【課題】 半導体装置において、欠陥を減少させ、静電気放電に対する保護能力を高める。
【解決手段】 上面１２Ａおよび上面１２Ａに配置された複数のバンプ３０を備えた基板１であって、バンプ３０の各々が、上面１２Ａに対して実質的に平行な頂面３２および頂面３２と上面１２Ａとの間の複数の壁面３４を有するものである基板１２、および基板１２上に配置されたエピタキシャル層であって、基板１２の上面１２Ａおよびバンプ３０の壁面３４に実質的に同じ結晶方位を有するエピタキシャル層を備える。また、別の態様において、エピタキシャル層は、基板１２上に配置され、実質的に単一の結晶方位を有し、実質的に空隙なく、基板１２の上面１２Ａおよびバンプ３０の壁面３４を被覆するものであってよい。 （もっと読む）

【課題】六方晶系III族窒化物からなる支持基体の非極性主面上に設けられた発光層等を有するIII族窒化物発光ダイオードにおいて、側面における欠けやチッピングといった形状不良を低減する。
【解決手段】発光ダイオード１１は、六方晶系III族窒化物半導体からなる支持基体１７及び半導体領域１９を含む発光構造体１３を備える。半導体領域１９は、第１半導体層２１と、第２半導体層２３と、発光層２５とを有する。支持基体１７の六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸は、ｍ軸の方向に法線軸に対して有限な角度ＡＬＰＨＡで傾斜している。発光構造体１３は、六方晶系III族窒化物半導体のｍ軸及び法線軸によって規定されるｍ−ｎ面に交差する一対の割断面２７，２９と、ｍ−ｎ面又は｛１１−２０｝面からなる一対の劈開面１３ａ，１３ｂとを有する。 （もっと読む）

活性領域と、活性領域から放出される光の光閉じ込めを提供するための導波路構造とを備えた光電子素子であって、素子の対向端上の一対のファセットは、表面極性を有し、ファセットのうちの１つは、結晶学的化学エッチングプロセスによって粗面化されており、素子は、非極性または半極性（Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｂ）Ｎ系素子である。一実施形態において、第１のファセットは、ＩＩＩ族窒化物素子の粗面化されたｃ⁻ファセット、ｃ⁻平面、またはＮ−面を備え、第２のファセットは、前記ＩＩＩ族窒化物素子のｃ^＋ファセット、ｃ^＋平面、ＩＩＩ−面、またはＧａ面である。
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非極性または半極性の（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ基板上の（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ薄膜の成長形態を改良する方法であって、（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ薄膜は、非極性または半極性の（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ基板あるいはテンプレート上に直接成長させられ、成長の際に使用されるキャリアガスの一部は、不活性ガスから構成される。非極性または半極性の窒化物ＬＥＤおよびダイオードレーザは、本発明によって成長させられる平滑（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ薄膜上に成長させられてもよい。
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改良された特性を備えた半導体材料、基板、およびデバイスの製造方法および構造が開示される。歪みが低減された構造を形成するための構造および方法が、複数の実質的に歪み緩和されたアイランド構造を形成し、半導体材料の歪み緩和された実質的に連続した層を引き続きさらに成長するために、このようなアイランド構造を利用することを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子、発光素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】半導体素子は、基板と、前記基板上に配置される複数個の柱と、前記基板上に前記柱の間に配置される金属層と、前記柱の上及び間に配置される半導体層と、を含む。半導体素子は、金属層によって、電気的及び光学的特性を向上することができる。 （もっと読む）