【課題】 従来に比べて小型で、素子機能部間で、高い周波数の信号を高精度に伝送することができる集積型半導体装置を提供する。
【解決手段】 サファイア単結晶基板１０と、サファイア単結晶基板１０の一方主面１０Ａに第１素子機能部２２を備え、他方主面１０Ｂに第２素子機能部３２を備え、第１素子機能部２２が光を発光し、第２素子機能部３２がサファイア単結晶基板１０を透過した光を受光することで、高い周波数の信号を精度良く伝送する。 （もっと読む）

【課題】半導体層を積層して形成された同一層構成の積層面に、発光素子と受光素子とが配設された半導体光集積素子を構成するに当たり、発光素子の動作時には動作電流の増大による発熱や余計な発光を抑えることができ、受光素子の動作時には光の吸収効率を高くする半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】基板上に第１の導電型の第１のクラッド層、活性層、及び、第２の導電型の第２のクラッド層を少なくとも含んで積層されてなる発光素子、及び、受光素子が、同一基板上の面内に配置されて成る半導体光集積素子において、
活性層は、導電型の第２の活性領域と、アンドープの第１の活性領域とが積層された構造を備え、
第２の活性領域が、第２の活性領域に対し最も近い位置に積層されている第１もしくは第２のクラッド層と同じ導電型とされている。 （もっと読む）

【課題】放射パターンが良好で、高出力かつ小型化を図りつつ、出射面の間隔を大きく形成することができる発光装置を提供する。
【解決手段】第１利得領域１６０は垂線Ｐに対して一方側に傾いて第１面１３０と接続され、第２利得領域１７０は垂線Ｐに対して他方側に傾いて第１面１３０と接続され、第３利得領域１８０は第１利得領域１６０または第２利得領域１７０に沿って形成されている。第１利得領域１６０および第２利得領域１７０は、同じ傾きで第２面１３２と接続され、第１利得領域１６０の端面１９０と第２利得領域１７０の端面１９２とは、第１面１３０において重なり、第１利得領域１６０は第１の曲率を備えた第１利得部分１６２を有し、第２利得領域１７０は第２の曲率を備えた第２利得部分１７２を有し、第３利得領域１８０において共振する光は、第１利得領域１６０または第２利得領域１７０を導波する光に結合し第２面１３２から出射される。 （もっと読む）

【課題】面発光する発光体の輝度ムラを低減すること。
【解決手段】発光体１は、第１の半導体層４Ａと第２の半導体層４Ｂとで構成され、前記第１の半導体層４Ａと前記第２の半導体層４Ｂとは互いに異なる組成、かつ、連続した層であり、前記第１の半導体層４Ａと前記第２の半導体層４Ｂとは接合し、さらに、前記第１の半導体層４Ａと前記第２の半導体層４Ｂとの接合面と対向する両面は電極と接合しており、かつ、前記第１の半導体層と前記電極との接合間に、面方向に対して所定間隔で配置され、かつ導体６Ａ２で充填された複数の孔を有する絶縁体層５Ａが含まれているとともに、前記複数の孔中の前記導体はそれぞれ前記電極と接合している。 （もっと読む）

【課題】本構成を有しない場合と比較して、キャリアの発光再結合の確率が向上された発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態の発光サイリスタ１００では、ｐ型ＡｌＧａＡｓ系のアノード層１０６とｎ型ＡｌＧａＡｓ系のカソード層１１２との間に積層されたゲート層１０８を、ｐ型ＡｌＧａＡｓ系のアノード層１０６側から順に、バンドギャップが小さいｎ型ＡｌＧａＡｓ系のトラップ層１０８Ａ２、バンドギャップが大きいｐ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲゲート層１０８Ｂ１、及びバンドギャップが小さいｐ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ｂ０が積層されるように構成している。 （もっと読む）

【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第１領域１６０と第２領域１６２とは、第１反射部１８１，１８３にて接続され、第１領域１６０と第３領域１６４とは、第２反射部１８２，１８５にて接続され、第２領域１６２と第３領域１６４とは、出射面となる第１層１０６の側面１３１に接続され、第１領域１６０は、第１領域１６０の長手方向が出射面１３１に対して平行になるように設けられ、第２領域１６２と第３領域１６４とは、同じ傾きで傾いて第１面１３１と接続され、第１領域１６０、第２領域１６２、および第３領域１６４の少なくとも１つと、第４領域１６６と、の間の距離は、エバネッセント結合が生じる距離であり、第４領域１６６は、共振器を構成する。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供する。
【解決手段】組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０≦Ｘ２≦１）の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層１１と、該活性層１１を挟む第１のクラッド層９と第２のクラッド層１３とを有する発光部７と、発光部７上に形成された電流拡散層８と、電流拡散層８に接合された機能性基板３とを備え、第１及び第２のクラッド層９、１３が組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなり、井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明基板の片面に配設された複数の単結晶薄膜半導体発光素子からの光を両面から出射させることができる表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板１１０の片面に複数の単結晶薄膜半導体発光素子１１１を配設した表示装置１０であって、複数の単結晶薄膜半導体発光素子は、母材基板１０１から剥離された単結晶薄膜半導体層から構成され、単結晶薄膜半導体発光素子は、発光層（活性層）１１３とこの発光層(活性層)を挟んだ２層の非発光層１１２、１１４とを備え、前記単結晶薄膜半導体発光素子１１１の表面に、非光透過層１２２、１２４と、他の発光層１２３を有する他の単結晶薄膜半導体層からなる他の単結晶薄膜半導体発光素子１２１とを積層した。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造方法により発光波長を多様化させ、特に高精細な画像表示装置に用いて好適な半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、所定の光を放出させる第１の半導体発光層１７と、前記第１の半導体発光層１７とは異なる結晶系からなる半導体層から構成され前記第１の半導体発光層からの光によって励起されて光を放出する第２の半導体発光層１１を有し、前記第１の半導体発光層１７を有する半導体構造部に前記第２の半導体発光層１１が貼り合わされることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた発電効率を備える太陽電池素子を提供する。
【解決手段】太陽電池素子１００は、基板１１０と、マスクパターン１２０と、半導体ナノロッド１３０と、第１の電極１５０と、第２の電極１６０とを有する。半導体ナノロッド１３０は、基板１１０上に平面視三角格子状に配置されており、相隣り合う半導体ナノロッド１３０同士の中心間距離ｐと、半導体ナノロッド１３０の最小径ｄとの比ｐ／ｄが１〜７の範囲にある。半導体ナノロッド１３０は、第１の導電型の半導体からなる中心ナノロッド１３１と、真性半導体からなり中心ナノロッド１３１を被覆する第１の被覆層１３２と、第２の導電型の半導体からなり第１の被覆層１３２を被覆する第２の被覆層１３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】発光サイリスタ等の被駆動素子の破壊を防止して信頼性の向上を図る。
【解決手段】ドライバＩＣは、第１端子と、第２端子と、前記第１端子及び前記第２端子間の導通状態を制御する制御端子と、を有する被駆動素子が複数配列された被駆動素子アレイを時分割駆動する回路である。被駆動素子アレイは、隣接配置された被駆動素子毎に被駆動素子群が形成され、各被駆動素子群における第１端子群、第２端子群、及び制御端子群の内、各第２端子群がグランドにそれぞれ接続され、各制御端子群が共通母線にそれぞれ接続されている。ドライバＩＣは、各共通母線をそれぞれ駆動する複数のゲート駆動用バッファ１６２を備えている。各バッファ１６２は、電源ＶＤＤと共通母線ＯＵＴとの間に直列に接続されたスイッチ用ＰＭＯＳ４０３及び降圧用ＰＭＯＳ４０６と、共通母線ＯＵＴとグランドＧＮＤとの間に接続されたスイッチ用ＰＭＯＳ４０４とを有している。 （もっと読む）

【課題】発光部および受光部が同一基板に集積された受発光素子を備え、輝度むらを低減することが可能なプロジェクターを提供する。
【解決手段】本発明に係るプロジェクター１０００では、利得領域１４０は、活性層１０６の積層方向から平面視して、活性層１０６の第１面１０６から第２面１０７まで、第１面１０６の垂線Ｐに対して傾いた方向に向かって設けられ、利得領域１４０に生じる光は、利得領域１４０の第１面１０５側の端面１５１および第２面１０７側の端面１５２の少なくとも一方において、外部に出射される光と、反射される光と、に分けられ、反射される光は、光吸収層２０６に至り、受光部２００ａ，２００ｂにおいて受光される。 （もっと読む）

【課題】発光素子および受光素子がモノリシックに集積された受発光素子を備え、電流経路となる利得領域ごとに光量検出を行うことが可能なプロジェクターを提供する。
【解決手段】本発明に係るプロジェクター１０００では、活性層１０６のうちの少なくとも一部は、活性層１０６の電流経路となる利得領域１６０を構成し、積層構造体１２０において、活性層１０６の露出する面のうちの第１面１０５と第２面１０７とは、互いに対向する位置関係であり、利得領域１６０は、第１面１０５側の端面１７０から、第２面１０７側の端面１７２まで、直線状に設けられ、第１面１０５側の端面１７０および第２面１０７側の端面１７２の少なくとも一方は、利得領域１６０に生じる光を出射する出射面であり、利得領域１６０に生じる光の一部は、第１クラッド層１０４内を通過して、光吸収層１０３に至り、受光される。 （もっと読む）

【課題】導通信頼性の高い電子装置、およびそれを用いた、画像形成装置並びに画像入力装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、基板１０２と、基板１０２の一表面上に形成された電子素子１０３と、電子素子１０３が形成された領域とは異なる領域に、所定間隔をあけて列状に配列され、第一の接続配線１０４を介して電子素子１０３と電気的に接続された、第一のパッド１０６と、電子素子１０３が形成された領域および第一のパッド１０６が形成された領域とは異なる領域に設けられ、第一のパッド１０６間を横切る第二の接続配線１０５を介して電子素子１０３と電気的に接続された、第二のパッド１０７と、を具備しており、第一のパッド１０６間において、第二の接続配線１０５の基板１０２とは反対側の表面が、第一のパッド１０６の基板１０２とは反対側の表面よりも基板１０２側に位置している。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードの発光光度を正確に評価することができ、しかも製造の簡素化が図れる発光装置、発光装置の評価方法、および発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上に形成される光吸収層６を含むフォトダイオード構造２と、フォトダイオード構造２上にエッチングストップ層３を介して形成される活性層９を含む発光ダイオード構造４と、フォトダイオード構造２の一部を露出させて形成される、発光ダイオード構造４及びフォトダイオード構造２に対して用いられる共通電極１６と、基板１のフォトダイオード構造２と反対の面側に設けられるフォトダイオード用電極１７と、発光ダイオード構造４の上方に設けられる発光ダイオード用電極１５とを備えた発光装置である。 （もっと読む）

【課題】発光部および受光部を同一基板上に集積することができ、個別に光量検出を行うことが可能な受発光装置を提供する。
【解決手段】同一基板上に設けられた発光部１００と受光部２００ａ，２００ｂとを含み、発光部は、第１クラッド層および第２クラッド層に挟まれた活性層と、第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、第２クラッド層に電気的に接続された第２電極と、を有し、受光部は、光吸収層を有し、活性層の少なくとも一部は、第１電極と第２電極の間の電流経路に利得領域１４０を構成し、利得領域は、活性層の第１側面１０５から第１側面と平行な第２側面１０７まで、第１側面の垂線に対して傾いた方向に向かって設けられ、利得領域に生じる光は、利得領域の第１側面側の端面１５１および第２側面側の端面１５２の少なくとも一方において、外部に出射される光と、反射される光と、に分けられ、反射される光は、受光部において受光される。 （もっと読む）

【課題】良好な断面形状を有する光を得ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１０００は、第１領域１００ａと、第２領域１００ｂと、に区画された基板１００と、第１領域１００ａの基板１００の上方に設けられた第１クラッド層１０４と、第１クラッド層１０４の上方に設けられ、少なくとも１つの側面に出射面を有する活性層１０６と、活性層１０６の上方に設けられた第２クラッド層１０８と、第２領域１００ｂの基板１００の上方であって、出射面から出射される光の光路上に配置された光分離部１３０と、を含み、出射面から出射される光１０は、光分離部１３０によって、光分離部１３０で反射される反射光１２と、光分離部１３０を透過する透過光１４とに分離される。 （もっと読む）

【課題】互いに視認性の異なる複数種類の光を発生させることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１Ａは、レーザ素子部１０ＡおよびＬＥＤ素子部１０Ｂを、互いに同一の基板１１０上に備えたものである。レーザ素子部１０ＡおよびＬＥＤ素子部１０Ｂの間には、イオン打ち込み層１０Ｃが設けられ、これによりレーザ素子部１０Ａへの電流狭窄がなされる。レーザ素子部１０ＡおよびＬＥＤ素子部１０Ｂにおいて、活性層１１３を含む半導体層と、ｐ側電極１１７およびｎ側電極１１８とが、互いに共通の層として連続的に設けられている。ＬＥＤ素子部１０Ｂでは、電流値に応じてリニアにＬＥＤ光が放出される。レーザ素子部１０Ａでは、電流値が比較的低い状態ではＬＥＤ光を放出される一方、電流値がある値を超えると、誘導放出によりレーザ光が放出される。 （もっと読む）

間接遷移型半導体の発光ダイオード（401）。間接遷移型半導体の発光ダイオード（401）は複数の部分を含み、前記複数の部分が、間接遷移型半導体のｐドープド部分（412）、間接遷移型半導体の真性部分（414）及び間接遷移型半導体のｎドープド部分（416）を含む。真性部分（414）がｐドープド部分（412）とｎドープド部分（416）との間に配置されて、ｐドープド部分（412）とｐ−ｉ接合部（430）を形成し、ｎドープド部分（416）とｉ−ｎ接合部（434）を形成する。ｐ−ｉ接合部（430）及びｉ−ｎ接合部（434）は、間接遷移型半導体の発光ダイオード（401）が逆バイアスされる際に真性部分（414）で少なくとも１つのホットエレクトロン−正孔プラズマの形成を容易にし且つホットエレクトロンの正孔との再結合により生成されるルミネッセンスを容易にするように構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜と金属との分子間力を利用した安定なボンディング特性が得られる半導体薄膜と異種基板間の接合形態を提供する。
【解決手段】基板１０１上に設けられた金属層１０２の表面に金属酸化物層１０３を設ける。この金属層１０２の上に半導体薄膜３０４−３０８を接触させて、これらの間に金属元素の酸化物を含む領域４１０を形成することによって、半導体薄膜３０４−３０８と金属層１０２とを接合する。 （もっと読む）