【課題】凹凸部の凹凸の均一化を図り、半導体発光素子間での発光出力のばらつきを抑える。
【解決手段】半導体基板の上に、第１半導体層及び第２半導体層を１つのペアとする複数のペア層３３を積層して光反射部３０を形成する工程と、光反射部３０の上に、第１クラッド層と、活性層と、第２クラッド層と、をこの順に積層して発光部４０を形成する工程と、発光部４０の上に、電流分散層を形成する工程と、電流分散層の表面に凹凸部６１を形成する工程と、を有し、凹凸部６１を形成する工程の前に、電流分散層の表面をＯ_２プラズマに曝す工程を行う。 （もっと読む）

【課題】複数の非極性発光セルを有する発光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】この方法は、上部表面がｒ面、ａ面またはｍ面を有するサファイアまたは炭化珪素の第１の基板を用意することを含む。第１の基板は、その上部表面上にストライプ状の成長防止パターンを有し、また成長防止パターン間に側壁がｃ面であるリセス領域を有する。リセス領域を有する基板上に窒化物半導体層が成長され、窒化物半導体層をパターニングし、互いに分離された発光セルが形成される。これにより、優れた結晶品質の非極性発光セルを有する発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１半導体層と導通する第１電極層と、第２半導体層と導通する第２電極層と、を備える。第２電極層は、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿った厚さが１０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である金属部と、前記方向に沿って金属部を貫通し、前記方向にみたときの形状の円相当直径が１０ｎｍ以上、５μｍ以下である複数の開口部と、を有する。第２半導体層は、金属部とショットキー接合している。 （もっと読む）

【課題】歩留りを維持しつつ光取り出し効率を向上させることができる光半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体膜の表面に半導体膜の結晶軸に沿って等間隔に配列された複数の凹部を形成する。半導体膜の表面をエッチング処理することにより半導体膜の表面に複数の凹部の配列形態に従って配列され且つ半導体膜の結晶構造に由来する複数の突起を形成する。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。第２電極層は、構造体の第２半導体層の側に設けられる。第２電極層は、金属部と、複数の開口部と、を有する。金属部は、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿った厚さが１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である。開口部は、前記方向に沿って前記金属部を貫通し、円相当直径が１０ｎｍ以上、５μｍ以下である。第１電極層は、構造体の第１半導体層の側に設けられる。第１電極層は、金属製であって、第１半導体層と接する部分を有する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体膜に形成された粗化面を有するＧａＮ系ＬＥＤ素子において、電極として形成される金属膜の光吸収に基づく損失を低減するための素子構造を提供する。
【解決手段】上面が粗化された第一型導電層１２３と、該第一型導電層の下面側に配置された発光層１２２と、該第一型導電層とで該発光層を挟むように配置された第二型導電層１２１と、を含む積層部１２０を備えたＧａＮ系半導体膜に、少なくとも該第一型導電層の一部を除去することによって平坦化領域１２３Ｂが形成され、ＴＣＯ膜からなる透光性電極１４０が該平坦化領域上から上記積層部上にかけて連続するように設けられており、該平坦化領域の上方には、該透光性電極に接続された電極金属膜１５０と、上記発光層で生じる光に対して該電極金属膜よりも高い反射率を有する反射金属膜１３０とが、該透光性電極を挟んで対向するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、高出力、高効率で信頼性に優れた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸からなる活性層１３を有する発光ダイオードにおいて、光取り出し層であるｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２の表面に光取り出し効率向上のための凹凸構造を設ける。凹凸構造は臭化水素酸を含む水溶液をエッチャントとして用い、マスクを形成する工程を用いることなく異方性エッチングにより形成する。 （もっと読む）

【課題】望ましい光抽出効率を有すると同時に、ｐ電極の接触領域を増大させ、これによりオーム接触抵抗を改善するＬＥＤを提供する。
【解決手段】発光ダイオード（ＬＥＤ）が、その製造方法とともに提供される。上記ＬＥＤは、基板１上に形成される導電性のｎ型領域２と、上記ｎ型領域上に形成される活性領域３と、上記活性領域上に形成される第１のｐ型領域４と、上記活性領域からの光抽出を行うように上記第１のｐ型領域上に形成される複数のナノ構造であって、５００ｎｍ未満の直径を有するナノ構造５と、上記第１のｐ型領域上に、上記ナノ構造との組み合わせによって非平面の表面を形成するように再成長した第２のｐ型領域６と、上記非平面の表面上に形成されるｐ型電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、基板に設けられる凹凸の形状を改善し光出力を向上させることが可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態は、発光層を含む窒化物半導体の積層体を有する半導体発光装置の製造方法であって、前記発光層から放射される発光に対して透光性の基板の表面に形成された炭素を含むマスクを用い、塩素および窒素を含む雰囲気中で前記基板を選択的にエッチングする工程と、前記基板のエッチングされた表面に、前記基板よりも屈折率が大きい窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層を含む前記積層体を前記基板上に形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体発光素子表面の微細構造体（輝度向上構造）の製造に好適に使用される単粒子膜エッチングマスクとその製造方法、該単粒子膜エッチングマスクを用いた微細構造体の製造方法および該製造方法で得られた微細構造体を光取り出し面に有する半導体発光素子に関する。
【解決手段】基板上に発光層を含む半導体多層膜を積層してなる半導体発光素子の製造方法において、下記式（１）で定義される粒子の配列のずれＤ（％）が１０％以下である単粒子膜からなるエッチングマスクを前記半導体発光素子の光取り出し面上の少なくとも一部に形成し、ドライエッチングすることにより、前記光取り出し面上の少なくとも一部に微細構造体を形成する半導体発光素子の製造方法。
Ｄ（％）＝｜Ｂ−Ａ｜×１００／Ａ・・・（１）
（式（１）中、Ａは前記粒子の平均粒径、Ｂは前記単粒子膜における前記粒子間の平均ピッチを示す。） （もっと読む）