【課題】蛍光体キャップを備えたＬＥＤダイを回路基板上に実装したＬＥＤ装置は製造しやすいが、回路基板を小さくしていっても斜め下方向の配光が充分に改善しない。そこで回路基板と蛍光体キャップを備えていても小型化に際し斜め下方向の配光を改善しながら同時に光束を増加できるＬＥＤ装置を提供する。
【解決手段】このＬＥＤ装置１０は、回路基板１４にＬＥＤダイ２０をフリップチップ実装し、回路基板１４ごとＬＥＤダイ２０を蛍光体キャップ１１で覆ったものである。このとき回路基板１４の平面形状とＬＥＤダイ２０の平面形状は略等しい。 （もっと読む）

【課題】 発光効率の向上を図ると共に色ムラを抑制する。
【解決手段】 出光面２ａから光を出射する半導体発光素子２と、半導体発光素子から出射された光が入射され半導体発光素子の出光面に対向して位置された入射面４と、入射面から入射された光を外部へ出射する出射面５と、入射面と出射面の間に位置する外周面６とを有する波長変換層３とを備え、波長変換層の外周部の少なくとも一部が外周面側に凸の突状部３ａとして設けられ、突状部の外周面が入射面に連続する第１の傾斜部６ａと出射面に連続する第２の傾斜部６ｂとを有し、波長変換層の外周面に入射面から入射された光を反射する光反射層が設けられ、光反射層に第１の傾斜部に接する第１の反射面７ａと第２の傾斜部に接する第２の反射面７ｂとが形成された。 （もっと読む）

【課題】 ホールの供給を促して、発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１０では、第１導電型の第１不純物濃度を有する井戸層と第１不純物濃度より高い第１導電型の第２不純物濃度を有する障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層１３が、第１半導体層１２上に部分的に設けられている。バンドギャップが略一様で単一の組成を有する第２導電型の第２半導体層１５、１６が発光層１３上に設けられている。第１電極２１、２２は、第１半導体層１３上に設けられている。第２電極２３、２４が、第２半導体層１６上に設けられている。発光層１３に平行な方向における第１電極２２と第２電極２４の間の第１の距離Ｌ１が、発光層１３に垂直な方向における第１電極２１、２２と第２電極２３、２４の間の第２の距離Ｌ２より大きい。 （もっと読む）

【課題】マザー基板に直接的にＬＥＤダイを実装しようとするときに絶縁膜のピンホールが課題となる。そこでこのピンホールに係わる不具合が発生しにくい半導体発光装置を提供する。
【解決手段】このＬＥＤ装置１０はフリップチップ実装用のＬＥＤダイ２０を蛍光体キャップ１１で被覆したものである。ＬＥＤダイ２０は、マザー基板４３に直接的にフリップチップ実装するため、絶縁膜１４上に大きなサイズの突起電極１２，１３を備えている。蛍光体キャップ１１は、透光性の樹脂等に蛍光体を混練したものであり、ＬＥＤダイ２０の上面及び底面、並びに底部に形成した折り返し部でＬＥＤダイ２０のｐ型及びｎ型半導体層１７，１６の角部を覆い、ピンホールが発生しやすい部位を保護する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で電極面の周辺部から漏れ出す光を減少させたフリップチップ実装用の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１７の周囲に存在し、ＬＥＤ素子１０をウェハー３１から切り出す際の切りしろとなったストリートライン２３の上に、遮光部材として金属膜１１，１２を配置した。金属膜１１，１２はスリット１８で４分割している。また金属膜１１，１２は、ｐ側及びｎ側の突起電極１３，１４のアンダーバンプメタル層である金属膜２２と等しい材料からなっている。 （もっと読む）

【課題】フリップチップタイプの発光素子の発光効率を向上させながら、発光素子パッケージに実装したときの安定性及び信頼性が確保される発光素子を提供すること。
【解決手段】支持部材と、支持部材上に配置された第１の半導体層、第２の半導体層、及び第１の半導体層と第２の半導体層との間に介在する活性層を有する発光構造物と、第１の半導体層の第１の領域が露出し、第１の領域の第１の半導体層上に配置された第１の電極と、第２の半導体層上に配置された第２の電極と、少なくとも第１の電極と発光構造物との間に配置された絶縁層とを備え、第１の半導体層と第２の半導体層は互いに異なる導電性半導体層であって、活性層は、少なくとも一対の井戸層及び障壁層を有し、井戸層は障壁層より小さいバンドギャップを有し、第１の電極は、上面の面積が第２の半導体層の面積に対比して４０％〜９９％の面積を有する発光素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体層と支持基板との間に介在する熱硬化性樹脂の半導体層および成長用基板の側面への這い上がりを防止することができる半導体発光装置の製造方法を提供する
【解決手段】
サファイア基板１０上に半導体結晶を成長させて半導体層２０を形成する。支持基板３０の表面に熱硬化性樹脂からなる樹脂層４０を形成する。樹脂層４０を間に挟んで半導体層２０と支持基板３０とを密着させた状態で樹脂層４０を熱硬化させて支持基板３０と半導体層２０とを接合する。樹脂層４０の熱硬化後にサファイア基板１０を除去する。支持基板３０と半導体層２０とを接合する前に、樹脂層４０の半導体層２０と接する部分の周辺領域の表層部に樹脂層４０の流動性を低減または喪失させる流動抑制部４１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 小型形状で且つ上方向への放射効率が良く、さらにイエローリング発生の問題を生じないＬＥＤ発光装置及びその製造方法が求められていた。
【解決手段】 下面に突起電極を有する半導体発光素子の発光面に接着された蛍光体板と、前記半導体発光素子の側面を被覆する白色樹脂とを有する半導体発光装置であって、前記蛍光体板は片面側に蛍光粒子が凝縮して構成され、前記蛍光体板の蛍光粒子が凝縮している面側を,前記半導体発光素子の発光面側に透明接着剤を介して接着する。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させることができ、且つ、小型化を図ることができる半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電形の第１半導体層１２と、第２導電形の第２半導体層１１と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる発光層１３と、を含み、前記発光層が放射する光を前記第２半導体層側の第１の主面から放射する積層体１５と、前記積層体の前記第１の主面１５ａとは反対側の第２の主面１５ｂ側において、前記第１半導体層に接続される第１電極１６と、前記積層体の前記第２の主面側において前記第２半導体層に接続される第２電極１７と、前記第１電極に接続される第１配線部２１と、前記第２電極に接続される第２配線部２２と、前記積層体の前記第２の主面側に設けられ、前記第１配線部と、前記第２配線部と、を覆う封止部２５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板と、積層体と、第１電極と、第２電極と、反射層と、を含む半導体発光素子が提供される。前記基板は、主面を有する。前記積層体は、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を含む。前記第１半導体層は、前記主面上に設けられ、第１部分と、前記第１部分と並置された第２部分と、を有し、第１導電形である。前記発光部は、前記第２部分上に設けられる。前記第２半導体層は、前記発光部上に設けられ第２導電形である。前記第１電極は、前記第１半導体層の前記第１部分上に設けられる。前記第２電極は、前記第２半導体層上に設けられる。前記反射層は、前記基板の側面と前記積層体の側面とを覆い、前記発光部から放出される発光光に対して反射性である。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧による破損を防止できる発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例に係る発光素子は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する複数の発光セルと、前記発光セル同士の間に位置する境界領域に区分される発光構造物と、前記複数の発光セルのそれぞれの上部に配置された第１電極と、前記複数の発光セルの下に配置された第１導電層と、前記第１導電層の下に配置された少なくとも一つの第２導電層と、前記第１導電層同士の間、及び前記第１導電層と前記少なくとも一つの第２導電層との間に配置された第１絶縁層と、前記第１電極と前記少なくとも一つの第２導電層とを接続させた接続電極とを備え、前記第２導電層と前記接続電極との接続により前記発光セルは互いに直列接続する。 （もっと読む）

【課題】低光吸収率の透明導電膜を安定的に成膜できることで、高い品質が確保できる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、透光性基板１１に、ｎ型半導体層１２１、発光層１２２およびｐ型半導体層１２３が積層された半導体層１２と、半導体層１２に積層され、金属酸化物からなる成膜材料により成膜された透明導電膜１３と、透明導電膜１３に積層された反射部１４とを備えている。この透明導電膜を成膜する際には、半導体層に透明導電膜の原膜をスパッタにより成膜するスパッタ工程と、原膜を酸素含有雰囲気ガスによりアニールする第１アニール工程と、酸素非含有雰囲気ガスによりアニールする第２アニール工程との２段階アニールを行う。第１アニール工程または第２アニール工程では、雰囲気温度が６００℃より高く、６８０℃より低くなるような範囲で行う。 （もっと読む）

【課題】導電性、電気化学的安定性、耐酸化性、充填性、緻密性、機械的・物理的強度に優れ、しかも基板に対する接着力・密着力の高い高品質・高信頼度のメタライズ配線を有する電子機器を提供すること。
【解決手段】基板１１は、所定のパターンを有するメタライズ配線１２を有している。メタライズ配線１２は、メタライズ層１２１と、絶縁層１２２とを含んでいる。メタライズ層１２１は、高融点金属成分と低融点金属成分とを含み、高融点金属成分及び低融点金属成分が互いに拡散接合している。絶縁層１２２は、メタライズ層１２１と同時に形成されたもので、メタライズ層１２１の外面を覆っている。電子部品１４は、メタライズ配線１２のメタライズ層１２１に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】光損失を低減することができ、光取出効率を高めることができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、回路パターン２０，２１を素子搭載面２ａに有する素子搭載基板２と、素子搭載基板２の素子搭載側に搭載され、かつ回路パターン２０，２１に接続されたＬＥＤ素子３と、ＬＥＤ素子３を封止して素子搭載面２ａに接合された封止部材４と、封止部材４内で素子搭載基板２の素子搭載側を覆うコーティング層５とを備え、コーティング層５は、その屈折率が封止部材４の屈折率よりも低い屈折率に設定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させることを目的とする。
【解決手段】ｎ型半導体層と、通電により発光波長λの光を出射する発光層と、ｐ型半導体層１６０と、発光層から出射される光に対する透過性および導電性を備えるとともに第１屈折率ｎ１を有する透明導電層１７０と、発光層から出射される光に対する透過性および絶縁性を備えるとともに第１屈折率ｎ１よりも低い第２屈折率ｎ２を有する透明絶縁層１８０と、発光層から出射される光に対する反射性を備えるｐ金属反射層２０２とが積層された半導体発光素子１において、透明導電層１７０の第１膜厚ｔ１は、（λ／４ｎ１）×（Ａ−０．５）≦ｔ１≦（λ／４ｎ１）×（Ａ＋０．５）の関係を有し、透明絶縁層１８０の第２膜厚ｔ２は、（λ／４ｎ２）×（Ｂ−０．５）≦ｔ２≦（λ／４ｎ２）×（Ｂ＋０．５）の関係を有する。ただし、Ａは正の偶数、Ｂは正の奇数である。 （もっと読む）

【課題】レンズの位置精度が高く、光結合効率及び光取り出し効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】基板１０上にバンプを介して搭載された発光素子１１、発光素子上に配された波長変換層１３、及び波長変換層上に配された透光性プレート１４、からなる発光積層体１５と、発光積層体上に形成されたレンズ２１と、を有している。上記レンズは、発光積層体の側面を覆って発光積層体を包含する側面被覆部２１Ｐと、透光性プレートの少なくとも上面端部に至って透光性プレートの上面を覆う上面被覆部２１Ｃと、を有する。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層体と、第１電極と、第２電極と、反射層と、第１金属ピラーと、第２金属ピラーと、封止部と、を含む半導体発光素子が提供される。積層体は、第１部分及び第２部分を有する第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第２部分と第２半導体層との間に設けられた発光部と、を含む。積層体は、第１半導体層の側の第１主面と、２半導体層の側の第２主面と、を有する。第１、第２電極は、第２主面の側において、第１、第２半導体層のそれぞれの上に設けられる。反射層は、積層体の側面を覆い、絶縁性である。第１、第２金属ピラーは、第１、第２電極とそれぞれ接続され、第１半導体層から第２半導体層に向かう第１方向に延びる。封止部は、第１金属ピラー及び第２金属ピラーを封止する。 （もっと読む）

【課題】 配光パターンにおける明瞭なカットラインを形成する。
【解決手段】 光を出射する出射面１３ａを有する半導体発光素子１３と、半導体発光素子が搭載された回路基板１４と、半導体発光素子の出射面を覆うように配置され半導体発光素子から出射される光の少なくとも一部の波長を変換する蛍光体層１５と、回路基板上に設けられ半導体発光素子と蛍光体層を周囲から囲む遮光壁１６とを備え、蛍光体層が透光性を有する接着用樹脂２３により半導体発光素子と遮光壁に接着され、遮光壁の先端部が蛍光体層より突出され、透光性を有する透明樹脂２４が少なくとも遮光壁における先端部２１の露出面２０ａを覆うように塗布された。 （もっと読む）

【課題】基板貼り替えに伴うクラックの発生を防止できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法では、第１基板３１上に形成された半導体積層体１１上に第１金属層１２ａを形成し、第２基板３２上に第２金属層１２ｂを形成する。第１金属層１２ａと第２金属層１２ｂを対向させて、第１基板３１と第２基板３２を重ね合わせる。第１基板３１側から第１基板３１を透過し、半導体積層体１１に吸収される第１レーザ３５を照射し、半導体積層体１１を部分的に加熱分解する。第２基板３２側から第２基板３２を透過、または第１基板３１側から半導体積層体１１を透過する第２レーザ３６を照射し、第１金属層１２ａと第２金属層１２ｂを部分的に融着する。第１および第２基板３１、３２を第１および第２金属層１２ａ、１２ｂが融解する温度より低い温度に加熱して、第１基板３１を除去する。 （もっと読む）