【課題】半導体発光素子の光取り出し面に設けられた凸部の形状を制御することで、光取り出し効率が改善された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体発光素子は、放出光を放出可能な発光層と、第１の面と第２の面とを有する第１導電形の電流拡散層であって、前記第１の面の側には前記発光層が配置され、前記第２の面には、凸部を有する光取り出し面と、結晶成長面を表面とする平坦面と、が形成された電流拡散層と、前記平坦面に設けられたパッド電極と、を備える。前記凸部の一方の底角は、９０度以上である。 （もっと読む）

【課題】高輝度かつ低順方向電圧の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第一の導電型層１１と第二の導電型層１２に挟まれた発光層１３を有する化合物半導体１４において、第一の主表面１１ａを光取り出し面とし、第二の主表面１２ａに発光層１３からの光を第一の主表面１１ａ側に反射させる反射金属膜１５を介して、支持基板１６と化合物半導体１４が結合され、化合物半導体１４の第二の主表面１２ａと反射金属膜１５間に透明絶縁膜１７を有し、透明絶縁膜１７の一部に貫通して化合物半導体層と電気的にオーミック接合する界面電極１８を有する半導体発光素子において、発光波長が７８０ｎｍ以上の赤外光であり、第一の導電型層１１の内、Ｖ族がＡｓ系層である総膜厚が１．０μｍ以上であり、第一の導電型層１１、発光層１３、第二の導電型層１２および各層内のアンドープ層の各ヘテロ接合界面におけるバンドギャップの差が、０．３０ｅＶ以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体層表面の凹凸および反射層を有する半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３とに挟まれた発光層１２を有する半導体積層構造を有し、発光層１２のｎ型半導体層１１側から光を取り出す半導体発光素子であって、ｐ型半導体層１３上に形成された、発光層１２から発せられた光を反射する反射層１６と、を有し、ｎ型半導体層１１は、発光層１２と反対側の面に光の進路を変更するための凹凸領域１１０を有し、反射層１６の少なくとも一部は、凹凸領域１１０の端部の直上まで形成される。 （もっと読む）

【課題】結晶品質が高く光取り出し効率が高い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層を含む第１半導体層と、ｐ形半導体層を含む第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光部は、複数の障壁層、と前記複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む。前記第１半導体層は、第１凹凸と、第２凹凸と、を有する。前記第１凹凸は、前記第１半導体層の前記発光部とは反対の側の第１主面に設けられる。前記第２凹凸は、前記第１凹凸の底面と頂面とに設けられる。前記第２凹凸は、前記底面と前記頂面との間の段差よりも小さい段差を有する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、電極と、ｐ形半導体層と、発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。ｐ形半導体層は、ｎ形半導体層と電極との間に設けられる。ｐ形半導体層は、電極に接するｐ側コンタクト層を含む。発光層は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられる。ｐ形半導体層は、ｐ側コンタクト層と発光層との間に設けられ、ｐ形不純物濃度がｐ形コンタクト層のｐ形不純物濃度よりも低いｐ形層を含む。ｐ側コンタクト層は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に突出した複数の突起部を含む。複数の突起部の第１方向に対して垂直な平面内における密度は、５×１０^７個／ｃｍ^２以上、２×１０^８個／ｃｍ^２以下である。複数の突起部に含まれるＭｇの濃度は、突起部以外の部分に含まれるＭｇの濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】高い外部量子効率を安定に確保できるようにした半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１０の表面部分には発光領域１２で発生した光を散乱又は回析させる少なくとも１つの凹部２０及び／又は凸部を形成し、凹部２０及び／又は凸部は半導体層１１、１２、１３に結晶欠陥を発生させない形状とする。また、光が凹部２０及び／又は凸部において散乱又は回折され、上方の半導体層又は下方の基板から効率的に光を取り出す。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、電極と、ｐ形半導体層と、発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記ｐ形半導体層は、前記ｎ形半導体層と前記電極との間に設けられる。前記ｐ形半導体層は、前記電極に接するｐ側コンタクト層を含む。発光層は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。前記ｐ側コンタクト層は、前記ｎ形半導体層から前記ｐ形半導体層に向かう第１方向に対して垂直な平面を有する平坦部と、前記平坦部から前記電極に向かって突出した複数の突起部と、を含む。前記複数の突起部の前記第１方向に沿った高さは、前記発光層から放出される光の主波長の１／４の長さよりも小さい。前記複数の突起部の前記平面内における密度は、５×１０^７個／ｃｍ^２以上、２×１０^８個／ｃｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子の光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】実施例１のIII 族窒化物半導体発光素子は、凹凸形状が形成されたサファイア基板１０と、サファイア基板１０の凹凸形状側表面上に、バッファ層を介して順に積層された、III 族窒化物半導体からなるｎ型層、発光層、ｐ型層と、を有している。凹凸形状は、サファイア基板１０表面上にｘ軸方向をストライプ方向とする第１のストライプ形状１００が形成され、その上にｘ軸方向と直交するｙ軸方向をストライプ方向とする第２のストライプ形状１０１が重ねて形成された形状である。このような凹凸形状とすることで、従来のIII 族窒化物半導体発光素子よりも光取り出し効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】
素子生産量と光抽出効率を向上させることができる垂直型発光素子の製造方法およびその垂直型発光素子に用いる基板モジュールを提供すること。
【解決手段】
垂直型発光素子の製造方法において、基板１０とＬＥＤ構造のインターフェースが分離するまたは剥離するところに隙間１３’を形成することで、基板１０を該基板１０に形成されたＬＥＤ構造から容易に分離または剥離できるようにする。基板１０とエピタキシャル層２０からなる基板モジュールは制御可能な方式で基板１０とエピタキシャル層２０との間のインターフェースに複数の隙間１３’を形成している。そして、該エピタキシャル層２０にＬＥＤ構造を形成させ、ＬＥＤ構造をスーパーストレート７０に付着させ、基板１０をエピタキシャル層２０から分離し、かつ、基板１０の所在部に導電層と接触電極を形成させて、垂直型発光素子を形成させる。 （もっと読む）

【課題】非極性面を主面とするIII 族窒化物半導体の結晶性を悪化させることなく光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】サファイア基板１０表面に、ｘ軸方向（サファイアｃ軸方向）に平行な第１の溝１００ａが所定の間隔で周期的に配列された第１のストライプ形状１００を形成する。次に、第１のストライプ形状１００の凹凸に沿ってサファイア基板１０表面の全面に、絶縁膜１７を形成する。次に、ｘ軸方向に直交するｙ軸方向に平行で底面が平坦な第２の溝１０１ａが所定の間隔で周期的に配列された第２のストライプ形状１０１を形成する。このサファイア基板１０を用いて、第２の溝１０１ａの側面１０１ａａから、ＭＯＣＶＤ法によってＧａＮ結晶を成長させて、サファイア基板１０上にｍ面ＧａＮからなる基底層１８を形成し、基底層１８上にＬＥＤ素子構造を形成して発光素子を製造する。 （もっと読む）