【課題】格子欠陥が発生することを防止した光取り出し効率の高い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、第一半導体層１２０と、第二半導体層１４０と、活性層１３０と、第一電極１５０及び第二電極１６０と、を含む。第一半導体層、活性層及び第二半導体層が、第一電極から離れる方向に沿って、基板に順に積層して設置され、第一半導体層が、第一電極に接続され、第二電極が、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の第一電極と隣接する表面が、複数の溝を含むパターン化表面１２２であり、第一半導体層のパターン化表面が、第一電極に接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を提供する。
【解決手段】３次元構造の表面形態を持ち、非極性窒化物半導体で形成された第１非平坦非極性窒化物半導体層；第１非平坦非極性窒化物半導体層の表面の少なくとも一部上に形成されたものであって、複数の固体粒子で形成された第１構造物層；第１非平坦非極性窒化物半導体層及び第１構造物層上に形成された第１非極性窒化物半導体層；を含む半導体素子。 （もっと読む）

【課題】 結晶性を向上させることが可能な発光素子の製造方法および発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子１の製造方法は、窒化アルミニウムからなる多結晶基板２（２ａ）を酸素雰囲気中で加熱して多結晶基板２（２ａ）の表面を酸化させることによって、多結晶基板２（２ａ）の表面に酸窒化アルミニウムからなる酸化領域を形成する工程と、多結晶基板２（２ａ）を窒化アルミニウムの融点よりも低い温度であって酸窒化アルミニウムの融点よりも高い温度で加熱して酸化領域を溶解した後、多結晶基板２（２ａ）を酸窒化アルミ二ウムの融点よりも低い温度に冷却することによって、溶解した酸化領域を固化して緩衝層３を形成する工程と、緩衝層３上に窒化アルミニウムを含む光半導体層４を成長させる工程とを有している。これにより、緩衝層３上に成長させる光半導体層４の結晶性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体発光素子の偏光度を低減する。
【解決手段】活性層に平行な面内に含まれる偏光方向に偏光した偏光光を前記活性層から放射する窒化物半導体発光素子と、窒化物半導体発光素子を覆い、前記活性層に垂直な対称面を有する透光性封止部とを備える。窒化物半導体発光素子の前記偏光方向は、透光性封止部の前記対称面に対して０度と９０度を含まない角度だけ傾いている。 （もっと読む）

【課題】成長する窒化物層の品質を改善させることができ、さらに、製造工程の作業性が改善され、発光素子の発光効率を改善することができるテンプレートの製造方法及びこれを用いた窒化物半導体発光素子の製造方法の提供。
【解決手段】基板１００上に３族物質を含む第１の窒化物層２１０を成長させる段階、前記第１の窒化物層の上側に、前記の第１の窒化物層とエッチング特性が相違する多数個のエッチングバリア２１２を形成する段階、クロライド系列のガスで前記の第１の窒化物層を前記エッチングバリアのパターンに沿ってエッチングして柱状のナノ構造物を形成する段階、そして前記ナノ構造物上側に第２の窒化物層を成長させて、内部に多数個の空隙２１４を備える窒化物緩衝層を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】テンプレートに成長する窒化物層の品質を改善させ、製造工程の作業性が改善され、発光素子の発光効率を改善するテンプレートの製造方法及びこれを用いた窒化物半導体発光素子の製造方法の提供。
【解決手段】基板１００上に第１の窒化物層２１０を成長させる段階、クロライド系列のエッチングガスを供給して前記の第１の窒化物層の上面をエッチングする段階、前記の第１の窒化物層の上面に第２の窒化物層２２０を成長させて多数個の第１の空隙２２３を形成する段階、前記エッチングガスを供給して前記の第２の窒化物層の上面をエッチングする段階、そして、前記の第２の窒化物層の上面に第３の窒化物層を成長させて多数個の第２の空隙２２３を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】低減された酸素濃度のｐ型窒化ガリウム系半導体層を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子１１は、基板１３、ｎ型III族窒化物半導体領域１５、発光層１７、及びｐ型III族窒化物半導体領域１９を備える。基板１３の主面１３ａは、該第１の窒化ガリウム系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０度未満の範囲の角度で傾斜する。ｐ型III族窒化物半導体領域１９は、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１を含み、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１の酸素濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１のｐ型ドーパント濃度Ｎｐｄと酸素濃度Ｎｏｘｇとの濃度比（Ｎｏｘｇ／Ｎｐｄ）が１／１０以下である。 （もっと読む）

【課題】 表面がｍ面から１°以上５°以下の角度で傾斜した基板上で結晶成長させたＧａＮ系半導体素子におけるコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】 本発明の窒化物系半導体素子は、表面１２がｍ面から１°以上５°以下の角度で傾斜したｐ型半導体領域を有する半導体積層構造２０と、ｐ型半導体領域上に設けられた電極３０とを備える。ｐ型半導体領域は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ≧０，ｙ≧０，ｚ≧０）層２６から形成されている。電極３０は、Ｚｎ層３２を含み、Ｚｎ層３２は、半導体積層構造２０におけるｐ型半導体領域の表面に接触している。 （もっと読む）

【課題】微細なリッジ構造におけるエバネッセント光の干渉現象を利用し、光の外部への取出し効率を改善した半導体発光ダイオードを提供する。
【解決手段】第１導電型の障壁層と、発光層となる活性層と、第２導電型の障壁層とを少なくとも備える半導体発光ダイオードにおいて、前記半導体発光ダイオードの光取出し側の表面は、一つの平坦面と少なくとも二つの傾斜面によって構成されるリッジ構造を備え、前記リッジ構造の平坦面の横幅Ｗが２λ（λ：発光波長）以下で、かつ前記活性層の中心Ｃ（リッジ構造の中心線と活性層との交点）からの光が前記傾斜面において全反射が起こる最短の地点（傾斜面の法線方向からθ_Ｃ＝ｓｉｎ^−１（１／ｎ）[ｎ：半導体層の屈折率]の角度をなす活性層の中心Ｃから傾斜面に向かう線（平坦面に近い側）と傾斜面との交点）から平坦面までの距離Ｌがλ（λ：発光波長）以下である。 （もっと読む）

【課題】より長い波長の発光効率を上昇させることが可能な半導体ダイ、発光デバイス、製造する方法および多波長光を生成する方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイは、少なくとも1つの第1の領域と少なくとも1つの第2の領域とを含む。少なくとも1つの第1の領域は、少なくとも第1の波長を有する光を発光するように構成される。少なくとも1つの第2の領域は、少なくとも第2の波長を有する光を発光するように構成され、この第2の波長は、第1の波長とは異なる。 （もっと読む）