発光素子
【課題】高い駆動電圧による破損を防止できる発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例に係る発光素子は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する複数の発光セルと、前記発光セル同士の間に位置する境界領域に区分される発光構造物と、前記複数の発光セルのそれぞれの上部に配置された第１電極と、前記複数の発光セルの下に配置された第１導電層と、前記第１導電層の下に配置された少なくとも一つの第２導電層と、前記第１導電層同士の間、及び前記第１導電層と前記少なくとも一つの第２導電層との間に配置された第１絶縁層と、前記第１電極と前記少なくとも一つの第２導電層とを接続させた接続電極とを備え、前記第２導電層と前記接続電極との接続により前記発光セルは互いに直列接続する。
【解決手段】本発明の一実施例に係る発光素子は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する複数の発光セルと、前記発光セル同士の間に位置する境界領域に区分される発光構造物と、前記複数の発光セルのそれぞれの上部に配置された第１電極と、前記複数の発光セルの下に配置された第１導電層と、前記第１導電層の下に配置された少なくとも一つの第２導電層と、前記第１導電層同士の間、及び前記第１導電層と前記少なくとも一つの第２導電層との間に配置された第１絶縁層と、前記第１電極と前記少なくとも一つの第２導電層とを接続させた接続電極とを備え、前記第２導電層と前記接続電極との接続により前記発光セルは互いに直列接続する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施例は、発光素子、発光素子パッケージ、照明装置、及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化ガリウム（ＧａＮ）の金属有機化学気相蒸着法及び分子線成長法などの発達に伴い、高輝度及び白色光の具現が可能な赤色、緑色及び青色ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）が開発された。
【０００３】
かかるＬＥＤは、白熱灯や蛍光灯などの既存照明器具に用いられてきた水銀（Ｈｇ）のような環境有害物質が含まれていないため新環境性に優れており、かつ、長寿命、低電力消費特性などの長所を有することから、既存の光源に取って代わるものとされている。このようなＬＥＤ素子の肝心な競争要素は、高効率・高出力チップ及びパッケージング技術による高輝度の具現である。
【０００４】
高輝度を具現するには光取り出し効率を高めることが重要である。光取り出し効率を高めるために、フリップチップ（ｆｌｉｐ−ｃｈｉｐ）構造、表面凹凸の形成（ｓｕｒｆａｃｅ Ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ）、凹凸の形成されたサファイア基板（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ｓａｐｐｈｉｒｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ：ＰＳＳ）、光結晶（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ）技術、及び反射防止膜（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）構造などを用いる種々の方法が研究されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施例は、高い駆動電圧による破損を防止できる発光素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施例に係る発光素子は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する複数の発光セル、及び前記発光セル同士の間に位置する境界領域に区分される発光構造物と、前記複数の発光セルのそれぞれの上部に配置された第１電極と、前記複数の発光セルの下に配置された第１導電層と、前記第１導電層の下に配置された少なくとも一つの第２導電層と、前記第１導電層同士の間、及び前記第１導電層と前記少なくとも一つの第２導電層との間に配置された第１絶縁層と、前記第１電極と前記少なくとも一つの第２導電層とを接続させる接続電極とを備え、前記第２導電層と前記接続電極との接続により前記発光セルは互いに直列接続する。
【０００７】
前記第２導電層のそれぞれは、前記発光セルのいずれか一つを除いた残りの発光セルのそれぞれに対応して、互いに隔たって配置されるとよい。
【０００８】
前記第１導電層は、前記第２導電型半導体層の下に配置されるオーミック層と、前記オーミック層の下に配置された反射層と、前記反射層の下に配置された第１バリアー層とを備えることができる。
【０００９】
前記発光素子は、前記第２導電層の下に配置され、前記第１導電層の前記いずれか一つと電気的に接続する第２バリアー層と、前記第２導電層同士の間、及び前記第２バリアー層と前記第２導電層との間に配置された第２絶縁層とをさらに備えることができる。
【００１０】
前記接続電極は、隣接する２個の発光セルのいずれか一方における第１電極と残り他方に対応する第２導電層とを電気的に接続させることきができる。
【００１１】
前記発光素子は、前記発光セルのそれぞれと前記接続電極との間に配置されたパシベーション層と、前記境界領域に配置された保護層とをさらに備えることができる。
【００１２】
前記接続電極は、前記パシベーション層上に配置され、前記保護層及び前記第１絶縁層を貫通することができる。
【００１３】
前記第２導電層のそれぞれは、少なくとも一部が前記第１絶縁層を貫通して、対応する第１導電層と接触することができる。
【００１４】
前記第２導電層の一部分は、隣接する境界領域と垂直方向にオーバーラップすることができる。前記残りの発光セルのいずれか一つの発光セルに対応して配置された第２導電層の少なくとも一部分は、前記いずれか一つの発光セルに隣接する他の発光セルと垂直方向にオーバーラップすることができる。
【００１５】
前記第２導電層のそれぞれは、板状を有し、前記接続電極が接続するベースプレートと、前記ベースプレートから突出し、前記第１絶縁層を貫通して前記対応する第１導電層に接続する貫通部とを備えることができる。例えば、前記貫通部は、前記対応する第１導電層の第１バリアー層に接続することができる。
【００１６】
前記貫通部は、前記ベースプレートと同一の物質からなり、一体型でよい。前記貫通部は、前記ベースプレートの一側面に接することができる。前記貫通部の一辺の長さは、前記ベースプレートの一辺の長さと同一でよい。前記ベースプレートは、少なくとも一つの貫通孔を有してもよい。前記ベースプレートの上面及び下面の少なくとも一面に凸凹（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が形成されてもよい。前記ベースプレートは網構造にしてもよい。前記第２導電層は反射物質からなることができる。前記発光素子は、前記第２バリアー層の下に配置された支持層をさらに備えることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の一実施例は、高い駆動電圧による電場の集中を分散させることによって、発光素子の破損を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１実施例に係る発光素子の平面図である。
【図２】図１に示す発光素子のＡＢ線断面図である。
【図３】図１に示す発光素子をＡＢ線及びＣＤ線に沿って切断した斜視図である。
【図４】図２における第２導電層の第１実施例を示す図である。
【図５】図２における第２導電層の第２実施例を示す図である。
【図６】図２における第２導電層の第３実施例を示す図である。
【図７】図２における第２導電層の第４実施例を示す図である。
【図８】図２における第２導電層の第５実施例を示す図である。
【図９】本発明の一実施例に係る発光素子を備える発光素子パッケージを示す図である。
【図１０】本発明の一実施例に係る発光素子パッケージを備える照明装置の分解斜視図である。
【図１１】本発明の一実施例に係る発光素子パッケージを備える表示装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施例は、添付の図面及び実施例についての説明から明らかになるであろう。実施例の説明において、各層（膜）、領域、パターンまたは構造物が、基板、各層（膜）、領域、パッドまたはパターンの「上／上側（ｏｎ）」にまたは「下／下側（ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合において、「上／上側（ｏｎ）」または「下／下側（ｕｎｄｅｒ）」に「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成される場合も、「他の層を介在して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成される場合も含むことができる。また、各層の上／上部または下／下部に対する基準は、図面を基準にして説明する。
【００２０】
図面において、大きさは説明の便宜及び明確性のために誇張または省略して示してあり、各構成要素の大きさは、実際の大きさを全的に反映するものではない。なお、図面中、同一の参照番号は同一の要素を指す。以下、添付の図面を参照して、実施例に係る発光素子及びその製造方法並びに発光素子パッケージについて説明する。
【００２１】
図１は、第１実施例に係る発光素子１００の平面図であり、図２は、図１に示す発光素子１００のＡＢ線断面図である。
【００２２】
図１及び図２を参照すると、発光素子１００は、複数の発光セル（Ｐ１〜Ｐｎ、ｎ＞１の自然数）に区分される発光構造物（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）１１０と、第１電極１２０と、電流遮断層（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）１３０と、保護層１３５と、オーミック層（ｏｈｍｉｃ ｌａｙｅｒ）１４０、反射層（ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）１５０及び第１バリアー層（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）１６２を有する第１導電層（ｍｅｔａｌ ｌａｙｅｒｓ、１０１−１〜１０１−ｎ、ｎ＞１の自然数）と、第１絶縁層１７２及び第２絶縁層１７４を有する絶縁層１７０と、第２導電層（ｍｅｔａｌ ｐｌａＴｅｓ、１８０−１乃至１８０−ｊ、ｊ≧１の自然数）と、第２バリアー層１６４、接合層（ｂｏｎｄｉｎｇ ｌａｙｅｒ）１９０及び支持層（ｓｕｐｐｏｒＴｅｒ）１９５を有する第２金属層１０２と、パシベーション層（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）１８９と、接続電極（１２２−１乃至１２２−ｍ、ｍ＞１の自然数）とを備える。
【００２３】
発光構造物１１０は、光を生成し、複数の３族乃至５族元素の化合物半導体層を有することができる。図２に示すように、発光構造物１１０は、第２導電型半導体層１１６、活性層１１４及び第１導電型半導体層１１２が順に積層された構造でよい。すなわち、第２導電型半導体層１１６は、第１導電型半導体層１１２の下に配置でき、活性層１４４は、第１導電型半導体層１１２と第２導電型半導体層１１４との間に配置できる。
【００２４】
第２導電型半導体層１１６は、第２導電型ドーパントがドープされた３族−５族元素の化合物半導体でよい。第２導電型半導体層１１６は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰなどから選択でき、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントがドープされるとよい。
【００２５】
活性層１１４は、第１導電型半導体層１１２及び第２導電型半導体層１１６から提供される電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）との再結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）過程で発生するエネルギーにより光を生成することができる。活性層１１４は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）、量子点構造または量子線構造のいすれかをを有することができる。
例えば、活性層１１４が量子井戸構造である場合、活性層１１４は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する井戸層と、ＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）の組成式を有する障壁層とを備える単一または多重量子井戸構造を有することができる。井戸層は、障壁層のエネルギーバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有する物質から形成することができる。
【００２６】
第１導電型半導体層１１２は、第１導電型ドーパントがドープされた３族−５族元素の化合物半導体でよい。第１導電型半導体層１１２は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰなどから選択でき、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのｎ型ドーパントがドープされるとよい。
【００２７】
活性層１１４と第１導電型半導体層１１２との間、または活性層１１４と第２導電型半導体層１１６との間には、導電型クラッド層（ｃｌａｄ ｌａｙｅｒ）が配置されてもよく、導電型クラッド層は、窒化物半導体（例えば、ＡｌＧａＮ）で形成することができる。
発光構造物１１０は、第２導電型半導体層１１６の下に第３導電型半導体層（図示せず）をさらに備えることができ、第３導電型半導体層は、第２導電型半導体層１１６と反対の極性を有することができる。第１導電型半導体層１１２はＮ型半導体層とし、第２導電型半導体層１１６はＰ型半導体層とすることができ、よって、発光構造物１１０は、Ｎ−Ｐ接合、Ｐ−Ｎ接合、Ｎ−Ｐ−Ｎ接合及びＰ−Ｎ−Ｐ接合構造の少なくとも一つを有することができる。
【００２８】
発光構造物１１０は、複数個の互いに隔たっている発光セル（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｃｅｌｌ、Ｐ１〜Ｐｎ、ｎ＞１の自然数）、及び境界領域Ｓを有することができる。この場合、境界領域Ｓは、発光セルＰ１〜Ｐｎ（ｎ＞１の自然数）の間に位置する領域でよい。または、境界領域Ｓは、発光セルＰ１〜Ｐｎ（ｎ＞１の自然数）のそれぞれの周りに位置する領域であってもよい。一つのチップ（ｓｉｎｇｌｅ ｃｈｉｐ）の発光構造物１１０を、境界領域Ｓによって複数個の発光セルＰ１〜Ｐｎ（ｎ＞１の自然数）に区分することができる。
【００２９】
保護層１３５を境界領域Ｓ上に配置することができ、保護層１３５により発光セルＰ１〜Ｐｎ（ｎ＞１の自然数）を定義することができる。保護層１３５は、発光構造物１１０を複数の発光セルＰ１〜Ｐｎ（ｎ＞１の自然数）に区分するためのアイソレーション（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）エッチング時に発光セルＰ１〜Ｐｎ（ｎ＞１の自然数）を保護し、発光素子１００の信頼性が低下する現象を抑えることができる。保護層１３５は、電流遮断層１３０と同一の物質で形成することかできる。
【００３０】
例えば、図１に示す発光構造物１１０は、９個の発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）、及び発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）の間または発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの周りに位置する境界領域Ｓにより区分することができる。
【００３１】
発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれは、第２導電型半導体層１１６、活性層１１４及び第１導電型半導体層１１２が垂直方向に積層された形態でよい。ここで、垂直方向は、第２導電型半導体層１１６から第１導電型半導体層１１２に向かう方向、または支持層１９０と垂直な方向でよい。
【００３２】
第１電極１２０は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）上に配置される。すなわち、第１電極１２０は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの第１導電型半導体層１１２上に配置されるとよい。第１電極１２０は、所定のパターン形状であればよく、図１に示すパターンに限定されることなく、様々な形態を有してもよい。
【００３３】
第１導電型半導体層１１２の上面は、光取り出し効率を増大させるために凸凹（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）１１２−１を形成することができる。また、光取り出し効率を増大させるために、第１電極１２０の表面にも凸凹（図示せず）を形成することができる。
【００３４】
例えば、第１電極１２０は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの第１導電型半導体層１１２の上面縁に沿って配置された外部電極９２、及び外部電極９２の内部に配置された内部電極９４を有することができる。
【００３５】
電流遮断層１３０は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの第２導電型半導体層１１６の下に配置され、第２導電型半導体層１１６の下面に接することができる。
【００３６】
例えば、電流遮断層１３０は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの第２導電型半導体層１１６の下面の一部領域上に配置される。電流遮断層１３０は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの特定領域に電流が集中する現象を緩和し、発光素子１００の発光効率を向上させることができる。
【００３７】
電流遮断層１３０は、第１電極１２０に対応して配置され、垂直方向に第１電極１２０と少なくとも一部がオーバーラップする。電流遮断層１３０は、第１電極１２０のパターンに対応するパターン形状を有することができる。ここでいう垂直方向は、第２導電型半導体層１１２から第１導電型半導体層１１６に向かう方向でよい。
【００３８】
電流遮断層１３０は、反射層１５０またはオーミック層１４０に比べて電気伝導性が低い物質、第２導電型半導体層１１６とショットキー接触を形成する物質、または電気絶縁性物質を用いて形成することができる。例えば、電流遮断層１３０は、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒの少なくとも一つを含むことができる。
【００３９】
第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれは、複数の発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）の対応するいずれか一つの第２導電型半導体層１１６の下に互いに隔たって配置されればよい。第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれは、オーミック層１４０、反射層１５０及び第１バリアー層１６２を有することができる。
オーミック層１４０は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの下に配置され、第２導電型半導体層１１６とオーミック接触する。オーミック層１４０は、第１導電層１０１から発光構造物１１０に電源を円滑に供給させる役割を果たす。例えば、オーミック層１４０は、Ｉｎ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｎｉ、及びＰｔの少なくとも一つを含むことができる。オーミック層１４０は、電流遮断層１３０の側面及び下面を覆うことができる。
【００４０】
反射層１５０は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれのオーミック層１４０の下に配置され、発光構造物１１０から入射する光を反射させ、発光素子１００の光取り出し効率を向上させることができる。反射層１５０は、オーミック層１４０の最外側面に接し、オーミック層１４０の周りを覆うことができる。
【００４１】
反射層１５０は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆの少なくとも一つを含む金属またはこれらの合金で形成することができる。また、反射層１５０は、金属または合金と、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）などの投光性伝導性物質と、を用いて多層に形成してもよい。例えば、反射層１５０は、ＩＺＯ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ、ＩＺＯ／Ａｇ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ／Ｎｉなどに形成できる。
【００４２】
他の実施例では、オーミック層１４０を別に形成せずに、反射層１５０に用いられる物質として第２導電型半導体層１１６とオーミック接触をする物質を選択し、反射層１５０が第２導電型半導体層１１６とオーミック接触をなすようにしてもよい。
【００４３】
第１バリアー層１６２は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれに対応する反射層１５０の下に配置され、支持層１９５の金属イオンが反射層１５０及びオーミック層１４０に伝達または拡散することを防止する。第１バリアー層１６２は、バリアー金属物質、例えば、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏの少なくとも一つを含み、単一層（ｓｉｎｇｌｅ ｌａｙｅｒ）または多層（ｍｕｌｔｉ ｌａｙｅｒ）でよい。
【００４４】
第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１の自然数）は、第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）の下に互いに隔たって配置される。第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１の自然数）は、導電物質、例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗの少なくとも一つまたはこれらの合金で形成できる。
【００４５】
また、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１の自然数）は、導電物質であるとともに反射物質であるとよい。例えば、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１の自然数）を、反射層１５０と同一の物質で形成することができる。この場合、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１の自然数）は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）から入射する光を反射させ、光取り出し効率を向上させることができる。
【００４６】
第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１の自然数）のそれぞれは、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のいずれか一つ除いた残りの発光セルＰ２〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれに対応して配置することができる。
【００４７】
例えば、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）のそれぞれは、第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）のいずれか一つを除いた残りのそれぞれに対応して配置され、対応するいずれか一つと電気的に接続することができる。
【００４８】
第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）のそれぞれは、第１発光セルＰ１を除いた残りの発光セルＰ２〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの下に位置する第１導電層１０１−２〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）に対応して配置されてもよい。
【００４９】
例えば、第１第２導電層１８０−１は、第２発光セルＰ２における第１導電層１０１−２に対応して配置され、第２発光セルＰ２における第１導電層１０１−２と電気的に接続することができる。
【００５０】
第１絶縁層１７２は、第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）の周りを覆う。第１絶縁層１７２は、第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）の間、及び第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）と第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）との間に配置されることが可能である。
【００５１】
第１絶縁層１７２は、第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）同士を電気的に絶縁させ、第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）と第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）とを電気的に絶縁させることができる。
【００５２】
第２バリアー層１６４は、第１絶縁層１７２の下に配置され、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のいずれか一つの下に配置された第１導電層（例えば、１０１−１）に電気的に接続することができる。
【００５３】
例えば、第２バリアー層１６４は、第２絶縁層１７４の下に配置されて、第１発光セルＰ１の下に配置された第１導電層１０１−１と電気的に接触することができる。
【００５４】
後述する支持層１９５とボンディングされる第２バリアー層１６４を介して第１発光セルＰ１における第１導電層（例えば、１０１−１）には第２電源（例えば、正の電源）が供給されることが可能である。
【００５５】
第２バリアー層１６４は、第１バリアー層１６２と同一の物質にすることができ、単一層または多層でよい。
【００５６】
第２絶縁層１７４は、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）の間、及び第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）と第２バリアー層１６４との間に配置することができる。すなわち、第２絶縁層１７４は、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）同士を電気的に絶縁させ、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）と第２バリアー層１６４とを電気的に絶縁させることができる。
【００５７】
第１絶縁層１７２及び第２絶縁層１７４は、絶縁物質、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ２、ＡｌＮの少なくとも一つで形成でき、単層または多層でよい。
【００５８】
第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）のそれぞれは、少なくとも一部が第１絶縁層１７２を貫通して、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）のそれぞれに対応する第１導電層１０１−２〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）と接触することができる。
【００５９】
例えば、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）のそれぞれは、少なくとも一部が第１絶縁層１７２を貫通して、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）のそれぞれに対応する第１バリアー層１６２と接触することができる。
【００６０】
第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）のそれぞれを、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のいずれか一つ（例えば、Ｐ１）を除いた残りの発光セルＰ２〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）における第１導電層１０１−２〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）に対応して配置することができる。
【００６１】
残りの発光セルＰ２〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれに対応して配置される第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）の一部分は、隣接する境界領域Ｓと垂直方向にオーバーラップすることができる。例えば、第２発光セルＰ２に対応して配置される第１第２導電層１８０−１は、第２発光セルＰ２に隣接する境界領域Ｓと垂直方向にオーバーラップするように拡張可能である。
【００６２】
また、残りの発光セルＰ２〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のいずれか一つの発光セル（例えば、Ｐ２）に対応して配置される第２導電層（例えば、１８０−１）の少なくとも一部分は、上記いずれか一つの発光セル（例えば、Ｐ２）に隣接する他の発光セル（例えば、Ｐ１）と垂直方向にオーバーラップすることができる。ここでいう垂直方向は、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）から発光セル１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）に向かう方向、または、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）に垂直な上側方向でよい。
【００６３】
支持層１９５は、第２バリアー層１６４の下に配置され、発光構造物１１０を支持するとともに、第１電極１２０と共に発光構造物１１０に電源を提供する。支持層１９０は伝導性であり、例えば、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）のような金属物質、またはＳｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、及びＳｉＧｅの少なくとも一つを含む半導体物質で形成できる。
【００６４】
接合層１９０は、第２バリアー層１６４と支持層１９５との間に配置される。接合層１９０は、第２バリアー層１６４と支持層１９５との間で両者を接合することができる。接合層１９０は、支持層１９５をボンディング方式で接合するために形成されるもので、支持層１９５をメッキや蒸着方法で形成する場合または支持層１９５が半導体層である場合は、接合層１９０を省ければよい。接合層１９０は、Ａｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｇ及びＰｄの少なくとも一つを含むことができる。
【００６５】
パシベーション層１８９は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの側面及び／または上面上に配置することができる。例えば、パシベーション層１８９は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれに属する第１導電型半導体層１１２の側面、活性層１１４の側面、及び第２導電型半導体層１１６の側面上に配置することができ、かつ、パシベーション層１８9は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの第１導電型半導体層１１２の上面上に配置することができる。第１電極１２０はパシベーション層１８９から露出されるように構成できる。
【００６６】
接続電極１２２−１〜１２２−ｍ（ｍ＞１の自然数）は、隣接する２個の発光セルのいずれか一方における第１導電型半導体層１１２上に配置された第１電極１２０と、いずれか他方における第１導電層に対応して配置された第２導電層とを電気的に接続させる。
【００６７】
例えば、第１接続電極１２２−１は、第１発光セルＰ１における第１電極１２０と、第２発光セルＰ２における第１導電層１０１−２に対応する第１第２導電層１８０−１とを電気的に接続させることができる。
【００６８】
接続電極１２２−１〜１２２−ｍ（ｍ＞１の自然数）は、パシベーション層１８9上に配置することができ、接続電極１２２−１〜１２２−ｍ（ｍ＞１の自然数）は、境界領域Ｓ上の保護層１３５及び境界領域Ｓの下に位置する第１絶縁層１７２を貫通して、隣接する発光セルのいずれか一方における第１電極１２０と、残りのいずれか他方における第２導電層（１８０−１〜１８０−ｊのいずれか一方、例えば、ｊ＝８）とを電気的に接続させることができる。
【００６９】
接続電極１２２−１〜１２２−ｍ（ｍ＞１の自然数）及び第２導電層（１８０−１〜１８０−ｊ）によって発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）は互いに直列接続することができる。
【００７０】
そして、直列接続する発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のいずれか一方（例えば、Ｐ９における第１電極１２０）は、パッド部１２１ａ，１２１ｂをさらに備えることができる。パッド部１２１ａ、１２１ｂは、第１電源（例えば、負（−）の電源）を供給するためにワイヤー（ｗｉｒｅ）がボンディングされる領域でよい。
【００７１】
図３は、図１に示す発光素子１００をＡＢ線及びＣＤ線に沿って切断した斜視図であり、図４は、図２に示す第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）の第１実施例（１８１）を示している。
【００７２】
図３及び図４を参照すると、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）のそれぞれは、ベースプレート（ｂａｓｅｐｌａｔｅ）４０１及び貫通部４０２を有する。
【００７３】
ベースプレート４０１は、一定の面積（縦Ｌ１×横Ｌ２）及び厚さｔを有する板状のもので、第１導電層１０１のそれぞれの下に配置される。図４で、ベースプレート４０１は、長方形状のものを示したが、実施例はこれに限定されず、ベースプレート４０１は、円形、楕円形、または多角形などの様々な形状を有することができる。
ベースプレート４０１は、第１発光セルＰ１を除いた残りの発光セルＰ２〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれに対応して第１絶縁層１７２と第２絶縁層１７４との間に配置され、ベースプレート４０１の一領域に接続電極１２２−１〜１２２−ｍ（ｍ＞１の自然数）が電気的に接続することができる。
【００７４】
残りの発光セルＰ２〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のいずれか一方の発光セル（例えば、Ｐ２）に対応して配置されるベースプレート４０１の少なくとも一部分は、隣接する境界領域Ｓ及び隣接する他方の発光セル（例えば、Ｐ１）と垂直方向にオーバーラップすることができる。例えば、第２発光セルＰ２に対応して配置されるベースプレート４０１の少なくとも一部分は、隣接する境界領域Ｓ及び第１発光セルＰ１と垂直方向にオーバーラップすることができる。
【００７５】
残りの発光セルＰ２〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のいずれか一方の発光セル（例えば、Ｐ３）に対応して配置されるベースプレート１８０の少なくとも一部分は、隣接する境界領域Ｓ及び隣接する他方の発光セル（例えば、Ｐ２）と垂直方向にオーバーラップすることができる。
【００７６】
貫通部４０２は、ベースプレート４０１の一領域に連結されるとともに、ベースプレート４０１から突出する。貫通部４０２は、第１絶縁層１７２を貫通して、対応する第１導電層に連結される。例えば、貫通部４０２は第１絶縁層１７２を貫通して第１バリアー層１６２に連結されるとよい。
【００７７】
貫通部４０２はベースプレート４０１と同一の物質で形成でき、ベースプレート４０１と一体型でよい。貫通部４０２は突起形態のもので、横及び縦の長さが第２導電層４０１の横の長さＬ２及び縦の長さＬ１よりも小さくてよい。
【００７８】
また、貫通部４０２は、ベースプレート４０１の上面のいずれかの一部分に配置することができ、図４に示す実施例の貫通部４０２は、ベースプレート４０１の一側面に接して配置されているが、実施例はこれに限定されるものではなく、ベースプレート４０１の側面から離れて配置されてもよい。
【００７９】
図５は、図２に示す第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）の第２実施例（１８２）を示している。図４におけると同一の図面符号は同一の構成を示し、上述した内容の重複説明は省略したり簡略に説明する。
【００８０】
図５を参照すると、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）のそれぞれは、ベースプレート４０１及び貫通部４０２−１を有する。貫通部４０２−１は、突起形態のもので、一辺の長さ（例えば、縦の長さ）Ｋが、ベースプレート４０１の一辺の長さ（例えば、縦の長さ）Ｌ１と同一であってもよい（Ｋ＝Ｌ１）。
【００８１】
図６は、図２に示す第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）の第３実施例（１８３）を示している。図４におけると同一の図面符号は同一の構成を示し、上述した内容の重複説明は省略したり簡略に説明する。
【００８２】
図６を参照すると、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）のそれぞれは、ベースプレート５０１及び貫通部４０２を有する。ベースプレート５０１は、少なくとも一つの貫通孔５０２を有してもよい。そして、貫通部４０２は、少なくとも一つの貫通孔５０２から隔たって配置されればよい。
【００８３】
少なくとも一つの貫通孔５０２には第２絶縁層１７４を埋め込むことができ、第２絶縁層１７４は少なくとも一つの貫通孔５０２を通じて第１絶縁層１７２と接触できる。少なくとも一つの貫通孔５０２は、第１絶縁層１７２と第２絶縁層１７４との接着力（ａｄｈｅｓｉｏｎ）を向上させることができる。
【００８４】
図６で、貫通孔５０２を円形にしたが、本発明の実施例はこれに限定されるものではなく、貫通孔５０２は、円形、楕円形、または多角形などの様々な形態にしてもよい。
【００８５】
図７は、図２に示す第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）の第４実施例（１８４）を示している。図４におけると同一の図面符号は同一の構成を示し、上述した内容の重複説明は省略したり簡略に説明する。
【００８６】
図７を参照すると、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）のそれぞれは、ベースプレート６０１及び貫通部４０２を有する。ベースプレート６０１の上面及び下面の少なくとも一面には凸凹（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）６０２が形成されてもよい。この場合、凸凹６０２は規則的であっても、不規則的であってもよい。凸凹６０２は、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）と第１絶縁層１７２との接着力または／及び第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）と第２絶縁層１７４との接着力を向上させることができる。
【００８７】
図８は、図２に示す第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）の第５実施例（１８５）を示している。図５を参照すると、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）のそれぞれは、網構造（ｍｅｓｈｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有するベースプレート７０１、及びベースプレート７０１の一領域と連結されるとともに、第１絶縁層１７２を貫通して第１導電層１０１（例えば、第１バリアー層１６２）と接触する貫通部７０２を有する。網構造を有するベースプレート７０１によって、本実施例は、第１絶縁層１７２と第２絶縁層１７４との接着力を向上させることができる。
【００８８】
一般に、直列接続する複数の発光セルを有する発光構造物に、高い駆動電圧を有する電源が印加される場合に、電源の直接印加される発光セル及びこれと隣接している発光セルに最大の電場が集中し、電場の集中した発光セルが破損することがある。
【００８９】
本実施例は、第２金属層１０２、第２バリアー層１６４、第１導電層１０１−１を通じて発光構造物１１０に第２電源（例えば、正（＋）の電源）が供給され、第９発光セルＰ９における第１電極１２０及びパッド部１２１ａ，１２１ｂを通じて発光構造物１１０に第１電源（例えば、負（−）の電源）が供給されることが可能である。そして、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれは、接続電極１２２−１〜１２２−ｍ（例えば、ｍ＝８）及び第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）によって互いに直列接続することができる。
【００９０】
そのため、発光構造物１１０に高い駆動電圧が印加される場合に、本実施例は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）同士を直列接続する第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）により、第１発光セルＰ１及び第２発光セルＰ２に集中する電場（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ）を分散させることによって、発光素子１００が破壊することを防止できる。すなわち、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）は、電流の伝達経路を長くすることによって、高い駆動電圧により発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）が破損することを防止する役割を果たすことができる。
【００９１】
図９は、本発明の一実施例に係る発光素子を備える発光素子パッケージを示す図である。
【００９２】
図９を参照すると、本実施例に係る発光素子パッケージは、パッケージ胴体６１０、第１リードフレーム６１２、第２リードフレーム６１４、発光素子６２０、反射板６２５、ワイヤー６３０、及び封止層６４０を備える。
パッケージ胴体６１０は、一側領域にキャビティー（ｃａｖｉｔｙ）が形成されている構造を有する。ここで、キャビティーの側壁は傾斜するように形成されるとよい。パッケージ胴体６１０は、シリコンベースのウエハーレベルパッケージ（ｗａｆｅｒ ｌｅｖｅｌ ｐａｃｋａｇｅ）、シリコン基板、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｎｉｔｒｉｄｅ）、ＡｌＮなどのように絶縁性または熱伝導度に優れた基板で形成でき、複数個の基板が積層されている構造でよい。実施例は、上述した胴体の材質、構造、及び形状に限定されない。
【００９３】
第１リードフレーム６１２及び第２リードフレーム６１４は、熱排出や発光素子の装着を考慮して、互いに電気的に分離されるようにパッケージ胴体６１０の表面に配置することができる。発光素子６２０は、第１リードフレーム６１２及び第２リードフレーム６１４と電気的に接続する。ここで、発光素子６２０は、本発明の実施例に係る発光素子１００にすることができる。
【００９４】
例えば、図２に示す発光素子１００の第２金属層１０２は、第２リードフレーム６１４に電気的に接続し、ワイヤー６３０によって第９発光セルＰ９のパッド部１２１ａ，１２１ｂは第１リードフレーム６１２にボンディングされる。
【００９５】
反射板６２５は、発光素子６２０から放出される光を所定の方向に向かわせるように、パッケージ胴体６１０のキャビティー側壁に形成される。反射板６２５は、光反射物質で構成されており、例えば、金属コーティングまたは金属薄片でよい。
【００９６】
封止層６４０は、パッケージ胴体６１０のキャビティー内に配置されている発光素子６２０を包囲して、発光素子６２０を外部環境から保護する。封止層６４０は、エポキシまたはシリコンのような無色透明な高分子樹脂材質からなる。封止層６４０は、発光素子６２０から放出された光の波長を変化させるように、蛍光体を含むことができる。発光素子パッケージは、以上述べた実施例の発光素子の少なくとも一つを搭載できるが、これに限定されるわけではない。
【００９７】
本実施例に係る発光素子パッケージは複数個が基板上にアレイされ、発光素子パッケージの光経路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどが配置されるとよい。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材は、バックライトユニットとして機能できる。
【００９８】
さらに他の実施例は、以上述べた実施例に記載された発光素子または発光素子パッケージを含む表示装置、指示装置、照明システムとすることができ、例えば、照明システムは、ランプ、街灯を含むことができる。
【００９９】
図１０は、本発明の一実施例に係る発光素子パッケージを備える照明装置の分解斜視図である。図１０を参照すると、照明装置は、光を投射する光源７５０と、光源７５０が内蔵されるハウジング７００と、光源７５０の熱を放出する放熱部７４０と、光源７５０及び放熱部７４０をハウジング７００に結合させるホルダー７６０とを備える。
【０１００】
ハウジング７００は、電気ソケット（図示せず）に結合するソケット結合部７１０と、ソケット結合部７１０と連結され、光源７５０が内蔵される胴体部７３０とを備える。胴体部７３０を貫通して空気流動口７２０を設けてもよい。
【０１０１】
ハウジング７００の胴体部７３０上に複数個の空気流動口７２０が設けられ、空気流動口７２０は一つでも複数個でもよい。空気流動口７２０は、胴体部７３０に放射状に配置されてもよく、その他の様々な形態に配置されてもよい。
【０１０２】
光源７５０は、基板７５４上に設けられる複数個の発光素子パッケージ７５２を備える。基板７５４はハウジング７００の開口部にはめ込まれるような形状であればよく、後述するように、放熱部７４０に熱を伝達するために、熱伝導率の高い物質からなるとよい。複数個の発光素子パッケージは上述の実施例のものでよい。
【０１０３】
光源７５０の下部にはホルダー７６０が備えられ、ホルダー７６０は、フレーム及び空気流動口を有することができる。また、図示はしないが、光源７５０の下部には光学部材が設けられて、光源７５０の発光素子パッケージ７５２から投射する光を拡散、散乱または収斂することができる。
【０１０４】
図１１には、本発明の一実施例に係る発光素子パッケージを備える表示装置を示す。
【０１０５】
図１１を参照すると、表示装置８００は、ボトムカバー８１０と、ボトムカバー８１０上に配置された反射板８２０と、光を放出する発光モジュール８３０，８３５と、反射板８２０の前方に配置され、前記発光モジュール８３０，８３５から発する光を表示装置の前方に案内する導光板８４０と、導光板８４０の前方に配置されたプリズムシート８５０，８６０を有する光学シートと、光学シートの前方に配置されたディスプレイパネル８７０と、ディスプレイパネル８７０に連結され、ディスプレイパネル８７０に画像信号を供給する画像信号出力回路８７２と、ディスプレイパネル８７０の前方に配置されたカラーフィルタ８８０とを備えることができる。ここで、ボトムカバー８１０、反射板８２０、発光モジュール８３０，８３５、導光板８４０、及び光学シートは、バックライトユニット（Ｂａｃｋｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ）を構成することができる。
【０１０６】
発光モジュールは、基板８３０上に発光素子パッケージ８３５を含んでなる。ここで、基板８３０にはＰＣＢなどを用いることができる。発光素子パッケージ８３５には、実施例に係る発光素子パッケージを用いることができる。
【０１０７】
ボトムカバー８１０は、表示装置８００内の構成要素を収納することができる。そして、反射板８２０は、同図のように別個の構成要素にしてもよく、導光板８４０の背面やボトムカバー８１０の前面に、反射度の高い物質でコーティングされる形態にしてもよい。
【０１０８】
ここで、反射板８２０は、反射率が高いとともに超薄型に形成可能な素材を用いるとよく、ポリエチレンテレフタルレート（ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔａｌａｔｅ；ＰＥＴ）を用いることができる。
【０１０９】
そして、導光板８３０は、ポリメチルメタクリレート（ＰｏｌｙＭｅｔｈｙｌＭｅｔｈＡｃｒｙｌａｔｅ；ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ；ＰＣ）、またはポリエチレン（ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＥ）などで形成できる。
【０１１０】
そして、第１プリズムシート８５０は、支持フィルムの一面に、投光性及び弾性を有する重合体材料で形成でき、重合体は、複数個の立体構造が反復して形成されたプリズム層を有することができる。ここで、複数個のパターンは、図示のように、谷と山が反復される縞状にすることができる。
【０１１１】
そして、第２プリズムシート８６０において、支持フィルムの一面における谷と山の方向は、第１プリズムシート８５０の支持フィルムの一面における谷と山の方向と垂直であるとよい。これは、発光モジュール及び反射シートから伝達される光をディスプレイパネル１８７０の前面へ均一に分散するためである。
【０１１２】
そして、図示はしないが、導光板８４０と第１プリズムシート８５０との間に拡散シートが配置されてもよい。拡散シートは、ポリエステルとポリカーボネート系の材料で形成でき、バックライトユニットから入射する光を屈折及び散乱させて光投射角を最大化することができる。そして、拡散シートは、光拡散剤を含む支持層と、光出射面（第１プリズムシート方向）及び光入射面（反射シート方向）に形成され、光拡散剤を含んでいない第１レイヤー及び第２レイヤーとを備えることができる。
【０１１３】
本実施例では拡散シート、第１プリズムシート８５０及び第２プリズムシート８６０が光学シートをなすとしたが、光学シートは、他の組み合わせ、例えば、マイクロレンズアレイ、拡散シートとマイクロレンズアレイとの組み合わせ、または一つのプリズムシートとマイクロレンズアレイとの組み合わせなどにしてもよい。
【０１１４】
ディスプレイパネル８７０としては、液晶表示パネル（Ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）を配置できるか、液晶表示パネル８６０の他にも、光源を必要とするいかなる種類の表示装置も配置可能である。
【０１１５】
以上、本発明の実施例に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施例に含まれるもので、必ずしも一つの実施例にのみ限定されるものではない。なお、各実施例で例示された特徴、構造、効果などは、実施例の属する分野における通常の知識を有する者であれば、他の実施例に対しても組み合わせまたは変形して実施可能である。したがって、それらの組み合わせ及び変形に関連した内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈すべきである。
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施例は、発光素子、発光素子パッケージ、照明装置、及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化ガリウム（ＧａＮ）の金属有機化学気相蒸着法及び分子線成長法などの発達に伴い、高輝度及び白色光の具現が可能な赤色、緑色及び青色ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）が開発された。
【０００３】
かかるＬＥＤは、白熱灯や蛍光灯などの既存照明器具に用いられてきた水銀（Ｈｇ）のような環境有害物質が含まれていないため新環境性に優れており、かつ、長寿命、低電力消費特性などの長所を有することから、既存の光源に取って代わるものとされている。このようなＬＥＤ素子の肝心な競争要素は、高効率・高出力チップ及びパッケージング技術による高輝度の具現である。
【０００４】
高輝度を具現するには光取り出し効率を高めることが重要である。光取り出し効率を高めるために、フリップチップ（ｆｌｉｐ−ｃｈｉｐ）構造、表面凹凸の形成（ｓｕｒｆａｃｅ Ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ）、凹凸の形成されたサファイア基板（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ｓａｐｐｈｉｒｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ：ＰＳＳ）、光結晶（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ）技術、及び反射防止膜（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）構造などを用いる種々の方法が研究されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施例は、高い駆動電圧による破損を防止できる発光素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施例に係る発光素子は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する複数の発光セル、及び前記発光セル同士の間に位置する境界領域に区分される発光構造物と、前記複数の発光セルのそれぞれの上部に配置された第１電極と、前記複数の発光セルの下に配置された第１導電層と、前記第１導電層の下に配置された少なくとも一つの第２導電層と、前記第１導電層同士の間、及び前記第１導電層と前記少なくとも一つの第２導電層との間に配置された第１絶縁層と、前記第１電極と前記少なくとも一つの第２導電層とを接続させる接続電極とを備え、前記第２導電層と前記接続電極との接続により前記発光セルは互いに直列接続する。
【０００７】
前記第２導電層のそれぞれは、前記発光セルのいずれか一つを除いた残りの発光セルのそれぞれに対応して、互いに隔たって配置されるとよい。
【０００８】
前記第１導電層は、前記第２導電型半導体層の下に配置されるオーミック層と、前記オーミック層の下に配置された反射層と、前記反射層の下に配置された第１バリアー層とを備えることができる。
【０００９】
前記発光素子は、前記第２導電層の下に配置され、前記第１導電層の前記いずれか一つと電気的に接続する第２バリアー層と、前記第２導電層同士の間、及び前記第２バリアー層と前記第２導電層との間に配置された第２絶縁層とをさらに備えることができる。
【００１０】
前記接続電極は、隣接する２個の発光セルのいずれか一方における第１電極と残り他方に対応する第２導電層とを電気的に接続させることきができる。
【００１１】
前記発光素子は、前記発光セルのそれぞれと前記接続電極との間に配置されたパシベーション層と、前記境界領域に配置された保護層とをさらに備えることができる。
【００１２】
前記接続電極は、前記パシベーション層上に配置され、前記保護層及び前記第１絶縁層を貫通することができる。
【００１３】
前記第２導電層のそれぞれは、少なくとも一部が前記第１絶縁層を貫通して、対応する第１導電層と接触することができる。
【００１４】
前記第２導電層の一部分は、隣接する境界領域と垂直方向にオーバーラップすることができる。前記残りの発光セルのいずれか一つの発光セルに対応して配置された第２導電層の少なくとも一部分は、前記いずれか一つの発光セルに隣接する他の発光セルと垂直方向にオーバーラップすることができる。
【００１５】
前記第２導電層のそれぞれは、板状を有し、前記接続電極が接続するベースプレートと、前記ベースプレートから突出し、前記第１絶縁層を貫通して前記対応する第１導電層に接続する貫通部とを備えることができる。例えば、前記貫通部は、前記対応する第１導電層の第１バリアー層に接続することができる。
【００１６】
前記貫通部は、前記ベースプレートと同一の物質からなり、一体型でよい。前記貫通部は、前記ベースプレートの一側面に接することができる。前記貫通部の一辺の長さは、前記ベースプレートの一辺の長さと同一でよい。前記ベースプレートは、少なくとも一つの貫通孔を有してもよい。前記ベースプレートの上面及び下面の少なくとも一面に凸凹（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が形成されてもよい。前記ベースプレートは網構造にしてもよい。前記第２導電層は反射物質からなることができる。前記発光素子は、前記第２バリアー層の下に配置された支持層をさらに備えることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の一実施例は、高い駆動電圧による電場の集中を分散させることによって、発光素子の破損を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１実施例に係る発光素子の平面図である。
【図２】図１に示す発光素子のＡＢ線断面図である。
【図３】図１に示す発光素子をＡＢ線及びＣＤ線に沿って切断した斜視図である。
【図４】図２における第２導電層の第１実施例を示す図である。
【図５】図２における第２導電層の第２実施例を示す図である。
【図６】図２における第２導電層の第３実施例を示す図である。
【図７】図２における第２導電層の第４実施例を示す図である。
【図８】図２における第２導電層の第５実施例を示す図である。
【図９】本発明の一実施例に係る発光素子を備える発光素子パッケージを示す図である。
【図１０】本発明の一実施例に係る発光素子パッケージを備える照明装置の分解斜視図である。
【図１１】本発明の一実施例に係る発光素子パッケージを備える表示装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施例は、添付の図面及び実施例についての説明から明らかになるであろう。実施例の説明において、各層（膜）、領域、パターンまたは構造物が、基板、各層（膜）、領域、パッドまたはパターンの「上／上側（ｏｎ）」にまたは「下／下側（ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合において、「上／上側（ｏｎ）」または「下／下側（ｕｎｄｅｒ）」に「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成される場合も、「他の層を介在して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成される場合も含むことができる。また、各層の上／上部または下／下部に対する基準は、図面を基準にして説明する。
【００２０】
図面において、大きさは説明の便宜及び明確性のために誇張または省略して示してあり、各構成要素の大きさは、実際の大きさを全的に反映するものではない。なお、図面中、同一の参照番号は同一の要素を指す。以下、添付の図面を参照して、実施例に係る発光素子及びその製造方法並びに発光素子パッケージについて説明する。
【００２１】
図１は、第１実施例に係る発光素子１００の平面図であり、図２は、図１に示す発光素子１００のＡＢ線断面図である。
【００２２】
図１及び図２を参照すると、発光素子１００は、複数の発光セル（Ｐ１〜Ｐｎ、ｎ＞１の自然数）に区分される発光構造物（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）１１０と、第１電極１２０と、電流遮断層（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）１３０と、保護層１３５と、オーミック層（ｏｈｍｉｃ ｌａｙｅｒ）１４０、反射層（ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）１５０及び第１バリアー層（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）１６２を有する第１導電層（ｍｅｔａｌ ｌａｙｅｒｓ、１０１−１〜１０１−ｎ、ｎ＞１の自然数）と、第１絶縁層１７２及び第２絶縁層１７４を有する絶縁層１７０と、第２導電層（ｍｅｔａｌ ｐｌａＴｅｓ、１８０−１乃至１８０−ｊ、ｊ≧１の自然数）と、第２バリアー層１６４、接合層（ｂｏｎｄｉｎｇ ｌａｙｅｒ）１９０及び支持層（ｓｕｐｐｏｒＴｅｒ）１９５を有する第２金属層１０２と、パシベーション層（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）１８９と、接続電極（１２２−１乃至１２２−ｍ、ｍ＞１の自然数）とを備える。
【００２３】
発光構造物１１０は、光を生成し、複数の３族乃至５族元素の化合物半導体層を有することができる。図２に示すように、発光構造物１１０は、第２導電型半導体層１１６、活性層１１４及び第１導電型半導体層１１２が順に積層された構造でよい。すなわち、第２導電型半導体層１１６は、第１導電型半導体層１１２の下に配置でき、活性層１４４は、第１導電型半導体層１１２と第２導電型半導体層１１４との間に配置できる。
【００２４】
第２導電型半導体層１１６は、第２導電型ドーパントがドープされた３族−５族元素の化合物半導体でよい。第２導電型半導体層１１６は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰなどから選択でき、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントがドープされるとよい。
【００２５】
活性層１１４は、第１導電型半導体層１１２及び第２導電型半導体層１１６から提供される電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）との再結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）過程で発生するエネルギーにより光を生成することができる。活性層１１４は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）、量子点構造または量子線構造のいすれかをを有することができる。
例えば、活性層１１４が量子井戸構造である場合、活性層１１４は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する井戸層と、ＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）の組成式を有する障壁層とを備える単一または多重量子井戸構造を有することができる。井戸層は、障壁層のエネルギーバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有する物質から形成することができる。
【００２６】
第１導電型半導体層１１２は、第１導電型ドーパントがドープされた３族−５族元素の化合物半導体でよい。第１導電型半導体層１１２は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰなどから選択でき、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのｎ型ドーパントがドープされるとよい。
【００２７】
活性層１１４と第１導電型半導体層１１２との間、または活性層１１４と第２導電型半導体層１１６との間には、導電型クラッド層（ｃｌａｄ ｌａｙｅｒ）が配置されてもよく、導電型クラッド層は、窒化物半導体（例えば、ＡｌＧａＮ）で形成することができる。
発光構造物１１０は、第２導電型半導体層１１６の下に第３導電型半導体層（図示せず）をさらに備えることができ、第３導電型半導体層は、第２導電型半導体層１１６と反対の極性を有することができる。第１導電型半導体層１１２はＮ型半導体層とし、第２導電型半導体層１１６はＰ型半導体層とすることができ、よって、発光構造物１１０は、Ｎ−Ｐ接合、Ｐ−Ｎ接合、Ｎ−Ｐ−Ｎ接合及びＰ−Ｎ−Ｐ接合構造の少なくとも一つを有することができる。
【００２８】
発光構造物１１０は、複数個の互いに隔たっている発光セル（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｃｅｌｌ、Ｐ１〜Ｐｎ、ｎ＞１の自然数）、及び境界領域Ｓを有することができる。この場合、境界領域Ｓは、発光セルＰ１〜Ｐｎ（ｎ＞１の自然数）の間に位置する領域でよい。または、境界領域Ｓは、発光セルＰ１〜Ｐｎ（ｎ＞１の自然数）のそれぞれの周りに位置する領域であってもよい。一つのチップ（ｓｉｎｇｌｅ ｃｈｉｐ）の発光構造物１１０を、境界領域Ｓによって複数個の発光セルＰ１〜Ｐｎ（ｎ＞１の自然数）に区分することができる。
【００２９】
保護層１３５を境界領域Ｓ上に配置することができ、保護層１３５により発光セルＰ１〜Ｐｎ（ｎ＞１の自然数）を定義することができる。保護層１３５は、発光構造物１１０を複数の発光セルＰ１〜Ｐｎ（ｎ＞１の自然数）に区分するためのアイソレーション（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）エッチング時に発光セルＰ１〜Ｐｎ（ｎ＞１の自然数）を保護し、発光素子１００の信頼性が低下する現象を抑えることができる。保護層１３５は、電流遮断層１３０と同一の物質で形成することかできる。
【００３０】
例えば、図１に示す発光構造物１１０は、９個の発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）、及び発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）の間または発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの周りに位置する境界領域Ｓにより区分することができる。
【００３１】
発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれは、第２導電型半導体層１１６、活性層１１４及び第１導電型半導体層１１２が垂直方向に積層された形態でよい。ここで、垂直方向は、第２導電型半導体層１１６から第１導電型半導体層１１２に向かう方向、または支持層１９０と垂直な方向でよい。
【００３２】
第１電極１２０は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）上に配置される。すなわち、第１電極１２０は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの第１導電型半導体層１１２上に配置されるとよい。第１電極１２０は、所定のパターン形状であればよく、図１に示すパターンに限定されることなく、様々な形態を有してもよい。
【００３３】
第１導電型半導体層１１２の上面は、光取り出し効率を増大させるために凸凹（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）１１２−１を形成することができる。また、光取り出し効率を増大させるために、第１電極１２０の表面にも凸凹（図示せず）を形成することができる。
【００３４】
例えば、第１電極１２０は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの第１導電型半導体層１１２の上面縁に沿って配置された外部電極９２、及び外部電極９２の内部に配置された内部電極９４を有することができる。
【００３５】
電流遮断層１３０は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの第２導電型半導体層１１６の下に配置され、第２導電型半導体層１１６の下面に接することができる。
【００３６】
例えば、電流遮断層１３０は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの第２導電型半導体層１１６の下面の一部領域上に配置される。電流遮断層１３０は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの特定領域に電流が集中する現象を緩和し、発光素子１００の発光効率を向上させることができる。
【００３７】
電流遮断層１３０は、第１電極１２０に対応して配置され、垂直方向に第１電極１２０と少なくとも一部がオーバーラップする。電流遮断層１３０は、第１電極１２０のパターンに対応するパターン形状を有することができる。ここでいう垂直方向は、第２導電型半導体層１１２から第１導電型半導体層１１６に向かう方向でよい。
【００３８】
電流遮断層１３０は、反射層１５０またはオーミック層１４０に比べて電気伝導性が低い物質、第２導電型半導体層１１６とショットキー接触を形成する物質、または電気絶縁性物質を用いて形成することができる。例えば、電流遮断層１３０は、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒの少なくとも一つを含むことができる。
【００３９】
第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれは、複数の発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）の対応するいずれか一つの第２導電型半導体層１１６の下に互いに隔たって配置されればよい。第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれは、オーミック層１４０、反射層１５０及び第１バリアー層１６２を有することができる。
オーミック層１４０は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの下に配置され、第２導電型半導体層１１６とオーミック接触する。オーミック層１４０は、第１導電層１０１から発光構造物１１０に電源を円滑に供給させる役割を果たす。例えば、オーミック層１４０は、Ｉｎ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｎｉ、及びＰｔの少なくとも一つを含むことができる。オーミック層１４０は、電流遮断層１３０の側面及び下面を覆うことができる。
【００４０】
反射層１５０は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれのオーミック層１４０の下に配置され、発光構造物１１０から入射する光を反射させ、発光素子１００の光取り出し効率を向上させることができる。反射層１５０は、オーミック層１４０の最外側面に接し、オーミック層１４０の周りを覆うことができる。
【００４１】
反射層１５０は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆの少なくとも一つを含む金属またはこれらの合金で形成することができる。また、反射層１５０は、金属または合金と、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）などの投光性伝導性物質と、を用いて多層に形成してもよい。例えば、反射層１５０は、ＩＺＯ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ、ＩＺＯ／Ａｇ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ／Ｎｉなどに形成できる。
【００４２】
他の実施例では、オーミック層１４０を別に形成せずに、反射層１５０に用いられる物質として第２導電型半導体層１１６とオーミック接触をする物質を選択し、反射層１５０が第２導電型半導体層１１６とオーミック接触をなすようにしてもよい。
【００４３】
第１バリアー層１６２は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれに対応する反射層１５０の下に配置され、支持層１９５の金属イオンが反射層１５０及びオーミック層１４０に伝達または拡散することを防止する。第１バリアー層１６２は、バリアー金属物質、例えば、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏの少なくとも一つを含み、単一層（ｓｉｎｇｌｅ ｌａｙｅｒ）または多層（ｍｕｌｔｉ ｌａｙｅｒ）でよい。
【００４４】
第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１の自然数）は、第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）の下に互いに隔たって配置される。第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１の自然数）は、導電物質、例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗの少なくとも一つまたはこれらの合金で形成できる。
【００４５】
また、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１の自然数）は、導電物質であるとともに反射物質であるとよい。例えば、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１の自然数）を、反射層１５０と同一の物質で形成することができる。この場合、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１の自然数）は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）から入射する光を反射させ、光取り出し効率を向上させることができる。
【００４６】
第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１の自然数）のそれぞれは、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のいずれか一つ除いた残りの発光セルＰ２〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれに対応して配置することができる。
【００４７】
例えば、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）のそれぞれは、第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）のいずれか一つを除いた残りのそれぞれに対応して配置され、対応するいずれか一つと電気的に接続することができる。
【００４８】
第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）のそれぞれは、第１発光セルＰ１を除いた残りの発光セルＰ２〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの下に位置する第１導電層１０１−２〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）に対応して配置されてもよい。
【００４９】
例えば、第１第２導電層１８０−１は、第２発光セルＰ２における第１導電層１０１−２に対応して配置され、第２発光セルＰ２における第１導電層１０１−２と電気的に接続することができる。
【００５０】
第１絶縁層１７２は、第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）の周りを覆う。第１絶縁層１７２は、第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）の間、及び第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）と第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）との間に配置されることが可能である。
【００５１】
第１絶縁層１７２は、第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）同士を電気的に絶縁させ、第１導電層１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）と第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）とを電気的に絶縁させることができる。
【００５２】
第２バリアー層１６４は、第１絶縁層１７２の下に配置され、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のいずれか一つの下に配置された第１導電層（例えば、１０１−１）に電気的に接続することができる。
【００５３】
例えば、第２バリアー層１６４は、第２絶縁層１７４の下に配置されて、第１発光セルＰ１の下に配置された第１導電層１０１−１と電気的に接触することができる。
【００５４】
後述する支持層１９５とボンディングされる第２バリアー層１６４を介して第１発光セルＰ１における第１導電層（例えば、１０１−１）には第２電源（例えば、正の電源）が供給されることが可能である。
【００５５】
第２バリアー層１６４は、第１バリアー層１６２と同一の物質にすることができ、単一層または多層でよい。
【００５６】
第２絶縁層１７４は、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）の間、及び第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）と第２バリアー層１６４との間に配置することができる。すなわち、第２絶縁層１７４は、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）同士を電気的に絶縁させ、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）と第２バリアー層１６４とを電気的に絶縁させることができる。
【００５７】
第１絶縁層１７２及び第２絶縁層１７４は、絶縁物質、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ２、ＡｌＮの少なくとも一つで形成でき、単層または多層でよい。
【００５８】
第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）のそれぞれは、少なくとも一部が第１絶縁層１７２を貫通して、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）のそれぞれに対応する第１導電層１０１−２〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）と接触することができる。
【００５９】
例えば、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）のそれぞれは、少なくとも一部が第１絶縁層１７２を貫通して、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）のそれぞれに対応する第１バリアー層１６２と接触することができる。
【００６０】
第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）のそれぞれを、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のいずれか一つ（例えば、Ｐ１）を除いた残りの発光セルＰ２〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）における第１導電層１０１−２〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）に対応して配置することができる。
【００６１】
残りの発光セルＰ２〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれに対応して配置される第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）の一部分は、隣接する境界領域Ｓと垂直方向にオーバーラップすることができる。例えば、第２発光セルＰ２に対応して配置される第１第２導電層１８０−１は、第２発光セルＰ２に隣接する境界領域Ｓと垂直方向にオーバーラップするように拡張可能である。
【００６２】
また、残りの発光セルＰ２〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のいずれか一つの発光セル（例えば、Ｐ２）に対応して配置される第２導電層（例えば、１８０−１）の少なくとも一部分は、上記いずれか一つの発光セル（例えば、Ｐ２）に隣接する他の発光セル（例えば、Ｐ１）と垂直方向にオーバーラップすることができる。ここでいう垂直方向は、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）から発光セル１０１−１〜１０１−ｎ（例えば、ｎ＝９）に向かう方向、または、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）に垂直な上側方向でよい。
【００６３】
支持層１９５は、第２バリアー層１６４の下に配置され、発光構造物１１０を支持するとともに、第１電極１２０と共に発光構造物１１０に電源を提供する。支持層１９０は伝導性であり、例えば、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）のような金属物質、またはＳｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、及びＳｉＧｅの少なくとも一つを含む半導体物質で形成できる。
【００６４】
接合層１９０は、第２バリアー層１６４と支持層１９５との間に配置される。接合層１９０は、第２バリアー層１６４と支持層１９５との間で両者を接合することができる。接合層１９０は、支持層１９５をボンディング方式で接合するために形成されるもので、支持層１９５をメッキや蒸着方法で形成する場合または支持層１９５が半導体層である場合は、接合層１９０を省ければよい。接合層１９０は、Ａｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｇ及びＰｄの少なくとも一つを含むことができる。
【００６５】
パシベーション層１８９は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの側面及び／または上面上に配置することができる。例えば、パシベーション層１８９は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれに属する第１導電型半導体層１１２の側面、活性層１１４の側面、及び第２導電型半導体層１１６の側面上に配置することができ、かつ、パシベーション層１８9は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれの第１導電型半導体層１１２の上面上に配置することができる。第１電極１２０はパシベーション層１８９から露出されるように構成できる。
【００６６】
接続電極１２２−１〜１２２−ｍ（ｍ＞１の自然数）は、隣接する２個の発光セルのいずれか一方における第１導電型半導体層１１２上に配置された第１電極１２０と、いずれか他方における第１導電層に対応して配置された第２導電層とを電気的に接続させる。
【００６７】
例えば、第１接続電極１２２−１は、第１発光セルＰ１における第１電極１２０と、第２発光セルＰ２における第１導電層１０１−２に対応する第１第２導電層１８０−１とを電気的に接続させることができる。
【００６８】
接続電極１２２−１〜１２２−ｍ（ｍ＞１の自然数）は、パシベーション層１８9上に配置することができ、接続電極１２２−１〜１２２−ｍ（ｍ＞１の自然数）は、境界領域Ｓ上の保護層１３５及び境界領域Ｓの下に位置する第１絶縁層１７２を貫通して、隣接する発光セルのいずれか一方における第１電極１２０と、残りのいずれか他方における第２導電層（１８０−１〜１８０−ｊのいずれか一方、例えば、ｊ＝８）とを電気的に接続させることができる。
【００６９】
接続電極１２２−１〜１２２−ｍ（ｍ＞１の自然数）及び第２導電層（１８０−１〜１８０−ｊ）によって発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）は互いに直列接続することができる。
【００７０】
そして、直列接続する発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のいずれか一方（例えば、Ｐ９における第１電極１２０）は、パッド部１２１ａ，１２１ｂをさらに備えることができる。パッド部１２１ａ、１２１ｂは、第１電源（例えば、負（−）の電源）を供給するためにワイヤー（ｗｉｒｅ）がボンディングされる領域でよい。
【００７１】
図３は、図１に示す発光素子１００をＡＢ線及びＣＤ線に沿って切断した斜視図であり、図４は、図２に示す第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）の第１実施例（１８１）を示している。
【００７２】
図３及び図４を参照すると、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）のそれぞれは、ベースプレート（ｂａｓｅｐｌａｔｅ）４０１及び貫通部４０２を有する。
【００７３】
ベースプレート４０１は、一定の面積（縦Ｌ１×横Ｌ２）及び厚さｔを有する板状のもので、第１導電層１０１のそれぞれの下に配置される。図４で、ベースプレート４０１は、長方形状のものを示したが、実施例はこれに限定されず、ベースプレート４０１は、円形、楕円形、または多角形などの様々な形状を有することができる。
ベースプレート４０１は、第１発光セルＰ１を除いた残りの発光セルＰ２〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれに対応して第１絶縁層１７２と第２絶縁層１７４との間に配置され、ベースプレート４０１の一領域に接続電極１２２−１〜１２２−ｍ（ｍ＞１の自然数）が電気的に接続することができる。
【００７４】
残りの発光セルＰ２〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のいずれか一方の発光セル（例えば、Ｐ２）に対応して配置されるベースプレート４０１の少なくとも一部分は、隣接する境界領域Ｓ及び隣接する他方の発光セル（例えば、Ｐ１）と垂直方向にオーバーラップすることができる。例えば、第２発光セルＰ２に対応して配置されるベースプレート４０１の少なくとも一部分は、隣接する境界領域Ｓ及び第１発光セルＰ１と垂直方向にオーバーラップすることができる。
【００７５】
残りの発光セルＰ２〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のいずれか一方の発光セル（例えば、Ｐ３）に対応して配置されるベースプレート１８０の少なくとも一部分は、隣接する境界領域Ｓ及び隣接する他方の発光セル（例えば、Ｐ２）と垂直方向にオーバーラップすることができる。
【００７６】
貫通部４０２は、ベースプレート４０１の一領域に連結されるとともに、ベースプレート４０１から突出する。貫通部４０２は、第１絶縁層１７２を貫通して、対応する第１導電層に連結される。例えば、貫通部４０２は第１絶縁層１７２を貫通して第１バリアー層１６２に連結されるとよい。
【００７７】
貫通部４０２はベースプレート４０１と同一の物質で形成でき、ベースプレート４０１と一体型でよい。貫通部４０２は突起形態のもので、横及び縦の長さが第２導電層４０１の横の長さＬ２及び縦の長さＬ１よりも小さくてよい。
【００７８】
また、貫通部４０２は、ベースプレート４０１の上面のいずれかの一部分に配置することができ、図４に示す実施例の貫通部４０２は、ベースプレート４０１の一側面に接して配置されているが、実施例はこれに限定されるものではなく、ベースプレート４０１の側面から離れて配置されてもよい。
【００７９】
図５は、図２に示す第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）の第２実施例（１８２）を示している。図４におけると同一の図面符号は同一の構成を示し、上述した内容の重複説明は省略したり簡略に説明する。
【００８０】
図５を参照すると、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）のそれぞれは、ベースプレート４０１及び貫通部４０２−１を有する。貫通部４０２−１は、突起形態のもので、一辺の長さ（例えば、縦の長さ）Ｋが、ベースプレート４０１の一辺の長さ（例えば、縦の長さ）Ｌ１と同一であってもよい（Ｋ＝Ｌ１）。
【００８１】
図６は、図２に示す第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）の第３実施例（１８３）を示している。図４におけると同一の図面符号は同一の構成を示し、上述した内容の重複説明は省略したり簡略に説明する。
【００８２】
図６を参照すると、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）のそれぞれは、ベースプレート５０１及び貫通部４０２を有する。ベースプレート５０１は、少なくとも一つの貫通孔５０２を有してもよい。そして、貫通部４０２は、少なくとも一つの貫通孔５０２から隔たって配置されればよい。
【００８３】
少なくとも一つの貫通孔５０２には第２絶縁層１７４を埋め込むことができ、第２絶縁層１７４は少なくとも一つの貫通孔５０２を通じて第１絶縁層１７２と接触できる。少なくとも一つの貫通孔５０２は、第１絶縁層１７２と第２絶縁層１７４との接着力（ａｄｈｅｓｉｏｎ）を向上させることができる。
【００８４】
図６で、貫通孔５０２を円形にしたが、本発明の実施例はこれに限定されるものではなく、貫通孔５０２は、円形、楕円形、または多角形などの様々な形態にしてもよい。
【００８５】
図７は、図２に示す第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）の第４実施例（１８４）を示している。図４におけると同一の図面符号は同一の構成を示し、上述した内容の重複説明は省略したり簡略に説明する。
【００８６】
図７を参照すると、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）のそれぞれは、ベースプレート６０１及び貫通部４０２を有する。ベースプレート６０１の上面及び下面の少なくとも一面には凸凹（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）６０２が形成されてもよい。この場合、凸凹６０２は規則的であっても、不規則的であってもよい。凸凹６０２は、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）と第１絶縁層１７２との接着力または／及び第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）と第２絶縁層１７４との接着力を向上させることができる。
【００８７】
図８は、図２に示す第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）の第５実施例（１８５）を示している。図５を参照すると、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）のそれぞれは、網構造（ｍｅｓｈｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有するベースプレート７０１、及びベースプレート７０１の一領域と連結されるとともに、第１絶縁層１７２を貫通して第１導電層１０１（例えば、第１バリアー層１６２）と接触する貫通部７０２を有する。網構造を有するベースプレート７０１によって、本実施例は、第１絶縁層１７２と第２絶縁層１７４との接着力を向上させることができる。
【００８８】
一般に、直列接続する複数の発光セルを有する発光構造物に、高い駆動電圧を有する電源が印加される場合に、電源の直接印加される発光セル及びこれと隣接している発光セルに最大の電場が集中し、電場の集中した発光セルが破損することがある。
【００８９】
本実施例は、第２金属層１０２、第２バリアー層１６４、第１導電層１０１−１を通じて発光構造物１１０に第２電源（例えば、正（＋）の電源）が供給され、第９発光セルＰ９における第１電極１２０及びパッド部１２１ａ，１２１ｂを通じて発光構造物１１０に第１電源（例えば、負（−）の電源）が供給されることが可能である。そして、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）のそれぞれは、接続電極１２２−１〜１２２−ｍ（例えば、ｍ＝８）及び第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（例えば、ｊ＝８）によって互いに直列接続することができる。
【００９０】
そのため、発光構造物１１０に高い駆動電圧が印加される場合に、本実施例は、発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）同士を直列接続する第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）により、第１発光セルＰ１及び第２発光セルＰ２に集中する電場（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ）を分散させることによって、発光素子１００が破壊することを防止できる。すなわち、第２導電層１８０−１〜１８０−ｊ（ｊ≧１）は、電流の伝達経路を長くすることによって、高い駆動電圧により発光セルＰ１〜Ｐｎ（例えば、ｎ＝９）が破損することを防止する役割を果たすことができる。
【００９１】
図９は、本発明の一実施例に係る発光素子を備える発光素子パッケージを示す図である。
【００９２】
図９を参照すると、本実施例に係る発光素子パッケージは、パッケージ胴体６１０、第１リードフレーム６１２、第２リードフレーム６１４、発光素子６２０、反射板６２５、ワイヤー６３０、及び封止層６４０を備える。
パッケージ胴体６１０は、一側領域にキャビティー（ｃａｖｉｔｙ）が形成されている構造を有する。ここで、キャビティーの側壁は傾斜するように形成されるとよい。パッケージ胴体６１０は、シリコンベースのウエハーレベルパッケージ（ｗａｆｅｒ ｌｅｖｅｌ ｐａｃｋａｇｅ）、シリコン基板、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｎｉｔｒｉｄｅ）、ＡｌＮなどのように絶縁性または熱伝導度に優れた基板で形成でき、複数個の基板が積層されている構造でよい。実施例は、上述した胴体の材質、構造、及び形状に限定されない。
【００９３】
第１リードフレーム６１２及び第２リードフレーム６１４は、熱排出や発光素子の装着を考慮して、互いに電気的に分離されるようにパッケージ胴体６１０の表面に配置することができる。発光素子６２０は、第１リードフレーム６１２及び第２リードフレーム６１４と電気的に接続する。ここで、発光素子６２０は、本発明の実施例に係る発光素子１００にすることができる。
【００９４】
例えば、図２に示す発光素子１００の第２金属層１０２は、第２リードフレーム６１４に電気的に接続し、ワイヤー６３０によって第９発光セルＰ９のパッド部１２１ａ，１２１ｂは第１リードフレーム６１２にボンディングされる。
【００９５】
反射板６２５は、発光素子６２０から放出される光を所定の方向に向かわせるように、パッケージ胴体６１０のキャビティー側壁に形成される。反射板６２５は、光反射物質で構成されており、例えば、金属コーティングまたは金属薄片でよい。
【００９６】
封止層６４０は、パッケージ胴体６１０のキャビティー内に配置されている発光素子６２０を包囲して、発光素子６２０を外部環境から保護する。封止層６４０は、エポキシまたはシリコンのような無色透明な高分子樹脂材質からなる。封止層６４０は、発光素子６２０から放出された光の波長を変化させるように、蛍光体を含むことができる。発光素子パッケージは、以上述べた実施例の発光素子の少なくとも一つを搭載できるが、これに限定されるわけではない。
【００９７】
本実施例に係る発光素子パッケージは複数個が基板上にアレイされ、発光素子パッケージの光経路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどが配置されるとよい。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材は、バックライトユニットとして機能できる。
【００９８】
さらに他の実施例は、以上述べた実施例に記載された発光素子または発光素子パッケージを含む表示装置、指示装置、照明システムとすることができ、例えば、照明システムは、ランプ、街灯を含むことができる。
【００９９】
図１０は、本発明の一実施例に係る発光素子パッケージを備える照明装置の分解斜視図である。図１０を参照すると、照明装置は、光を投射する光源７５０と、光源７５０が内蔵されるハウジング７００と、光源７５０の熱を放出する放熱部７４０と、光源７５０及び放熱部７４０をハウジング７００に結合させるホルダー７６０とを備える。
【０１００】
ハウジング７００は、電気ソケット（図示せず）に結合するソケット結合部７１０と、ソケット結合部７１０と連結され、光源７５０が内蔵される胴体部７３０とを備える。胴体部７３０を貫通して空気流動口７２０を設けてもよい。
【０１０１】
ハウジング７００の胴体部７３０上に複数個の空気流動口７２０が設けられ、空気流動口７２０は一つでも複数個でもよい。空気流動口７２０は、胴体部７３０に放射状に配置されてもよく、その他の様々な形態に配置されてもよい。
【０１０２】
光源７５０は、基板７５４上に設けられる複数個の発光素子パッケージ７５２を備える。基板７５４はハウジング７００の開口部にはめ込まれるような形状であればよく、後述するように、放熱部７４０に熱を伝達するために、熱伝導率の高い物質からなるとよい。複数個の発光素子パッケージは上述の実施例のものでよい。
【０１０３】
光源７５０の下部にはホルダー７６０が備えられ、ホルダー７６０は、フレーム及び空気流動口を有することができる。また、図示はしないが、光源７５０の下部には光学部材が設けられて、光源７５０の発光素子パッケージ７５２から投射する光を拡散、散乱または収斂することができる。
【０１０４】
図１１には、本発明の一実施例に係る発光素子パッケージを備える表示装置を示す。
【０１０５】
図１１を参照すると、表示装置８００は、ボトムカバー８１０と、ボトムカバー８１０上に配置された反射板８２０と、光を放出する発光モジュール８３０，８３５と、反射板８２０の前方に配置され、前記発光モジュール８３０，８３５から発する光を表示装置の前方に案内する導光板８４０と、導光板８４０の前方に配置されたプリズムシート８５０，８６０を有する光学シートと、光学シートの前方に配置されたディスプレイパネル８７０と、ディスプレイパネル８７０に連結され、ディスプレイパネル８７０に画像信号を供給する画像信号出力回路８７２と、ディスプレイパネル８７０の前方に配置されたカラーフィルタ８８０とを備えることができる。ここで、ボトムカバー８１０、反射板８２０、発光モジュール８３０，８３５、導光板８４０、及び光学シートは、バックライトユニット（Ｂａｃｋｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ）を構成することができる。
【０１０６】
発光モジュールは、基板８３０上に発光素子パッケージ８３５を含んでなる。ここで、基板８３０にはＰＣＢなどを用いることができる。発光素子パッケージ８３５には、実施例に係る発光素子パッケージを用いることができる。
【０１０７】
ボトムカバー８１０は、表示装置８００内の構成要素を収納することができる。そして、反射板８２０は、同図のように別個の構成要素にしてもよく、導光板８４０の背面やボトムカバー８１０の前面に、反射度の高い物質でコーティングされる形態にしてもよい。
【０１０８】
ここで、反射板８２０は、反射率が高いとともに超薄型に形成可能な素材を用いるとよく、ポリエチレンテレフタルレート（ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔａｌａｔｅ；ＰＥＴ）を用いることができる。
【０１０９】
そして、導光板８３０は、ポリメチルメタクリレート（ＰｏｌｙＭｅｔｈｙｌＭｅｔｈＡｃｒｙｌａｔｅ；ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ；ＰＣ）、またはポリエチレン（ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＥ）などで形成できる。
【０１１０】
そして、第１プリズムシート８５０は、支持フィルムの一面に、投光性及び弾性を有する重合体材料で形成でき、重合体は、複数個の立体構造が反復して形成されたプリズム層を有することができる。ここで、複数個のパターンは、図示のように、谷と山が反復される縞状にすることができる。
【０１１１】
そして、第２プリズムシート８６０において、支持フィルムの一面における谷と山の方向は、第１プリズムシート８５０の支持フィルムの一面における谷と山の方向と垂直であるとよい。これは、発光モジュール及び反射シートから伝達される光をディスプレイパネル１８７０の前面へ均一に分散するためである。
【０１１２】
そして、図示はしないが、導光板８４０と第１プリズムシート８５０との間に拡散シートが配置されてもよい。拡散シートは、ポリエステルとポリカーボネート系の材料で形成でき、バックライトユニットから入射する光を屈折及び散乱させて光投射角を最大化することができる。そして、拡散シートは、光拡散剤を含む支持層と、光出射面（第１プリズムシート方向）及び光入射面（反射シート方向）に形成され、光拡散剤を含んでいない第１レイヤー及び第２レイヤーとを備えることができる。
【０１１３】
本実施例では拡散シート、第１プリズムシート８５０及び第２プリズムシート８６０が光学シートをなすとしたが、光学シートは、他の組み合わせ、例えば、マイクロレンズアレイ、拡散シートとマイクロレンズアレイとの組み合わせ、または一つのプリズムシートとマイクロレンズアレイとの組み合わせなどにしてもよい。
【０１１４】
ディスプレイパネル８７０としては、液晶表示パネル（Ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）を配置できるか、液晶表示パネル８６０の他にも、光源を必要とするいかなる種類の表示装置も配置可能である。
【０１１５】
以上、本発明の実施例に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施例に含まれるもので、必ずしも一つの実施例にのみ限定されるものではない。なお、各実施例で例示された特徴、構造、効果などは、実施例の属する分野における通常の知識を有する者であれば、他の実施例に対しても組み合わせまたは変形して実施可能である。したがって、それらの組み合わせ及び変形に関連した内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈すべきである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する複数の発光セルと、前記発光セル同士の間に位置する境界領域とに区分される発光構造物と、
前記複数の発光セルのそれぞれの上部に配置された第１電極と、
前記複数の発光セルの下に配置された第１導電層と、
前記第１導電層の下に配置された少なくとも一つの第２導電層と、
前記第１導電層同士の間、及び前記第１導電層と前記少なくとも一つの第２導電層との間に配置された第１絶縁層と、
前記第１電極と前記少なくとも一つの第２導電層とを接続させた接続電極と
を備え、
前記少なくとも一つの第２導電層は、前記第１絶縁層を貫通して前記第１導電層のいずれか一つに接続する、発光素子。
【請求項２】
前記少なくとも一つの第２導電層は、
前記発光セルのいずれか一つを除いた残りの発光セルのそれぞれに対応して、互いに隔たって配置されている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１導電層は、
前記第２導電型半導体層の下に配置された反射層と、
前記反射層の下に配置された第１バリアー層と
を備える、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２導電層の下に配置され、前記第１導電層の前記いずれか一つと電気的に接続する第２バリアー層と、
前記第２導電層同士の間、及び前記第２バリアー層と前記第２導電層との間に配置された第２絶縁層と
をさらに備える、請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記接続電極は、隣接する２個の発光セルのいずれか一方における第１電極と残り他方に対応する第２導電層とを電気的に接続させている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記発光セルのそれぞれと前記接続電極との間に配置されたパシベーション層と、
前記境界領域に配置された保護層と
をさらに備える、請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記接続電極は、前記パシベーション層の上に配置され、前記保護層及び前記第１絶縁層を貫通する、請求項６に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１導電層のそれぞれは、前記複数の発光セルのそれぞれに対応して配置され、
前記第１導電層のいずれか一つは、前記複数の発光セルのうち対応するいずれか一つに電気的に接続する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第２導電層の一部分は、隣接する前記境界領域と垂直方向にオーバーラップする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記残りの発光セルのいずれか一つの発光セルに対応して配置された第２導電層の少なくとも一部分は、前記いずれか一つの発光セルに隣接する他の発光セルと垂直方向にオーバーラップする、請求項９に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第２導電層のそれぞれは、
板状を有し、前記接続電極が接続するベースプレートと、
前記ベースプレートから突出し、前記第１絶縁層を貫通して前記対応する第１導電層に接続する貫通部と
を備える、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記貫通部のいずれか一辺の長さは、前記ベースプレートのいずれか一辺の長さと同一である、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記ベースプレートは、少なくとも一つの貫通孔を有する、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記ベースプレートの上面及び下面の少なくとも一面に、凸凹（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が形成されている、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第２導電層は反射物質で構成されている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１】
第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する複数の発光セルと、前記発光セル同士の間に位置する境界領域とに区分される発光構造物と、
前記複数の発光セルのそれぞれの上部に配置された第１電極と、
前記複数の発光セルの下に配置された第１導電層と、
前記第１導電層の下に配置された少なくとも一つの第２導電層と、
前記第１導電層同士の間、及び前記第１導電層と前記少なくとも一つの第２導電層との間に配置された第１絶縁層と、
前記第１電極と前記少なくとも一つの第２導電層とを接続させた接続電極と
を備え、
前記少なくとも一つの第２導電層は、前記第１絶縁層を貫通して前記第１導電層のいずれか一つに接続する、発光素子。
【請求項２】
前記少なくとも一つの第２導電層は、
前記発光セルのいずれか一つを除いた残りの発光セルのそれぞれに対応して、互いに隔たって配置されている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１導電層は、
前記第２導電型半導体層の下に配置された反射層と、
前記反射層の下に配置された第１バリアー層と
を備える、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２導電層の下に配置され、前記第１導電層の前記いずれか一つと電気的に接続する第２バリアー層と、
前記第２導電層同士の間、及び前記第２バリアー層と前記第２導電層との間に配置された第２絶縁層と
をさらに備える、請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記接続電極は、隣接する２個の発光セルのいずれか一方における第１電極と残り他方に対応する第２導電層とを電気的に接続させている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記発光セルのそれぞれと前記接続電極との間に配置されたパシベーション層と、
前記境界領域に配置された保護層と
をさらに備える、請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記接続電極は、前記パシベーション層の上に配置され、前記保護層及び前記第１絶縁層を貫通する、請求項６に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１導電層のそれぞれは、前記複数の発光セルのそれぞれに対応して配置され、
前記第１導電層のいずれか一つは、前記複数の発光セルのうち対応するいずれか一つに電気的に接続する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第２導電層の一部分は、隣接する前記境界領域と垂直方向にオーバーラップする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記残りの発光セルのいずれか一つの発光セルに対応して配置された第２導電層の少なくとも一部分は、前記いずれか一つの発光セルに隣接する他の発光セルと垂直方向にオーバーラップする、請求項９に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第２導電層のそれぞれは、
板状を有し、前記接続電極が接続するベースプレートと、
前記ベースプレートから突出し、前記第１絶縁層を貫通して前記対応する第１導電層に接続する貫通部と
を備える、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記貫通部のいずれか一辺の長さは、前記ベースプレートのいずれか一辺の長さと同一である、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記ベースプレートは、少なくとも一つの貫通孔を有する、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記ベースプレートの上面及び下面の少なくとも一面に、凸凹（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が形成されている、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第２導電層は反射物質で構成されている、請求項１に記載の発光素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−５５３１８（Ｐ２０１３−５５３１８Ａ）
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５１９３７（Ｐ２０１２−５１９３７）
【出願日】平成２４年３月８日（２０１２．３．８）
【出願人】（５１００３９４２６）エルジー イノテック カンパニー リミテッド (279)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年３月８日（２０１２．３．８）
【出願人】（５１００３９４２６）エルジー イノテック カンパニー リミテッド (279)
【Ｆターム（参考）】
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