【課題】活性層にダメージを与えることなく、動作電圧を低下させることを可能にする。
【解決手段】｛０００１｝面から＜１−１００＞方向への第１傾斜角度が０°以上４５°以下であってかつ＜１１−２０＞方向への第２傾斜角度が０°以上１０°以下であり、第１および第２傾斜角度の少なくとも一方が０°ではない基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｎ型層を形成する工程と、ｎ型層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる活性層を形成する工程と、活性層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型第１層を形成する工程と、ｐ型第１層上に、少なくともＡｌを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を備え、上面が凹凸形状を有する凹凸層を形成する工程と、凹凸層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層を形成する工程と、を備え、凹凸層は、ｐ型不純物濃度がｐ型コンタクト層のｐ型不純物濃度より低いこと特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光の外部取り出し効率を向上させ、かつ素子の駆動電圧を低減させることのできる窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基板上に形成された反射層と、反射層上方に順次積層されたｐ型窒化物系半導体層、発光層およびｎ型窒化物系半導体層とを含む窒化物系半導体発光素子であって、ｎ型窒化物系半導体層上方に位置する光取り出し面に凹凸が形成されており、凹凸は、成長用基板上にｎ型窒化物系半導体層、発光層およびｐ型窒化物系半導体層を成長した後に該成長用基板を除去した該ｎ型窒化物系半導体層面上に該ｎ型窒化物系半導体層と同じ結晶からなる凹凸を設けることにより形成されたものである窒化物系半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】発光素子への光抽出構造の導入において、電気的特性を保ちながら光抽出効率を改善することができ、光結晶構造と共にに用いられ、最適な光抽出効率を有する発光素子を提供する。
【解決手段】反射電極と、反射電極上に位置して発光層を含む半導体層と、半導体層上に形成された光結晶と、を含んで構成される発光素子であって、反射電極と発光層の中心間の距離は、（λ／４ｎの奇数倍−α）〜（λ／４ｎの奇数倍＋α）であり、λは発光層から放出される光の波長、ｎは前記半導体層の屈折率、αは０．１０λ／ｎであることを特徴とする発光素子。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧による破損を防止できる発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例に係る発光素子は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する複数の発光セルと、前記発光セル同士の間に位置する境界領域に区分される発光構造物と、前記複数の発光セルのそれぞれの上部に配置された第１電極と、前記複数の発光セルの下に配置された第１導電層と、前記第１導電層の下に配置された少なくとも一つの第２導電層と、前記第１導電層同士の間、及び前記第１導電層と前記少なくとも一つの第２導電層との間に配置された第１絶縁層と、前記第１電極と前記少なくとも一つの第２導電層とを接続させた接続電極とを備え、前記第２導電層と前記接続電極との接続により前記発光セルは互いに直列接続する。 （もっと読む）

【課題】転位密度の低減を図ることができる半導体発光素子、及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、基板と、前記基板の第１の主面の側に設けられた第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２の半導体層と、を備えている。そして、前記基板の第１の主面には、頂部に凹部を有する突起部が複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】凸パターンを覆うｎ型窒化物半導体層を良好に形成できながら、外部量子効率を向上させることができる発光素子およびこれを含む発光素子ユニットを提供すること
【解決手段】基板２の表面３に互いに第１ピッチｐ_１を空けて離散して配置された複数の凸部１９の集合体からなる凸パターン２０において、凸部１９は、互いに第１ピッチｐ_１よりも小さい第２ピッチｐ_２を空けて当該凸部１９の頂部に離散して形成された複数の微細凸部３５の集合体からなる微細凸パターン３６と、当該微細凸パターン３６を支持するベース部３７とを含む。 （もっと読む）

【課題】発光素子の発光効率と信頼性を向上させる。
【解決手段】ｐ−型窒化物半導体層３０と、該ｐ−型窒化物半導体層３０上に位置する発光層２０と、該発光層２０上に位置するｎ−型窒化物半導体層１０と、該ｎ−型窒化物半導体層１０上に位置するエッチング障壁層４０と、該エッチング障壁層４０上に位置する光抽出構造５０と、を含んで構成され、前記エッチング障壁層４０は、前記ｎ−型窒化物半導体層１０よりも大きいエネルギーバンドギャップを有し、前記エッチング障壁層４０の少なくとも一部が前記光抽出構造５０と接している。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】接合層１８０，２２０を介して支持構造体２０と接合される発光構造体１０は、接合層１８０，２２０の上に配置され、金属材料からなる反射層を備える第１反射部と、第１反射部の上に配置される発光層１４２を備える半導体積層部１０ｓと、第１導電型クラッド層の光取り出し面となる面側の一部に配置される電極と、を有し、半導体積層部１０ｓは、電極と第１導電型クラッド層との間に、屈折率の異なる２以上の半導体層を積層した第２反射部を備え、第２反射部の側面には、金属材料からなる第３反射部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体層と透光性基板の間の反射を抑制して光の取り出し効率を向上させる。
【解決手段】半導体発光素子において、基板２の表面上に形成され発光層を含む半導体積層部１９と、基板の表面側に形成され発光層から発せられる光が入射し光の光学波長より大きく光のコヒーレント長より小さい周期で凹部又は凸部が形成された回折面２ａと、基板２の裏面側に形成され回折面２ａにて回折した光を反射して回折面へ再入射させる反射面２８と、を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子から生じた光を１つの発光素子から取り出すことができる発光装置を提供する。
【解決手段】基体と、前記基体上に設けられた端面発光型素子と、前記端面発光型素子の光出射端面内を起点とし該光出射端面に略垂直な軸と交わるように、前記基体上に設けられた発光ダイオード素子と、を備え、前記端面発光型素子は、前記発光ダイオード素子の上面よりも上に発光領域を有する発光装置である。 （もっと読む）