【課題】薄膜半導体発光素子における反りやクラックの発生を防止し、歩留まりを向上することを目的とする。
【解決手段】半導体発光装置１００は、基板１０９と、基板１０９上に実装された複数の薄膜半導体発光素子１０１とを備える。各薄膜半導体発光素子１０１は、アノード接続パッド１１１およびカソード接続パッド１１５を有する。アノード接続パッド１１１およびカソード接続パッド１１５の少なくとも一方は、微細加工された部分（例えば、メッシュ形状、縞模様、渦巻模様、回折模様など）を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置の光の利用効率が向上する。
【解決手段】配線パターンが設けられた基板１１０と、基板１１０の一方の主面に搭載され、配線パターンに電気的に接続された半導体発光素子１３０とを備える。基板１１０は、半導体発光素子１３０からこの基板１１０に向けて放射された光の少なくとも一部を上記一方の主面に対して直交する方向に反射させる凹凸構造１１１を上記一方の主面に有する。 （もっと読む）

【課題】暗輝度を引き下げることで、コントラスト比が高く、また、高精細な表示装置とすることが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光波長が異なる複数の発光素子と、発光素子が載置される複数の凹部を有する基体と、各凹部内に設けられる封止部材と、を有する発光装置であって、凹部は互いに離間するとともに、発光素子の発光波長と同系色の着色部材を含有する封止部材が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、電極により得られる光の導波路は、帯状かつ直線状の第１利得領域１６０および第２利得領域１７０と、第１利得領域１６０および第２利得領域１７０を接続し、かつ帯状の円弧形状を含む第３利得領域１９０と、を含み、第１利得領域１６０と第２利得領域１７０とは、第３利得領域１９０に接続される端部と反対の端部が第１層の側面に接続され、第１層の側面において第１利得領域１６０から出射される光２０と、第１層の側面において第２利得領域１７０から出射される光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】高出力化を図る発光素子アレイを提供する。
【解決手段】発光素子アレイは、ゲートに一定の電位が印加されたときアノードとカソード間で導通することが可能な３端子構造のシフト部サイリスタT1〜T6と、シフト部サイリスタT1〜T6から分離するように形成された発光ダイオードL1〜L6と、シフト部サイリスタT1〜T6のゲート間を結合する結合ダイオードD0〜D6とを有する。発光ダイオードＬ１〜Ｌ６のアノードは、対応するシフト部サイリスタT1〜T6のゲートに短絡され、発光ダイオードのカソードは、外部からの発光信号ラインΦＩ１またはΦＩ２に接続される。点弧されたシフト部サイリスタに接続された発光ダイオードは、発光信号ラインΦＩ１またはΦＩ２から供給される信号に応じて発光または非発光する。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、光出力の駆動電流に対する線形性を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態は、ＧａＡｓ系化合物半導体を材料とし発光波長のピークが９５０ｎｍ〜９８０ｎｍの範囲にある発光素子であって、第１導電形の第１半導体層と、前記第１半導体層の上に設けられた第２導電形の第２半導体層と、を備える。さらに、前記第２半導体層の上に設けられた第１電極と、前記第１半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。そして、前記第２半導体層の平面視におけるチップ面積が、０．１５ｍｍ×０.１５ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】複数の出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第２光導波路１６２の延出方向は、第１側面１３１と平行であり、第３層１０８は、第２側面１３２と連続する第４側面１４２の少なくとも一部を含んで形成された第１酸化領域１７０と、第３側面１３３と連続する第５側面１４３の少なくとも一部を含んで形成された第２酸化領域１７２と、を有し、第１酸化領域１７０は、前記第１層、前記第２層、および前記第３層の積層方向から見て、前記第１反射部と重なり、第２酸化領域１６２は、前記積層方向から見て、前記第２反射部と重なる。 （もっと読む）

【課題】高出力化を図る発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、半導体基板と、半導体基板上に形成された島Sn-1、Sn、Sn+1、Sn+2と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含む発光部サイリスタLn-1、Ln、Ln+1、Ln+2と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含むシフト部サイリスタTn-1、Tn、Tn+1、Tn+2と、当該島内に積層されたｐｎ接合の結合ダイオードの直下に形成された寄生サイリスタPTｎ、PTn+1、PTn+2、PTn+3と、当該島内に形成された電流狭窄層とを有する。電流狭窄層は、酸化領域と非酸化領域とを含み、寄生サイリスタのカソード層の直下には酸化領域が形成される。 （もっと読む）

【課題】複数の出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第１層１０６には、第１側面１３１に設けられた第１出射部１８１から第２側面１３２に設けられた第１反射部１９０まで延出する第１光導波路１６０と、第１反射部１９０から第３側面１３３に設けられた第２反射部１９２まで延出する第２光導波路１６２と、第２反射部１９２から第１側面１３１に設けられた第２出射部１８６まで延出する第３光導波路１６４と、が形成され、第２光導波路１６２の延出方向は、第１側面１３１と平行であり、第１反射部１９０および第２反射部１９２は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、第１出射部１８１から出射される第１の光２０と、第２出射部１８６から出射される第２の光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子が列状に配列された発光素子アレイのそれぞれの発光素子にレンズを設けることにより、発光素子から取り出される光量の差を抑制した発光部品等を提供することを目的とする。
【解決手段】発光チップＣは、基板８０上に列状に配置された複数の発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８と、それぞれの発光サイリスタＬの光を出射する発光面３１１に対向してそれぞれ設けられ、発光サイリスタＬが出射する光を集光するとともに、それぞれの発光サイリスタＬに発光のための電流が供給される配線のφＩ端子からの抵抗値に対応して、光量を増加させる割合が設定された複数のレンズ９０を備えている。 （もっと読む）

【課題】従来構造よりも低コストで高輝度な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第一導電型の半導体基板１上に、第一導電型のクラッド層２、アンドープ活性層３、第二導電型のクラッド層４からなる発光部１０１が積層された半導体発光素子１００において、発光部１０１の一部である第一導電型のクラッド層２中に、互いに組成が異なる２層の半導体層５ａ，５ｂを一対とする多層膜からなるクラッド側光反射層５が具備されたものである。 （もっと読む）

【課題】反射率の低下を防ぎ、高輝度発光が可能となる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板１上に順に、反射層６と、複数のオーミックコンタクト電極７が離間して埋設された透明膜８と、電流拡散層２５及び発光層２４を順に含む化合物半導体層１０とを具備する発光ダイオードであって、オーミックコンタクト電極７の基板１側の面の周縁部は透明膜８に覆われ、オーミックコンタクト電極７は反射層６及び電流拡散層２５に接触している、ことを特徴とする （もっと読む）

【課題】複数の発光素子が列状に配列された発光素子アレイのそれぞれの発光素子の発光面に設けたレンズにより、効率よく光を取り出すことのできる発光部品等を提供する。
【解決手段】第１アイランド３０１には、発光サイリスタＬ１が設けられている。発光サイリスタＬ１の発光面３１１上には、発光面３１１から遠ざかるにしたがい狭まりながら傾斜するとともに、発光面３１１から遠い側に凸状となった曲面部９２ｂと、曲面部９２ｂの発光面３１１から遠い側に曲面部９２ｂとつながった平面部９２ａとを備えたレンズ９２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
紫外線発光素子の搭載密度を比較的高くしたとしても、紫外線発光素子自身の発する熱の影響を受けがたく、比較的高い紫外線照射エネルギーを実現する光照射デバイスを提供する。
【解決手段】
複数の第１発光素子と、一方主面に前記複数の第１発光素子の少なくとも１つがそれぞれ配置された複数の開口部を有する第１基板と、複数の第２発光素子と、一方主面に前記複数の第２発光素子が配置された第２基板とを有している。そして、第２基板は、前記第１発光素子が発する光を透過させる材料からなるとともに、前記複数の開口部の少なくとも１つを他方主面で覆うように配置され、前記複数の第２発光素子は、前記開口部に対応する領域以外の領域に配置される。また、前記第１基板と前記第２基板との間または前記第２基板に放熱部を有している。 （もっと読む）

【課題】 発光特性の異なる発光素子同士を共通の基板上に実装させた際に、それぞれの発光素子の特性を十分に引き出すことが可能な樹脂体で封止することによって、全体としてバランスよく且つ演色性に富んだ発光を得ることのできるＬＥＤパッケージを提供することである。
【解決手段】 基板１２と、該基板１２上に隣接して実装される少なくとも１つの青色発光素子１３及び赤色発光素子１４と、該青色発光素子１３及び赤色発光素子１４を封止する樹脂体とを備えたＬＥＤパッケージ１１において、前記樹脂体は、前記青色発光素子１３の上面１３ｂより高く、且つ前記赤色発光素子１４の上部に形成されるＰＮジャンクション１４ａより低い位置に上面が設定される蛍光体含有樹脂１５と、この蛍光体含有樹脂１５の上に設けられ、前記赤色発光素子１４のＰＮジャンクション１４ａより高い位置に上面が設定される拡散剤含有樹脂１６とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤを構成するIII−Ｖ族半導体結晶と線熱膨張率の差が小さく、かつ熱伝導性に優れ、更に製造時に使用される酸及びアルカリ溶液に対する耐薬品性に優れた高出力ＬＥＤ用として好適なＬＥＤ発光素子用保持基板を提供することである。
【解決手段】 外周部が厚み０．１〜２．０ｍｍのアルミニウムまたはアルミニウム合金で覆われており、両主面に金属含浸セラミックス複合体が露出した基板の両面に、アルミニウムまたはアルミニウム合金が厚み０．０５〜２μｍ形成され、窒素、アルゴン、水素、ヘリウム又は真空雰囲気中で４６０〜６５０℃で１分間以上加熱処理した後、全面に厚み０．５〜５μｍのＮｉめっき層および厚み０．０５〜２μｍの金めっき層を順次形成されたＬＥＤ発光素子用保持基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】応答性が良好で電力損失の小さな受動素子の駆動装置、及びこの装置を用いた基板加熱装置を提供する。
【解決手段】駆動装置において直流電源部４１は、高電圧端子４１１、低電圧端子４１３間に中間電位の中間端子４１２を有し、受動素子２１及び電圧平滑コンデンサ３１２の並列回路は一端側が高電圧端子４１１-中間端子４１３間に接続され、他端側にはフライホイール素子３１１、スナバ回路３１３を介して中間端子４１２間に接続される。フライホイール素子３１１、スナバ回路３１３の接続点と低電圧端子４１３との間には電流検出部３１５及びスイッチング部３１９が直列に接続される。高電圧端子４１１と中間端子４１２との間の中間電圧は、受動素子２１がオンになるしきい値電圧よりも小さい値に設定されており、電流制御部３２は、中間電圧に加算される直流電圧により受動素子２１がオンとなるようにスイッチング部３１４を制御する。 （もっと読む）

【課題】良好なＰＮ接合を側面に有して、良好な電気的特性を有する半導体素子等を提供すること。
【解決手段】第１導電型の半導体コア１１を覆うように第１導電型の半導体シェル１２を形成する。また、第１導電型の半導体シェル１２を覆うように第２導電型の半導体シェル１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】同一の発光ピーク波長をもつ２層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板１０２の上面側に、中間電極１０４、下側第１導電型半導体層１０６、第１発光層１０８、第２導電型半導体層１１０、第１発光層１０８と同一の発光波長を有する第２発光層１１２、上側第１導電型半導体層１１４および上側電極１１６を順次具え、支持基板１０２の下面側に設けられる下側電極１１８と、上側第１導電型半導体層１１４および第２発光層１１２を貫通する凹部１２０に設けられ、第２導電型半導体層１１０と電気的に接続する基準電極１２２と、を有し、第１発光層１０８の電流が流れる有効領域の一部が規制されていることを特徴とする。 （もっと読む）