半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法
【課題】生産性を向上させることができ、且つ、小型化を図ることができる半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電形の第１半導体層１２と、第２導電形の第２半導体層１１と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる発光層１３と、を含み、前記発光層が放射する光を前記第２半導体層側の第１の主面から放射する積層体１５と、前記積層体の前記第１の主面１５ａとは反対側の第２の主面１５ｂ側において、前記第１半導体層に接続される第１電極１６と、前記積層体の前記第２の主面側において前記第２半導体層に接続される第２電極１７と、前記第１電極に接続される第１配線部２１と、前記第２電極に接続される第２配線部２２と、前記積層体の前記第２の主面側に設けられ、前記第１配線部と、前記第２配線部と、を覆う封止部２５と、を備えている。
【解決手段】第１導電形の第１半導体層１２と、第２導電形の第２半導体層１１と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる発光層１３と、を含み、前記発光層が放射する光を前記第２半導体層側の第１の主面から放射する積層体１５と、前記積層体の前記第１の主面１５ａとは反対側の第２の主面１５ｂ側において、前記第１半導体層に接続される第１電極１６と、前記積層体の前記第２の主面側において前記第２半導体層に接続される第２電極１７と、前記第１電極に接続される第１配線部２１と、前記第２電極に接続される第２配線部２２と、前記積層体の前記第２の主面側に設けられ、前記第１配線部と、前記第２配線部と、を覆う封止部２５と、を備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
後述する実施形態は、概ね、半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
可視光や白色光を放射する半導体発光装置は、照明機器、表示装置などの光源として使用されている。
この様な半導体発光装置には、基板などに実装した際に半導体発光装置の側面が出射面（光取り出し面）となるサイドビュー型と呼ばれているものがある。
サイドビュー型の半導体発光装置においては、半導体発光装置の実装面側に設けられた端子面と、基板に設けられた電極とをはんだ付けすることで実装が行われる。そのため、はんだ付け部分の視認が困難になるという問題がある。
そこで、側面にも端子面を露出させた半導体発光装置が提案されている。
しかしながら、単に側面に端子面を露出させると、外形形状が複雑となり生産性が悪くなったり、外形寸法が大きくなったりするという新たな問題が生ずる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１９９２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、生産性を向上させることができ、且つ、小型化を図ることができる半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる発光層と、を含み、前記発光層が放射する光を前記第２半導体層側の第１の主面から放射する積層体と、前記積層体の前記第１の主面とは反対側の第２の主面側において、前記第１半導体層に接続される第１電極と、前記積層体の前記第２の主面側において前記第２半導体層に接続される第２電極と、前記第１電極に接続される第１配線部と、前記第２電極に接続される第２配線部と、前記積層体の前記第２の主面側に設けられ、前記第１配線部と、前記第２配線部と、を覆う封止部と、を備えている。そして、前記第１配線部は、前記第１の主面に交差する前記封止部の第１側面に露出する第１端子面と、前記第１側面に交差する前記封止部の第２側面に露出する第２端子面と、を有し、前記第２配線部は、前記第１側面に露出する第３端子面と、前記第２側面および前記第２側面と平行な前記封止部の第３側面の少なくともいずれかに露出する第４端子面と、を有し、前記第１端子面と、前記第２端子面と、は、連続して設けられ、前記第３端子面と、前記第４端子面と、は、連続して設けられている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示するための模式図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は第１の実施形態に係る発光モジュールを例示するための模式図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１２】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１３】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１４】第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１５】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１６】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る発光モジュールの製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１７】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る発光モジュールの製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１８】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る発光モジュールの製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１９】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る発光モジュールの製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図２０】（ａ）〜（ｄ）は第２の実施形態に係る半導体発光装置を例示するための模式図である。
【図２１】（ａ）〜（ｃ）は第２の実施形態に係る発光モジュールを例示するための模式図である。
【図２２】（ａ）〜（ｄ）は第３の実施形態に係る半導体発光装置を例示するための模式図である。
【図２３】（ａ）〜（ｃ）は第３の実施形態に係る発光モジュールを例示するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
[第１の実施形態]
（半導体発光装置）
図１は、第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示するための模式図である。
図１（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置１０ａを模式的に示す斜視図、図１（ｃ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、図１（ｄ）は図１（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体発光装置１０ａは、四角柱形状の外形を有し、封止部２５と、透光部２７と、を含む。
【０００８】
図１（ｃ）、（ｄ）に示すように、半導体発光装置１０ａは、ｐ形ＧａＮ層１２（第１導電形の第１半導体層の一例に相当する）と、ｎ形ＧａＮ層１１（第２導電形の第２半導体層の一例に相当する）と、発光層１３と、を含む積層体１５を有する。発光層１３は、ｐ形ＧａＮ層１２とｎ形ＧａＮ層１１との間に設けられている。積層体１５は、ｎ形ＧａＮ層１１側の第１の主面１５ａと、その反対側の第２の主面１５ｂと、を有する。そして、積層体１５は、発光層１３が放射する光を第１の主面１５ａの側から放射する。
【０００９】
積層体１５から放射された光は、透光部２７を透過して出射面２７ａを介して外部に放射される。透光部２７の出射面２７ａは、積層体１５の第１の主面１５ａと略平行となっている。
さらに、積層体１５と透光部２７との間に、レンズ２６を設けることができる。レンズ２６は、積層体１５から放射される光を集光して指向性を向上させる。
一方、積層体１５の第２の主面１５ｂ側には、ｐ形ＧａＮ層１２に電気的に接続されたｐ側電極１６（第１電極の一例に相当する）と、ｎ形ＧａＮ層１１に電気的に接続されたｎ側電極１７（第２電極の一例に相当する）と、が設けられている。ｎ側電極１７は、ｐ形ＧａＮ層１２および発光層１３を選択的にエッチングして除去したｎ形ＧａＮ層１１の表面に設けられている。
【００１０】
さらに、積層体１５およびｐ側電極１６、ｎ側電極１７を覆う絶縁部１８が設けられる。絶縁部１８は、例えば、ポリイミドからなる。そして、絶縁部１８に形成されたコンタクトホール１８ａ、１８ｂを介してｐ側電極１６およびｎ側電極１７に電気的に接続されたｐ側再配線部２１およびｎ側再配線部２２が設けられている。
【００１１】
ｐ側再配線部２１の表面には、ｐ側配線部２３（第１配線部の一例に相当する）が設けられている。ｐ側配線部２３は、ｐ側再配線部２１を介してｐ側電極１６に電気的に接続されている。一方、ｎ側再配線部２２の表面には、ｎ側配線部２４（第２配線部の一例に相当する）が設けられている。ｎ側配線部２４は、ｎ側再配線部２２を介してｎ側電極１７に電気的に接続されている。
【００１２】
ｐ側配線部２３は、積層体１５の第２の主面１５ｂに対して平行な方向に伸びており、封止部２５の側面２５ａに対して略垂直に交差する側面２５ｂ（第１側面の一例に相当する）と側面２５ｃ（第２側面の一例に相当する）とに露出している。すなわち、封止部２５の側面２５ｂには、ｐ側配線部２３の端子面２３ａ（第１端子面の一例に相当する）が露出している。
側面２５ｂにつながる側面２５ｃには、端子面２３ａにつながる端子面２３ｂ（第２端子面の一例に相当する）が露出している。すなわち、端子面２３ａと端子面２３ｂとは連続して設けられている。
端子面２３ａは、封止部２５の側面２５ｂから突出しておらず、面一となっている。端子面２３ｂは、封止部２５の側面２５ｃから突出しておらず、面一となっている。
【００１３】
ｎ側配線部２４も同様に、積層体１５の第２の主面１５ｂに対して平行な方向に伸びており、封止部２５の側面２５ａに対して略垂直に交差する側面２５ｂと側面２５ｄ（第３側面の一例に相当する）とに露出している。すなわち、封止部２５の側面２５ｂには、ｎ側配線部２４の端子面２４ａ（第３端子面の一例に相当する）が露出している。
【００１４】
側面２５ｂにつながる側面２５ｄには、端子面２４ａにつながる端子面２４ｂ（第４端子面の一例に相当する）が露出している。すなわち、端子面２４ａと端子面２４ｂとは連続して設けられている。
端子面２４ａは、封止部２５の側面２５ｂから突出しておらず、面一となっている。端子面２４ｂは、封止部２５の側面２５ｄから突出しておらず、面一となっている。
端子面２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂは、基板などに設けられた電極と接続材を介して電気的に接続される。
【００１５】
端子面２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂが側面から突出しないようにすれば、半導体発光装置１０ａの外面を平坦面とすることができる。そのため、複数の半導体発光装置１０ａを一括して形成し、個片化をすることが容易となる。また、個片化する際に無駄になる部分を少なくすることができる。
また、半導体発光装置１０ａを光源である積層体１５とほぼ同じサイズとすることができるので、半導体発光装置１０ａの小型化を図ることができる。
なお、複数の半導体発光装置１０ａを一括して形成し、個片化をすることに関する詳細は後述する。
またさらに、端子面２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂが側面から突出しないようにすれば、接続材の這い上がりが阻害されることがない。そのため、良好なフィレットを形成することができる。
なお、半導体発光装置１０ａを基板に接続する際の詳細は後述する。
【００１６】
ｐ側再配線部２１、ｎ側再配線部２２、ｐ側配線部２３、ｎ側配線部２４の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁材料との優れた密着性が得られる。
封止部２５は、四角柱形状を有し、ｐ側配線部２３と、ｎ側配線部２４とを覆うように設けられている。封止部２５は、絶縁性材料から形成されるものとすることができる。封止部２５の材料としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを例示することができる。
【００１７】
（発光モジュール）
図２は、半導体発光装置１０ａを有した発光モジュール２０１ａを例示するための模式図である。図２（ａ）は発光モジュール２０１ａの模式平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）におけるＤ−Ｄ断面図である。
図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、発光モジュール２０１ａには、半導体発光装置１０ａと、基板１００とが設けられている。
【００１８】
基板１００の基体１０１の表面には、電極１０２ａ（第３電極の一例に相当する）、電極１０２ｂ（第４電極の一例に相当する）が形成されている。基体１０１、並びに、電極１０２ａ、１０２ｂの上には、パターニングされた絶縁部１０３が設けられており、半導体発光装置１０ａとの電気的な接続を行う部分が露出している。その他、電極１０２ａ、１０２ｂに接続された配線パターンなどを適宜設けることができる。
【００１９】
電極１０２ａ、１０２ｂは、平面視において、面積がなるべく大きくなるようにすることが好ましい。電極１０２ａ、１０２ｂの面積を大きくすれば、熱の広がりを助長することができるので、放熱性を向上させることができる。
絶縁部１０３は、白色の材料、例えば、白色のエポキシ系樹脂から形成されるものとすることができる。絶縁部１０３の色が白色であれば、発光層１３から放射された光のうち、絶縁部１０３側に向かう光りを反射することができるので、光の損失を低減することが可能となる。
【００２０】
半導体発光装置１０ａは、基板１００上に設けられている。半導体発光装置１０ａの封止部２５の側面２５ｂと、透光部２７の側面２７ｂとは、基板１００と対峙している。
そのため、積層体１５の第１の主面１５ａと、透光部２７の出射面２７ａとは、基板１００に対して略垂直となる。その結果、図２（ｃ）に示すように、積層体１５から放射された光は、基板１００に対して略平行な方向に放射される。この様な方向に光りを放射する半導体発光装置１０ａは、サイドビュー型と呼ばれている。すなわち、発光モジュール２０１ａには、サイドビュー型の半導体発光装置１０ａが設けられている。サイドビュー型の半導体発光装置１０ａを有した発光モジュール２０１ａは、例えば、液晶表示装置のバックライトにおいて、導光板の側面から光を照射するような用途に適している。前述したように、半導体発光装置１０ａは光源である積層体１５とほぼ同じサイズとなっているので、発光モジュール２０１ａの小型化、ひいては、発光モジュール２０１ａが設けられる液晶表示装置などの小型化を図ることが可能となる。
【００２１】
次に、半導体発光装置１０ａと、基板１００との接続について例示をする。
図２(ｂ)に示すように、半導体発光装置１０ａと、基板１００とは接続材１０４ａ、１０４ｂを介して電気的に接続される。
この際、端子面２３ａ、２３ｂは、接続材１０４ａを介して電極１０２ａと電気的に接続される。端子面２４ａ、２４ｂは、接続材１０４ｂを介して電極１０２ｂと電気的に接続される。
接続材１０４ａ、１０４ｂは、例えば、はんだ、導電性ペーストなどとすることができる。
【００２２】
ここで、半導体発光装置１０ａの中心位置からずれた位置に端子面２３ａ、２４ａが設けられている。そのため、端子面２３ａ、２４ａのみによる接続を行うようにすると、接続材１０４ａ、１０４ｂの供給量のバランスが悪い場合に、半導体発光装置１０ａが傾くことで光の放射方向がずれるおそれがある。
また、端子面２３ａ、２４ａのみによる接続を行うようにすると、接続部分の面積が少ないことから、接続強度が不足するおそれがある。
そのため、半導体発光装置１０ａにおいては、端子面２３ｂ、２４ｂによる接続をも行うようにしている。
【００２３】
半導体発光装置１０ａを基板１００に接続する際、接続材１０４ａは、端子面２３ａに付着するのみならず、端子面２３ｂを這い上がるようにして端子面２３ｂにも付着する。また、接続材１０４ｂは、端子面２４ａに付着するのみならず、端子面２４ｂを這い上がるようにして端子面２４ｂにも付着する。
【００２４】
前述したように、端子面２３ｂ、２４ｂは側面から突出していないので、接続材１０４ａ、１０４ｂの這い上がりが阻害されることがない。そのため、良好なフィレット１０４ａ１、１０４ｂ１を形成することができる。その結果、接続の信頼性、接続の強度などを向上させることができる。
【００２５】
また、端子面２３ｂ、２４ｂにおける接続材１０４ａ、１０４ｂの這い上がりの状態や、フィレット１０４ａ１、１０４ｂ１の状態は視認することができるので、接続状態の確認を容易に行うことができる。そのため、検査精度の向上や、検査の容易化を図ることができる。
【００２６】
また、半導体発光装置１０ａを基板１００に接続する際、いわゆるダイボンディング法が用いられる場合がある。ダイボンディング法を用いる場合には、半導体発光装置１０ａと、基板１００との間にある接続材１０４ａ、１０４ｂが押圧されることになる。この場合、接続材１０４ａ、１０４ｂに発生した応力は、半導体発光装置１０ａに設けられたｐ側配線部２３、ｎ側配線部２４および封止部２５により吸収される。そのため、ダイボンディング法を用いる場合であっても、積層体１５に加わる応力を緩和することが可能となる。その結果、光出力の劣化や信頼度の劣化が生じることを抑制することができる。
【００２７】
（半導体発光装置の製造方法）
図３〜図１５は、半導体発光装置１０ａの製造方法を例示するための模式工程断面図である。
半導体発光装置１０ａの製造方法においては、例えば、基板５上に複数の半導体発光装置１０ａを一括して形成するようにすることができる。そのため、図３〜図１５においては、基板５の一部の領域における半導体発光装置１０ａの形成を例示することにする。
【００２８】
図３（ａ）は、基板５の主面上に、ｎ形ＧａＮ層１１、発光層１３、およびｐ形ＧａＮ層１２を含む積層体１５を形成した状態を示す。図３（ｂ）は、図３（ａ）に対応する平面図である。
基板５の主面上には、ｎ形ＧａＮ層１１が形成され、その上に発光層１３、ｎ形ＧａＮ層１２が形成される。基板５には、例えば、サファイア基板を用いることができ、その主面上に、ＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）法を用いてＧａＮ系窒化物半導体層であるｎ形ＧａＮ層１１、発光層１３、ｎ形ＧａＮ層１２を順次成長させる。
【００２９】
この場合、ｎ形ＧａＮ層１１と基板５との間には、例えば、図示しないバッファ層を形成することができる。ｎ形ＧａＮ層１１は、ｎ形不純物として、例えば、シリコン（Ｓｉ）を含む。ｐ形ＧａＮ層１２は、ｐ形不純物として、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）を含む。発光層１３は、例えば、ＧａＮとＩｎＧａＮとで構成される量子井戸構造を含み、青、紫、青紫などの光を放射する。また、ＡｌＧａＮを材料とすることにより紫外光を放射することもできる。
積層体１５の第１の主面１５ａは、ｎ形ＧａＮ層１１における基板５と接する面である。そして、ｐ形ＧａＮ層１２の表面が、積層体１５の第２の主面１５ｂとなる。
【００３０】
次に、図４（ａ）及びその平面図である図４（ｂ）に示すように、ダイシング領域ｄ１、ｄ２において、積層体１５を貫通して基板５に達する溝を形成する。例えば、積層体１５の表面に図示しないレジストマスクを形成し、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法を用いてエッチングを行うことにより溝を形成する。ダイシング領域ｄ１、ｄ２は、ウェーハ状態の基板５上に、例えば、格子状に形成される。ダイシング領域ｄ１、ｄ２に形成された溝により、積層体１５は、半導体発光装置１０ａに含まれる個々の単位に分離される。
なお、積層体１５を個々の単位に分離する工程は、ｐ形ＧａＮ層１２を選択的にエッチングした後、あるいは、後述するｐ側電極１６、ｎ側電極１７の形成後に行っても良い。
【００３１】
次に、図５（ａ）及びその平面図である図５（ｂ）に示すように、ｐ形ＧａＮ層１２および発光層１３の一部を選択的に除去し、ｎ形ＧａＮ層１１の一部を第２の主面１５ｂの側に露出させる。例えば、積層体１５の表面に図示しないレジストマスクを形成し、ＲＩＥ法を用いてエッチングを行うことでｎ形ＧａＮ層１１の一部を第２の主面１５ｂの側に露出させる。
図５（ｂ）示すように、ｎ形ＧａＮ層１１の露出面１１ａは、積層体１５の配列方向であってダイシング領域ｄ２に沿った方向において、交互に逆方向に形成され、露出面１１ａがダイシング領域ｄ１を挟んで向き合うように配置される。ｎ形ＧａＮ層１１の露出面の配置は、この例に限定される訳ではなく、ダイシング領域ｄ２に沿って同じ方向に形成されても良い。
【００３２】
次に、図６（ａ）及びその平面図である図６（ｂ）に示すように、第２の主面１５ｂの側にｐ側電極１６とｎ側電極１７を形成する。図６（ｂ）に示すように、ダイシング領域ｄ２に沿った方向において、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７の配置が交互に逆転するように形成される。ｐ側電極１６は、ｐ形ＧａＮ層１２の表面に形成される。ｐ形ＧａＮ層１２の表面に透明電極を形成後、ｐ側電極１６を形成しても良い。ｎ側電極１７は、例えば、チタン（Ｔｉ）およびアルミニウム（Ａｌ）の積層膜を用いて、ｎ形ＧａＮ層１１の露出面１１ａに形成される。
【００３３】
ｐ側電極１６およびｎ側電極１７は、例えば、スパッタ法、蒸着法等で形成される。ｐ側電極１６とｎ側電極１７は、どちらを先に形成しても良い。また、同じ材料を用いて同時に形成することもできる。
【００３４】
ｐ側電極１６は、発光層１３から放射された光に対して反射性を有するものとすることが好ましい。ｐ側電極１６は、例えば、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等を含むものとすることができる。また、ｐ側電極１６は、硫化や酸化を抑制するための金属保護膜を含む構成であってもよい。
【００３５】
さらに、ｐ側電極１６とｎ側電極１７との間、および、発光層１３の端面（側面）に図示しないパッシベーション膜を形成しても良い。パッシベーション膜は、例えば、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法を用いて形成されたシリコン窒化膜やシリコン酸化膜とすることができる。ｐ側電極１６およびｎ側電極１７と、積層体１５との間のオーミックコンタクトを形成するために、必要に応じて活性化アニールを実施することができる。
【００３６】
次に、図７（ａ）に示すように、基板５の主面上に露出している部分のすべてを絶縁部１８で覆った後、コンタクトホール１８ａ、１８ｂを形成する。例えば、ウェットエッチング法を用いて絶縁部１８を選択的に除去することで、コンタクトホール１８ａ、１８ｂを形成する。コンタクトホール１８ａはｐ側電極１６に達し、コンタクトホール１８ｂはｎ側電極１７に達するように形成する。
【００３７】
絶縁部１８の形成には、例えば、感光性ポリイミド、ベンゾシクロブテン（Benzocyclobutene）などの有機材料を用いることができる。この場合、フォトリソグラフィ法を用いて絶縁部１８を直接露光し、現像することにより、コンタクトホール１８ａ、１８ｂを形成することができる。
あるいは、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜などの無機膜を用いて、絶縁部１８を形成することもできる。無機膜とする場合には、レジストマスクを用いたエッチングによって、コンタクトホール１８ａ、１８ｂを形成することができる。
【００３８】
次に、図７（ｂ）に示すように、絶縁部１８の表面であって、積層体１５とは反対の側に位置する配線面１８ｃに、シードメタル１９を形成する。シードメタル１９は、コンタクトホール１８ａの内壁及び底部と、コンタクトホール１８ｂの内壁及び底部にも形成される。
シードメタル１９は、例えば、スパッタ法で形成される。シードメタル１９は、例えば、絶縁部１８側から順に積層されたチタン（Ｔｉ）および銅（Ｃｕ）の積層膜を含むものとすることができる。
次に、図７（ｃ）に示すように、シードメタル１９上にレジストマスク４１を形成する。その後、電解銅（Ｃｕ）メッキを行うことでＣｕ膜を形成する。メッキ電流はシードメタル１９を経由して流れ、シードメタル１９の表面にＣｕ膜が形成される。
【００３９】
これにより、図８（ａ）およびその平面図である図８（ｂ）に示すように、絶縁部１８の配線面１８ｃ上に、ｐ側再配線部２１とｎ側再配線部２２が選択的に形成される。ｐ側再配線部２１及びｎ側再配線部２２は、上記メッキにより同時に形成されたＣｕ膜からなる。
ｐ側再配線部２１は、コンタクトホール１８ａ内にも形成され、シードメタル１９を介してｐ側電極１６と電気的に接続される。ｎ側再配線部２２は、コンタクトホール１８ｂ内にも形成され、シードメタル１９を介してｎ側電極１７と電気的に接続される。
【００４０】
ここで、ダイシング領域ｄ１は、ｐ側再配線部２１の側面２１ｂおよびｎ側再配線部２２の側面２２ｂに沿った方向（図８（ｂ）の横方向）に延在する。そして、図１（ａ）および（ｂ）における封止部２５の側面２５ｃにｐ側再配線部２１の側面２１ｂが、側面２５ｄにｎ側再配線部２２の側面２２ｂが露出する。
ダイシング領域ｄ２は、ｐ側再配線部２１の側面２１ａおよびｎ側再配線部２２の側面２２ａに沿った方向（図８（ｂ）の縦方向）に延在する。そして、図１（ａ）および（ｂ）における封止部２５の側面２５ｂに、ｐ側再配線部２１の側面２１ａおよびｎ側再配線部２２の側面２２ａが露出する。
【００４１】
図８（ｂ）に１点鎖線で示すエッジｅ１、ｅ２、ｅ３、ｅ４は、それぞれダイシングブレードの両エッジで切断される境界を表す。そして、図８（ｂ）中に示す側面２１ａおよび側面２２ａは、エッジｅ１、ｅ２を越えてダイシング領域ｄ２に張り出すように形成され、側面２１ｂおよび側面２２ｂは、エッジｅ３、ｅ４を越えてダイシング領域ｄ１に張り出すように形成される。
さらに、ｐ側再配線部２１におけるｎ側再配線部２２に向き合う辺において、側面２１ａの側の角には切り欠き部２１ｃが形成されている。切り欠き２１ｃは、側面２１ａと側面２２ａとの間に設けられる。これにより、ダイシング後に封止部２５から露出する側面２１ａと側面２２ａとの間の間隔を広げることが可能となり、基板などとの接続の際に、はんだなどによる短絡を回避することができる。
【００４２】
一方、切り欠き２１ｃを除くｐ側再配線部２１とｎ側再配線部２２との間隔は、プロセス上の限界まで近づけることができる。すなわち、封止部２５の側面２５ｂに露出する端子面２３ａ、２４ａの間隔に制約を受けることなく、ｐ側再配線部２１の面積を広くできる。この結果、ｐ側再配線部２１とｐ側電極１６とのコンタクト面積を広げて電流密度を低減し、さらに放熱性を向上させることができる。例えば、ｐ側再配線部２１とｐ側電極１６との間を、複数のコンタクトホール１８ａを介して接続することが可能となる。
【００４３】
さらに、本実施形態に係る製造方法では、図８（ｂ）に示すように、側面２１ａおよび側面２２ａは、ダイシング領域ｄ２の一方の側に偏って存在せず、ダイシング領域ｄ２の幅方向の両側に、交互に設けられる。同様に、側面２１ｂおよび側面２２ｂは、ダイシング領域ｄ１の一方の側に偏って存在せず、ダイシング領域ｄ１の幅方向の両側に、交互に設けられる。これにより、ダイシングブレードを用いてダイシング領域ｄ２を切断する際に、メタルである側面２１ａ及び側面２２ａを、ダイシングブレードの両側で均等に切断することができる。その結果、ダイシングブレードのエッジにかかる負荷を均等にすることができる。すなわち、ダイシングブレードの目詰まりや破損等を抑制し寿命を伸ばすことができる。
【００４４】
なお、図８（ｂ）に示す例では、エッジｅ１側の側面２１ａおよび側面２２ａと、エッジｅ２側の側面２１ａおよび側面２２ａとが、ダイシング領域ｄ２の延在方向に交互に配置されているが、このようなレイアウトに限られる訳ではない。側面２１ａおよび側面２２ａが、エッジｅ１及びエッジｅ２のいずれか一方に偏る配置でなければ良い。
【００４５】
図９（ａ）は、ｐ側再配線部２１及びｎ側再配線部２２の形成に使用したレジストマスク４１を除去した状態を示す断面図である。レジストマスク４１は、例えば、有機溶剤を用いたウェットアッシング法、もしくは酸素プラズマを用いたドライアッシング法などにより除去することができる。
続いて、図９（ｂ）に示すように、配線部形成用のレジストマスク４２を形成する。レジストマスク４２は、前述のレジストマスク４１よりも厚く形成する。なお、レジストマスク４１を除去せずに残し、その上にレジストマスク４２を重ねて形成しても良い。
【００４６】
そして、図１０（ａ）及びその平面図である図１０（ｂ）に示すように、ｐ側配線部２３とｎ側配線部２４を形成する。例えば、レジストマスク４２を用いて、選択的に電解Ｃｕメッキを行う。この場合も、シードメタル１９を介してメッキ電流が流れ、ｐ側再配線部２１およびｎ側再配線部２２の上にＣｕ膜が形成される。
【００４７】
すなわち、ｐ側配線部２３は、レジストマスク４２に形成された開口４２ａ内であって、ｐ側再配線部２１の表面に形成される。ｎ側配線部２４は、レジストマスク４２に形成された開口４２ｂ内であって、ｎ側再配線部２２の表面に形成される。ｐ側配線部２３及びｎ側配線部２４は、電解Ｃｕメッキにより同時に形成され、銅材料からなる。
【００４８】
そして、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４の端面であって、ダイシング後に封止部２５の側面２５ｂに露出される端子面２３ａ、および、端子面２４ａを形成するために、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４を、ダイシングブレードのエッジｅ１およびエッジｅ２を超えてダイシング領域ｄ２上に張り出させる。同様に、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４の端面であって、ダイシング後に封止部２５の側面２５ｃと２５ｄに露出される端子面２３ｂ、および、端子面２４ｂを形成するために、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４を、ダイシングブレードのエッジｅ３およびエッジｅ４を超えてダイシング領域ｄ１上に張り出させる。
【００４９】
図１０（ｂ）に示すように、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４の張り出し部は、ダイシング領域ｄ２の一方の側に偏らず、ダイシング領域ｄ２の延在方向の両側に均等に設けられる。そして、ダイシング領域ｄ２をダイシングブレードにより切断する際に、メタルであるｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４を、ダイシングブレードの両方のエッジで均等に切断する。これにより、ダイシングブレードのエッジにかかる負荷が均等になり、目詰まりや破損等を抑制してダイシングブレードの寿命を伸ばすことができる。
【００５０】
なお、図１０（ｂ）の例では、エッジｅ１側に張り出したｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４と、エッジｅ２側に張り出したｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４とが、ダイシング領域ｄ２の延在方向に交互に配置されているが、このようなレイアウトに限られる訳ではない。すなわち、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４の張り出し部が、エッジｅ１及びエッジｅ２のいずれか一方側に偏って存在していなければ良い。
【００５１】
そして、ｐ側配線部２３とｎ側配線部２４との間隔は、封止部２５の側面２５ｂに露出する端子面２３ａ、２４ａが、基板などとの接続時に接続材１０４ａ、１０４ｂにより短絡されないような寸法とされる。
【００５２】
次に、レジストマスク４２を、例えば、有機溶剤を用いたウェットアッシング法、もしくは酸素プラズマを用いたドライアッシング法などにより除去する。
図１１（ａ）およびその平面図である図１１（ｂ）は、レジストマスク４２を除去した状態を示している。
図１１（ａ）に示すように、ｐ側配線部２３は、ｐ側再配線部２１よりも小さく形成される。このため、図１１（ｂ）中に示すように、切り欠き部２１ｃを除いて、ｐ側再配線部２１が、ｐ側配線部２３の側からｎ側配線部２４の側に延在するように形成される。
【００５３】
次に、図１２（ａ）に示すように、ｐ側配線部２３、ｎ側配線部２４、および、ｐ側配線部２３の側から延在したｐ側再配線部２１の一部をマスクとして、シードメタル１９の露出部をウェットエッチング法を用いて除去する。これにより、ｐ側再配線部２１とｎ側再配線部２２との間が電気的に分断される。
次に、図１２（ｂ）に示すように、ｐ側配線部２３、ｎ側配線部２４、および、その間に露出した絶縁部１８の表面を覆う封止部２５を形成する。封止部２５には、発光層１３の発光に対して遮光性を付与するために、例えば、カーボンブラックを含有させることができる。また、発光層１３の発光を反射する酸化チタン等の粉末を含有させてもよい。
【００５４】
次に、図１３（ａ）に示すように、基板５を除去する。基板５は、例えば、レーザーリフトオフ法によって除去する。例えば、基板５の裏面であって、積層体１５の反対側に位置する主面からｎ形ＧａＮ層１１に向けてレーザ光を照射する。レーザ光は、基板５に対して透過性を有し、ｎ形ＧａＮ層１１に吸収される波長を有する。そして、基板５とｎ形ＧａＮ層１１との界面において、その界面近傍のｎ形ＧａＮ層１１は、レーザ光のエネルギーを吸収し、ガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とに分解される。この分解反応により、基板５とｎ形ＧａＮ層１１とが分離される。
【００５５】
さらに、基板５の全体に渡り、設定された領域ごとに複数回に分けてレーザ光を照射する。これにより、積層体１５の第１の主面１５ａから基板５が除去され、光取り出し効率の向上が可能となる。
【００５６】
基板５から分離された積層体１５は、第２の主面１５ｂの側に設けられた封止部２５によって支持される。すなわち、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４を構成するＣｕ膜を十分に厚く形成し、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４の間を封止部２５によって充填する。これにより、基板５を分離した状態におけるウェーハの機械的強度を確保することができる。
【００５７】
さらに、封止部２５、および、各再配線部、配線部を構成する金属は、基板５に比べて柔軟な材料である。このため、結晶成長の過程において積層体１５に内在された応力を、基板５の剥離時に封止部２５が吸収する。これにより、積層体１５におけるクラックの発生等の結晶破壊を回避できる。
【００５８】
次に、基板５が除去された積層体１５の第１の主面１５ａを洗浄する。例えば、塩酸等で、第１の主面１５ａに残留したガリウム（Ｇａ）を除去する。
さらに、例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等で、第１の主面１５ａをエッチングする。これにより、図１３（ｂ）に示すように、結晶面方位に依存したエッチング速度の違いに起因する凹凸が、第１の主面１５ａに形成される。あるいは、レジストマスクを用いたパターニングにより、第１の主面１５ａに凹凸を形成しても良い。この第１の主面１５ａに形成された凹凸により、光取り出し効率を向上させることができる。
【００５９】
次に、図１４に示すように、第１の主面１５ａの上、および、隣り合う積層体１５の間に露出した絶縁部１８の上に、透光部２７を形成する。透光部２７は、例えば、蛍光体粒子が分散された液状の透明樹脂を、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法によって供給した後、熱硬化させることにより形成する。透明樹脂には、発光層１３の発光及び蛍光体が発する光に対する透過性を有する材料、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、液状ガラスなどを用いる。
この場合、第１の主面１５ａと透光部２７との間に、レンズ２６を形成しても良い。レンズ２６には、発光層１３が放射する光に対して透光性を有する材料、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ガラスなどを用いることができる。レンズ２６は、例えば、グレースケールマスクを用いたエッチング法や、インプリント法によって形成することができる。
なお、第１の主面１５ａと透光部２７との間にレンズ２６を設けない構造であってもよい。
【００６０】
次に、図１５（ａ）および（ｂ）に示すように、格子状に形成されたダイシング領域ｄ１、ｄ２の位置において、透光部２７、絶縁部１８及び封止部２５を切断し、複数の半導体発光装置１０ａに個片化する。透光部２７、絶縁部１８及び封止部２５は、例えば、ダイシングブレードもしくはレーザ照射を用いて切断することができる。
【００６１】
この際、ダイシング領域ｄ２、ｄ１において、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４のダイシングブレードの幅（エッジｅ１およびエッジｅ２、エッジｅ３およびエッジｅ４）を越えた張り出した部分が切断される。これにより、封止部２５の側面に、端子面２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ、が露出する。
同様に、ｐ側再配線部２１及びｎ側再配線部２２において、ダイシング領域ｄ２、ｄ１に張り出した部分も切断される。これにより、封止部２５の側面に、ｐ側再配線部２１の側面２１ａ、２１ｂおよびｎ側再配線部２２の側面２２ａ、２２ｂも露出する（図１（ａ）参照）。
【００６２】
ダイシング時には、基板５はすでに除去されている。さらに、ダイシング領域ｄ１、ｄ２には、積層体１５が存在しないため、積層体１５が受けるダメージを回避することができる。また、個片化後の半導体発光装置１０ａでは、積層体１５の端部（側面）が絶縁部１８で覆われ保護された構造が得られる。
なお、個片化された半導体発光装置１０ａは、ひとつの積層体１５を含むシングルチップ構造でも、複数の積層体１５を含むマルチチップ構造であってもよい。
【００６３】
半導体発光装置１０ａは、個片化された段階で、必要な部分が樹脂で覆われ、且つ、基板などとの接続に用いられる端子面が露出した形態で完成する。このため、個々の半導体発光装置１０ａごとに、配線及びパッケージングを行う必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能となる。すなわち、半導体発光装置１０ａは、個片化された状態で、すでに配線及びパッケージングが済んでいる。このため、生産性を高めることができ、その結果として価格低減が容易となる。
【００６４】
（発光モジュールの製造方法）
次に、発光モジュール２０１ａの製造方法について例示をする。
なお、各図の（ａ）は製造工程を例示するための模式平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
図１６（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１００の基体１０１の表面には、電極１０２ａ、１０２ｂが形成されている。電極１０２ａ、１０２ｂにおいて半導体発光装置１０ａと電気的な接続を行う部分は、絶縁部１０３から露出している。
【００６５】
次に、図１７（ａ）、（ｂ）に示すように、電極１０２ａの上に接続材１０４ａを形成し、電極１０２ｂの上に接続材１０４ｂを形成する。例えば、電極１０２ａ、１０２ｂの上にメタルマスクを用いたスクリーン印刷法によりはんだを塗布し、接続材１０４ａ、１０４ｂを形成するようにすることができる。
次に、図１８（ａ）、（ｂ）に示すように、ダイボンディング法を用いて、基板１００の上に半導体発光装置１０ａを搭載する。このとき、端子面２３ａと接続材１０４ａとを対向させ、端子面２３ｂと接続材１０４ｂとを対向させる。この状態で接続材１０４ａと接続材１０４ｂを溶融し、その後凝固させる。これにより、端子面２３ａ、２３ｂは接続材１０４ａを介して電極１０２ａに、端子面２４ａ、２４ｂは接続材１０４ｂを介して電極１０２ｂに、接続される。
この様にして、図１９（ａ）、（ｂ）に示す様な発光モジュール２０１ａが製造される。
【００６６】
[第２の実施形態]
（半導体発光装置）
図２０は、第２の実施形態に係る半導体発光装置を例示するための模式図である。
図２０（ａ）、（ｂ）は第２の実施形態に係る半導体発光装置１０ｂを模式的に示す斜視図、図２０（ｃ）は図２０（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、図２０（ｄ）は図２０（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
図２０（ａ）〜（ｃ）に示すように、半導体発光装置１０ｂは、四角柱形状の外形を有し、封止部２５と、透光部２７と、を含む。
【００６７】
図１に例示をした半導体発光装置１０ａの場合には、端子面２３ｂが側面２５ｃに露出し、端子面２４ｂが側面２５ｄに露出している。
これに対して、半導体発光装置１０ｂの場合には、端子面２３ｂ、２４ｂが側面２５ａに露出している。すなわち、半導体発光装置１０ｂは、端子面２３ｂ、２４ｂが露出する側面が半導体発光装置１０ａとは異なるものとなっている。
【００６８】
半導体発光装置１０ｂを基板１００に接続する際、接続材１０４ａは、端子面２３ａに付着するのみならず、端子面２３ｂを這い上がるようにして端子面２３ｂにも付着する。また、接続材１０４ｂは、端子面２４ａに付着するのみならず、端子面２４ｂを這い上がるようにして端子面２４ｂにも付着する。この場合、フィレット１０４ａ１、１０４ｂ１が形成される位置が異なるものとなるが、前述した半導体発光装置１０ａが有する効果と同様の効果を得ることができる。
【００６９】
半導体発光装置１０ｂの製造方法は、前述した半導体発光装置１０ａの製造方法と同様とすることができる。すなわち、ダイシングブレードもしくはレーザ照射を用いて切断する際に、側面２５ａから端子面２３ｂ、２４ｂが露出するようにすること以外は前述した半導体発光装置１０ａの製造方法と同様とすることができる。そのため、半導体発光装置１０ｂの製造方法に関する詳細は省略する。
【００７０】
（発光モジュール）
図２１は、半導体発光装置１０ｂを有した発光モジュール２０１ｂを例示するための模式図である。図２１（ａ）は発光モジュール２０１ｂの模式平面図、図２１（ｂ）は図２１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、図２１（ｃ）は図２１（ａ）におけるＤ−Ｄ断面図である。
図２１（ａ）〜（ｃ）に示すように、発光モジュール２０１ｂには、半導体発光装置１０ｂと、基板１００とが設けられている。
前述したように、半導体発光装置１０ｂは、端子面２３ｂ、２４ｂが露出する側面が半導体発光装置１０ａとは異なるものとなっている。そのため、発光モジュール２０１ｂは、フィレット１０４ａ１、１０４ｂ１が形成される位置が、発光モジュール２０１ａとは異なるものとなる。
しかしながら、フィレット１０４ａ１、１０４ｂ１が形成される位置が異なるものとなっても、前述した発光モジュール２０１ａが有する効果と同様の効果を得ることができる。 発光モジュール２０１ｂの製造方法は、前述した発光モジュール２０１ａの製造方法と同様とすることができる。そのため、発光モジュール２０１ｂの製造方法に関する詳細は省略する。
【００７１】
[第３の実施形態]
（半導体発光装置）
図２２は、第３の実施形態に係る半導体発光装置を例示するための模式図である。
図２２（ａ）、（ｂ）は第３の実施形態に係る半導体発光装置１０ｃを模式的に示す斜視図、図２２（ｃ）は図２２（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、図２２（ｄ）は図２２（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
図２２（ａ）〜（ｃ）に示すように、半導体発光装置１０ｃは、四角柱形状の外形を有し、封止部２５と、透光部２７と、を含む。
【００７２】
半導体発光装置１０ｃの場合には、端子面２３ｂ１（第２端子面の一例に相当する）、端子面２４ｂ１（第４端子面の一例に相当する）が側面２５ａに露出している。また、端子面２３ｂ２（第２端子面の一例に相当する）が側面２５ｃに露出し、端子面２４ｂ２（第４端子面の一例に相当する）が側面２５ｄに露出している。すなわち、半導体発光装置１０ｃは、端子面２３ｂ２、２４ｂ２が露出する側面が半導体発光装置１０ａと同じとなっており、端子面２３ｂ１、２４ｂ１が露出する側面が半導体発光装置１０ｂと同じとなっている。この場合、フィレット１０４ａ１、１０４ｂ１が、半導体発光装置１０ａの場合の位置と、半導体発光装置１０ｂの場合の位置とに形成されることになるが、前述した半導体発光装置１０ａ、１０ｂが有する効果と同様の効果を得ることができる。
【００７３】
半導体発光装置１０ｃの製造方法は、前述した半導体発光装置１０ａの製造方法と同様とすることができる。すなわち、ダイシングブレードもしくはレーザ照射を用いて切断する際に、側面２５ａから端子面２３ｂ、２４ｂが露出するようにし、側面２５ｃから端子面２３ｂ２が露出するようにし、側面２５ｄから端子面２４ｂ２が露出するようにすること以外は前述した半導体発光装置１０ａの製造方法と同様とすることができる。そのため、半導体発光装置１０ｃの製造方法に関する詳細は省略する。
【００７４】
（発光モジュール）
図２３は、半導体発光装置１０ｃを有した発光モジュール２０１ｃを例示するための模式図である。図２３（ａ）は発光モジュール２０１ｃの模式平面図、図２３（ｂ）は図２３（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、図２３（ｃ）は図２３（ａ）におけるＤ−Ｄ断面図である。
図２３（ａ）〜（ｃ）に示すように、発光モジュール２０１ｂには、半導体発光装置１０ｃと、基板１００とが設けられている。
前述したように、半導体発光装置１０ｃは、端子面２３ｂ１、２３ｂ２、２４ｂ１、２４ｂ２が露出する側面が半導体発光装置１０ａとは異なるものとなっている。そのため、発光モジュール２０１ｃは、フィレット１０４ａ１、１０４ｂ１が形成される位置が、発光モジュール２０１ａとは異なるものとなる。
しかしながら、フィレット１０４ａ１、１０４ｂ１が形成される位置が異なるものとなっても、前述した発光モジュール２０１ａが有する効果と同様の効果を得ることができる。 発光モジュール２０１ｃの製造方法は、前述した発光モジュール２０１ａの製造方法と同様とすることができる。そのため、発光モジュール２０１ｃの製造方法に関する詳細は省略する。
【００７５】
なお、前述した半導体発光装置の製造方法において、基板５を残すことにより機械的強度を高め、信頼性の高い構造を有する半導体発光装置、発光モジュールとすることもできる。
また、ダイシング領域ｄ１に設けられた開口の内部にも封止部２５を充填するようにすることもできる。
例えば、絶縁部１８がポリイミドから形成された場合、ポリイミドは透光性を有するので絶縁部１８の端面から光が漏れるおそれがある。ダイシング領域ｄ１に設けられた開口の内部にも封止部２５を充填するようにすれば、遮光性を有する封止部２５により絶縁部１８の端面を覆うことができるので、絶縁部１８の端面から光が漏れることを抑制することができる。
また、ｐ側再配線部の側面、ｎ側再配線部の側面がエッジｅ１、ｅ２を越えてダイシング領域ｄ２に張り出さないようにすることもできる。この場合、配線部のみがエッジｅ１、ｅ２を越えてダイシング領域ｄ２に張り出すようにすることができる。
【００７６】
以上に例示をした実施形態によれば、生産性を向上させることができ、且つ、小型化を図ることができる半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法を実現することができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００７７】
１０ａ〜１０ｃ 半導体発光装置、１１ ｎ形ＧａＮ層、１２ ｐ形ＧａＮ層、１３ 発光層、１６ ｐ側電極、１７ ｎ側電極、２３ ｐ側配線部、２３ａ 端子面、２３ｂ 端子面、２３ｂ１ 端子面、２３ｂ２ 端子面、２４ ｎ側配線部、２４ａ 端子面、２４ｂ 端子面、２４ｂ１ 端子面、２４ｂ２ 端子面、２５ 封止部、２５ａ〜２５ｄ 側面、２７ 透光部、１００ 基板、１０１ 基体、１０２ａ 電極、１０２ｂ 電極、２０１ａ〜２０１ｃ 発光モジュール
【技術分野】
【０００１】
後述する実施形態は、概ね、半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
可視光や白色光を放射する半導体発光装置は、照明機器、表示装置などの光源として使用されている。
この様な半導体発光装置には、基板などに実装した際に半導体発光装置の側面が出射面（光取り出し面）となるサイドビュー型と呼ばれているものがある。
サイドビュー型の半導体発光装置においては、半導体発光装置の実装面側に設けられた端子面と、基板に設けられた電極とをはんだ付けすることで実装が行われる。そのため、はんだ付け部分の視認が困難になるという問題がある。
そこで、側面にも端子面を露出させた半導体発光装置が提案されている。
しかしながら、単に側面に端子面を露出させると、外形形状が複雑となり生産性が悪くなったり、外形寸法が大きくなったりするという新たな問題が生ずる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１９９２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、生産性を向上させることができ、且つ、小型化を図ることができる半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる発光層と、を含み、前記発光層が放射する光を前記第２半導体層側の第１の主面から放射する積層体と、前記積層体の前記第１の主面とは反対側の第２の主面側において、前記第１半導体層に接続される第１電極と、前記積層体の前記第２の主面側において前記第２半導体層に接続される第２電極と、前記第１電極に接続される第１配線部と、前記第２電極に接続される第２配線部と、前記積層体の前記第２の主面側に設けられ、前記第１配線部と、前記第２配線部と、を覆う封止部と、を備えている。そして、前記第１配線部は、前記第１の主面に交差する前記封止部の第１側面に露出する第１端子面と、前記第１側面に交差する前記封止部の第２側面に露出する第２端子面と、を有し、前記第２配線部は、前記第１側面に露出する第３端子面と、前記第２側面および前記第２側面と平行な前記封止部の第３側面の少なくともいずれかに露出する第４端子面と、を有し、前記第１端子面と、前記第２端子面と、は、連続して設けられ、前記第３端子面と、前記第４端子面と、は、連続して設けられている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示するための模式図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は第１の実施形態に係る発光モジュールを例示するための模式図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１２】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１３】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１４】第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１５】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１６】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る発光モジュールの製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１７】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る発光モジュールの製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１８】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る発光モジュールの製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図１９】（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る発光モジュールの製造方法を例示するための模式工程断面図である。
【図２０】（ａ）〜（ｄ）は第２の実施形態に係る半導体発光装置を例示するための模式図である。
【図２１】（ａ）〜（ｃ）は第２の実施形態に係る発光モジュールを例示するための模式図である。
【図２２】（ａ）〜（ｄ）は第３の実施形態に係る半導体発光装置を例示するための模式図である。
【図２３】（ａ）〜（ｃ）は第３の実施形態に係る発光モジュールを例示するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
[第１の実施形態]
（半導体発光装置）
図１は、第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示するための模式図である。
図１（ａ）、（ｂ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置１０ａを模式的に示す斜視図、図１（ｃ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、図１（ｄ）は図１（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体発光装置１０ａは、四角柱形状の外形を有し、封止部２５と、透光部２７と、を含む。
【０００８】
図１（ｃ）、（ｄ）に示すように、半導体発光装置１０ａは、ｐ形ＧａＮ層１２（第１導電形の第１半導体層の一例に相当する）と、ｎ形ＧａＮ層１１（第２導電形の第２半導体層の一例に相当する）と、発光層１３と、を含む積層体１５を有する。発光層１３は、ｐ形ＧａＮ層１２とｎ形ＧａＮ層１１との間に設けられている。積層体１５は、ｎ形ＧａＮ層１１側の第１の主面１５ａと、その反対側の第２の主面１５ｂと、を有する。そして、積層体１５は、発光層１３が放射する光を第１の主面１５ａの側から放射する。
【０００９】
積層体１５から放射された光は、透光部２７を透過して出射面２７ａを介して外部に放射される。透光部２７の出射面２７ａは、積層体１５の第１の主面１５ａと略平行となっている。
さらに、積層体１５と透光部２７との間に、レンズ２６を設けることができる。レンズ２６は、積層体１５から放射される光を集光して指向性を向上させる。
一方、積層体１５の第２の主面１５ｂ側には、ｐ形ＧａＮ層１２に電気的に接続されたｐ側電極１６（第１電極の一例に相当する）と、ｎ形ＧａＮ層１１に電気的に接続されたｎ側電極１７（第２電極の一例に相当する）と、が設けられている。ｎ側電極１７は、ｐ形ＧａＮ層１２および発光層１３を選択的にエッチングして除去したｎ形ＧａＮ層１１の表面に設けられている。
【００１０】
さらに、積層体１５およびｐ側電極１６、ｎ側電極１７を覆う絶縁部１８が設けられる。絶縁部１８は、例えば、ポリイミドからなる。そして、絶縁部１８に形成されたコンタクトホール１８ａ、１８ｂを介してｐ側電極１６およびｎ側電極１７に電気的に接続されたｐ側再配線部２１およびｎ側再配線部２２が設けられている。
【００１１】
ｐ側再配線部２１の表面には、ｐ側配線部２３（第１配線部の一例に相当する）が設けられている。ｐ側配線部２３は、ｐ側再配線部２１を介してｐ側電極１６に電気的に接続されている。一方、ｎ側再配線部２２の表面には、ｎ側配線部２４（第２配線部の一例に相当する）が設けられている。ｎ側配線部２４は、ｎ側再配線部２２を介してｎ側電極１７に電気的に接続されている。
【００１２】
ｐ側配線部２３は、積層体１５の第２の主面１５ｂに対して平行な方向に伸びており、封止部２５の側面２５ａに対して略垂直に交差する側面２５ｂ（第１側面の一例に相当する）と側面２５ｃ（第２側面の一例に相当する）とに露出している。すなわち、封止部２５の側面２５ｂには、ｐ側配線部２３の端子面２３ａ（第１端子面の一例に相当する）が露出している。
側面２５ｂにつながる側面２５ｃには、端子面２３ａにつながる端子面２３ｂ（第２端子面の一例に相当する）が露出している。すなわち、端子面２３ａと端子面２３ｂとは連続して設けられている。
端子面２３ａは、封止部２５の側面２５ｂから突出しておらず、面一となっている。端子面２３ｂは、封止部２５の側面２５ｃから突出しておらず、面一となっている。
【００１３】
ｎ側配線部２４も同様に、積層体１５の第２の主面１５ｂに対して平行な方向に伸びており、封止部２５の側面２５ａに対して略垂直に交差する側面２５ｂと側面２５ｄ（第３側面の一例に相当する）とに露出している。すなわち、封止部２５の側面２５ｂには、ｎ側配線部２４の端子面２４ａ（第３端子面の一例に相当する）が露出している。
【００１４】
側面２５ｂにつながる側面２５ｄには、端子面２４ａにつながる端子面２４ｂ（第４端子面の一例に相当する）が露出している。すなわち、端子面２４ａと端子面２４ｂとは連続して設けられている。
端子面２４ａは、封止部２５の側面２５ｂから突出しておらず、面一となっている。端子面２４ｂは、封止部２５の側面２５ｄから突出しておらず、面一となっている。
端子面２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂは、基板などに設けられた電極と接続材を介して電気的に接続される。
【００１５】
端子面２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂが側面から突出しないようにすれば、半導体発光装置１０ａの外面を平坦面とすることができる。そのため、複数の半導体発光装置１０ａを一括して形成し、個片化をすることが容易となる。また、個片化する際に無駄になる部分を少なくすることができる。
また、半導体発光装置１０ａを光源である積層体１５とほぼ同じサイズとすることができるので、半導体発光装置１０ａの小型化を図ることができる。
なお、複数の半導体発光装置１０ａを一括して形成し、個片化をすることに関する詳細は後述する。
またさらに、端子面２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂが側面から突出しないようにすれば、接続材の這い上がりが阻害されることがない。そのため、良好なフィレットを形成することができる。
なお、半導体発光装置１０ａを基板に接続する際の詳細は後述する。
【００１６】
ｐ側再配線部２１、ｎ側再配線部２２、ｐ側配線部２３、ｎ側配線部２４の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁材料との優れた密着性が得られる。
封止部２５は、四角柱形状を有し、ｐ側配線部２３と、ｎ側配線部２４とを覆うように設けられている。封止部２５は、絶縁性材料から形成されるものとすることができる。封止部２５の材料としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを例示することができる。
【００１７】
（発光モジュール）
図２は、半導体発光装置１０ａを有した発光モジュール２０１ａを例示するための模式図である。図２（ａ）は発光モジュール２０１ａの模式平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）におけるＤ−Ｄ断面図である。
図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、発光モジュール２０１ａには、半導体発光装置１０ａと、基板１００とが設けられている。
【００１８】
基板１００の基体１０１の表面には、電極１０２ａ（第３電極の一例に相当する）、電極１０２ｂ（第４電極の一例に相当する）が形成されている。基体１０１、並びに、電極１０２ａ、１０２ｂの上には、パターニングされた絶縁部１０３が設けられており、半導体発光装置１０ａとの電気的な接続を行う部分が露出している。その他、電極１０２ａ、１０２ｂに接続された配線パターンなどを適宜設けることができる。
【００１９】
電極１０２ａ、１０２ｂは、平面視において、面積がなるべく大きくなるようにすることが好ましい。電極１０２ａ、１０２ｂの面積を大きくすれば、熱の広がりを助長することができるので、放熱性を向上させることができる。
絶縁部１０３は、白色の材料、例えば、白色のエポキシ系樹脂から形成されるものとすることができる。絶縁部１０３の色が白色であれば、発光層１３から放射された光のうち、絶縁部１０３側に向かう光りを反射することができるので、光の損失を低減することが可能となる。
【００２０】
半導体発光装置１０ａは、基板１００上に設けられている。半導体発光装置１０ａの封止部２５の側面２５ｂと、透光部２７の側面２７ｂとは、基板１００と対峙している。
そのため、積層体１５の第１の主面１５ａと、透光部２７の出射面２７ａとは、基板１００に対して略垂直となる。その結果、図２（ｃ）に示すように、積層体１５から放射された光は、基板１００に対して略平行な方向に放射される。この様な方向に光りを放射する半導体発光装置１０ａは、サイドビュー型と呼ばれている。すなわち、発光モジュール２０１ａには、サイドビュー型の半導体発光装置１０ａが設けられている。サイドビュー型の半導体発光装置１０ａを有した発光モジュール２０１ａは、例えば、液晶表示装置のバックライトにおいて、導光板の側面から光を照射するような用途に適している。前述したように、半導体発光装置１０ａは光源である積層体１５とほぼ同じサイズとなっているので、発光モジュール２０１ａの小型化、ひいては、発光モジュール２０１ａが設けられる液晶表示装置などの小型化を図ることが可能となる。
【００２１】
次に、半導体発光装置１０ａと、基板１００との接続について例示をする。
図２(ｂ)に示すように、半導体発光装置１０ａと、基板１００とは接続材１０４ａ、１０４ｂを介して電気的に接続される。
この際、端子面２３ａ、２３ｂは、接続材１０４ａを介して電極１０２ａと電気的に接続される。端子面２４ａ、２４ｂは、接続材１０４ｂを介して電極１０２ｂと電気的に接続される。
接続材１０４ａ、１０４ｂは、例えば、はんだ、導電性ペーストなどとすることができる。
【００２２】
ここで、半導体発光装置１０ａの中心位置からずれた位置に端子面２３ａ、２４ａが設けられている。そのため、端子面２３ａ、２４ａのみによる接続を行うようにすると、接続材１０４ａ、１０４ｂの供給量のバランスが悪い場合に、半導体発光装置１０ａが傾くことで光の放射方向がずれるおそれがある。
また、端子面２３ａ、２４ａのみによる接続を行うようにすると、接続部分の面積が少ないことから、接続強度が不足するおそれがある。
そのため、半導体発光装置１０ａにおいては、端子面２３ｂ、２４ｂによる接続をも行うようにしている。
【００２３】
半導体発光装置１０ａを基板１００に接続する際、接続材１０４ａは、端子面２３ａに付着するのみならず、端子面２３ｂを這い上がるようにして端子面２３ｂにも付着する。また、接続材１０４ｂは、端子面２４ａに付着するのみならず、端子面２４ｂを這い上がるようにして端子面２４ｂにも付着する。
【００２４】
前述したように、端子面２３ｂ、２４ｂは側面から突出していないので、接続材１０４ａ、１０４ｂの這い上がりが阻害されることがない。そのため、良好なフィレット１０４ａ１、１０４ｂ１を形成することができる。その結果、接続の信頼性、接続の強度などを向上させることができる。
【００２５】
また、端子面２３ｂ、２４ｂにおける接続材１０４ａ、１０４ｂの這い上がりの状態や、フィレット１０４ａ１、１０４ｂ１の状態は視認することができるので、接続状態の確認を容易に行うことができる。そのため、検査精度の向上や、検査の容易化を図ることができる。
【００２６】
また、半導体発光装置１０ａを基板１００に接続する際、いわゆるダイボンディング法が用いられる場合がある。ダイボンディング法を用いる場合には、半導体発光装置１０ａと、基板１００との間にある接続材１０４ａ、１０４ｂが押圧されることになる。この場合、接続材１０４ａ、１０４ｂに発生した応力は、半導体発光装置１０ａに設けられたｐ側配線部２３、ｎ側配線部２４および封止部２５により吸収される。そのため、ダイボンディング法を用いる場合であっても、積層体１５に加わる応力を緩和することが可能となる。その結果、光出力の劣化や信頼度の劣化が生じることを抑制することができる。
【００２７】
（半導体発光装置の製造方法）
図３〜図１５は、半導体発光装置１０ａの製造方法を例示するための模式工程断面図である。
半導体発光装置１０ａの製造方法においては、例えば、基板５上に複数の半導体発光装置１０ａを一括して形成するようにすることができる。そのため、図３〜図１５においては、基板５の一部の領域における半導体発光装置１０ａの形成を例示することにする。
【００２８】
図３（ａ）は、基板５の主面上に、ｎ形ＧａＮ層１１、発光層１３、およびｐ形ＧａＮ層１２を含む積層体１５を形成した状態を示す。図３（ｂ）は、図３（ａ）に対応する平面図である。
基板５の主面上には、ｎ形ＧａＮ層１１が形成され、その上に発光層１３、ｎ形ＧａＮ層１２が形成される。基板５には、例えば、サファイア基板を用いることができ、その主面上に、ＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）法を用いてＧａＮ系窒化物半導体層であるｎ形ＧａＮ層１１、発光層１３、ｎ形ＧａＮ層１２を順次成長させる。
【００２９】
この場合、ｎ形ＧａＮ層１１と基板５との間には、例えば、図示しないバッファ層を形成することができる。ｎ形ＧａＮ層１１は、ｎ形不純物として、例えば、シリコン（Ｓｉ）を含む。ｐ形ＧａＮ層１２は、ｐ形不純物として、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）を含む。発光層１３は、例えば、ＧａＮとＩｎＧａＮとで構成される量子井戸構造を含み、青、紫、青紫などの光を放射する。また、ＡｌＧａＮを材料とすることにより紫外光を放射することもできる。
積層体１５の第１の主面１５ａは、ｎ形ＧａＮ層１１における基板５と接する面である。そして、ｐ形ＧａＮ層１２の表面が、積層体１５の第２の主面１５ｂとなる。
【００３０】
次に、図４（ａ）及びその平面図である図４（ｂ）に示すように、ダイシング領域ｄ１、ｄ２において、積層体１５を貫通して基板５に達する溝を形成する。例えば、積層体１５の表面に図示しないレジストマスクを形成し、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法を用いてエッチングを行うことにより溝を形成する。ダイシング領域ｄ１、ｄ２は、ウェーハ状態の基板５上に、例えば、格子状に形成される。ダイシング領域ｄ１、ｄ２に形成された溝により、積層体１５は、半導体発光装置１０ａに含まれる個々の単位に分離される。
なお、積層体１５を個々の単位に分離する工程は、ｐ形ＧａＮ層１２を選択的にエッチングした後、あるいは、後述するｐ側電極１６、ｎ側電極１７の形成後に行っても良い。
【００３１】
次に、図５（ａ）及びその平面図である図５（ｂ）に示すように、ｐ形ＧａＮ層１２および発光層１３の一部を選択的に除去し、ｎ形ＧａＮ層１１の一部を第２の主面１５ｂの側に露出させる。例えば、積層体１５の表面に図示しないレジストマスクを形成し、ＲＩＥ法を用いてエッチングを行うことでｎ形ＧａＮ層１１の一部を第２の主面１５ｂの側に露出させる。
図５（ｂ）示すように、ｎ形ＧａＮ層１１の露出面１１ａは、積層体１５の配列方向であってダイシング領域ｄ２に沿った方向において、交互に逆方向に形成され、露出面１１ａがダイシング領域ｄ１を挟んで向き合うように配置される。ｎ形ＧａＮ層１１の露出面の配置は、この例に限定される訳ではなく、ダイシング領域ｄ２に沿って同じ方向に形成されても良い。
【００３２】
次に、図６（ａ）及びその平面図である図６（ｂ）に示すように、第２の主面１５ｂの側にｐ側電極１６とｎ側電極１７を形成する。図６（ｂ）に示すように、ダイシング領域ｄ２に沿った方向において、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７の配置が交互に逆転するように形成される。ｐ側電極１６は、ｐ形ＧａＮ層１２の表面に形成される。ｐ形ＧａＮ層１２の表面に透明電極を形成後、ｐ側電極１６を形成しても良い。ｎ側電極１７は、例えば、チタン（Ｔｉ）およびアルミニウム（Ａｌ）の積層膜を用いて、ｎ形ＧａＮ層１１の露出面１１ａに形成される。
【００３３】
ｐ側電極１６およびｎ側電極１７は、例えば、スパッタ法、蒸着法等で形成される。ｐ側電極１６とｎ側電極１７は、どちらを先に形成しても良い。また、同じ材料を用いて同時に形成することもできる。
【００３４】
ｐ側電極１６は、発光層１３から放射された光に対して反射性を有するものとすることが好ましい。ｐ側電極１６は、例えば、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等を含むものとすることができる。また、ｐ側電極１６は、硫化や酸化を抑制するための金属保護膜を含む構成であってもよい。
【００３５】
さらに、ｐ側電極１６とｎ側電極１７との間、および、発光層１３の端面（側面）に図示しないパッシベーション膜を形成しても良い。パッシベーション膜は、例えば、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法を用いて形成されたシリコン窒化膜やシリコン酸化膜とすることができる。ｐ側電極１６およびｎ側電極１７と、積層体１５との間のオーミックコンタクトを形成するために、必要に応じて活性化アニールを実施することができる。
【００３６】
次に、図７（ａ）に示すように、基板５の主面上に露出している部分のすべてを絶縁部１８で覆った後、コンタクトホール１８ａ、１８ｂを形成する。例えば、ウェットエッチング法を用いて絶縁部１８を選択的に除去することで、コンタクトホール１８ａ、１８ｂを形成する。コンタクトホール１８ａはｐ側電極１６に達し、コンタクトホール１８ｂはｎ側電極１７に達するように形成する。
【００３７】
絶縁部１８の形成には、例えば、感光性ポリイミド、ベンゾシクロブテン（Benzocyclobutene）などの有機材料を用いることができる。この場合、フォトリソグラフィ法を用いて絶縁部１８を直接露光し、現像することにより、コンタクトホール１８ａ、１８ｂを形成することができる。
あるいは、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜などの無機膜を用いて、絶縁部１８を形成することもできる。無機膜とする場合には、レジストマスクを用いたエッチングによって、コンタクトホール１８ａ、１８ｂを形成することができる。
【００３８】
次に、図７（ｂ）に示すように、絶縁部１８の表面であって、積層体１５とは反対の側に位置する配線面１８ｃに、シードメタル１９を形成する。シードメタル１９は、コンタクトホール１８ａの内壁及び底部と、コンタクトホール１８ｂの内壁及び底部にも形成される。
シードメタル１９は、例えば、スパッタ法で形成される。シードメタル１９は、例えば、絶縁部１８側から順に積層されたチタン（Ｔｉ）および銅（Ｃｕ）の積層膜を含むものとすることができる。
次に、図７（ｃ）に示すように、シードメタル１９上にレジストマスク４１を形成する。その後、電解銅（Ｃｕ）メッキを行うことでＣｕ膜を形成する。メッキ電流はシードメタル１９を経由して流れ、シードメタル１９の表面にＣｕ膜が形成される。
【００３９】
これにより、図８（ａ）およびその平面図である図８（ｂ）に示すように、絶縁部１８の配線面１８ｃ上に、ｐ側再配線部２１とｎ側再配線部２２が選択的に形成される。ｐ側再配線部２１及びｎ側再配線部２２は、上記メッキにより同時に形成されたＣｕ膜からなる。
ｐ側再配線部２１は、コンタクトホール１８ａ内にも形成され、シードメタル１９を介してｐ側電極１６と電気的に接続される。ｎ側再配線部２２は、コンタクトホール１８ｂ内にも形成され、シードメタル１９を介してｎ側電極１７と電気的に接続される。
【００４０】
ここで、ダイシング領域ｄ１は、ｐ側再配線部２１の側面２１ｂおよびｎ側再配線部２２の側面２２ｂに沿った方向（図８（ｂ）の横方向）に延在する。そして、図１（ａ）および（ｂ）における封止部２５の側面２５ｃにｐ側再配線部２１の側面２１ｂが、側面２５ｄにｎ側再配線部２２の側面２２ｂが露出する。
ダイシング領域ｄ２は、ｐ側再配線部２１の側面２１ａおよびｎ側再配線部２２の側面２２ａに沿った方向（図８（ｂ）の縦方向）に延在する。そして、図１（ａ）および（ｂ）における封止部２５の側面２５ｂに、ｐ側再配線部２１の側面２１ａおよびｎ側再配線部２２の側面２２ａが露出する。
【００４１】
図８（ｂ）に１点鎖線で示すエッジｅ１、ｅ２、ｅ３、ｅ４は、それぞれダイシングブレードの両エッジで切断される境界を表す。そして、図８（ｂ）中に示す側面２１ａおよび側面２２ａは、エッジｅ１、ｅ２を越えてダイシング領域ｄ２に張り出すように形成され、側面２１ｂおよび側面２２ｂは、エッジｅ３、ｅ４を越えてダイシング領域ｄ１に張り出すように形成される。
さらに、ｐ側再配線部２１におけるｎ側再配線部２２に向き合う辺において、側面２１ａの側の角には切り欠き部２１ｃが形成されている。切り欠き２１ｃは、側面２１ａと側面２２ａとの間に設けられる。これにより、ダイシング後に封止部２５から露出する側面２１ａと側面２２ａとの間の間隔を広げることが可能となり、基板などとの接続の際に、はんだなどによる短絡を回避することができる。
【００４２】
一方、切り欠き２１ｃを除くｐ側再配線部２１とｎ側再配線部２２との間隔は、プロセス上の限界まで近づけることができる。すなわち、封止部２５の側面２５ｂに露出する端子面２３ａ、２４ａの間隔に制約を受けることなく、ｐ側再配線部２１の面積を広くできる。この結果、ｐ側再配線部２１とｐ側電極１６とのコンタクト面積を広げて電流密度を低減し、さらに放熱性を向上させることができる。例えば、ｐ側再配線部２１とｐ側電極１６との間を、複数のコンタクトホール１８ａを介して接続することが可能となる。
【００４３】
さらに、本実施形態に係る製造方法では、図８（ｂ）に示すように、側面２１ａおよび側面２２ａは、ダイシング領域ｄ２の一方の側に偏って存在せず、ダイシング領域ｄ２の幅方向の両側に、交互に設けられる。同様に、側面２１ｂおよび側面２２ｂは、ダイシング領域ｄ１の一方の側に偏って存在せず、ダイシング領域ｄ１の幅方向の両側に、交互に設けられる。これにより、ダイシングブレードを用いてダイシング領域ｄ２を切断する際に、メタルである側面２１ａ及び側面２２ａを、ダイシングブレードの両側で均等に切断することができる。その結果、ダイシングブレードのエッジにかかる負荷を均等にすることができる。すなわち、ダイシングブレードの目詰まりや破損等を抑制し寿命を伸ばすことができる。
【００４４】
なお、図８（ｂ）に示す例では、エッジｅ１側の側面２１ａおよび側面２２ａと、エッジｅ２側の側面２１ａおよび側面２２ａとが、ダイシング領域ｄ２の延在方向に交互に配置されているが、このようなレイアウトに限られる訳ではない。側面２１ａおよび側面２２ａが、エッジｅ１及びエッジｅ２のいずれか一方に偏る配置でなければ良い。
【００４５】
図９（ａ）は、ｐ側再配線部２１及びｎ側再配線部２２の形成に使用したレジストマスク４１を除去した状態を示す断面図である。レジストマスク４１は、例えば、有機溶剤を用いたウェットアッシング法、もしくは酸素プラズマを用いたドライアッシング法などにより除去することができる。
続いて、図９（ｂ）に示すように、配線部形成用のレジストマスク４２を形成する。レジストマスク４２は、前述のレジストマスク４１よりも厚く形成する。なお、レジストマスク４１を除去せずに残し、その上にレジストマスク４２を重ねて形成しても良い。
【００４６】
そして、図１０（ａ）及びその平面図である図１０（ｂ）に示すように、ｐ側配線部２３とｎ側配線部２４を形成する。例えば、レジストマスク４２を用いて、選択的に電解Ｃｕメッキを行う。この場合も、シードメタル１９を介してメッキ電流が流れ、ｐ側再配線部２１およびｎ側再配線部２２の上にＣｕ膜が形成される。
【００４７】
すなわち、ｐ側配線部２３は、レジストマスク４２に形成された開口４２ａ内であって、ｐ側再配線部２１の表面に形成される。ｎ側配線部２４は、レジストマスク４２に形成された開口４２ｂ内であって、ｎ側再配線部２２の表面に形成される。ｐ側配線部２３及びｎ側配線部２４は、電解Ｃｕメッキにより同時に形成され、銅材料からなる。
【００４８】
そして、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４の端面であって、ダイシング後に封止部２５の側面２５ｂに露出される端子面２３ａ、および、端子面２４ａを形成するために、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４を、ダイシングブレードのエッジｅ１およびエッジｅ２を超えてダイシング領域ｄ２上に張り出させる。同様に、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４の端面であって、ダイシング後に封止部２５の側面２５ｃと２５ｄに露出される端子面２３ｂ、および、端子面２４ｂを形成するために、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４を、ダイシングブレードのエッジｅ３およびエッジｅ４を超えてダイシング領域ｄ１上に張り出させる。
【００４９】
図１０（ｂ）に示すように、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４の張り出し部は、ダイシング領域ｄ２の一方の側に偏らず、ダイシング領域ｄ２の延在方向の両側に均等に設けられる。そして、ダイシング領域ｄ２をダイシングブレードにより切断する際に、メタルであるｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４を、ダイシングブレードの両方のエッジで均等に切断する。これにより、ダイシングブレードのエッジにかかる負荷が均等になり、目詰まりや破損等を抑制してダイシングブレードの寿命を伸ばすことができる。
【００５０】
なお、図１０（ｂ）の例では、エッジｅ１側に張り出したｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４と、エッジｅ２側に張り出したｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４とが、ダイシング領域ｄ２の延在方向に交互に配置されているが、このようなレイアウトに限られる訳ではない。すなわち、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４の張り出し部が、エッジｅ１及びエッジｅ２のいずれか一方側に偏って存在していなければ良い。
【００５１】
そして、ｐ側配線部２３とｎ側配線部２４との間隔は、封止部２５の側面２５ｂに露出する端子面２３ａ、２４ａが、基板などとの接続時に接続材１０４ａ、１０４ｂにより短絡されないような寸法とされる。
【００５２】
次に、レジストマスク４２を、例えば、有機溶剤を用いたウェットアッシング法、もしくは酸素プラズマを用いたドライアッシング法などにより除去する。
図１１（ａ）およびその平面図である図１１（ｂ）は、レジストマスク４２を除去した状態を示している。
図１１（ａ）に示すように、ｐ側配線部２３は、ｐ側再配線部２１よりも小さく形成される。このため、図１１（ｂ）中に示すように、切り欠き部２１ｃを除いて、ｐ側再配線部２１が、ｐ側配線部２３の側からｎ側配線部２４の側に延在するように形成される。
【００５３】
次に、図１２（ａ）に示すように、ｐ側配線部２３、ｎ側配線部２４、および、ｐ側配線部２３の側から延在したｐ側再配線部２１の一部をマスクとして、シードメタル１９の露出部をウェットエッチング法を用いて除去する。これにより、ｐ側再配線部２１とｎ側再配線部２２との間が電気的に分断される。
次に、図１２（ｂ）に示すように、ｐ側配線部２３、ｎ側配線部２４、および、その間に露出した絶縁部１８の表面を覆う封止部２５を形成する。封止部２５には、発光層１３の発光に対して遮光性を付与するために、例えば、カーボンブラックを含有させることができる。また、発光層１３の発光を反射する酸化チタン等の粉末を含有させてもよい。
【００５４】
次に、図１３（ａ）に示すように、基板５を除去する。基板５は、例えば、レーザーリフトオフ法によって除去する。例えば、基板５の裏面であって、積層体１５の反対側に位置する主面からｎ形ＧａＮ層１１に向けてレーザ光を照射する。レーザ光は、基板５に対して透過性を有し、ｎ形ＧａＮ層１１に吸収される波長を有する。そして、基板５とｎ形ＧａＮ層１１との界面において、その界面近傍のｎ形ＧａＮ層１１は、レーザ光のエネルギーを吸収し、ガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とに分解される。この分解反応により、基板５とｎ形ＧａＮ層１１とが分離される。
【００５５】
さらに、基板５の全体に渡り、設定された領域ごとに複数回に分けてレーザ光を照射する。これにより、積層体１５の第１の主面１５ａから基板５が除去され、光取り出し効率の向上が可能となる。
【００５６】
基板５から分離された積層体１５は、第２の主面１５ｂの側に設けられた封止部２５によって支持される。すなわち、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４を構成するＣｕ膜を十分に厚く形成し、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４の間を封止部２５によって充填する。これにより、基板５を分離した状態におけるウェーハの機械的強度を確保することができる。
【００５７】
さらに、封止部２５、および、各再配線部、配線部を構成する金属は、基板５に比べて柔軟な材料である。このため、結晶成長の過程において積層体１５に内在された応力を、基板５の剥離時に封止部２５が吸収する。これにより、積層体１５におけるクラックの発生等の結晶破壊を回避できる。
【００５８】
次に、基板５が除去された積層体１５の第１の主面１５ａを洗浄する。例えば、塩酸等で、第１の主面１５ａに残留したガリウム（Ｇａ）を除去する。
さらに、例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等で、第１の主面１５ａをエッチングする。これにより、図１３（ｂ）に示すように、結晶面方位に依存したエッチング速度の違いに起因する凹凸が、第１の主面１５ａに形成される。あるいは、レジストマスクを用いたパターニングにより、第１の主面１５ａに凹凸を形成しても良い。この第１の主面１５ａに形成された凹凸により、光取り出し効率を向上させることができる。
【００５９】
次に、図１４に示すように、第１の主面１５ａの上、および、隣り合う積層体１５の間に露出した絶縁部１８の上に、透光部２７を形成する。透光部２７は、例えば、蛍光体粒子が分散された液状の透明樹脂を、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法によって供給した後、熱硬化させることにより形成する。透明樹脂には、発光層１３の発光及び蛍光体が発する光に対する透過性を有する材料、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、液状ガラスなどを用いる。
この場合、第１の主面１５ａと透光部２７との間に、レンズ２６を形成しても良い。レンズ２６には、発光層１３が放射する光に対して透光性を有する材料、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ガラスなどを用いることができる。レンズ２６は、例えば、グレースケールマスクを用いたエッチング法や、インプリント法によって形成することができる。
なお、第１の主面１５ａと透光部２７との間にレンズ２６を設けない構造であってもよい。
【００６０】
次に、図１５（ａ）および（ｂ）に示すように、格子状に形成されたダイシング領域ｄ１、ｄ２の位置において、透光部２７、絶縁部１８及び封止部２５を切断し、複数の半導体発光装置１０ａに個片化する。透光部２７、絶縁部１８及び封止部２５は、例えば、ダイシングブレードもしくはレーザ照射を用いて切断することができる。
【００６１】
この際、ダイシング領域ｄ２、ｄ１において、ｐ側配線部２３およびｎ側配線部２４のダイシングブレードの幅（エッジｅ１およびエッジｅ２、エッジｅ３およびエッジｅ４）を越えた張り出した部分が切断される。これにより、封止部２５の側面に、端子面２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ、が露出する。
同様に、ｐ側再配線部２１及びｎ側再配線部２２において、ダイシング領域ｄ２、ｄ１に張り出した部分も切断される。これにより、封止部２５の側面に、ｐ側再配線部２１の側面２１ａ、２１ｂおよびｎ側再配線部２２の側面２２ａ、２２ｂも露出する（図１（ａ）参照）。
【００６２】
ダイシング時には、基板５はすでに除去されている。さらに、ダイシング領域ｄ１、ｄ２には、積層体１５が存在しないため、積層体１５が受けるダメージを回避することができる。また、個片化後の半導体発光装置１０ａでは、積層体１５の端部（側面）が絶縁部１８で覆われ保護された構造が得られる。
なお、個片化された半導体発光装置１０ａは、ひとつの積層体１５を含むシングルチップ構造でも、複数の積層体１５を含むマルチチップ構造であってもよい。
【００６３】
半導体発光装置１０ａは、個片化された段階で、必要な部分が樹脂で覆われ、且つ、基板などとの接続に用いられる端子面が露出した形態で完成する。このため、個々の半導体発光装置１０ａごとに、配線及びパッケージングを行う必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能となる。すなわち、半導体発光装置１０ａは、個片化された状態で、すでに配線及びパッケージングが済んでいる。このため、生産性を高めることができ、その結果として価格低減が容易となる。
【００６４】
（発光モジュールの製造方法）
次に、発光モジュール２０１ａの製造方法について例示をする。
なお、各図の（ａ）は製造工程を例示するための模式平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
図１６（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１００の基体１０１の表面には、電極１０２ａ、１０２ｂが形成されている。電極１０２ａ、１０２ｂにおいて半導体発光装置１０ａと電気的な接続を行う部分は、絶縁部１０３から露出している。
【００６５】
次に、図１７（ａ）、（ｂ）に示すように、電極１０２ａの上に接続材１０４ａを形成し、電極１０２ｂの上に接続材１０４ｂを形成する。例えば、電極１０２ａ、１０２ｂの上にメタルマスクを用いたスクリーン印刷法によりはんだを塗布し、接続材１０４ａ、１０４ｂを形成するようにすることができる。
次に、図１８（ａ）、（ｂ）に示すように、ダイボンディング法を用いて、基板１００の上に半導体発光装置１０ａを搭載する。このとき、端子面２３ａと接続材１０４ａとを対向させ、端子面２３ｂと接続材１０４ｂとを対向させる。この状態で接続材１０４ａと接続材１０４ｂを溶融し、その後凝固させる。これにより、端子面２３ａ、２３ｂは接続材１０４ａを介して電極１０２ａに、端子面２４ａ、２４ｂは接続材１０４ｂを介して電極１０２ｂに、接続される。
この様にして、図１９（ａ）、（ｂ）に示す様な発光モジュール２０１ａが製造される。
【００６６】
[第２の実施形態]
（半導体発光装置）
図２０は、第２の実施形態に係る半導体発光装置を例示するための模式図である。
図２０（ａ）、（ｂ）は第２の実施形態に係る半導体発光装置１０ｂを模式的に示す斜視図、図２０（ｃ）は図２０（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、図２０（ｄ）は図２０（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
図２０（ａ）〜（ｃ）に示すように、半導体発光装置１０ｂは、四角柱形状の外形を有し、封止部２５と、透光部２７と、を含む。
【００６７】
図１に例示をした半導体発光装置１０ａの場合には、端子面２３ｂが側面２５ｃに露出し、端子面２４ｂが側面２５ｄに露出している。
これに対して、半導体発光装置１０ｂの場合には、端子面２３ｂ、２４ｂが側面２５ａに露出している。すなわち、半導体発光装置１０ｂは、端子面２３ｂ、２４ｂが露出する側面が半導体発光装置１０ａとは異なるものとなっている。
【００６８】
半導体発光装置１０ｂを基板１００に接続する際、接続材１０４ａは、端子面２３ａに付着するのみならず、端子面２３ｂを這い上がるようにして端子面２３ｂにも付着する。また、接続材１０４ｂは、端子面２４ａに付着するのみならず、端子面２４ｂを這い上がるようにして端子面２４ｂにも付着する。この場合、フィレット１０４ａ１、１０４ｂ１が形成される位置が異なるものとなるが、前述した半導体発光装置１０ａが有する効果と同様の効果を得ることができる。
【００６９】
半導体発光装置１０ｂの製造方法は、前述した半導体発光装置１０ａの製造方法と同様とすることができる。すなわち、ダイシングブレードもしくはレーザ照射を用いて切断する際に、側面２５ａから端子面２３ｂ、２４ｂが露出するようにすること以外は前述した半導体発光装置１０ａの製造方法と同様とすることができる。そのため、半導体発光装置１０ｂの製造方法に関する詳細は省略する。
【００７０】
（発光モジュール）
図２１は、半導体発光装置１０ｂを有した発光モジュール２０１ｂを例示するための模式図である。図２１（ａ）は発光モジュール２０１ｂの模式平面図、図２１（ｂ）は図２１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、図２１（ｃ）は図２１（ａ）におけるＤ−Ｄ断面図である。
図２１（ａ）〜（ｃ）に示すように、発光モジュール２０１ｂには、半導体発光装置１０ｂと、基板１００とが設けられている。
前述したように、半導体発光装置１０ｂは、端子面２３ｂ、２４ｂが露出する側面が半導体発光装置１０ａとは異なるものとなっている。そのため、発光モジュール２０１ｂは、フィレット１０４ａ１、１０４ｂ１が形成される位置が、発光モジュール２０１ａとは異なるものとなる。
しかしながら、フィレット１０４ａ１、１０４ｂ１が形成される位置が異なるものとなっても、前述した発光モジュール２０１ａが有する効果と同様の効果を得ることができる。 発光モジュール２０１ｂの製造方法は、前述した発光モジュール２０１ａの製造方法と同様とすることができる。そのため、発光モジュール２０１ｂの製造方法に関する詳細は省略する。
【００７１】
[第３の実施形態]
（半導体発光装置）
図２２は、第３の実施形態に係る半導体発光装置を例示するための模式図である。
図２２（ａ）、（ｂ）は第３の実施形態に係る半導体発光装置１０ｃを模式的に示す斜視図、図２２（ｃ）は図２２（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、図２２（ｄ）は図２２（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
図２２（ａ）〜（ｃ）に示すように、半導体発光装置１０ｃは、四角柱形状の外形を有し、封止部２５と、透光部２７と、を含む。
【００７２】
半導体発光装置１０ｃの場合には、端子面２３ｂ１（第２端子面の一例に相当する）、端子面２４ｂ１（第４端子面の一例に相当する）が側面２５ａに露出している。また、端子面２３ｂ２（第２端子面の一例に相当する）が側面２５ｃに露出し、端子面２４ｂ２（第４端子面の一例に相当する）が側面２５ｄに露出している。すなわち、半導体発光装置１０ｃは、端子面２３ｂ２、２４ｂ２が露出する側面が半導体発光装置１０ａと同じとなっており、端子面２３ｂ１、２４ｂ１が露出する側面が半導体発光装置１０ｂと同じとなっている。この場合、フィレット１０４ａ１、１０４ｂ１が、半導体発光装置１０ａの場合の位置と、半導体発光装置１０ｂの場合の位置とに形成されることになるが、前述した半導体発光装置１０ａ、１０ｂが有する効果と同様の効果を得ることができる。
【００７３】
半導体発光装置１０ｃの製造方法は、前述した半導体発光装置１０ａの製造方法と同様とすることができる。すなわち、ダイシングブレードもしくはレーザ照射を用いて切断する際に、側面２５ａから端子面２３ｂ、２４ｂが露出するようにし、側面２５ｃから端子面２３ｂ２が露出するようにし、側面２５ｄから端子面２４ｂ２が露出するようにすること以外は前述した半導体発光装置１０ａの製造方法と同様とすることができる。そのため、半導体発光装置１０ｃの製造方法に関する詳細は省略する。
【００７４】
（発光モジュール）
図２３は、半導体発光装置１０ｃを有した発光モジュール２０１ｃを例示するための模式図である。図２３（ａ）は発光モジュール２０１ｃの模式平面図、図２３（ｂ）は図２３（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、図２３（ｃ）は図２３（ａ）におけるＤ−Ｄ断面図である。
図２３（ａ）〜（ｃ）に示すように、発光モジュール２０１ｂには、半導体発光装置１０ｃと、基板１００とが設けられている。
前述したように、半導体発光装置１０ｃは、端子面２３ｂ１、２３ｂ２、２４ｂ１、２４ｂ２が露出する側面が半導体発光装置１０ａとは異なるものとなっている。そのため、発光モジュール２０１ｃは、フィレット１０４ａ１、１０４ｂ１が形成される位置が、発光モジュール２０１ａとは異なるものとなる。
しかしながら、フィレット１０４ａ１、１０４ｂ１が形成される位置が異なるものとなっても、前述した発光モジュール２０１ａが有する効果と同様の効果を得ることができる。 発光モジュール２０１ｃの製造方法は、前述した発光モジュール２０１ａの製造方法と同様とすることができる。そのため、発光モジュール２０１ｃの製造方法に関する詳細は省略する。
【００７５】
なお、前述した半導体発光装置の製造方法において、基板５を残すことにより機械的強度を高め、信頼性の高い構造を有する半導体発光装置、発光モジュールとすることもできる。
また、ダイシング領域ｄ１に設けられた開口の内部にも封止部２５を充填するようにすることもできる。
例えば、絶縁部１８がポリイミドから形成された場合、ポリイミドは透光性を有するので絶縁部１８の端面から光が漏れるおそれがある。ダイシング領域ｄ１に設けられた開口の内部にも封止部２５を充填するようにすれば、遮光性を有する封止部２５により絶縁部１８の端面を覆うことができるので、絶縁部１８の端面から光が漏れることを抑制することができる。
また、ｐ側再配線部の側面、ｎ側再配線部の側面がエッジｅ１、ｅ２を越えてダイシング領域ｄ２に張り出さないようにすることもできる。この場合、配線部のみがエッジｅ１、ｅ２を越えてダイシング領域ｄ２に張り出すようにすることができる。
【００７６】
以上に例示をした実施形態によれば、生産性を向上させることができ、且つ、小型化を図ることができる半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法を実現することができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００７７】
１０ａ〜１０ｃ 半導体発光装置、１１ ｎ形ＧａＮ層、１２ ｐ形ＧａＮ層、１３ 発光層、１６ ｐ側電極、１７ ｎ側電極、２３ ｐ側配線部、２３ａ 端子面、２３ｂ 端子面、２３ｂ１ 端子面、２３ｂ２ 端子面、２４ ｎ側配線部、２４ａ 端子面、２４ｂ 端子面、２４ｂ１ 端子面、２４ｂ２ 端子面、２５ 封止部、２５ａ〜２５ｄ 側面、２７ 透光部、１００ 基板、１０１ 基体、１０２ａ 電極、１０２ｂ 電極、２０１ａ〜２０１ｃ 発光モジュール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる発光層と、を含み、前記発光層が放射する光を前記第２半導体層側の第１の主面から放射する積層体と、
前記積層体の前記第１の主面とは反対側の第２の主面側において、前記第１半導体層に接続される第１電極と、
前記積層体の前記第２の主面側において前記第２半導体層に接続される第２電極と、
前記第１電極に接続される第１配線部と、
前記第２電極に接続される第２配線部と、
前記積層体の前記第２の主面側に設けられ、前記第１配線部と、前記第２配線部と、を覆う封止部と、
を備え、
前記第１配線部は、前記第１の主面に交差する前記封止部の第１側面に露出する第１端子面と、前記第１側面に交差する前記封止部の第２側面に露出する第２端子面と、を有し、
前記第２配線部は、前記第１側面に露出する第３端子面と、前記第２側面および前記第２側面と平行な前記封止部の第３側面の少なくともいずれかに露出する第４端子面と、を有し、
前記第１端子面と、前記第２端子面と、は、連続して設けられ、
前記第３端子面と、前記第４端子面と、は、連続して設けられている半導体発光装置。
【請求項２】
前記第１端子面と、前記第２端子面と、前記第３端子面と、前記第４端子面と、は、露出する側面とそれぞれ面一に設けられる請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記封止部は、四角柱形状を有している請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置と、
第３電極と、第４電極と、を有する基板と、
を備え、
前記第３電極は、前記半導体発光装置の第１端子面と、第２端子面と、に接続され、
前記第４電極は、前記半導体発光装置の第３端子面と、第４端子面と、に接続される発光モジュール。
【請求項５】
第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記発光層が放射する光を前記第２半導体層側の第１の主面から放射する積層体を、基板の上に複数形成する工程と、
前記積層体の前記第１の主面とは反対側の第２の主面側において、前記第１半導体層に第１電極を介して接続される第１配線部と、前記第２半導体層に第２電極を介して接続される第２配線部と、を形成する工程と、
前記第１配線部と、前記第２配線部と、を覆う封止部を形成する工程と、
前記複数の積層体毎に個片化する工程と、
を備え、
前記個片化する工程において、
前記第１配線部の第１端子面を前記第１の主面に交差する前記封止部の第１側面に露出させ、
前記第１配線部の第２端子面を前記第１側面に交差する前記封止部の第２側面に露出させ、
前記第２配線部の第３端子面を前記第１側面に露出させ、
前記第２配線部の第４端子面を前記第２側面および前記第２側面と平行な前記封止部の第３側面の少なくともいずれかに露出させ、
前記第１端子面と、前記第２端子面とを連続させ、
前記第３端子面と、前記第４端子面とを連続させる半導体発光装置の製造方法。
【請求項１】
第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる発光層と、を含み、前記発光層が放射する光を前記第２半導体層側の第１の主面から放射する積層体と、
前記積層体の前記第１の主面とは反対側の第２の主面側において、前記第１半導体層に接続される第１電極と、
前記積層体の前記第２の主面側において前記第２半導体層に接続される第２電極と、
前記第１電極に接続される第１配線部と、
前記第２電極に接続される第２配線部と、
前記積層体の前記第２の主面側に設けられ、前記第１配線部と、前記第２配線部と、を覆う封止部と、
を備え、
前記第１配線部は、前記第１の主面に交差する前記封止部の第１側面に露出する第１端子面と、前記第１側面に交差する前記封止部の第２側面に露出する第２端子面と、を有し、
前記第２配線部は、前記第１側面に露出する第３端子面と、前記第２側面および前記第２側面と平行な前記封止部の第３側面の少なくともいずれかに露出する第４端子面と、を有し、
前記第１端子面と、前記第２端子面と、は、連続して設けられ、
前記第３端子面と、前記第４端子面と、は、連続して設けられている半導体発光装置。
【請求項２】
前記第１端子面と、前記第２端子面と、前記第３端子面と、前記第４端子面と、は、露出する側面とそれぞれ面一に設けられる請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記封止部は、四角柱形状を有している請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置と、
第３電極と、第４電極と、を有する基板と、
を備え、
前記第３電極は、前記半導体発光装置の第１端子面と、第２端子面と、に接続され、
前記第４電極は、前記半導体発光装置の第３端子面と、第４端子面と、に接続される発光モジュール。
【請求項５】
第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記発光層が放射する光を前記第２半導体層側の第１の主面から放射する積層体を、基板の上に複数形成する工程と、
前記積層体の前記第１の主面とは反対側の第２の主面側において、前記第１半導体層に第１電極を介して接続される第１配線部と、前記第２半導体層に第２電極を介して接続される第２配線部と、を形成する工程と、
前記第１配線部と、前記第２配線部と、を覆う封止部を形成する工程と、
前記複数の積層体毎に個片化する工程と、
を備え、
前記個片化する工程において、
前記第１配線部の第１端子面を前記第１の主面に交差する前記封止部の第１側面に露出させ、
前記第１配線部の第２端子面を前記第１側面に交差する前記封止部の第２側面に露出させ、
前記第２配線部の第３端子面を前記第１側面に露出させ、
前記第２配線部の第４端子面を前記第２側面および前記第２側面と平行な前記封止部の第３側面の少なくともいずれかに露出させ、
前記第１端子面と、前記第２端子面とを連続させ、
前記第３端子面と、前記第４端子面とを連続させる半導体発光装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【公開番号】特開２０１３−６９８１５（Ｐ２０１３−６９８１５Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０６６３２（Ｐ２０１１−２０６６３２）
【出願日】平成２３年９月２１日（２０１１．９．２１）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２１日（２０１１．９．２１）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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