、亜鉛であってもよい。
【００２６】
このような発光装置によれば、好適に、亜鉛を第１層に拡散させることができる。
【００２７】
本発明に係る発光装置は、
活性層と、
前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、
を含み、
前記活性層には、
前記活性層の第１側面に設けられた第１出射部から前記活性層の第２側面に設けられた第１反射部まで延出する帯状の形状を有する第１利得領域と、
前記第１反射部から前記活性層の第３側面に設けられた第２反射部まで延出する帯状の形状を有する第２利得領域と、
前記第２反射部から前記第１側面に設けられた第２出射部まで延出する帯状の形状を有する第３利得領域と、
が形成され、
前記第２利得領域の延出方向は、前記第１側面と平行であり、
前記第１反射部および前記第２反射部は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、
前記第１出射部から出射される第１の光と、前記第２出射部から出射される第２の光とは、同じ方向に出射される。
【００２８】
このような発光装置によれば、小型化を図りつつ、第１出射部および第２出射部の間隔を大きくすることができる。
【００２９】
本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係る発光装置と、
前記発光装置から出射された光を集光するレンズアレイと、
前記レンズアレイによって集光された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。
【００３０】
このようなプロジェクターによれば、レンズアレイのアライメントが容易で、均一性よく液晶ライトバルブ（光変調装置）を照射することができる。
【００３１】
本発明に係るスーパールミネッセントダイオードは、
電流を注入することによって光を発生させる第１層と、
前記第１層を挟み、かつ前記光の漏れを抑制する第２層および第３層と、
を含み、
前記第１層には、
前記第１層の第１側面に設けられた第１出射部から前記第１層の第２側面に設けられた第１反射部まで延出する帯状の形状を有する第１光導波路と、
前記第１反射部から前記第１層の第３側面に設けられた第２反射部まで延出する帯状の形状を有する第２光導波路と、
前記第２反射部から前記第１側面に設けられた第２出射部まで延出する帯状の形状を有する第３光導波路と、
が形成され、
前記第２光導波路の延出方向は、前記第１側面と平行であり、
前記第１反射部および前記第２反射部は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、
前記第１出射部から出射される第１の光と、前記第２出射部から出射される第２の光とは、同じ方向に出射される。
【００３２】
このようなスーパールミネッセントダイオードによれば、小型化を図りつつ、第１出射部および第２出射部の間隔を大きくすることができる。
【００３３】
本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係るスーパールミネッセントダイオードと、
前記スーパールミネッセントダイオードから出射された光を集光するレンズアレイと、
前記レンズアレイによって集光された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。
【００３４】
このようなプロジェクターによれば、レンズアレイのアライメントが容易で、均一性よく液晶ライトバルブ（光変調装置）を照射することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図２】本実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図３】本実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図４】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図５】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図６】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１０】本実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図１１】本実施形態の第２変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図１２】本実施形態の第３変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図１３】本実施形態の第３変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図１４】参考例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図１５】参考例に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図１６】参考例に係る発光装置の、電極の幅と電流密度との関係を示すグラフ。
【図１７】本実施形態の第４変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図１８】本実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。
【図１９】本実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。
【図２０】本実施形態に係るプロジェクターの光源を模式的に示す図。
【図２１】本実施形態に係るプロジェクターの光源を模式的に示す断面図。
【図２２】本実施形態に係るプロジェクターの光源を模式的に示す断面図。
【図２３】本実施形態に係るプロジェクターの光源を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３７】
１． 発光装置
まず、本実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す平面図である。図２は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。なお、図１では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。
【００３８】
以下では、発光装置１００がＩｎＧａＡｌＰ系（赤色）のＳＬＤである場合について説明する。ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑えることにより、レーザー発振を防止することができる。そのため、スペックルノイズを低減することができる。
【００３９】
発光装置１００は、図１〜図３に示すように、積層体１２０と、第１電極１１２と、第２電極１１４と、を含むことができる。
【００４０】
積層体１２０は、基板１０２と、第２層１０４（以下「第１クラッド層１０４」ともいう）と、第１層１０６（以下「活性層１０６」ともいう）と、第３層１０８（以下「第２クラッド層１０８」ともいう）と、第４層１１０（以下「コンタクト層１１０」ともいう）と、絶縁層１１６と、を有することができる。
【００４１】
基板１０２としては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板などを用いることができる。基板１０２は、図１および図２に示すように、段差面１０３を有していてもよい。段差面１０３は、後述する反射部１９０，１９２を露出するための（側面１３２，１３３を露出するための）エッチングによって、形成されることができる。
【００４２】
第１クラッド層１０４は、基板１０２上に（段差面１０３を除いた基板１０２の上面に）形成されている。第１クラッド層１０４としては、例えば、ｎ型のＩｎＧａＡｌＰ層などを用いることができる。なお、図示はしないが、基板１０２と第１クラッド層１０４との間に、バッファー層が形成されていてもよい。バッファー層としては、例えば、ｎ型のＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などを用いることができる。バッファー層は、その上方に形成される層の結晶性を向上させることができる。
【００４３】
活性層１０６は、第１クラッド層１０４上に形成されている。活性層１０６は、第１クラッド層１０４と第２クラッド層１０８とに挟まれている。活性層１０６は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。
【００４４】
積層体１２０の積層方向から見た活性層１０６の平面形状は、例えば、クラッド層１０４，１０８およびコンタクト層１１０の平面形状と同じである。図１に示す例では、活性層１０６の平面形状は、六角形であり、第１側面１３１、第２側面１３２、第３側面１３３、第４側面１３４、第５側面１３５、および第６側面１３６を有している。側面１３１〜１３６は、活性層１０６の面のうち第１クラッド層１０４または第２クラッド層１０８に面状に接していない面であり、積層体１２０の外形を形成している面である。側面１３１〜１３６は、積層体１２０の積層方向から見て（活性層１０６およびクラッド層１０４，１０８の積層方向から見て、以下、単に「平面視において」ともいう）活性層１０６の側壁、言い換えれば積層体１２０の側面部に設けられているともいえる。側面１３１〜１３６は、平坦な面である。
【００４５】
図１に示す例では、側面１３４，１３５は、側面１３１と直交している。側面１３６は、側面１３１と対向している。側面１３２は、側面１３４，１３６と接続しており、側面１３１に対して傾斜している。側面１３３は、側面１３５，１３６と接続しており、側面１３１に対して傾斜している。例えば、側面１３１，１３４，１３５，１３６は、劈開によって形成された劈開面であり、側面１３２，１３３は、エッチングによって形成されたエッチング面である。
【００４６】
活性層１０６の一部は、第１光導波路１６０、第２光導波路１６２、および第３光導波路１６４を構成している。光導波路１６０，１６２，１６４の電流が注入される部分は、光を発生させることができる。発生した光は、光導波路１６０，１６２，１６４内を、導波することができる。光導波路１６０，１６２，１６４内を導波する光は、光導波路１６０，１６２，１６４の電流が注入される部分において、利得を受けることができる。
【００４７】
図示の例では、第２電極１１４は、コンタクト層１１０および絶縁層１１６上の全面に形成されており、光導波路１６０，１６２，１６４は、その全体が第１電極１１２および第２電極１１４に挟まれている。より具体的には、光導波路１６０，１６２，１６４の全体は、第１電極１１２および基板１０２の接触面１１３と、第２電極１１４およびコンタクト層１１０の接触面１１５と、に挟まれている。そのため、光導波路１６０，１６２，１６４のいかなる部分においても電流が注入されることができ、光は利得を得ることができる。すなわち、発光装置１００では、活性層１０６の一部は、第１利得領域１６０、第２利得領域１６２、および第３利得領域１６４を構成しているともいえる。
【００４８】
第１光導波路１６０は、平面視において、第１側面１３１から第２側面１３２まで延出している。第１光導波路１６０は、平面視において、所定の幅を有し、第１光導波路１６０の延出方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を備えている。第１光導波路１６０は、第１側面１３１との接続部分に設けられた第１端面１８１と、第２側面１３２との接続部分に設けられた第２端面１８２と、を有する。
【００４９】
なお、第１光導波路１６０の延出方向とは、例えば、平面視における、第１端面１８１の中心と第２端面１８２の中心とを通る直線の延出方向である。また、第１光導波路１６０（と第１光導波路１６０を除いた部分と）の境界線の延出方向であってもよい。なお、第１光導波路１６０が、第１側面１３１の垂線Ｐ１と平行（α＝０°）であってもよい。
【００５０】
第１光導波路１６０は、平面視において、第１側面１３１の垂線Ｐ１に対して角度αで傾いて第１側面１３１と接続している。言い換えれば、第１光導波路１６０の延出方向は、垂線Ｐ１に対してαの角度を有しているといえる。角度αは、鋭角であって、臨界角より小さい角度である。
【００５１】
第１光導波路１６０は、平面視において、第２側面１３２の垂線Ｐ２に対して角度βで傾いて第２側面１３２と接続している。言い換えれば、第１光導波路１６０の延出方向は、垂線Ｐ２に対してβの角度を有しているといえる。
【００５２】
第２光導波路１６２は、平面視において、第２側面１３２から第３側面１３３まで延出している。第２光導波路１６２は、平面視において、所定の幅を有し、第２光導波路１６２の延出方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を備えている。第２光導波路１６２は、第２側面１３２との接続部分に設けられた第３端面１８３と、第３側面１３３との接続部分に設けられた第４端面１８４と、を有する。平面視において、第２光導波路１６２の延出方向は、第１側面１３１と平行である。
【００５３】
なお、第２光導波路１６２の延出方向とは、例えば、平面視における、第３端面１８３の中心と第４端面１８４の中心とを通る直線の延出方向である。また、第２光導波路１６２（と第２光導波路１６２を除いた部分と）の境界線の延出方向であってもよい。また、「第２光導波路１６２の延出方向は、第１側面１３１と平行」とは、製造ばらつき等を考慮し、平面視において、第１側面１３１に対する第２光導波路１６２の傾き角が±１°以内である、ということを意味している。
【００５４】
第２光導波路１６２の第３端面１８３は、第２側面１３２において、第１光導波路１６０の第２端面１８２と重なっている。図示の例では、第２端面１８２と第３端面１８３とは、重なり面１９０において、完全に重なっている。
【００５５】
第２光導波路１６２は、平面視において、第２側面１３２の垂線Ｐ２に対して角度βで傾いて第２側面１３２と接続している。言い換えれば、第２光導波路１６２の延出方向は、垂線Ｐ２に対してβの角度を有しているといえる。すなわち、第１光導波路１６０の垂線Ｐ２に対する角度と、第２光導波路１６２の垂線Ｐ２に対する角度とは、製造ばらつきの範囲で同じである。角度βは、例えば、鋭角であって、臨界角以上である。これにより、第２側面１３２は、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を、全反射させることができる。
【００５６】
なお、「第１光導波路１６０の垂線Ｐ２に対する角度と、第２光導波路１６２の垂線Ｐ２に対する角度が同じ」とは、エッチング等の製造ばらつきを考慮し、両角度の差が例えば±２°程度以内である、ということを意味している。
【００５７】
第２光導波路１６２は、平面視において、第３側面１３３の垂線Ｐ３に対して角度γで傾いて第３側面１３３と接続している。言い換えれば、第２光導波路１６２の延出方向は、垂線Ｐ３に対してγの角度を有しているといえる。
【００５８】
第２光導波路１６２の延出方向の長さは、第１光導波路１６０の延出方向の長さ、および第３光導波路１６４の延出方向の長さよりも大きい。第２光導波路１６２の延出方向の長さは、第１光導波路１６０の延出方向の長さと、第３光導波路１６４の延出方向の長さと、の和以上であってもよい。なお、「第２光導波路１６２の延出方向の長さ」とは、第３端面１８３の中心と、第４端面１８４の中心と、の間の距離ともいえる。他の光導波路についても同様に、延出方向の長さとは、２つの端面の中心間の距離ともいえる。
【００５９】
第３光導波路１６４は、平面視において、第３側面１３３から第１側面１３１まで延出している。第３光導波路１６４は、平面視において、例えば、所定の幅を有し、第３光導波路１６４の延出方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を備えている。第３光導波路１６４は、第３側面１３３との接続部分に設けられた第５端面１８５と、第１側面１３１との接続部分に設けられた第６端面１８６と、を有する。
【００６０】
なお、第３光導波路１６４の延出方向とは、例えば、平面視における、第５端面１８５の中心と第６端面１８６の中心とを通る直線の延出方向である。また、第３光導波路１６４（と第３光導波路１６４を除いた部分と）の境界線の延出方向であってもよい。
【００６１】
第３光導波路１６４の第５端面１８５は、第３側面１３３において、第２光導波路１６２の第４端面１８４と重なっている。図示の例では、第４端面１８４と第５端面１８５とは、重なり面１９２において完全に重なっている。
【００６２】
第１光導波路１６０と第３光導波路１６４とは、互いに離間している。図１に示す例では、第１光導波路１６０の第１端面１８１と、第３光導波路１６４の第６端面１８６とは、間隔Ｄで離間している。
【００６３】
第３光導波路１６４は、平面視において、第３側面１３３の垂線Ｐ３に対して角度γで傾いて第３側面１３３と接続している。言い換えれば、第３光導波路１６４の延出方向は、垂線Ｐ３に対してγの角度を有しているといえる。すなわち、第２光導波路１６２の垂線Ｐ３に対する角度と、第３光導波路１６４の垂線Ｐ３に対する角度とは、製造ばらつきの範囲で同じである。角度γは、例えば、鋭角であって、臨界角以上である。これにより、第３側面１３３は、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を、全反射させることができる。
【００６４】
なお、「第２光導波路１６２の垂線Ｐ３に対する角度と、第３光導波路１６４の垂線Ｐ３に対する角度が同じ」とは、エッチング等の製造ばらつきを考慮し、両角度の差が例えば±２°程度以内である、ということを意味している。
【００６５】
第３光導波路１６４は、平面視において、垂線Ｐ１に対して角度αで傾いて第１側面１３１と接続している。言い換えれば、第３光導波路１６４の長手方向は、垂線Ｐ１に対してαの角度を有しているといえる。すなわち、第１光導波路１６０と第３光導波路１６４とは、平面視において、同じ向きで第１側面１３１と接続しており、互いに平行である。より具体的には、第１光導波路１６０の延出方向と、第３光導波路１６４の延出方向とは、互いに平行である。これにより、第１端面１８１から出射される光２０と、第６端面１８６から出射される光２２とは、同一の方向に進むことができる。なお、第３光導波路１６４が、第１側面１３１の垂線Ｐ１と平行（α＝０°）であってもよい。
【００６６】
以上のとおり、角度β，γを臨界角以上とし、角度αを臨界角より小さくすることにより、第１側面１３１の反射率を、第２側面１３２の反射率および第３側面１３３の反射率より低くすることができる。これにより、第１側面１３１に設けられた第１端面１８１は、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を出射させる第１出射部（第１出射部１８１）となることができる。第１側面１３１に設けられた第６端面１８６は、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を出射させる第２出射部（第２出射部１８６）となることができる。第２側面１３２に設けられた端面１８２，１８３の重なり面１９０は、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を反射させる第１反射部（第１反射部１９０）となることができる。第３側面１３３に設けられた端面１８４，１８５の重なり面１９２は、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を反射させる第２反射部（第２反射部１９２）となることができる。
【００６７】
すなわち、第１光導波路１６０は、第１出射部１８１から第１反射部１９０まで延出している。第２光導波路１６２は、第１反射部１９０から第２反射部１９２まで延出している。第３光導波路１６４は、第２反射部１９２から第２出射部１８６まで延出している。
【００６８】
なお、図示の例では、出射部１８１，１８６および反射部１９０，１９２は、その表面が露出しているが、例えば、第１側面１３１（出射部１８１，１８６）を反射防止膜で覆い、第２側面１３２および第３側面１３３（反射部１９０，１９２）を反射膜で覆ってもよい。これにより、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光が、反射部１９０，１９２において、全反射しないような入射角度、屈折率等の条件下においても、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光の波長帯における第１側面１３１の反射率を、第２側面１３２の反射率および第３側面１３３の反射率より低くすることができる。また、第１側面１３１を反射防止膜で覆うことにより、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を、第１端面１８１と第６端面１８６との間で直接的に多重反射させることを低減できる。この結果、直接的な共振器を構成させないことができるため、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光のレーザー発振を抑制することができる。
【００６９】
反射膜および反射防止膜としては、例えば、ＳｉＯ２層、Ｔａ２Ｏ５層、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＮ層、ＴｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層や、これらの多層膜を用いることができる。また、側面１３２，１３３をエッチングによって形成されたＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）として、高い反射率を得てもよい。
【００７０】
さらに、角度αは、０°より大きい角度であることができる。これにより、第１端面１８１と第６端面１８６との間で、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を、直接的に多重反射させないことができる。その結果、直接的な共振器を構成させないことができるため、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光のレーザー発振を抑制または防止することができる。
【００７１】
第１反射部１９０および第２反射部１９２には、図１および図２に示すように、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散された拡散領域１７０が形成されている。
【００７２】
拡散領域１７０のＩＩ族またはＸＩＩ族の元素としては、例えば、亜鉛、マグネシウム、ベリリウムが挙げられる。このような元素は、例えば活性層１０６を構成するＩｎＧａＡｌＰ層およびＩｎＧａＰ層のうち、ＧａまたはＡｌのサイトに入り込むことができる。このとき、ＩＩ族またはＸＩＩ族が入り込むことによって、元々のサイトから移動させられたＧａまたはＡｌは、別のＧａまたはＡｌのサイトに入り込むことができる。すなわち、ＩｎＧａＡｌＰ層およびＩｎＧａＰ層において、ＧａとＡｌが相互拡散することができる。これにより、ＩｎＧａＰ層のバンドギャップを大きくし、ＩｎＧａＡｌＰ層のバンドギャップに近づけることができる。すなわち、活性層１０６を構成する層のうち、最もバンドギャップの小さい層であるＩｎＧａＰ層のバンドギャップに関して、拡散領域１７０が設けられた部分のバンドギャップは、活性層１０６の拡散領域１７０が設けられていない部分のバンドギャップに比べて、大きくなることができる。その結果、反射部１９０，１９２において量子井戸における光の再吸収を抑制することができ、反射部１９０，１９２におけるＣＯＤ（Catastrophic Optical Damage）破壊を抑制することができる。
【００７３】
拡散領域１７０は、図２に示すように、反射部１９０，１９２を含んで形成されていれば、第２側面１３２近傍の活性層１０６、および第３側面１３３近傍の活性層１０６に設けられていてもよい。さらに、拡散領域１７０は、活性層１０６の第２側面１３２の全面、および第３側面１３３の全面に形成されていてもよい。さらに、拡散領域１７０は、図２に示すように、第１クラッド層１０４、第２クラッド層１０８、およびコンタクト層１１０に設けられていてもよい。
【００７４】
拡散領域１７０は、図１および図２に示すように、さらに、第１出射部１８１および第２出射部１８６を含んで形成されていてもよい。図示の例では、拡散領域１７０は、活性層１０６の第１側面１３１全面に形成されている。
【００７５】
第２クラッド層１０８は、図２および図３に示すように、活性層１０６上に形成されている。第２クラッド層１０８としては、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＩｎＧａＡｌＰ層などを用いることができる。
【００７６】
例えば、ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０６、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８の各々は、活性層１０６よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１０６は、電流が注入されることによって光を発生させ、かつ光を増幅しつつ導波させる機能を有する。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８は、活性層１０６を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能（光の漏れを抑制する機能）を有する。
【００７７】
発光装置１００は、第１電極１１２と第２電極１１４との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加する（電流を注入する）と、電流が注入される光導波路１６０，１６２，１６４において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、電流が注入される光導波路１６０，１６２，１６４内で光の強度が増幅される。上述のとおり、本実施形態では、光導波路１６０，１６２，１６４の全体が電極１１２，１１４に（より具体的には接触面１１３，１１５に）挟まれているので、光導波路１６０，１６２，１６４の全体に電流が注入される。したがって、光は、光導波路１６０，１６２，１６４のいかなる部分においても利得を受け、強度が増幅される。
【００７８】
例えば、図１に示すように、第１光導波路１６０に生じ、第２側面１３２側に向かう光１０は、第１光導波路１６０内で増幅された後、第１反射部１９０において反射して、第３側面１３３に向かって第２光導波路１６２を進行する。そして、さらに第２反射部１９２において反射して、第３光導波路１６４を進行して第６端面１８６から出射光２２として出射される。このとき、光導波路１６２，１６４内においても光強度が増幅される。同様に、第３光導波路１６４に生じ、第３側面１３３側に向かう光は、第３光導波路１６４内で増幅された後、第２反射部１９２において反射して、第２側面１３２に向かって第２光導波路１６２を進行する。そして、さらに第１反射部１９０において反射して、第１光導波路１６０を進行して第１端面１８１から出射光２０として出射される。このとき、光導波路１６０，１６２内においても光強度が増幅される。
【００７９】
なお、第１光導波路１６０に発生する光には、直接、第１端面１８１から出射光２０として出射されるものもある。同様に、第３光導波路１６４に発生する光には、直接、第６端面１８６から出射光２２として出射されるものもある。これらの光も同様に各光導波路１６０，１６４内において強度が増幅される。
【００８０】
コンタクト層１１０は、第２クラッド層１０８上に形成されている。コンタクト層１１０は、第２クラッド層１０８と第２電極１１４との間に形成されている。コンタクト層１１０は、第２電極１１４とオーミックコンタクトすることができる。コンタクト層１１０の上面１１５は、コンタクト層１１０と第２電極１１４との接触面１１５であるといえる。コンタクト層１１０としては、例えば、ｐ型のＧａＡｓ層などを用いることができる。
【００８１】
コンタクト層１１０と、第２クラッド層１０８の一部とは、図３に示すように、柱状部１１１を構成することができる。柱状部１１１の積層体１２０の積層方向から見た平面形状は、光導波路１６０，１６２，１６４の積層体１２０の積層方向から見た平面形状と同じである。すなわち、コンタクト層１１０の上面１１５の平面形状は、光導波路１６０，１６２，１６４の平面形状と同じであるといえる。例えば、柱状部１１１の平面形状によって、電極１１２，１１４間の電流経路が決定され、その結果、光導波路１６０，１６２，１６４の平面形状が決定される。なお、図示はしないが、柱状部１１１の側面を傾斜させることもできる。
【００８２】
絶縁層１１６は、第２クラッド層１０８上であって、柱状部１１１の側方（平面視における、柱状部１１１の周囲）に形成されている。絶縁層１１６は、柱状部１１１の側面に接していることができる。絶縁層１１６の上面は、例えば、コンタクト層１１０の上面１１３と連続している。絶縁層１１６としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、Ａｌ２Ｏ３層、ポリイミド層などを用いることができる。絶縁層１１６として上記の材料を用いた場合、電極１１２，１１４間の電流は、絶縁層１１６を避けて、該絶縁層１１６に挟まれた柱状部１１１を流れることができる。
【００８３】
絶縁層１１６は、活性層１０６の屈折率よりも小さい屈折率を有することができる。この場合、絶縁層１１６を形成した部分の垂直断面の有効屈折率は、絶縁層１１６を形成しない部分、すなわち、柱状部１１１が形成された部分の垂直断面の有効屈折率よりも小さくなる。これにより、平面方向において、光導波路１６０，１６２，１６４内に効率良く光を閉じ込めることができる。なお、図示はしないが、絶縁層１１６として上記の材料を用いず、空気層としてもよい。この場合、空気層が絶縁層１１６として機能することができる。
【００８４】
第１電極１１２は、基板１０２の下の全面に形成されている。第１電極１１２は、該第１電極１１２とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）と、接触面１１３において接していることができる。第１電極１１２は、基板１０２を介して、第１クラッド層１０４と電気的に接続されている。第１電極１１２は、発光装置１００を駆動するための一方の電極である。第１電極１１２としては、例えば、基板１０２側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。
【００８５】
なお、第１クラッド層１０４と基板１０２との間に、第２コンタクト層（図示せず）を設け、基板１０２と反対側からのドライエッチングなどにより該第２コンタクト層を基板１０２と反対側に露出させ、第１電極１１２を第２コンタクト層上に設けることもできる。これにより、片面電極構造を得ることができる。この形態は、基板１０２が絶縁性である場合に特に有効である。
【００８６】
第２電極１１４は、コンタクト層１１０の上面１１５に接して形成されている。さらに、第２電極１１４は、図３に示すように、絶縁層１１６上に形成されていてもよい。第２電極１１４は、コンタクト層１１０を介して、第２クラッド層１０８と電気的に接続されている。第２電極１１４は、発光装置１００を駆動するための他方の電極である。第２電極１１４としては、例えば、コンタクト層１１０側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。
【００８７】
以上、本実施形態に係る発光装置１００の一例として、ＩｎＧａＡｌＰ系の場合について説明したが、発光装置１００は、光導波路が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＰ系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＰ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。
【００８８】
また、上記では、本実施形態に係る発光装置１００を、絶縁層１１６が形成されている領域と、絶縁層１１６が形成されていない領域、すなわち柱状部１１１を形成している領域との間に屈折率差を設けて光を閉じ込める、いわゆる屈折率導波型として説明した。図示はしないが、本実施形態に係る発光装置は、柱状部１１１を形成することによって屈折率差を設けないこととし、光導波路（利得領域）１６０，１６２，１６４がそのまま導波領域となる、いわゆる利得導波型であってもよい。
【００８９】
本実施形態に係る発光装置１００は、例えば、プロジェクター、ディスプレイ、照明装置、計測装置などの光源に適用されることができる。
【００９０】
本実施形態に係る発光装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００９１】
発光装置１００によれば、第２光導波路１６２は、第２側面１３２から第３側面１３３まで、出射部１８１，１８６が形成される第１側面１３１に対して、平行に設けられている。そのため、例えば、第２光導波路が第１側面に対して平行ではない場合に比べて、光導波路の全長が増大することを抑制しつつ、出射部の間隔を大きくすることができる。すなわち、出射部が形成される側面に垂直な方向の素子長の小型化を図りつつ、複数の出射部の間隔（出射部１８１，１８６の間隔）を大きくすることができる。これにより、発光装置１００では、多大な電流を流す必要はなく、消費電力を抑えることができる。さらに、資源が無駄となることもなく、製造コストを抑えることができる。より具体的には、発光装置１００では、出射部１８１，１８６の間隔Ｄを０．２６２ｍｍ以上３ｍｍ未満とし、角度αを５°以下（０°を含む）とし、光導波路１６０，１６２，１６４の全長を１．５ｍｍ以上３ｍｍ以下とすることができる。
【００９２】
例えば、光導波路の全長が大きくなると、一般的に、高出力化を図ることはできるが、反転分布を得るために多大な電流を流さなくてはならず、その結果、所定の光出力以上で用いなければ、高効率化を図ることができない。すなわち、所定の光出力未満では、効率が悪化してしまう。さらに、光導波路の全長が大きくなる分、素子全体の面積が大きくなり、資源の無駄や製造コストの向上などの問題が生じる。本実施形態に係る発光装置１００では、このような問題を回避することができる。
【００９３】
さらに、発光装置１００では、反射部１９０，１９２は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散されている。これにより、反射部１９０，１９２のバンドギャップを、活性層１０６の拡散領域１７０が設けられていない部分のバンドギャップより、大きくすることができる。より具体的には、反射部１９０，１９２にＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散されることにより、活性層１０６においてＧａとＡｌが相互拡散し、活性層１０６を構成する層の中で最もバンドギャップが小さい量子井戸層のバンドギャップを大きくすることができる。その結果、反射部１９０，１９２において量子井戸における光の再吸収を抑制することができ、反射部１９０，１９２におけるＣＯＤ破壊を抑制することができる。
【００９４】
ここで一般的に、反射部等となる活性層の側面では、結晶を構成する原子が互いに電子を供給して結合することができない、いわゆるダングリングボンドが形成される。このような部分に電流を流すと、表面再結合電流が流れ、この表面再結合による非発光再結合電流により、発光再結合が阻害され発熱が生じる。発熱が生じるとバンドギャップが小さくなり、量子井戸における光の再吸収が大きくなる。光の再吸収が増えると、ますます非発光再結合による発熱が増える。こうして発熱および光の再吸収が繰り返され、最終的には側面が破壊されて、ＣＯＤ破壊が生じる。本実施形態に係る発光装置１００では、上述のように、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散された反射部１９０，１９２は、大きなバンドギャップを有することができ、光の再吸収を抑制することができる。その結果、反射部１９０，１９２におけるＣＯＤ破壊を抑制することができる。
【００９５】
なお、発光装置１００では、出射部１８１，１８６についてもＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散されることができる。そのため、反射部１９０，１９２におけるＣＯＤ破壊も抑制することができる。
【００９６】
発光装置１００によれば、第１光導波路１６０および第２光導波路１６２は、第２側面１３２の垂線Ｐ２に対して角度βで傾いて第１反射部１９０と接続し、第２光導波路１６２および第３光導波路１６４は、第３側面１３３の垂線Ｐ３に対して角度γで傾いて第２反射部１９２と接続することができる。角度β，γは、臨界角以上である。そのため、反射部１９０，１９２は、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を、全反射させることができる。したがって、発光装置１００では、反射部１９０，１９２における光損失を抑制することができ、効率よく光を反射させることができる。さらに、反射部１９０，１９２を反射膜で覆う工程が不要となるので、製造コストおよび製造に必要な材料・資源を削減することができる。
【００９７】
発光装置１００によれば、第２光導波路１６２の長さを、第１光導波路１６０の長さおよび第３光導波路１６４の長さより大きくすることができる。これにより、出射部１８１，１８６の間隔Ｄを確実に大きくすることができる。
【００９８】
発光装置１００によれば、第２側面１３２および第３側面１３３は、エッチングにより形成されたエッチング面であることができる。一般的に、エッチング面は、劈開によって形成された劈開面より、ダングリングボンドが形成されやすい。発光装置１００では、エッチング面に設けられた反射部１９０，１９２であっても、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散されていることにより、ＣＯＤ破壊を抑制することができる。
【００９９】
発光装置１００によれば、拡散領域１７０のＩＩ族またはＸＩＩ族の元素は、亜鉛であることができる。亜鉛は、活性層１０６のＩＩＩ族サイト（例えばＡｌサイト）に入り込みやすく、かつ、拡散しやすいため、拡散領域１７０を構成する元素として好適に用いることができる。
【０１００】
２． 発光装置の製造方法
次に、本実施形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図４〜図９は、本実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す断面図であって、図２に対応している。
【０１０１】
図４に示すように、基板１０２上に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、およびコンタクト層１１０を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などを用いることができる。
【０１０２】
図５に示すように、コンタクト層１１０上に、拡散領域形成層１７２を形成する。拡散領域形成層１７２は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法により形成される。拡散領域形成層１７２の材質としては、例えば、亜鉛、マグネシウム、ベリリウム、またはこれらの酸化物が挙げられる。
【０１０３】
図６に示すように、拡散領域形成層１７２を所定の形状にパターニングする。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングにより行われる。エッチングは、例えば、ＣＨＦ３ガスやＣＦ４ガスを用いたドライエッチング、ＢＨＦ溶液を用いたウェットエッチングによって行われる。
【０１０４】
図７に示すように、熱処理を行って拡散領域形成層１７２を拡散させ、拡散領域１７０を形成する。熱処理は、少なくとも第１クラッド層１０４まで拡散領域１７０が到達するように行われる。より具体的には、熱処理は、６００℃程度で３０分間程度行われる。
【０１０５】
図８に示すように、拡散領域形成層１７２を除去する。次に、例えばエッチングによって、第１反射部１９０が設けられる第２側面１３２を露出させる。該エッチング工程によって、第２反射部１９２が設けられる第３側面１３３（図１参照）も露出させることができる。なお、図示の例では、基板１０２の一部をエッチングした時点でエッチングを停止することにより基板１０２に段差面１０３を形成しているが、基板１０２の表面、もしくは、第１クラッド層１０４の途中でエッチングを停止してもよい。
【０１０６】
図９に示すように、コンタクト層１１０上に第２電極１１４を形成する。次に、基板１０２の下面下に第１電極１１２を形成する。第１電極１１２および第２電極１１４は、例えば、真空蒸着法により形成される。なお、第１電極１１２および第２電極１１４の形成順序は、特に限定されない。
【０１０７】
図２に示すように、例えば劈開によって、出射部１８１，１８６が設けられる第１側面１３１を露出させる。
【０１０８】
以上の工程により、本実施形態に係る発光装置１００を製造することができる。
【０１０９】
なお、例えば、電極１１２，１１４を形成する工程の前に、図３に示すように、コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８をエッチングして、柱状部１１１を形成する工程、さらに、柱状部１１１の側方に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、塗布法などにより絶縁層１１６を形成する工程を含むことができる。柱状部１１１を形成する工程および絶縁層１１６を形成する工程の順番は、電極１１２，１１４を形成する工程の前であれば、特に限定されない。
【０１１０】
発光装置１００の製造方法によれば、小型化を図りつつ、出射部１８１，１８６の間隔Ｄを大きくすることができる発光装置１００を得ることができる。
【０１１１】
３． 発光装置の変形例
３．１． 第１変形例に係る発光装置
次に、本実施形態の第１変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１０は、本実施形態の第１変形例に係る発光装置２００を模式的に示す断面図であって、図２に対応している。
【０１１２】
以下、本実施形態の第１変形例に係る発光装置２００において、本実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１１３】
発光装置１００の例では、図２に示すように、反射部１９０，１９２の表面は、露出していた。これに対し、発光装置２００では、図１０に示すように、反射部１９０，１９２の表面は、誘電体層２０２で覆われている。
【０１１４】
図示の例では、誘電体層２０２は、基板１０２の段差面１０３上であって、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、およびコンタクト層１１０の側方に形成されている。誘電体層２０２の上面は、例えば、コンタクト層１１０の上面１１５と連続している。誘電体層２０２は、例えば、反射部１９０，１９２（側面１３２，１３３）を露出するためのエッチング工程によって形成された、積層体１２０の切り欠き部１２２を埋めるように設けられている。
【０１１５】
誘電体層２０２としては、より具体的には、ＳｉＮ層，ＳｉＯＮ層，ＳｉＯ２層，Ｔａ２Ｏ５層などが挙げられる。誘電体層２０２は、例えば、ＣＶＤ法によって形成される。
【０１１６】
発光装置２００によれば、誘電体層２０２によって反射部１９０，１９２が覆われていることにより、反射部１９０，１９２のダングリングボンドの一部を終端することができる。これにより、ＣＯＤに対する耐圧を向上させることができる。
【０１１７】
さらに、発光装置２００によれば、誘電体層２０２によって切り欠き部１２２を埋め込むことにより、ジャンクションダウンによる実装（第２電極１１４側を実装基板に接続させる実装）を、容易に行うことでき、半田等の導電性の接合部材が反射部１９０，１９２に接触し、ｐｎ接合を短絡することを防止することができる。
【０１１８】
３．２． 第２変形例に係る発光装置
次に、本実施形態の第２変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１１は、本実施形態の第２変形例に係る発光装置３００を模式的に示す断面図であって、図１０に対応している。
【０１１９】
以下、本実施形態の第２変形例に係る発光装置３００において、本実施形態の第１変形例に係る発光装置２００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１２０】
発光装置２００の例では、図１０に示すように、積層体１２０の切り欠き部１２２は、誘電体層２０２によって埋め込まれていた。これに対し、発光装置３００では、切り欠き部１２２は、誘電体層２０２および樹脂層３０２によって埋め込まれている。
【０１２１】
図示の例では、誘電体層２０２の側方（換言すれば、誘電体層２０２を介して反射部１９０，１９２と反対側）に樹脂層３０２が形成され、誘電体層２０２は、樹脂層３０２と、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、およびコンタクト層１１０と、の間に形成されている。樹脂層３０２の上面は、例えば、誘電体層２０２の上面およびコンタクト層１１０の上面１１５と連続している。
【０１２２】
樹脂層３０２としては、例えば、ポリイミド層が挙げられる。樹脂層３０２は、例えば、塗布法によって形成される。
【０１２３】
発光装置３００によれば、例えば発光装置２００のように、切り欠き部１２２を誘電体層２０２単層で埋める場合に比べて、簡易に切り欠き部１２２を埋め込むことができる。すなわち、例えば、塗布法によって成膜される樹脂層３０２は、ＣＶＤ法によって成膜される誘電体層２０２よりも成膜速度が大きいため、短時間で切り欠き部１２２を埋め込むことができる。したがって、発光装置３００では、誘電体層２０２によって反射部１９０，１９２のダングリングボンドの一部を終端させつつ、樹脂層３０２によって短時間で切り欠き部１２２を埋め込むことができる。
【０１２４】
３．３． 第３変形例に係る発光装置
次に、本実施形態の第３変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１２は、本実施形態の第３変形例に係る発光装置４００を模式的に示す平面図である。図１３は、本実施形態の第３変形例に係る発光装置４００を模式的に示す図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線断面図である。なお、図１２では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。
【０１２５】
以下、本実施形態の第３変形例に係る発光装置４００において、本実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。このことは、以下に示す、本実施形態の第４変形例に係る発光装置５００についても同様である。
【０１２６】
発光装置１００の例では、図１〜図３に示すように、光導波路１６０，１６２，１６４の全体が電極１１２，１１４に（より具体的には接触面１１３，１１５に）挟まれており、光導波路１６０，１６２，１６４の全体に電流が注入される。したがって、光は、光導波路１６０，１６２，１６４のいかなる部分においても利得を受け、強度が増幅される。
【０１２７】
これに対し、発光装置４００では、図１２および図１３に示すように、光導波路１６０，１６２，１６４の各々の一部の上方には、第２電極１１４が配置されていない。すなわち、光導波路１６０，１６２，１６４の各々は、接触面１１３と接触面１１５とに挟まれていない非挟持領域１６０ａ，１６２ａ，１６４ａを有する。非挟持領域１６０ａ，１６２ａ，１６４ａでは、電流は積極的に注入されないため、光の強度は積極的に増幅されない。
【０１２８】
なお、「電流は積極的に注入されない」とは、電極１１２，１１４による電流が、拡散することにより、非挟持領域１６０ａ，１６２ａ，１６４ａに注入されることを含んでいる。すなわち、非挟持領域１６０ａ，１６２ａ，１６４ａの上方に第２電極１１４が配置されていなくても、電極１１２，１１４によって注入される電流は、拡散して、非挟持領域１６０ａ，１６２ａ，１６４ａに注入されることがある。
【０１２９】
例えば、平面視において、反射部１９０，１９２と、第２電極１１４およびコンタクト層１１０の接触面１１５の端部１１５ａと、の間の最短距離Ｌ１は、２０μｍ以上である。距離Ｌ１が２０μｍ以上であれば、電流が非挟持領域１６０ａ，１６２ａ，１６４ａ内を拡散しても、拡散した電流が反射部１９０，１９２に到達することを抑制することができる。すなわち、電流の拡散距離は、２０μｍ未満であるといえる（詳細は後述）。これにより、いっそう反射部１９０，１９２のＣＯＤ破壊を抑制することができる。
【０１３０】
同様に、図１２および図１３に示すように、平面視において、出射部１８１，１８６と接触面１１５の端部１１５ｂとの間の最短距離Ｌ２を、２０μｍ以上とすることにより、出射部１８１，１８６のＣＯＤ破壊を抑制することができる。
【０１３１】
なお、距離Ｌ１，Ｌ２は、非挟持領域１６０ａ，１６２ａ，１６４ａが光導波路として機能できる、すなわち光を導波することができる距離である。
【０１３２】
次に、電流の拡散距離を調査した実験について説明する。なお、本発明は、以下の実験によって何ら限定されるものではない。
【０１３３】
図１４は、実験に用いた参考例に係る発光装置１０００を模式的に示す平面図である。図１５は、実験に用いた参考例に係る発光装置１０００を模式的に示す図１４のＸＶ−ＸＶ断面図である。
【０１３４】
発光装置１０００では、図１４および図１５に示すように、基板１１０２と、第１クラッド層１１０４と、活性層１１０６と、第２クラッド層１１０８と、コンタクト層１１１０と、第１電極１１１２と、第２電極１１１４と、を有することができる。
【０１３５】
発光装置１０００では、基板１１０２として、ＧａＡｓ基板を用いた。第１クラッド層１１０４として、ＩｎＧａＡｌＰ層を用いた。活性層１１０６として、ＩｎＧａＰウェル層およびＩｎＧａＡｌＰバリア層を用いた。第２クラッド層１１０８として、ＩｎＧａＡｌＰ層を用いた。コンタクト層１１１０として、ＧａＡｓ層を用いた。第１電極１１１２として、Ｃｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用い、基板１１０２の下面全面に形成した。第２電極１１１４として、コンタクト層１１０側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いた。
【０１３６】
本実験では、上記構成の半導体レーザーを発光素子１０００として用い、第２電極１１１４の幅Ｗ（短手方向の長さ）を、１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍと変化させて、発光装置１０００の閾値電流密度を測定した。
【０１３７】
図１６は、幅Ｗに対する、閾値電流密度を幅Ｗで割った値（Ｊｔｈ）を示すグラフである。図１６では、各幅Ｗについて、第２電極１１１４の長さＬ（長手方向の長さ）を、３００μｍ、４００μｍ、５００μｍ、７００μｍ、９００μｍと変化させ、閾値電流密度が飽和した値をプロットしたものである。すなわち、図１６では、導波路の端面における損失を無視できる値をプロットしているといえる。
【０１３８】
図１６に示すように、Ｊｔｈは、Ｗが４０μｍ未満で、上昇した。すなわち、Ｗが４０μｍ未満だと、第２電極１１１４の幅と光導波路の幅とが等しくならず（光導波路の幅の方が大きく）、電流が拡散しているといえる。一方、Ｗが４０μｍ以上だと、Ｊｔｈは、ほぼ一定となった。したがって、電流は、第２電極１１１４の幅Ｗ方向に片側２０μｍ未満の範囲で、拡散していることがわかった。よって、上記のとおり、距離Ｌ１を２０μｍ以上とすれば、非挟持領域１６０ａ，１６２ａ，１６４ａ内を拡散した電流が、反射部１９０，１９２に到達することを抑制できることがわかった。
【０１３９】
３．４． 第４変形例に係る発光装置
次に、本実施形態の第４変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１７は、本実施形態の第４変形例に係る発光装置５００を模式的に示す平面図である。なお、図１７では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。
【０１４０】
発光装置１００の例では、図１に示すように、第１光導波路１６０、第２光導波路１６２、および第３光導波路１６４は、１つずつ設けられていた。これに対し、発光装置５００では、図１７に示すように、第１光導波路１６０、第２光導波路１６２、および第３光導波路１６４の各々は、複数設けられている。
【０１４１】
すなわち、第１光導波路１６０、第２光導波路１６２、および第３光導波路１６４は、光導波路群５５０を構成することができ、発光装置５００では、複数の光導波路群５５０が設けられている。図示の例では、３つの光導波路群５５０が設けられているが、その数は特に限定されない。
【０１４２】
複数の光導波路群５５０は、第１側面１３１の垂線Ｐ１の延びる方向と直交する方向に沿って、配列されている。より具体的には、隣り合う光導波路群５５０において、一方の光導波路群５５０の第６端面１８６と、他方の光導波路群５５０の第１端面１８１と、の間隔がＤとなるように（出射部の間隔となるように）配列されている。これにより、後述するレンズアレイに、簡易に光２０，２２を入射させることができる。
【０１４３】
発光装置５００によれば、発光装置１００の例に比べて、高出力化を図ることができる。
【０１４４】
４． プロジェクター
次に、本実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図１８は、本実施形態に係るプロジェクター８００を模式的に示す図である。図１９は、本実施形態に係るプロジェクター８００の一部を模式的に示す図である。なお、図１８では、便宜上、プロジェクター８００を構成する筐体を省略し、さらに光源７００を簡略化して図示している。また、図１９では、便宜上、光源７００、レンズアレイ８０２、および液晶ライトバルブ８０４について図示し、さらに光源７００を簡略化して図示している。
【０１４５】
プロジェクター８００は、図１８に示すように、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源７００Ｒ、緑色光源７００Ｇ、青色光源７００Ｂを含む。光源７００Ｒ，７００Ｇ，７００Ｂは、本発明に係る発光装置を有する。以下の例では、本発明に係る発光装置として発光装置５００を有する光源７００Ｒ，７００Ｇ，７００Ｂについて説明する。
【０１４６】
図２０は、本実施形態に係るプロジェクター８００の光源７００を模式的に示す図である。図２１は、本実施形態に係るプロジェクター８００の光源７００を模式的に示す図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線断面図である。
【０１４７】
光源７００は、図２０および図２１に示すように、発光装置５００と、ベース７１０と、サブマウント７２０と、を有することができる。
【０１４８】
２つの発光装置５００と、サブマウント７２０とは、構造体７３０を構成することができる。構造体７３０は、複数設けられ、図２０に示すように、発光装置５００の出射部となる端面１８１，１８６の配列方向（Ｘ軸方向）と直交する方向（Ｙ軸方向）に配列している。構造体７３０は、Ｘ軸方向の出射部の間隔と、Ｙ軸方向の出射部の間隔と、が同じになるように、配列されることができる。これにより、発光装置５００から出射される光を、簡易に、レンズアレイ８０２に入射させることができる。
【０１４９】
構造体７３０を構成する２つの発光装置５００は、サブマウント７２０を挟んで配置されている。図２０および図２１に示す例では、２つの発光装置５００は、サブマウント７２０を介して第２電極１１４同士が対向するように配置されている。サブマウント７２０の第２電極１１４と接する面には、例えば、配線が形成されている。これにより、複数の第２電極１１４の各々に、個別に電圧を供給することができる。サブマウント７２０の材質としては、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウムが挙げられる。
【０１５０】
ベース７１０は、構造体７３０を支持している。図２１に示す例では、ベース７１０は、複数の発光装置５００の第１電極１１２と接続されている。これにより、ベース７１０は、複数の第１電極１１２の共通電極として機能することができる。ベース７１０の材質としては、例えば、銅、アルミニウムが挙げられる。図示はしないが、ベース７１０は、ペルチェ素子を介して、ヒートシンクと接続されていてもよい。
【０１５１】
なお、構造体７３０の形態は、図２０および図２１に示す例に限定されない。例えば、図２２に示すように、構造体７３０を構成する２つの発光装置５００は、サブマウント７２０を介して、一方の発光装置５００の第１電極１１２と、他方の発光装置５００の第２電極１１４とが対向するように配置されていてもよい。また、図２３に示すように、２つの発光装置５００の第１電極１１２が、共通電極となるように配置されていてもよい。
【０１５２】
図１８に示すように、プロジェクター８００は、さらに、レンズアレイ８０２Ｒ，８０２Ｇ，８０２Ｂと、透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂと、投射レンズ（投射装置）８０８と、を含む。
【０１５３】
光源７００Ｒ，７００Ｇ，７００Ｂから出射された光は、各レンズアレイ８０２Ｒ，８０２Ｇ，８０２Ｂに入射する。図１９に示すように、レンズアレイ８０２は、光源７００側に、出射部１８１，１８６から出射される光２０，２２が入射する平坦面８０１を有することができる。平坦面８０１は、複数の光出射部１８１，１８６に対応して複数設けられ、等間隔で配置されている。また、平坦面８０１の法線は、光２０，２２の光軸に対して傾斜している。したがって、平坦面８０１によって、光２０，２２の光軸を、液晶ライトバルブ８０４の照射面８０５に対して、直交させることができる。特に、第１側面１３１と、第１光導波路１６０および第３光導波路１６４と、のなす角度αが０°でない場合（図１参照）、光２０，２２は各光出射部１８１，１８６から第１側面１３１の垂線Ｐ１に対して傾いて出射されるため、平坦面８０１が設けられることが望ましい。
【０１５４】
レンズアレイ８０２は、液晶ライトバルブ８０４側に、凸曲面８０３を有することができる。凸曲面８０３は、複数の平坦面８０１に対応して複数設けられ、等間隔で配置されている。平坦面８０１において光軸が変換された光２０，２２は、凸曲面８０３によって、集光される、または拡散角を小さくされることにより、重畳（一部重畳）されることができる。これにより、均一性よく液晶ライトバルブ８０４を照射することができる。
【０１５５】
以上のように、レンズアレイ８０２は、光源７００から出射される光２０，２２の光軸を制御して、光２０，２２を集光させることができる。
【０１５６】
図１８に示すように、各レンズアレイ８０２Ｒ，８０２Ｇ，８０２Ｂによって集光された光は、各液晶ライトバルブ８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂに入射する。各液晶ライトバルブ８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂは、入射した光をそれぞれ画像情報に応じて変調する。そして、投射レンズ８０８は、液晶ライトバルブ８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン（表示面）８１０に投射する。
【０１５７】
また、プロジェクター８００は、液晶ライトバルブ８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂから出射された光を合成して投射レンズ８０８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）８０６を、含むことができる。
【０１５８】
各液晶ライトバルブ８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８０６に入射する。このプリズムは、４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は、投射光学系である投射レンズ８０８によりスクリーン８１０上に投射され、拡大された画像が表示される。
【０１５９】
プロジェクター８００によれば、複数の出射部の間隔を大きくすることができる発光装置５００を有する。そのため、プロジェクター８００では、レンズアレイ８０２のアライメントが容易で、均一性よく液晶ライトバルブ８０４を照射することができる。
【０１６０】
なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Digital Micromirror Device）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
【０１６１】
また、光源７００とレンズアレイ８０２とは、アライメントされた状態でモジュール化されることが可能である。さらに、光源７００とレンズアレイ８０２とライトバルブ８０４とが、アライメントされた状態でモジュール化されていてもよい。
【０１６２】
また、光源７００を、光源７００からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の光源装置にも適用することが可能である。
【０１６３】
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【０１６４】
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。したがって、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【０１６５】
１０ 光、２０ 光、２２ 光、１００ 発光装置、１０２ 基板、１０３ 段差面、
１０４ 第１クラッド層、１０６ 活性層、１０８ 第２クラッド層、
１１０ コンタクト層、１１１ 柱状部、１１２ 第１電極、１１３ 接触面、
１１４ 第２電極、１１５ 接触面、１１５ａ 端部、１１５ｂ 端部、
１１６ 絶縁層、１２０ 積層体、１２２ 切り欠き部、１３１ 第１側面、
１３２ 第２側面、１３３ 第３側面、１３４ 第４側面、１３５ 第５側面、
１３６ 第６側面、１６０ 第１光導波路、１６０ａ 非挟持領域、
１６２ 第２光導波路、１６２ａ 非挟持領域、１６４ 第３光導波路、
１６４ａ 非挟持領域、１７０ 拡散領域、１７２ 拡散領域形成層、
１８１ 第１端面、１８２ 第２端面、１８３ 第３端面、１８４ 第４端面、
１８５ 第５端面、１８６ 第６端面、１９０ 重なり面、１９２ 重なり面、
２００ 発光装置、２０２ 誘電体層、３００ 発光装置、３０２ 樹脂層、
４００ 発光装置、５００ 発光装置、５５０ 光導波路群、７００ 光源、
７１０ ベース、７２０ サブマウント、７３０ 構造体、８００ プロジェクター、
８０１ 平坦面、８０２ レンズアレイ、８０３ 凸曲面、８０４ 液晶ライトバルブ、
８０５ 照射面、８０６ クロスダイクロイックプリズム、８０８ 投射レンズ、
８１０ スクリーン、１０００ 発光装置、１１０２ 基板、
１１０４ 第１クラッド層、１１０６ 活性層、１１０８ 第２クラッド層、
１１１０ コンタクト層、１１１２ 第１電極、１１１４ 第２電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクターに関する。
【背景技術】
【０００２】
スーパールミネッセントダイオード（Super Luminescent Diode、以下「ＳＬＤ」ともいう）は、通常の発光ダイオード同様にインコヒーレント性を示し、かつ広帯域なスペクトル形状を示しながら、光出力特性では半導体レーザー同様に単一の素子で数百ｍＷ程度までの出力を得ることが可能な半導体発光素子である。
【０００３】
ＳＬＤは、例えばプロジェクターの光源として用いられるが、小型かつ高輝度なプロジェクターを実現するためには、光出力が大きくかつエテンデュの小さな光源を用いる必要がある。そのためには、複数の利得領域から出射される光が、同一の方向に進むことが望ましい。特許文献１では、直線状の形状を有する利得領域と、反射面を介することによって屈曲した形状を有する利得領域と、を組合せることによって、２つの利得領域の光出射部（発光点）から出射される光を、同一の方向に進行させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−３８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光学系の損失低減と部品点数の削減とのため、ＳＬＤをライトバルブの直下に配置し、レンズアレイを用いて集光と均一照明とを同時に行う方式のプロジェクターが提案されている。このような方式のプロジェクターでは、レンズアレイの間隔に合わせて、出射部を配置する必要がある。
【０００６】
特許文献１に記載された技術では、複数の出射部の間隔をピッチの異なる様々なレンズアレイに合わせて配置することが困難であり、上記の方式のプロジェクターに適用できない。
【０００７】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、複数の出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記発光装置を有するプロジェクターを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る発光装置は、
電流を注入することによって光を発生させる第１層と、
前記第１層を挟み、かつ前記光の漏れを抑制する第２層および第３層と、
を含み、
前記第１層には、
前記第１層の第１側面に設けられた第１出射部から前記第１層の第２側面に設けられた第１反射部まで延出する帯状の形状を有する第１光導波路と、
前記第１反射部から前記第１層の第３側面に設けられた第２反射部まで延出する帯状の形状を有する第２光導波路と、
前記第２反射部から前記第１側面に設けられた第２出射部まで延出する帯状の形状を有する第３光導波路と、
が形成され、
前記第２光導波路の延出方向は、前記第１側面と平行であり、
前記第１反射部および前記第２反射部は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、
前記第１出射部から出射される第１の光と、前記第２出射部から出射される第２の光とは、同じ方向に出射される。
【０００９】
このような発光装置によれば、第２光導波路は、第２側面から第３側面まで、第１出射部および第２出射部が形成される第１側面に対して、平行に設けられている。そのため、例えば、第２光導波路が第１側面に対して平行ではない場合に比べて、光導波路の全長が増大することを抑制しつつ、第１出射部および第２出射部の間隔を大きくすることができる。すなわち、第１出射部および第２出射部が形成される側面に垂直な方向の素子長の小型化を図りつつ、第１出射部および第２出射部の間隔を大きくすることができる。
【００１０】
さらに、このような発光装置によれば、第１反射部および第２反射部は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散されている。これにより、第１反射部および第２反射部のバンドギャップを、第１層のＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散されていない部分のバンドギャップより、大きくすることができる。その結果、第１反射部および第２反射部において量子井戸における光の再吸収を抑制することができ、第１反射部および第２反射部におけるＣＯＤ破壊を抑制することができる。
【００１１】
本発明に係る発光装置において、
前記第１反射部および前記第２反射部の表面は、誘電体層で覆われていてもよい。
【００１２】
このような発光装置によれば、第１反射部および第２反射部の表面に現れるダングリングボンドの一部を終端することができる。これにより、ＣＯＤに対する耐圧を向上させることができる。
【００１３】
本発明に係る発光装置において、
前記誘電体層を介して前記第１反射部および前記第２反射部の反対側に、樹脂層が形成されていてもよい。
【００１４】
このような発光装置によれば、第１反射部および第２反射部を形成する際にできる切り欠き部を、短時間で埋め込むことができる。
【００１５】
本発明に係る発光装置において、
前記第１反射部および前記第２反射部の表面は、露出していてもよい。
【００１６】
このような発光装置によれば、小型化を図りつつ、第１出射部および第２出射部の間隔を大きくすることができる。
【００１７】
本発明に係る発光装置において、
前記第２層に電気的に接続された第１電極と、
前記第３層に電気的に接続された第２電極と、
前記第３層と前記第２電極との間に設けられ、前記第２電極と接してオーミックコンタクトする第４層と、
を、さらに含み、
前記第１層、前記第２層、および前記第３層の積層方向から見て、
前記第１反射部と、前記第２電極と前記第４層との接触面の端部と、の間の最短距離は、２０μｍ以上であり、
前記第２反射部と前記接触面の端部との間の最短距離は、２０μｍ以上であってもよい。
【００１８】
このような発光装置によれば、拡散した電流が第１反射部および第２反射部に到達することを抑制することができる。これにより、いっそう第１反射部および第２反射部のＣＯＤ破壊を抑制することができる。
【００１９】
本発明に係る発光装置において、
前記第１層、前記第２層、および前記第３層の積層方向から見て、
前記第１光導波路と前記第２光導波路とは、前記第２側面の垂線に対して第１角度で傾いて前記第１反射部と接続され、
前記第２光導波路と前記第３光導波路とは、前記第３側面の垂線に対して第２角度で傾いて前記第２反射部と接続され、
前記第１角度および前記第２角度は、臨界角以上であってもよい。
【００２０】
このような発光装置によれば、第１反射部および第２反射部は、第１光導波路、第２光導波路、および第３光導波路に発生する光を、全反射させることができる。したがって、第１反射部および第２反射部における光損失を抑制することができ、効率よく光を反射させることができる。
【００２１】
本発明に係る発光装置において、
前記第２光導波路の延出方向の長さは、
前記第１光導波路の延出方向の長さ、および前記第３光導波路の延出方向の長さよりも大きくてもよい。
【００２２】
このような発光装置によれば、第１出射部および第２出射部の間隔を確実に大きくすることができる。
【００２３】
本発明に係る発光装置において、
前記第２側面および前記第３側面は、エッチングにより形成されたエッチング面であってもよい。
【００２４】
このような発光装置によれば、ダングリングボンドが形成されやすいエッチング面においても、第１反射部および第２反射部のバンドギャップを大きくすることにより、ＣＯＤ破壊を抑制することができる。
【００２５】
本発明に係る発光装置において、
前記元素は、亜鉛であってもよい。
【００２６】
このような発光装置によれば、好適に、亜鉛を第１層に拡散させることができる。
【００２７】
本発明に係る発光装置は、
活性層と、
前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、
を含み、
前記活性層には、
前記活性層の第１側面に設けられた第１出射部から前記活性層の第２側面に設けられた第１反射部まで延出する帯状の形状を有する第１利得領域と、
前記第１反射部から前記活性層の第３側面に設けられた第２反射部まで延出する帯状の形状を有する第２利得領域と、
前記第２反射部から前記第１側面に設けられた第２出射部まで延出する帯状の形状を有する第３利得領域と、
が形成され、
前記第２利得領域の延出方向は、前記第１側面と平行であり、
前記第１反射部および前記第２反射部は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、
前記第１出射部から出射される第１の光と、前記第２出射部から出射される第２の光とは、同じ方向に出射される。
【００２８】
このような発光装置によれば、小型化を図りつつ、第１出射部および第２出射部の間隔を大きくすることができる。
【００２９】
本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係る発光装置と、
前記発光装置から出射された光を集光するレンズアレイと、
前記レンズアレイによって集光された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。
【００３０】
このようなプロジェクターによれば、レンズアレイのアライメントが容易で、均一性よく液晶ライトバルブ（光変調装置）を照射することができる。
【００３１】
本発明に係るスーパールミネッセントダイオードは、
電流を注入することによって光を発生させる第１層と、
前記第１層を挟み、かつ前記光の漏れを抑制する第２層および第３層と、
を含み、
前記第１層には、
前記第１層の第１側面に設けられた第１出射部から前記第１層の第２側面に設けられた第１反射部まで延出する帯状の形状を有する第１光導波路と、
前記第１反射部から前記第１層の第３側面に設けられた第２反射部まで延出する帯状の形状を有する第２光導波路と、
前記第２反射部から前記第１側面に設けられた第２出射部まで延出する帯状の形状を有する第３光導波路と、
が形成され、
前記第２光導波路の延出方向は、前記第１側面と平行であり、
前記第１反射部および前記第２反射部は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、
前記第１出射部から出射される第１の光と、前記第２出射部から出射される第２の光とは、同じ方向に出射される。
【００３２】
このようなスーパールミネッセントダイオードによれば、小型化を図りつつ、第１出射部および第２出射部の間隔を大きくすることができる。
【００３３】
本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係るスーパールミネッセントダイオードと、
前記スーパールミネッセントダイオードから出射された光を集光するレンズアレイと、
前記レンズアレイによって集光された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。
【００３４】
このようなプロジェクターによれば、レンズアレイのアライメントが容易で、均一性よく液晶ライトバルブ（光変調装置）を照射することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図２】本実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図３】本実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図４】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図５】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図６】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１０】本実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図１１】本実施形態の第２変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図１２】本実施形態の第３変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図１３】本実施形態の第３変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図１４】参考例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図１５】参考例に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図１６】参考例に係る発光装置の、電極の幅と電流密度との関係を示すグラフ。
【図１７】本実施形態の第４変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図１８】本実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。
【図１９】本実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。
【図２０】本実施形態に係るプロジェクターの光源を模式的に示す図。
【図２１】本実施形態に係るプロジェクターの光源を模式的に示す断面図。
【図２２】本実施形態に係るプロジェクターの光源を模式的に示す断面図。
【図２３】本実施形態に係るプロジェクターの光源を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３７】
１． 発光装置
まず、本実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す平面図である。図２は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は、本実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。なお、図１では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。
【００３８】
以下では、発光装置１００がＩｎＧａＡｌＰ系（赤色）のＳＬＤである場合について説明する。ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑えることにより、レーザー発振を防止することができる。そのため、スペックルノイズを低減することができる。
【００３９】
発光装置１００は、図１〜図３に示すように、積層体１２０と、第１電極１１２と、第２電極１１４と、を含むことができる。
【００４０】
積層体１２０は、基板１０２と、第２層１０４（以下「第１クラッド層１０４」ともいう）と、第１層１０６（以下「活性層１０６」ともいう）と、第３層１０８（以下「第２クラッド層１０８」ともいう）と、第４層１１０（以下「コンタクト層１１０」ともいう）と、絶縁層１１６と、を有することができる。
【００４１】
基板１０２としては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板などを用いることができる。基板１０２は、図１および図２に示すように、段差面１０３を有していてもよい。段差面１０３は、後述する反射部１９０，１９２を露出するための（側面１３２，１３３を露出するための）エッチングによって、形成されることができる。
【００４２】
第１クラッド層１０４は、基板１０２上に（段差面１０３を除いた基板１０２の上面に）形成されている。第１クラッド層１０４としては、例えば、ｎ型のＩｎＧａＡｌＰ層などを用いることができる。なお、図示はしないが、基板１０２と第１クラッド層１０４との間に、バッファー層が形成されていてもよい。バッファー層としては、例えば、ｎ型のＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などを用いることができる。バッファー層は、その上方に形成される層の結晶性を向上させることができる。
【００４３】
活性層１０６は、第１クラッド層１０４上に形成されている。活性層１０６は、第１クラッド層１０４と第２クラッド層１０８とに挟まれている。活性層１０６は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。
【００４４】
積層体１２０の積層方向から見た活性層１０６の平面形状は、例えば、クラッド層１０４，１０８およびコンタクト層１１０の平面形状と同じである。図１に示す例では、活性層１０６の平面形状は、六角形であり、第１側面１３１、第２側面１３２、第３側面１３３、第４側面１３４、第５側面１３５、および第６側面１３６を有している。側面１３１〜１３６は、活性層１０６の面のうち第１クラッド層１０４または第２クラッド層１０８に面状に接していない面であり、積層体１２０の外形を形成している面である。側面１３１〜１３６は、積層体１２０の積層方向から見て（活性層１０６およびクラッド層１０４，１０８の積層方向から見て、以下、単に「平面視において」ともいう）活性層１０６の側壁、言い換えれば積層体１２０の側面部に設けられているともいえる。側面１３１〜１３６は、平坦な面である。
【００４５】
図１に示す例では、側面１３４，１３５は、側面１３１と直交している。側面１３６は、側面１３１と対向している。側面１３２は、側面１３４，１３６と接続しており、側面１３１に対して傾斜している。側面１３３は、側面１３５，１３６と接続しており、側面１３１に対して傾斜している。例えば、側面１３１，１３４，１３５，１３６は、劈開によって形成された劈開面であり、側面１３２，１３３は、エッチングによって形成されたエッチング面である。
【００４６】
活性層１０６の一部は、第１光導波路１６０、第２光導波路１６２、および第３光導波路１６４を構成している。光導波路１６０，１６２，１６４の電流が注入される部分は、光を発生させることができる。発生した光は、光導波路１６０，１６２，１６４内を、導波することができる。光導波路１６０，１６２，１６４内を導波する光は、光導波路１６０，１６２，１６４の電流が注入される部分において、利得を受けることができる。
【００４７】
図示の例では、第２電極１１４は、コンタクト層１１０および絶縁層１１６上の全面に形成されており、光導波路１６０，１６２，１６４は、その全体が第１電極１１２および第２電極１１４に挟まれている。より具体的には、光導波路１６０，１６２，１６４の全体は、第１電極１１２および基板１０２の接触面１１３と、第２電極１１４およびコンタクト層１１０の接触面１１５と、に挟まれている。そのため、光導波路１６０，１６２，１６４のいかなる部分においても電流が注入されることができ、光は利得を得ることができる。すなわち、発光装置１００では、活性層１０６の一部は、第１利得領域１６０、第２利得領域１６２、および第３利得領域１６４を構成しているともいえる。
【００４８】
第１光導波路１６０は、平面視において、第１側面１３１から第２側面１３２まで延出している。第１光導波路１６０は、平面視において、所定の幅を有し、第１光導波路１６０の延出方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を備えている。第１光導波路１６０は、第１側面１３１との接続部分に設けられた第１端面１８１と、第２側面１３２との接続部分に設けられた第２端面１８２と、を有する。
【００４９】
なお、第１光導波路１６０の延出方向とは、例えば、平面視における、第１端面１８１の中心と第２端面１８２の中心とを通る直線の延出方向である。また、第１光導波路１６０（と第１光導波路１６０を除いた部分と）の境界線の延出方向であってもよい。なお、第１光導波路１６０が、第１側面１３１の垂線Ｐ１と平行（α＝０°）であってもよい。
【００５０】
第１光導波路１６０は、平面視において、第１側面１３１の垂線Ｐ１に対して角度αで傾いて第１側面１３１と接続している。言い換えれば、第１光導波路１６０の延出方向は、垂線Ｐ１に対してαの角度を有しているといえる。角度αは、鋭角であって、臨界角より小さい角度である。
【００５１】
第１光導波路１６０は、平面視において、第２側面１３２の垂線Ｐ２に対して角度βで傾いて第２側面１３２と接続している。言い換えれば、第１光導波路１６０の延出方向は、垂線Ｐ２に対してβの角度を有しているといえる。
【００５２】
第２光導波路１６２は、平面視において、第２側面１３２から第３側面１３３まで延出している。第２光導波路１６２は、平面視において、所定の幅を有し、第２光導波路１６２の延出方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を備えている。第２光導波路１６２は、第２側面１３２との接続部分に設けられた第３端面１８３と、第３側面１３３との接続部分に設けられた第４端面１８４と、を有する。平面視において、第２光導波路１６２の延出方向は、第１側面１３１と平行である。
【００５３】
なお、第２光導波路１６２の延出方向とは、例えば、平面視における、第３端面１８３の中心と第４端面１８４の中心とを通る直線の延出方向である。また、第２光導波路１６２（と第２光導波路１６２を除いた部分と）の境界線の延出方向であってもよい。また、「第２光導波路１６２の延出方向は、第１側面１３１と平行」とは、製造ばらつき等を考慮し、平面視において、第１側面１３１に対する第２光導波路１６２の傾き角が±１°以内である、ということを意味している。
【００５４】
第２光導波路１６２の第３端面１８３は、第２側面１３２において、第１光導波路１６０の第２端面１８２と重なっている。図示の例では、第２端面１８２と第３端面１８３とは、重なり面１９０において、完全に重なっている。
【００５５】
第２光導波路１６２は、平面視において、第２側面１３２の垂線Ｐ２に対して角度βで傾いて第２側面１３２と接続している。言い換えれば、第２光導波路１６２の延出方向は、垂線Ｐ２に対してβの角度を有しているといえる。すなわち、第１光導波路１６０の垂線Ｐ２に対する角度と、第２光導波路１６２の垂線Ｐ２に対する角度とは、製造ばらつきの範囲で同じである。角度βは、例えば、鋭角であって、臨界角以上である。これにより、第２側面１３２は、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を、全反射させることができる。
【００５６】
なお、「第１光導波路１６０の垂線Ｐ２に対する角度と、第２光導波路１６２の垂線Ｐ２に対する角度が同じ」とは、エッチング等の製造ばらつきを考慮し、両角度の差が例えば±２°程度以内である、ということを意味している。
【００５７】
第２光導波路１６２は、平面視において、第３側面１３３の垂線Ｐ３に対して角度γで傾いて第３側面１３３と接続している。言い換えれば、第２光導波路１６２の延出方向は、垂線Ｐ３に対してγの角度を有しているといえる。
【００５８】
第２光導波路１６２の延出方向の長さは、第１光導波路１６０の延出方向の長さ、および第３光導波路１６４の延出方向の長さよりも大きい。第２光導波路１６２の延出方向の長さは、第１光導波路１６０の延出方向の長さと、第３光導波路１６４の延出方向の長さと、の和以上であってもよい。なお、「第２光導波路１６２の延出方向の長さ」とは、第３端面１８３の中心と、第４端面１８４の中心と、の間の距離ともいえる。他の光導波路についても同様に、延出方向の長さとは、２つの端面の中心間の距離ともいえる。
【００５９】
第３光導波路１６４は、平面視において、第３側面１３３から第１側面１３１まで延出している。第３光導波路１６４は、平面視において、例えば、所定の幅を有し、第３光導波路１６４の延出方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を備えている。第３光導波路１６４は、第３側面１３３との接続部分に設けられた第５端面１８５と、第１側面１３１との接続部分に設けられた第６端面１８６と、を有する。
【００６０】
なお、第３光導波路１６４の延出方向とは、例えば、平面視における、第５端面１８５の中心と第６端面１８６の中心とを通る直線の延出方向である。また、第３光導波路１６４（と第３光導波路１６４を除いた部分と）の境界線の延出方向であってもよい。
【００６１】
第３光導波路１６４の第５端面１８５は、第３側面１３３において、第２光導波路１６２の第４端面１８４と重なっている。図示の例では、第４端面１８４と第５端面１８５とは、重なり面１９２において完全に重なっている。
【００６２】
第１光導波路１６０と第３光導波路１６４とは、互いに離間している。図１に示す例では、第１光導波路１６０の第１端面１８１と、第３光導波路１６４の第６端面１８６とは、間隔Ｄで離間している。
【００６３】
第３光導波路１６４は、平面視において、第３側面１３３の垂線Ｐ３に対して角度γで傾いて第３側面１３３と接続している。言い換えれば、第３光導波路１６４の延出方向は、垂線Ｐ３に対してγの角度を有しているといえる。すなわち、第２光導波路１６２の垂線Ｐ３に対する角度と、第３光導波路１６４の垂線Ｐ３に対する角度とは、製造ばらつきの範囲で同じである。角度γは、例えば、鋭角であって、臨界角以上である。これにより、第３側面１３３は、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を、全反射させることができる。
【００６４】
なお、「第２光導波路１６２の垂線Ｐ３に対する角度と、第３光導波路１６４の垂線Ｐ３に対する角度が同じ」とは、エッチング等の製造ばらつきを考慮し、両角度の差が例えば±２°程度以内である、ということを意味している。
【００６５】
第３光導波路１６４は、平面視において、垂線Ｐ１に対して角度αで傾いて第１側面１３１と接続している。言い換えれば、第３光導波路１６４の長手方向は、垂線Ｐ１に対してαの角度を有しているといえる。すなわち、第１光導波路１６０と第３光導波路１６４とは、平面視において、同じ向きで第１側面１３１と接続しており、互いに平行である。より具体的には、第１光導波路１６０の延出方向と、第３光導波路１６４の延出方向とは、互いに平行である。これにより、第１端面１８１から出射される光２０と、第６端面１８６から出射される光２２とは、同一の方向に進むことができる。なお、第３光導波路１６４が、第１側面１３１の垂線Ｐ１と平行（α＝０°）であってもよい。
【００６６】
以上のとおり、角度β，γを臨界角以上とし、角度αを臨界角より小さくすることにより、第１側面１３１の反射率を、第２側面１３２の反射率および第３側面１３３の反射率より低くすることができる。これにより、第１側面１３１に設けられた第１端面１８１は、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を出射させる第１出射部（第１出射部１８１）となることができる。第１側面１３１に設けられた第６端面１８６は、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を出射させる第２出射部（第２出射部１８６）となることができる。第２側面１３２に設けられた端面１８２，１８３の重なり面１９０は、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を反射させる第１反射部（第１反射部１９０）となることができる。第３側面１３３に設けられた端面１８４，１８５の重なり面１９２は、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を反射させる第２反射部（第２反射部１９２）となることができる。
【００６７】
すなわち、第１光導波路１６０は、第１出射部１８１から第１反射部１９０まで延出している。第２光導波路１６２は、第１反射部１９０から第２反射部１９２まで延出している。第３光導波路１６４は、第２反射部１９２から第２出射部１８６まで延出している。
【００６８】
なお、図示の例では、出射部１８１，１８６および反射部１９０，１９２は、その表面が露出しているが、例えば、第１側面１３１（出射部１８１，１８６）を反射防止膜で覆い、第２側面１３２および第３側面１３３（反射部１９０，１９２）を反射膜で覆ってもよい。これにより、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光が、反射部１９０，１９２において、全反射しないような入射角度、屈折率等の条件下においても、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光の波長帯における第１側面１３１の反射率を、第２側面１３２の反射率および第３側面１３３の反射率より低くすることができる。また、第１側面１３１を反射防止膜で覆うことにより、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を、第１端面１８１と第６端面１８６との間で直接的に多重反射させることを低減できる。この結果、直接的な共振器を構成させないことができるため、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光のレーザー発振を抑制することができる。
【００６９】
反射膜および反射防止膜としては、例えば、ＳｉＯ２層、Ｔａ２Ｏ５層、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＮ層、ＴｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層や、これらの多層膜を用いることができる。また、側面１３２，１３３をエッチングによって形成されたＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）として、高い反射率を得てもよい。
【００７０】
さらに、角度αは、０°より大きい角度であることができる。これにより、第１端面１８１と第６端面１８６との間で、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を、直接的に多重反射させないことができる。その結果、直接的な共振器を構成させないことができるため、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光のレーザー発振を抑制または防止することができる。
【００７１】
第１反射部１９０および第２反射部１９２には、図１および図２に示すように、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散された拡散領域１７０が形成されている。
【００７２】
拡散領域１７０のＩＩ族またはＸＩＩ族の元素としては、例えば、亜鉛、マグネシウム、ベリリウムが挙げられる。このような元素は、例えば活性層１０６を構成するＩｎＧａＡｌＰ層およびＩｎＧａＰ層のうち、ＧａまたはＡｌのサイトに入り込むことができる。このとき、ＩＩ族またはＸＩＩ族が入り込むことによって、元々のサイトから移動させられたＧａまたはＡｌは、別のＧａまたはＡｌのサイトに入り込むことができる。すなわち、ＩｎＧａＡｌＰ層およびＩｎＧａＰ層において、ＧａとＡｌが相互拡散することができる。これにより、ＩｎＧａＰ層のバンドギャップを大きくし、ＩｎＧａＡｌＰ層のバンドギャップに近づけることができる。すなわち、活性層１０６を構成する層のうち、最もバンドギャップの小さい層であるＩｎＧａＰ層のバンドギャップに関して、拡散領域１７０が設けられた部分のバンドギャップは、活性層１０６の拡散領域１７０が設けられていない部分のバンドギャップに比べて、大きくなることができる。その結果、反射部１９０，１９２において量子井戸における光の再吸収を抑制することができ、反射部１９０，１９２におけるＣＯＤ（Catastrophic Optical Damage）破壊を抑制することができる。
【００７３】
拡散領域１７０は、図２に示すように、反射部１９０，１９２を含んで形成されていれば、第２側面１３２近傍の活性層１０６、および第３側面１３３近傍の活性層１０６に設けられていてもよい。さらに、拡散領域１７０は、活性層１０６の第２側面１３２の全面、および第３側面１３３の全面に形成されていてもよい。さらに、拡散領域１７０は、図２に示すように、第１クラッド層１０４、第２クラッド層１０８、およびコンタクト層１１０に設けられていてもよい。
【００７４】
拡散領域１７０は、図１および図２に示すように、さらに、第１出射部１８１および第２出射部１８６を含んで形成されていてもよい。図示の例では、拡散領域１７０は、活性層１０６の第１側面１３１全面に形成されている。
【００７５】
第２クラッド層１０８は、図２および図３に示すように、活性層１０６上に形成されている。第２クラッド層１０８としては、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＩｎＧａＡｌＰ層などを用いることができる。
【００７６】
例えば、ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０６、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８の各々は、活性層１０６よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１０６は、電流が注入されることによって光を発生させ、かつ光を増幅しつつ導波させる機能を有する。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８は、活性層１０６を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能（光の漏れを抑制する機能）を有する。
【００７７】
発光装置１００は、第１電極１１２と第２電極１１４との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加する（電流を注入する）と、電流が注入される光導波路１６０，１６２，１６４において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、電流が注入される光導波路１６０，１６２，１６４内で光の強度が増幅される。上述のとおり、本実施形態では、光導波路１６０，１６２，１６４の全体が電極１１２，１１４に（より具体的には接触面１１３，１１５に）挟まれているので、光導波路１６０，１６２，１６４の全体に電流が注入される。したがって、光は、光導波路１６０，１６２，１６４のいかなる部分においても利得を受け、強度が増幅される。
【００７８】
例えば、図１に示すように、第１光導波路１６０に生じ、第２側面１３２側に向かう光１０は、第１光導波路１６０内で増幅された後、第１反射部１９０において反射して、第３側面１３３に向かって第２光導波路１６２を進行する。そして、さらに第２反射部１９２において反射して、第３光導波路１６４を進行して第６端面１８６から出射光２２として出射される。このとき、光導波路１６２，１６４内においても光強度が増幅される。同様に、第３光導波路１６４に生じ、第３側面１３３側に向かう光は、第３光導波路１６４内で増幅された後、第２反射部１９２において反射して、第２側面１３２に向かって第２光導波路１６２を進行する。そして、さらに第１反射部１９０において反射して、第１光導波路１６０を進行して第１端面１８１から出射光２０として出射される。このとき、光導波路１６０，１６２内においても光強度が増幅される。
【００７９】
なお、第１光導波路１６０に発生する光には、直接、第１端面１８１から出射光２０として出射されるものもある。同様に、第３光導波路１６４に発生する光には、直接、第６端面１８６から出射光２２として出射されるものもある。これらの光も同様に各光導波路１６０，１６４内において強度が増幅される。
【００８０】
コンタクト層１１０は、第２クラッド層１０８上に形成されている。コンタクト層１１０は、第２クラッド層１０８と第２電極１１４との間に形成されている。コンタクト層１１０は、第２電極１１４とオーミックコンタクトすることができる。コンタクト層１１０の上面１１５は、コンタクト層１１０と第２電極１１４との接触面１１５であるといえる。コンタクト層１１０としては、例えば、ｐ型のＧａＡｓ層などを用いることができる。
【００８１】
コンタクト層１１０と、第２クラッド層１０８の一部とは、図３に示すように、柱状部１１１を構成することができる。柱状部１１１の積層体１２０の積層方向から見た平面形状は、光導波路１６０，１６２，１６４の積層体１２０の積層方向から見た平面形状と同じである。すなわち、コンタクト層１１０の上面１１５の平面形状は、光導波路１６０，１６２，１６４の平面形状と同じであるといえる。例えば、柱状部１１１の平面形状によって、電極１１２，１１４間の電流経路が決定され、その結果、光導波路１６０，１６２，１６４の平面形状が決定される。なお、図示はしないが、柱状部１１１の側面を傾斜させることもできる。
【００８２】
絶縁層１１６は、第２クラッド層１０８上であって、柱状部１１１の側方（平面視における、柱状部１１１の周囲）に形成されている。絶縁層１１６は、柱状部１１１の側面に接していることができる。絶縁層１１６の上面は、例えば、コンタクト層１１０の上面１１３と連続している。絶縁層１１６としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、Ａｌ２Ｏ３層、ポリイミド層などを用いることができる。絶縁層１１６として上記の材料を用いた場合、電極１１２，１１４間の電流は、絶縁層１１６を避けて、該絶縁層１１６に挟まれた柱状部１１１を流れることができる。
【００８３】
絶縁層１１６は、活性層１０６の屈折率よりも小さい屈折率を有することができる。この場合、絶縁層１１６を形成した部分の垂直断面の有効屈折率は、絶縁層１１６を形成しない部分、すなわち、柱状部１１１が形成された部分の垂直断面の有効屈折率よりも小さくなる。これにより、平面方向において、光導波路１６０，１６２，１６４内に効率良く光を閉じ込めることができる。なお、図示はしないが、絶縁層１１６として上記の材料を用いず、空気層としてもよい。この場合、空気層が絶縁層１１６として機能することができる。
【００８４】
第１電極１１２は、基板１０２の下の全面に形成されている。第１電極１１２は、該第１電極１１２とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）と、接触面１１３において接していることができる。第１電極１１２は、基板１０２を介して、第１クラッド層１０４と電気的に接続されている。第１電極１１２は、発光装置１００を駆動するための一方の電極である。第１電極１１２としては、例えば、基板１０２側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。
【００８５】
なお、第１クラッド層１０４と基板１０２との間に、第２コンタクト層（図示せず）を設け、基板１０２と反対側からのドライエッチングなどにより該第２コンタクト層を基板１０２と反対側に露出させ、第１電極１１２を第２コンタクト層上に設けることもできる。これにより、片面電極構造を得ることができる。この形態は、基板１０２が絶縁性である場合に特に有効である。
【００８６】
第２電極１１４は、コンタクト層１１０の上面１１５に接して形成されている。さらに、第２電極１１４は、図３に示すように、絶縁層１１６上に形成されていてもよい。第２電極１１４は、コンタクト層１１０を介して、第２クラッド層１０８と電気的に接続されている。第２電極１１４は、発光装置１００を駆動するための他方の電極である。第２電極１１４としては、例えば、コンタクト層１１０側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。
【００８７】
以上、本実施形態に係る発光装置１００の一例として、ＩｎＧａＡｌＰ系の場合について説明したが、発光装置１００は、光導波路が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＰ系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＰ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。
【００８８】
また、上記では、本実施形態に係る発光装置１００を、絶縁層１１６が形成されている領域と、絶縁層１１６が形成されていない領域、すなわち柱状部１１１を形成している領域との間に屈折率差を設けて光を閉じ込める、いわゆる屈折率導波型として説明した。図示はしないが、本実施形態に係る発光装置は、柱状部１１１を形成することによって屈折率差を設けないこととし、光導波路（利得領域）１６０，１６２，１６４がそのまま導波領域となる、いわゆる利得導波型であってもよい。
【００８９】
本実施形態に係る発光装置１００は、例えば、プロジェクター、ディスプレイ、照明装置、計測装置などの光源に適用されることができる。
【００９０】
本実施形態に係る発光装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００９１】
発光装置１００によれば、第２光導波路１６２は、第２側面１３２から第３側面１３３まで、出射部１８１，１８６が形成される第１側面１３１に対して、平行に設けられている。そのため、例えば、第２光導波路が第１側面に対して平行ではない場合に比べて、光導波路の全長が増大することを抑制しつつ、出射部の間隔を大きくすることができる。すなわち、出射部が形成される側面に垂直な方向の素子長の小型化を図りつつ、複数の出射部の間隔（出射部１８１，１８６の間隔）を大きくすることができる。これにより、発光装置１００では、多大な電流を流す必要はなく、消費電力を抑えることができる。さらに、資源が無駄となることもなく、製造コストを抑えることができる。より具体的には、発光装置１００では、出射部１８１，１８６の間隔Ｄを０．２６２ｍｍ以上３ｍｍ未満とし、角度αを５°以下（０°を含む）とし、光導波路１６０，１６２，１６４の全長を１．５ｍｍ以上３ｍｍ以下とすることができる。
【００９２】
例えば、光導波路の全長が大きくなると、一般的に、高出力化を図ることはできるが、反転分布を得るために多大な電流を流さなくてはならず、その結果、所定の光出力以上で用いなければ、高効率化を図ることができない。すなわち、所定の光出力未満では、効率が悪化してしまう。さらに、光導波路の全長が大きくなる分、素子全体の面積が大きくなり、資源の無駄や製造コストの向上などの問題が生じる。本実施形態に係る発光装置１００では、このような問題を回避することができる。
【００９３】
さらに、発光装置１００では、反射部１９０，１９２は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散されている。これにより、反射部１９０，１９２のバンドギャップを、活性層１０６の拡散領域１７０が設けられていない部分のバンドギャップより、大きくすることができる。より具体的には、反射部１９０，１９２にＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散されることにより、活性層１０６においてＧａとＡｌが相互拡散し、活性層１０６を構成する層の中で最もバンドギャップが小さい量子井戸層のバンドギャップを大きくすることができる。その結果、反射部１９０，１９２において量子井戸における光の再吸収を抑制することができ、反射部１９０，１９２におけるＣＯＤ破壊を抑制することができる。
【００９４】
ここで一般的に、反射部等となる活性層の側面では、結晶を構成する原子が互いに電子を供給して結合することができない、いわゆるダングリングボンドが形成される。このような部分に電流を流すと、表面再結合電流が流れ、この表面再結合による非発光再結合電流により、発光再結合が阻害され発熱が生じる。発熱が生じるとバンドギャップが小さくなり、量子井戸における光の再吸収が大きくなる。光の再吸収が増えると、ますます非発光再結合による発熱が増える。こうして発熱および光の再吸収が繰り返され、最終的には側面が破壊されて、ＣＯＤ破壊が生じる。本実施形態に係る発光装置１００では、上述のように、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散された反射部１９０，１９２は、大きなバンドギャップを有することができ、光の再吸収を抑制することができる。その結果、反射部１９０，１９２におけるＣＯＤ破壊を抑制することができる。
【００９５】
なお、発光装置１００では、出射部１８１，１８６についてもＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散されることができる。そのため、反射部１９０，１９２におけるＣＯＤ破壊も抑制することができる。
【００９６】
発光装置１００によれば、第１光導波路１６０および第２光導波路１６２は、第２側面１３２の垂線Ｐ２に対して角度βで傾いて第１反射部１９０と接続し、第２光導波路１６２および第３光導波路１６４は、第３側面１３３の垂線Ｐ３に対して角度γで傾いて第２反射部１９２と接続することができる。角度β，γは、臨界角以上である。そのため、反射部１９０，１９２は、光導波路１６０，１６２，１６４に発生する光を、全反射させることができる。したがって、発光装置１００では、反射部１９０，１９２における光損失を抑制することができ、効率よく光を反射させることができる。さらに、反射部１９０，１９２を反射膜で覆う工程が不要となるので、製造コストおよび製造に必要な材料・資源を削減することができる。
【００９７】
発光装置１００によれば、第２光導波路１６２の長さを、第１光導波路１６０の長さおよび第３光導波路１６４の長さより大きくすることができる。これにより、出射部１８１，１８６の間隔Ｄを確実に大きくすることができる。
【００９８】
発光装置１００によれば、第２側面１３２および第３側面１３３は、エッチングにより形成されたエッチング面であることができる。一般的に、エッチング面は、劈開によって形成された劈開面より、ダングリングボンドが形成されやすい。発光装置１００では、エッチング面に設けられた反射部１９０，１９２であっても、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散されていることにより、ＣＯＤ破壊を抑制することができる。
【００９９】
発光装置１００によれば、拡散領域１７０のＩＩ族またはＸＩＩ族の元素は、亜鉛であることができる。亜鉛は、活性層１０６のＩＩＩ族サイト（例えばＡｌサイト）に入り込みやすく、かつ、拡散しやすいため、拡散領域１７０を構成する元素として好適に用いることができる。
【０１００】
２． 発光装置の製造方法
次に、本実施形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図４〜図９は、本実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す断面図であって、図２に対応している。
【０１０１】
図４に示すように、基板１０２上に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、およびコンタクト層１１０を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などを用いることができる。
【０１０２】
図５に示すように、コンタクト層１１０上に、拡散領域形成層１７２を形成する。拡散領域形成層１７２は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法により形成される。拡散領域形成層１７２の材質としては、例えば、亜鉛、マグネシウム、ベリリウム、またはこれらの酸化物が挙げられる。
【０１０３】
図６に示すように、拡散領域形成層１７２を所定の形状にパターニングする。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングにより行われる。エッチングは、例えば、ＣＨＦ３ガスやＣＦ４ガスを用いたドライエッチング、ＢＨＦ溶液を用いたウェットエッチングによって行われる。
【０１０４】
図７に示すように、熱処理を行って拡散領域形成層１７２を拡散させ、拡散領域１７０を形成する。熱処理は、少なくとも第１クラッド層１０４まで拡散領域１７０が到達するように行われる。より具体的には、熱処理は、６００℃程度で３０分間程度行われる。
【０１０５】
図８に示すように、拡散領域形成層１７２を除去する。次に、例えばエッチングによって、第１反射部１９０が設けられる第２側面１３２を露出させる。該エッチング工程によって、第２反射部１９２が設けられる第３側面１３３（図１参照）も露出させることができる。なお、図示の例では、基板１０２の一部をエッチングした時点でエッチングを停止することにより基板１０２に段差面１０３を形成しているが、基板１０２の表面、もしくは、第１クラッド層１０４の途中でエッチングを停止してもよい。
【０１０６】
図９に示すように、コンタクト層１１０上に第２電極１１４を形成する。次に、基板１０２の下面下に第１電極１１２を形成する。第１電極１１２および第２電極１１４は、例えば、真空蒸着法により形成される。なお、第１電極１１２および第２電極１１４の形成順序は、特に限定されない。
【０１０７】
図２に示すように、例えば劈開によって、出射部１８１，１８６が設けられる第１側面１３１を露出させる。
【０１０８】
以上の工程により、本実施形態に係る発光装置１００を製造することができる。
【０１０９】
なお、例えば、電極１１２，１１４を形成する工程の前に、図３に示すように、コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８をエッチングして、柱状部１１１を形成する工程、さらに、柱状部１１１の側方に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、塗布法などにより絶縁層１１６を形成する工程を含むことができる。柱状部１１１を形成する工程および絶縁層１１６を形成する工程の順番は、電極１１２，１１４を形成する工程の前であれば、特に限定されない。
【０１１０】
発光装置１００の製造方法によれば、小型化を図りつつ、出射部１８１，１８６の間隔Ｄを大きくすることができる発光装置１００を得ることができる。
【０１１１】
３． 発光装置の変形例
３．１． 第１変形例に係る発光装置
次に、本実施形態の第１変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１０は、本実施形態の第１変形例に係る発光装置２００を模式的に示す断面図であって、図２に対応している。
【０１１２】
以下、本実施形態の第１変形例に係る発光装置２００において、本実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１１３】
発光装置１００の例では、図２に示すように、反射部１９０，１９２の表面は、露出していた。これに対し、発光装置２００では、図１０に示すように、反射部１９０，１９２の表面は、誘電体層２０２で覆われている。
【０１１４】
図示の例では、誘電体層２０２は、基板１０２の段差面１０３上であって、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、およびコンタクト層１１０の側方に形成されている。誘電体層２０２の上面は、例えば、コンタクト層１１０の上面１１５と連続している。誘電体層２０２は、例えば、反射部１９０，１９２（側面１３２，１３３）を露出するためのエッチング工程によって形成された、積層体１２０の切り欠き部１２２を埋めるように設けられている。
【０１１５】
誘電体層２０２としては、より具体的には、ＳｉＮ層，ＳｉＯＮ層，ＳｉＯ２層，Ｔａ２Ｏ５層などが挙げられる。誘電体層２０２は、例えば、ＣＶＤ法によって形成される。
【０１１６】
発光装置２００によれば、誘電体層２０２によって反射部１９０，１９２が覆われていることにより、反射部１９０，１９２のダングリングボンドの一部を終端することができる。これにより、ＣＯＤに対する耐圧を向上させることができる。
【０１１７】
さらに、発光装置２００によれば、誘電体層２０２によって切り欠き部１２２を埋め込むことにより、ジャンクションダウンによる実装（第２電極１１４側を実装基板に接続させる実装）を、容易に行うことでき、半田等の導電性の接合部材が反射部１９０，１９２に接触し、ｐｎ接合を短絡することを防止することができる。
【０１１８】
３．２． 第２変形例に係る発光装置
次に、本実施形態の第２変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１１は、本実施形態の第２変形例に係る発光装置３００を模式的に示す断面図であって、図１０に対応している。
【０１１９】
以下、本実施形態の第２変形例に係る発光装置３００において、本実施形態の第１変形例に係る発光装置２００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１２０】
発光装置２００の例では、図１０に示すように、積層体１２０の切り欠き部１２２は、誘電体層２０２によって埋め込まれていた。これに対し、発光装置３００では、切り欠き部１２２は、誘電体層２０２および樹脂層３０２によって埋め込まれている。
【０１２１】
図示の例では、誘電体層２０２の側方（換言すれば、誘電体層２０２を介して反射部１９０，１９２と反対側）に樹脂層３０２が形成され、誘電体層２０２は、樹脂層３０２と、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、およびコンタクト層１１０と、の間に形成されている。樹脂層３０２の上面は、例えば、誘電体層２０２の上面およびコンタクト層１１０の上面１１５と連続している。
【０１２２】
樹脂層３０２としては、例えば、ポリイミド層が挙げられる。樹脂層３０２は、例えば、塗布法によって形成される。
【０１２３】
発光装置３００によれば、例えば発光装置２００のように、切り欠き部１２２を誘電体層２０２単層で埋める場合に比べて、簡易に切り欠き部１２２を埋め込むことができる。すなわち、例えば、塗布法によって成膜される樹脂層３０２は、ＣＶＤ法によって成膜される誘電体層２０２よりも成膜速度が大きいため、短時間で切り欠き部１２２を埋め込むことができる。したがって、発光装置３００では、誘電体層２０２によって反射部１９０，１９２のダングリングボンドの一部を終端させつつ、樹脂層３０２によって短時間で切り欠き部１２２を埋め込むことができる。
【０１２４】
３．３． 第３変形例に係る発光装置
次に、本実施形態の第３変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１２は、本実施形態の第３変形例に係る発光装置４００を模式的に示す平面図である。図１３は、本実施形態の第３変形例に係る発光装置４００を模式的に示す図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線断面図である。なお、図１２では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。
【０１２５】
以下、本実施形態の第３変形例に係る発光装置４００において、本実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。このことは、以下に示す、本実施形態の第４変形例に係る発光装置５００についても同様である。
【０１２６】
発光装置１００の例では、図１〜図３に示すように、光導波路１６０，１６２，１６４の全体が電極１１２，１１４に（より具体的には接触面１１３，１１５に）挟まれており、光導波路１６０，１６２，１６４の全体に電流が注入される。したがって、光は、光導波路１６０，１６２，１６４のいかなる部分においても利得を受け、強度が増幅される。
【０１２７】
これに対し、発光装置４００では、図１２および図１３に示すように、光導波路１６０，１６２，１６４の各々の一部の上方には、第２電極１１４が配置されていない。すなわち、光導波路１６０，１６２，１６４の各々は、接触面１１３と接触面１１５とに挟まれていない非挟持領域１６０ａ，１６２ａ，１６４ａを有する。非挟持領域１６０ａ，１６２ａ，１６４ａでは、電流は積極的に注入されないため、光の強度は積極的に増幅されない。
【０１２８】
なお、「電流は積極的に注入されない」とは、電極１１２，１１４による電流が、拡散することにより、非挟持領域１６０ａ，１６２ａ，１６４ａに注入されることを含んでいる。すなわち、非挟持領域１６０ａ，１６２ａ，１６４ａの上方に第２電極１１４が配置されていなくても、電極１１２，１１４によって注入される電流は、拡散して、非挟持領域１６０ａ，１６２ａ，１６４ａに注入されることがある。
【０１２９】
例えば、平面視において、反射部１９０，１９２と、第２電極１１４およびコンタクト層１１０の接触面１１５の端部１１５ａと、の間の最短距離Ｌ１は、２０μｍ以上である。距離Ｌ１が２０μｍ以上であれば、電流が非挟持領域１６０ａ，１６２ａ，１６４ａ内を拡散しても、拡散した電流が反射部１９０，１９２に到達することを抑制することができる。すなわち、電流の拡散距離は、２０μｍ未満であるといえる（詳細は後述）。これにより、いっそう反射部１９０，１９２のＣＯＤ破壊を抑制することができる。
【０１３０】
同様に、図１２および図１３に示すように、平面視において、出射部１８１，１８６と接触面１１５の端部１１５ｂとの間の最短距離Ｌ２を、２０μｍ以上とすることにより、出射部１８１，１８６のＣＯＤ破壊を抑制することができる。
【０１３１】
なお、距離Ｌ１，Ｌ２は、非挟持領域１６０ａ，１６２ａ，１６４ａが光導波路として機能できる、すなわち光を導波することができる距離である。
【０１３２】
次に、電流の拡散距離を調査した実験について説明する。なお、本発明は、以下の実験によって何ら限定されるものではない。
【０１３３】
図１４は、実験に用いた参考例に係る発光装置１０００を模式的に示す平面図である。図１５は、実験に用いた参考例に係る発光装置１０００を模式的に示す図１４のＸＶ−ＸＶ断面図である。
【０１３４】
発光装置１０００では、図１４および図１５に示すように、基板１１０２と、第１クラッド層１１０４と、活性層１１０６と、第２クラッド層１１０８と、コンタクト層１１１０と、第１電極１１１２と、第２電極１１１４と、を有することができる。
【０１３５】
発光装置１０００では、基板１１０２として、ＧａＡｓ基板を用いた。第１クラッド層１１０４として、ＩｎＧａＡｌＰ層を用いた。活性層１１０６として、ＩｎＧａＰウェル層およびＩｎＧａＡｌＰバリア層を用いた。第２クラッド層１１０８として、ＩｎＧａＡｌＰ層を用いた。コンタクト層１１１０として、ＧａＡｓ層を用いた。第１電極１１１２として、Ｃｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用い、基板１１０２の下面全面に形成した。第２電極１１１４として、コンタクト層１１０側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いた。
【０１３６】
本実験では、上記構成の半導体レーザーを発光素子１０００として用い、第２電極１１１４の幅Ｗ（短手方向の長さ）を、１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍと変化させて、発光装置１０００の閾値電流密度を測定した。
【０１３７】
図１６は、幅Ｗに対する、閾値電流密度を幅Ｗで割った値（Ｊｔｈ）を示すグラフである。図１６では、各幅Ｗについて、第２電極１１１４の長さＬ（長手方向の長さ）を、３００μｍ、４００μｍ、５００μｍ、７００μｍ、９００μｍと変化させ、閾値電流密度が飽和した値をプロットしたものである。すなわち、図１６では、導波路の端面における損失を無視できる値をプロットしているといえる。
【０１３８】
図１６に示すように、Ｊｔｈは、Ｗが４０μｍ未満で、上昇した。すなわち、Ｗが４０μｍ未満だと、第２電極１１１４の幅と光導波路の幅とが等しくならず（光導波路の幅の方が大きく）、電流が拡散しているといえる。一方、Ｗが４０μｍ以上だと、Ｊｔｈは、ほぼ一定となった。したがって、電流は、第２電極１１１４の幅Ｗ方向に片側２０μｍ未満の範囲で、拡散していることがわかった。よって、上記のとおり、距離Ｌ１を２０μｍ以上とすれば、非挟持領域１６０ａ，１６２ａ，１６４ａ内を拡散した電流が、反射部１９０，１９２に到達することを抑制できることがわかった。
【０１３９】
３．４． 第４変形例に係る発光装置
次に、本実施形態の第４変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１７は、本実施形態の第４変形例に係る発光装置５００を模式的に示す平面図である。なお、図１７では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。
【０１４０】
発光装置１００の例では、図１に示すように、第１光導波路１６０、第２光導波路１６２、および第３光導波路１６４は、１つずつ設けられていた。これに対し、発光装置５００では、図１７に示すように、第１光導波路１６０、第２光導波路１６２、および第３光導波路１６４の各々は、複数設けられている。
【０１４１】
すなわち、第１光導波路１６０、第２光導波路１６２、および第３光導波路１６４は、光導波路群５５０を構成することができ、発光装置５００では、複数の光導波路群５５０が設けられている。図示の例では、３つの光導波路群５５０が設けられているが、その数は特に限定されない。
【０１４２】
複数の光導波路群５５０は、第１側面１３１の垂線Ｐ１の延びる方向と直交する方向に沿って、配列されている。より具体的には、隣り合う光導波路群５５０において、一方の光導波路群５５０の第６端面１８６と、他方の光導波路群５５０の第１端面１８１と、の間隔がＤとなるように（出射部の間隔となるように）配列されている。これにより、後述するレンズアレイに、簡易に光２０，２２を入射させることができる。
【０１４３】
発光装置５００によれば、発光装置１００の例に比べて、高出力化を図ることができる。
【０１４４】
４． プロジェクター
次に、本実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図１８は、本実施形態に係るプロジェクター８００を模式的に示す図である。図１９は、本実施形態に係るプロジェクター８００の一部を模式的に示す図である。なお、図１８では、便宜上、プロジェクター８００を構成する筐体を省略し、さらに光源７００を簡略化して図示している。また、図１９では、便宜上、光源７００、レンズアレイ８０２、および液晶ライトバルブ８０４について図示し、さらに光源７００を簡略化して図示している。
【０１４５】
プロジェクター８００は、図１８に示すように、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源７００Ｒ、緑色光源７００Ｇ、青色光源７００Ｂを含む。光源７００Ｒ，７００Ｇ，７００Ｂは、本発明に係る発光装置を有する。以下の例では、本発明に係る発光装置として発光装置５００を有する光源７００Ｒ，７００Ｇ，７００Ｂについて説明する。
【０１４６】
図２０は、本実施形態に係るプロジェクター８００の光源７００を模式的に示す図である。図２１は、本実施形態に係るプロジェクター８００の光源７００を模式的に示す図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線断面図である。
【０１４７】
光源７００は、図２０および図２１に示すように、発光装置５００と、ベース７１０と、サブマウント７２０と、を有することができる。
【０１４８】
２つの発光装置５００と、サブマウント７２０とは、構造体７３０を構成することができる。構造体７３０は、複数設けられ、図２０に示すように、発光装置５００の出射部となる端面１８１，１８６の配列方向（Ｘ軸方向）と直交する方向（Ｙ軸方向）に配列している。構造体７３０は、Ｘ軸方向の出射部の間隔と、Ｙ軸方向の出射部の間隔と、が同じになるように、配列されることができる。これにより、発光装置５００から出射される光を、簡易に、レンズアレイ８０２に入射させることができる。
【０１４９】
構造体７３０を構成する２つの発光装置５００は、サブマウント７２０を挟んで配置されている。図２０および図２１に示す例では、２つの発光装置５００は、サブマウント７２０を介して第２電極１１４同士が対向するように配置されている。サブマウント７２０の第２電極１１４と接する面には、例えば、配線が形成されている。これにより、複数の第２電極１１４の各々に、個別に電圧を供給することができる。サブマウント７２０の材質としては、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウムが挙げられる。
【０１５０】
ベース７１０は、構造体７３０を支持している。図２１に示す例では、ベース７１０は、複数の発光装置５００の第１電極１１２と接続されている。これにより、ベース７１０は、複数の第１電極１１２の共通電極として機能することができる。ベース７１０の材質としては、例えば、銅、アルミニウムが挙げられる。図示はしないが、ベース７１０は、ペルチェ素子を介して、ヒートシンクと接続されていてもよい。
【０１５１】
なお、構造体７３０の形態は、図２０および図２１に示す例に限定されない。例えば、図２２に示すように、構造体７３０を構成する２つの発光装置５００は、サブマウント７２０を介して、一方の発光装置５００の第１電極１１２と、他方の発光装置５００の第２電極１１４とが対向するように配置されていてもよい。また、図２３に示すように、２つの発光装置５００の第１電極１１２が、共通電極となるように配置されていてもよい。
【０１５２】
図１８に示すように、プロジェクター８００は、さらに、レンズアレイ８０２Ｒ，８０２Ｇ，８０２Ｂと、透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂと、投射レンズ（投射装置）８０８と、を含む。
【０１５３】
光源７００Ｒ，７００Ｇ，７００Ｂから出射された光は、各レンズアレイ８０２Ｒ，８０２Ｇ，８０２Ｂに入射する。図１９に示すように、レンズアレイ８０２は、光源７００側に、出射部１８１，１８６から出射される光２０，２２が入射する平坦面８０１を有することができる。平坦面８０１は、複数の光出射部１８１，１８６に対応して複数設けられ、等間隔で配置されている。また、平坦面８０１の法線は、光２０，２２の光軸に対して傾斜している。したがって、平坦面８０１によって、光２０，２２の光軸を、液晶ライトバルブ８０４の照射面８０５に対して、直交させることができる。特に、第１側面１３１と、第１光導波路１６０および第３光導波路１６４と、のなす角度αが０°でない場合（図１参照）、光２０，２２は各光出射部１８１，１８６から第１側面１３１の垂線Ｐ１に対して傾いて出射されるため、平坦面８０１が設けられることが望ましい。
【０１５４】
レンズアレイ８０２は、液晶ライトバルブ８０４側に、凸曲面８０３を有することができる。凸曲面８０３は、複数の平坦面８０１に対応して複数設けられ、等間隔で配置されている。平坦面８０１において光軸が変換された光２０，２２は、凸曲面８０３によって、集光される、または拡散角を小さくされることにより、重畳（一部重畳）されることができる。これにより、均一性よく液晶ライトバルブ８０４を照射することができる。
【０１５５】
以上のように、レンズアレイ８０２は、光源７００から出射される光２０，２２の光軸を制御して、光２０，２２を集光させることができる。
【０１５６】
図１８に示すように、各レンズアレイ８０２Ｒ，８０２Ｇ，８０２Ｂによって集光された光は、各液晶ライトバルブ８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂに入射する。各液晶ライトバルブ８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂは、入射した光をそれぞれ画像情報に応じて変調する。そして、投射レンズ８０８は、液晶ライトバルブ８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン（表示面）８１０に投射する。
【０１５７】
また、プロジェクター８００は、液晶ライトバルブ８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂから出射された光を合成して投射レンズ８０８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）８０６を、含むことができる。
【０１５８】
各液晶ライトバルブ８０４Ｒ，８０４Ｇ，８０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８０６に入射する。このプリズムは、４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は、投射光学系である投射レンズ８０８によりスクリーン８１０上に投射され、拡大された画像が表示される。
【０１５９】
プロジェクター８００によれば、複数の出射部の間隔を大きくすることができる発光装置５００を有する。そのため、プロジェクター８００では、レンズアレイ８０２のアライメントが容易で、均一性よく液晶ライトバルブ８０４を照射することができる。
【０１６０】
なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Digital Micromirror Device）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
【０１６１】
また、光源７００とレンズアレイ８０２とは、アライメントされた状態でモジュール化されることが可能である。さらに、光源７００とレンズアレイ８０２とライトバルブ８０４とが、アライメントされた状態でモジュール化されていてもよい。
【０１６２】
また、光源７００を、光源７００からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の光源装置にも適用することが可能である。
【０１６３】
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【０１６４】
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。したがって、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【０１６５】
１０ 光、２０ 光、２２ 光、１００ 発光装置、１０２ 基板、１０３ 段差面、
１０４ 第１クラッド層、１０６ 活性層、１０８ 第２クラッド層、
１１０ コンタクト層、１１１ 柱状部、１１２ 第１電極、１１３ 接触面、
１１４ 第２電極、１１５ 接触面、１１５ａ 端部、１１５ｂ 端部、
１１６ 絶縁層、１２０ 積層体、１２２ 切り欠き部、１３１ 第１側面、
１３２ 第２側面、１３３ 第３側面、１３４ 第４側面、１３５ 第５側面、
１３６ 第６側面、１６０ 第１光導波路、１６０ａ 非挟持領域、
１６２ 第２光導波路、１６２ａ 非挟持領域、１６４ 第３光導波路、
１６４ａ 非挟持領域、１７０ 拡散領域、１７２ 拡散領域形成層、
１８１ 第１端面、１８２ 第２端面、１８３ 第３端面、１８４ 第４端面、
１８５ 第５端面、１８６ 第６端面、１９０ 重なり面、１９２ 重なり面、
２００ 発光装置、２０２ 誘電体層、３００ 発光装置、３０２ 樹脂層、
４００ 発光装置、５００ 発光装置、５５０ 光導波路群、７００ 光源、
７１０ ベース、７２０ サブマウント、７３０ 構造体、８００ プロジェクター、
８０１ 平坦面、８０２ レンズアレイ、８０３ 凸曲面、８０４ 液晶ライトバルブ、
８０５ 照射面、８０６ クロスダイクロイックプリズム、８０８ 投射レンズ、
８１０ スクリーン、１０００ 発光装置、１１０２ 基板、
１１０４ 第１クラッド層、１１０６ 活性層、１１０８ 第２クラッド層、
１１１０ コンタクト層、１１１２ 第１電極、１１１４ 第２電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流を注入することによって光を発生させる第１層と、
前記第１層を挟み、かつ前記光の漏れを抑制する第２層および第３層と、
を含み、
前記第１層には、
前記第１層の第１側面に設けられた第１出射部から前記第１層の第２側面に設けられた第１反射部まで延出する帯状の形状を有する第１光導波路と、
前記第１反射部から前記第１層の第３側面に設けられた第２反射部まで延出する帯状の形状を有する第２光導波路と、
前記第２反射部から前記第１側面に設けられた第２出射部まで延出する帯状の形状を有する第３光導波路と、
が形成され、
前記第２光導波路の延出方向は、前記第１側面と平行であり、
前記第１反射部および前記第２反射部は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、
前記第１出射部から出射される第１の光と、前記第２出射部から出射される第２の光とは、同じ方向に出射される、ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第１反射部および前記第２反射部の表面は、誘電体層で覆われている、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記誘電体層を介して前記第１反射部および前記第２反射部の反対側に、樹脂層が形成されている、ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１反射部および前記第２反射部の表面は、露出している、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第２層に電気的に接続された第１電極と、
前記第３層に電気的に接続された第２電極と、
前記第３層と前記第２電極との間に設けられ、前記第２電極と接してオーミックコンタクトする第４層と、
を、さらに含み、
前記第１層、前記第２層、および前記第３層の積層方向から見て、
前記第１反射部と、前記第２電極と前記第４層との接触面の端部と、の間の最短距離は、２０μｍ以上であり、
前記第２反射部と前記接触面の端部との間の最短距離は、２０μｍ以上である、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１層、前記第２層、および前記第３層の積層方向から見て、
前記第１光導波路と前記第２光導波路とは、前記第２側面の垂線に対して第１角度で傾いて前記第１反射部と接続され、
前記第２光導波路と前記第３光導波路とは、前記第３側面の垂線に対して第２角度で傾いて前記第２反射部と接続され、
前記第１角度および前記第２角度は、臨界角以上である、ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の発光装置。
【請求項７】
前記第２光導波路の延出方向の長さは、
前記第１光導波路の延出方向の長さ、および前記第３光導波路の延出方向の長さよりも大きい、ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の発光装置。
【請求項８】
前記第２側面および前記第３側面は、エッチングにより形成されたエッチング面である、ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の発光装置。
【請求項９】
前記元素は、亜鉛である、ことを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１０】
活性層と、
前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、
を含み、
前記活性層には、
前記活性層の第１側面に設けられた第１出射部から前記活性層の第２側面に設けられた第１反射部まで延出する帯状の形状を有する第１利得領域と、
前記第１反射部から前記活性層の第３側面に設けられた第２反射部まで延出する帯状の形状を有する第２利得領域と、
前記第２反射部から前記第１側面に設けられた第２出射部まで延出する帯状の形状を有する第３利得領域と、
が形成され、
前記第２利得領域の延出方向は、前記第１側面と平行であり、
前記第１反射部および前記第２反射部は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、
前記第１出射部から出射される第１の光と、前記第２出射部から出射される第２の光とは、同じ方向に出射される、ことを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の発光装置と、
前記発光装置から出射された光を集光するレンズアレイと、
前記レンズアレイによって集光された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む、ことを特徴とするプロジェクター。
【請求項１２】
電流を注入することによって光を発生させる第１層と、
前記第１層を挟み、かつ前記光の漏れを抑制する第２層および第３層と、
を含み、
前記第１層には、
前記第１層の第１側面に設けられた第１出射部から前記第１層の第２側面に設けられた第１反射部まで延出する帯状の形状を有する第１光導波路と、
前記第１反射部から前記第１層の第３側面に設けられた第２反射部まで延出する帯状の形状を有する第２光導波路と、
前記第２反射部から前記第１側面に設けられた第２出射部まで延出する帯状の形状を有する第３光導波路と、
が形成され、
前記第２光導波路の延出方向は、前記第１側面と平行であり、
前記第１反射部および前記第２反射部は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、
前記第１出射部から出射される第１の光と、前記第２出射部から出射される第２の光とは、同じ方向に出射される、ことを特徴とするスーパールミネッセントダイオード。
【請求項１３】
請求項１２に記載のスーパールミネッセントダイオードと、
前記スーパールミネッセントダイオードから出射された光を集光するレンズアレイと、
前記レンズアレイによって集光された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む、ことを特徴とするプロジェクター。
【請求項１】
電流を注入することによって光を発生させる第１層と、
前記第１層を挟み、かつ前記光の漏れを抑制する第２層および第３層と、
を含み、
前記第１層には、
前記第１層の第１側面に設けられた第１出射部から前記第１層の第２側面に設けられた第１反射部まで延出する帯状の形状を有する第１光導波路と、
前記第１反射部から前記第１層の第３側面に設けられた第２反射部まで延出する帯状の形状を有する第２光導波路と、
前記第２反射部から前記第１側面に設けられた第２出射部まで延出する帯状の形状を有する第３光導波路と、
が形成され、
前記第２光導波路の延出方向は、前記第１側面と平行であり、
前記第１反射部および前記第２反射部は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、
前記第１出射部から出射される第１の光と、前記第２出射部から出射される第２の光とは、同じ方向に出射される、ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第１反射部および前記第２反射部の表面は、誘電体層で覆われている、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記誘電体層を介して前記第１反射部および前記第２反射部の反対側に、樹脂層が形成されている、ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１反射部および前記第２反射部の表面は、露出している、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第２層に電気的に接続された第１電極と、
前記第３層に電気的に接続された第２電極と、
前記第３層と前記第２電極との間に設けられ、前記第２電極と接してオーミックコンタクトする第４層と、
を、さらに含み、
前記第１層、前記第２層、および前記第３層の積層方向から見て、
前記第１反射部と、前記第２電極と前記第４層との接触面の端部と、の間の最短距離は、２０μｍ以上であり、
前記第２反射部と前記接触面の端部との間の最短距離は、２０μｍ以上である、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１層、前記第２層、および前記第３層の積層方向から見て、
前記第１光導波路と前記第２光導波路とは、前記第２側面の垂線に対して第１角度で傾いて前記第１反射部と接続され、
前記第２光導波路と前記第３光導波路とは、前記第３側面の垂線に対して第２角度で傾いて前記第２反射部と接続され、
前記第１角度および前記第２角度は、臨界角以上である、ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の発光装置。
【請求項７】
前記第２光導波路の延出方向の長さは、
前記第１光導波路の延出方向の長さ、および前記第３光導波路の延出方向の長さよりも大きい、ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の発光装置。
【請求項８】
前記第２側面および前記第３側面は、エッチングにより形成されたエッチング面である、ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の発光装置。
【請求項９】
前記元素は、亜鉛である、ことを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１０】
活性層と、
前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、
を含み、
前記活性層には、
前記活性層の第１側面に設けられた第１出射部から前記活性層の第２側面に設けられた第１反射部まで延出する帯状の形状を有する第１利得領域と、
前記第１反射部から前記活性層の第３側面に設けられた第２反射部まで延出する帯状の形状を有する第２利得領域と、
前記第２反射部から前記第１側面に設けられた第２出射部まで延出する帯状の形状を有する第３利得領域と、
が形成され、
前記第２利得領域の延出方向は、前記第１側面と平行であり、
前記第１反射部および前記第２反射部は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、
前記第１出射部から出射される第１の光と、前記第２出射部から出射される第２の光とは、同じ方向に出射される、ことを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の発光装置と、
前記発光装置から出射された光を集光するレンズアレイと、
前記レンズアレイによって集光された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む、ことを特徴とするプロジェクター。
【請求項１２】
電流を注入することによって光を発生させる第１層と、
前記第１層を挟み、かつ前記光の漏れを抑制する第２層および第３層と、
を含み、
前記第１層には、
前記第１層の第１側面に設けられた第１出射部から前記第１層の第２側面に設けられた第１反射部まで延出する帯状の形状を有する第１光導波路と、
前記第１反射部から前記第１層の第３側面に設けられた第２反射部まで延出する帯状の形状を有する第２光導波路と、
前記第２反射部から前記第１側面に設けられた第２出射部まで延出する帯状の形状を有する第３光導波路と、
が形成され、
前記第２光導波路の延出方向は、前記第１側面と平行であり、
前記第１反射部および前記第２反射部は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、
前記第１出射部から出射される第１の光と、前記第２出射部から出射される第２の光とは、同じ方向に出射される、ことを特徴とするスーパールミネッセントダイオード。
【請求項１３】
請求項１２に記載のスーパールミネッセントダイオードと、
前記スーパールミネッセントダイオードから出射された光を集光するレンズアレイと、
前記レンズアレイによって集光された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む、ことを特徴とするプロジェクター。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【公開番号】特開２０１３−５１３４０（Ｐ２０１３−５１３４０Ａ）
【公開日】平成２５年３月１４日（２０１３．３．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８９２３１（Ｐ２０１１−１８９２３１）
【出願日】平成２３年８月３１日（２０１１．８．３１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月１４日（２０１３．３．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月３１日（２０１１．８．３１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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