【課題】新たな構造を有する発光素子、発光素子パッケージ及びライトユニットを提供すること。
【解決手段】一実施例による発光素子は、第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層上の活性層、前記活性層上の第２導電型半導体層を有する発光構造物と、前記第１導電型半導体層に電気的に接続された第１電極と、前記第２導電型半導体層に電気的に接続された第２電極層とを備え、前記発光構造物の表面は互いに異なる方向の曲率を有する複数個の第１面と第２面が互いに交代に配置される。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子、ウェーハ、および窒化物半導体結晶層の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆う。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１半導体層１０と、発光層３０と、第２半導体層２０と、低屈折率層６０と、を備えた半導体発光素子１１０において、前記第１半導体層は、光取り出し面を形成し窒化物半導体結晶を含む。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆い、Ａｌを含む窒化物からなる結晶を含む。前記第１半導体層のＡｌの含有量は、前記低屈折率層のＡｌの含有量よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子、窒化物半導体層成長用基板及び窒化物半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１導電形の層を含む第１半導体層と、第２導電形の層を含む第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、発光層とは反対の側の第１主面に設けられた複数の構造体を有する。複数の構造体のそれぞれは凹部、または、凸部である。複数の構造体のうちのいずれかである第１の構造体の形状の重心と、複数の構造体のうちで第１の構造体に最も近い第２の構造体の形状の重心と、は、第２軸上に並ぶ。凹部の深さをｈｂとし、凹部の底部の第２軸に沿った幅をｒｂとし、凸部の第２軸に沿った幅をＲｂとしたとき、ｒｂ／（２・ｈｂ）≦０．７、及び、ｒｂ／Ｒｂ＜１を満たす。 （もっと読む）

【課題】基部の周端面から出射する光の量の均等化を図ることができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１の方向における屈折率と、前記第１の方向に直交する第２の方向における屈折率とが異なる基部と、前記第１の方向および前記第２の方向に直交する第３の方向に設けられた発光部と、を備えている。そして、前記基部の前記第１の方向における周端面に形成された改質部の前記第３の方向における断面形状と、前記基部の前記第２の方向における周端面に形成された改質部の前記第３の方向における断面形状と、が同じとなっている。 （もっと読む）

【課題】放熱性を高め光取り出し効率を改善する半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、第１電極と、第２電極と、誘電体部と、パッド電極と、を備える。積層構造体は、第１半導体層、第２半導体層及び発光層を含む。積層構造体は、第２半導体層側の表面から第１半導体層に到達する凹部を有する。第１電極は、凹部内において第１半導体層に接する接触部と、ビア部とを有する。第２電極は第２半導体層と接し光反射する。誘電体部は、凹部内に埋め込まれる部分を有し、第１電極と第２電極との間、及び、第１半導体層と第２電極との間を電気的に絶縁する。パッド電極は、ビア部と電気的に接続され積層構造体の第１半導体層とは反対側に位置する。第１半導体層から第２半導体層へ向かう積層方向にみたときに発光層と重なる第２電極の領域の面積は、接触部の第１半導体層との接触面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】高品質で発光特性に優れた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、ｎ形層と、発光層と、ｐ形層と、透明電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記ｎ形層は、窒化物半導体を含み５００ナノメートル以下の厚さを有する。前記発光層は、前記ｎ形層の上に設けられている。前記ｐ形層は、前記発光層の上に設けられ窒化物半導体を含む。前記透明電極は、前記ｎ形層の前記発光層とは反対の面に接し、前記発光層から放出される光に対して透光性を有する。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを向上することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法は、成長用基板と、前記成長用基板との間に空隙を形成する第１凹凸形状を有するバッファ層と、前記バッファ層の前記第１凹凸形状の上に形成された窒化物半導体層と、を有する構造体の、前記窒化物半導体層の側に支持基板を接合した後、第１の処理材を用いて前記成長用基板を除去する工程と、前記成長用基板を除去した後、前記第１の処理材とは異なる第２の処理材を用いて前記バッファ層及び前記窒化物半導体層の厚さを減少させて、前記窒化物半導体層に前記第１凹凸形状を反映した凹第２凸形状を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハー加工の工程数を大幅に減らすことができ、製造に要する時間とコストを大幅に低減できると共に、半導体ウェハーに新たな機能を付与することもできる導電性半導体ウェハーの製造方法を提供する。
【解決手段】導電性半導体からなるウェハブランク１を加工して半導体ウェハー２の形状に整形する導電性半導体ウェハーの製造方法において、加工電極１３，１４に、整形する半導体ウェハー２の形状に応じた座繰り部１５，１８を形成し、その加工電極１３，１４をウェハブランク１に近接させて放電加工し、ウェハブランク１を半導体ウェハー２の形状に整形する方法である。 （もっと読む）

【課題】基板に凹凸を形成した発光素子、その基板において、好適な特性を有するものを提供する。
【解決手段】基板10の第１主面上に、半導体20の発光構造を有する半導体発光素子100において、前記基板10の第１主面に、基板凸部11を有し、該凸部の底面14が上面13より断面幅広であり、若しくは基板面において底面14内に上面13が内包されており、該底面14の形状が略多角形状であり、該上面13が略円形状若しくは前記底面14の構成辺より多い構成辺の略多角形状である。 （もっと読む）