【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第２導電型の第２の半導体層とを含む半導体積層構造と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の一方に接して形成される配線電極層と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の前記配線電極層が形成されていない他方に接して形成されるＡｇを含む反射電極層と、前記反射電極層を覆って形成される透明導電膜からなる第１キャップ層と、該第１キャップ層を覆って形成され、金属、合金又は金属窒化物からなる第２キャップ層との積層を少なくとも２セット以上含むキャップ層と、共晶層を介して前記キャップ層と結合する支持基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】低電圧で高輝度の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１、第２電極層、第１、第２半導体層、発光層及び第１中間層を含む半導体発光素子が提供される。第１電極層は、金属部を有する。金属部には、円相当直径が１０ｎｍ以上５μｍ以下の複数の貫通孔が設けられている。第２電極層は光反射性である。第１半導体層は、第１電極層と第２電極層との間に設けられ第１導電形である。第２半導体層は第１半導体層と第２電極層との間に設けられ第２導電形である。発光層は、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられる。第１中間層は、第２半導体層と第２電極層との間に設けられ、光透過性である。第１中間層は、複数の第１コンタクト部と、第１非コンタクト部と、を含む。第１非コンタクト部は、積層方向に対して垂直な平面内において第１コンタクト部と並置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光装置に関する。
【解決手段】本発明は、互いに対向する第１及び第２面とを有し、上記第１及び第２面を夫々提供する第１及び第２導電型半導体層とその間に形成された活性層を有し、分離溝によって第１及び第２領域に分割された半導体積層体と、上記第１領域の第２面から上記活性層を経て上記第１導電型半導体層の一領域に連結された少なくとも一つのコンタクトホールと、上記半導体積層体の第２面上に形成され、上記少なくとも一つのコンタクトホールを介して、上記第１領域の第１導電型半導体層に連結され、上記第２領域の第２導電型半導体層に連結された第１電極と、上記第１領域の第２面上に形成され、上記第１領域の第２導電型半導体層に連結された第２電極と、上記第２電極と上記第２領域の第１導電型半導体層とを連結する電極連結部と、を含む半導体発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させることができ、且つ、小型化を図ることができる半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電形の第１半導体層１２と、第２導電形の第２半導体層１１と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる発光層１３と、を含み、前記発光層が放射する光を前記第２半導体層側の第１の主面から放射する積層体１５と、前記積層体の前記第１の主面１５ａとは反対側の第２の主面１５ｂ側において、前記第１半導体層に接続される第１電極１６と、前記積層体の前記第２の主面側において前記第２半導体層に接続される第２電極１７と、前記第１電極に接続される第１配線部２１と、前記第２電極に接続される第２配線部２２と、前記積層体の前記第２の主面側に設けられ、前記第１配線部と、前記第２配線部と、を覆う封止部２５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】工程安全性が向上して電気的に連結された複数の発光セルを含む発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットを提供する。
【解決手段】支持基板７０と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第１半導体層１１、前記第１半導体層の下の第１活性層１２、前記第１活性層の下の第２導電型の第２半導体層１３を有する第１発光構造物１０、前記第１発光構造物の下の第１反射電極１７、前記第１反射電極のまわりに配置された第１金属層１９と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第３半導体層２１、前記第３半導体層の下の第２活性層２２、前記第２活性層の下の第２導電型の第４半導体層２３を有する第２発光構造物２０、前記第２発光構造物の下の第２反射電極２７、前記第２反射電極のまわりに配置された第２金属層２９と、前記第１発光構造物の第１半導体層内部に接触して、前記第２反射電極と電気的に連結する第１コンタクト部４３とを備える。 （もっと読む）

【課題】工程安全性が向上して電気的に連結された複数の発光セルを含む発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットを提供する。
【解決手段】発光素子は、支持基板と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第１半導体層１１、前記第１半導体層の下の第１活性層１２、前記第１活性層の下の第２導電型の第２半導体層１３を有する第１発光構造物１０と、前記第１発光構造物の下の第１金属層と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第３半導体層、前記第３半導体層の下の第２活性層、前記第２活性層の下の第２導電型の第４半導体層を有する第２発光構造物と、前記第２発光構造物の下の第２金属層と、前記第１半導体層の側面に接触して、前記第２金属層と電気的に連結されたコンタクト部とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子から生じた光を１つの発光素子から取り出すことができる発光装置を提供する。
【解決手段】基体と、前記基体上に設けられた端面発光型素子と、前記端面発光型素子の光出射端面内を起点とし該光出射端面に略垂直な軸と交わるように、前記基体上に設けられた発光ダイオード素子と、を備え、前記端面発光型素子は、前記発光ダイオード素子の上面よりも上に発光領域を有する発光装置である。 （もっと読む）

【課題】放熱性を高めて光取り出し効率を改善することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、第１電極と、第２電極と、誘電体部と、を備える。積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第１半導体層の一部に対向する第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層の前記一部と第２半導体層とのあいだに設けられた発光層と、を含む。積層構造体は、第１半導体層側の第１主面と、第２半導体層側の第２主面と、を有する。第１電極は、第２主面の側で第１半導体層と接する接触部を有する。第２電極は、第２主面で第２半導体層と接する第１部分と、第１部分と電気的に接続され、第１半導体層から第２半導体層へ向かう積層方向にみたときに、接触部と重なる部分を有する第２部分と、を有する。誘電体部は、接触部と、第２部分と、のあいだに設けられる。 （もっと読む）

【課題】反射電極層の、反射率向上による高輝度化、接触抵抗の低減、剥がれの防止及び経時劣化に対する耐性の向上。
【解決手段】反射電極を有する半導体発光素子の製造方法であって、第１の導電型の第１半導体層、活性層および第２の導電型の第２半導体層を順次積層して半導体膜を形成する工程と、第２半導体層上に金属反射層と半導体膜との格子不整合を緩和する金属バッファ層を形成する工程と、金属バッファ層上に金属反射層を形成する工程と、金属反射層上に金属反射層の脱離を防止する金属パッシベーション層と、金属パッシベーション層上に金属パッシベーション層の酸化を防止する酸化防止層を形成する工程と、金属パッシベーション層と酸化防止層との間で相互拡散が生じるように熱処理を行って、これらの層の界面に合金層を形成する工程と、合金層の少なくとも一部を合金層上に形成された層とともに除去することにより反射電極を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高効率、高信頼性を達成する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、電極と、を備える。積層構造体は、窒化物系半導体からなる第１導電形の第１半導体層と、窒化物系半導体からなる第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。電極は、第１金属層、第２金属層及び第３金属層を有する。第１金属層は、第２半導体層の発光層とは反対側に設けられ、銀または銀合金を含む。第２金属層は、第１金属層の第２半導体層とは反対側に設けられ、金、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムの少なくともいずれかの元素を含む。第３金属層は、第２金属層の第１金属層とは反対側に設けられる。第３金属層の第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿った厚さは、第２金属層の前記方向に沿った厚さ以上である。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率の低下を抑制することが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 ｎ型層３ａと、ｎ型層３ａの上面３ａ’の一部を露出させて設けられた発光層３ｂと、ｐ型層３ｃと、ｎ型層３ａの露出した上面３ａ’に、発光層３ｂおよびｐ型層３ｃと間をあけて設けられた第１の電極層５と、ｐ型層３ｃ上に設けられた、銀を主成分として銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも１種の金属材料を含む第１導電層６ａおよび前記金属材料を主成分とする第２導電層６ｂを順次積層してなる第２の電極層６とを有し、第１導電層６ａは、前記金属材料の濃度が、第１導電層６ａと第２導電層６ｂとの界面から下方に向かうにつれて低くなっている発光素子１である。第１導電層６ａ内で前記金属材料の濃度が第２導電層６ｂとの界面から下方に向かうにつれて低くなっていることから、発光素子１の光取り出し効率の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】透明電極層内における多重反射を抑えることにより、反射損失および膜内光吸収を低減し、高輝度化を図ることができる発光素子、これを含む発光素子ユニットおよび発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】発光素子１は、基板２と、ｎ型窒化物半導体層３と、発光層４と、ｐ型窒化物半導体層５と、透明電極層６と、反射電極層７とを含んでおり、透明電極層６の厚さＴが下記式（１）で表される。
【数１】


（式（１）中、λは発光層４の発光波長を示し、ｎは透明電極層６の屈折率を示す。） （もっと読む）

【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、基板と、前記基板上に形成された共晶層と、前記共晶層上方に形成された絶縁層と、各々が前記絶縁層上に形成された密着層と、前記密着層上に形成されたＡｇ反射膜と、前記Ａｇ反射膜上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成され、第１導電型の第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層の上に形成され、電流が流れることにより発光する第２の窒化物半導体層と、該第２の窒化物半導体層の上に形成された、第２導電型の第３の窒化物半導体層とを含んだ半導体積層とを有する複数の半導体発光素子と、前記密着層及びＡｇ反射膜上方に形成され、隣接する半導体発光素子の一方の前記第１導電型の第１の窒化物半導体層と他方の前記第２導電型の第３の窒化物半導体層とを接続し、積層の最下層が前記密着層と同一の材料からなる配線電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】放熱効率および光の取り出し効率の向上を図ることができる発光素子、これを含む発光素子ユニット、発光素子ユニットを樹脂パッケージで覆った発光素子パッケージならびに発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】発光素子１は、発光層４の発光波長に対して透明な基板２と、基板２上に積層されたｎ型窒化物半導体層３と、ｎ型窒化物半導体層３上に積層された発光層４と、発光層４上に積層されたｐ型窒化物半導体層５と、ｐ型窒化物半導体層５上に積層され、発光層４の発光波長に対して透明な透明電極層６と、銀と白金族金属と銅とを含む合金からなり、透明電極層６に接触した状態で透明電極層６上に積層され、透明電極層６を透過した光を反射させる反射電極層７とを含む。 （もっと読む）

【課題】上記問題を解決し、従来に無い発光パターンを有し、エッチング加工性が改善された、ラージチップ型のＧａＮ系発光素子を提供すること。
【解決手段】基板１上に、積層体Ｓを形成し、該積層体Ｓには上面から凹部ｈを複数形成し、各凹部内にｎ型層を露出させる。該積層体Ｓの上面の残された領域にはｐ電極Ｐ２を設け、第ｐ電極を絶縁体層ｍで覆う。各凹部内に露出したｎ型層にはｎ電極Ｐ１を設け、記絶縁体層ｍを越えて凹部内同士を結ぶ導体層Ｐ３によって、ｎ電極同士を互いに接続し、発光部が網目状に広がったラージチップ型の窒化物半導体発光素子とする。積層体Ｓは、窒化物半導体からなり、例えば、ｎ型層２とｐ型層４とが発光層３を挟んでいる積層構造を有し、ｎ型層は基板側に位置している。 （もっと読む）

【課題】パッド電極下に反射層を有する半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３とに挟まれた発光層１２を有する半導体積層構造を有する半導体発光素子であって、ｐ型半導体層１３上に形成された第１の透明電極１４と、第１の透明電極１４上に形成された、第１の透明電極１４よりも面積の小さい反射層１５と、第１の透明電極１４上に反射層１５を覆うように形成された第２の透明電極１６と、第２の透明電極１６上の反射層１５の上方の領域に形成されたｐパッド電極１７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光部と実装基板とが複数のバンプを介してされる発光素子において、高い耐衝撃性を確保しつつ、高い光取り出し効率を図ることができる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、半導体層１２と、半導体層１２に積層され、ｐ型窒化物半導体層１２３より屈折率が小さい透明導電膜１３と、透明導電膜１３上に、導通領域Ｃ１を除くように積層された低屈折率誘電膜１４１と、低屈折率誘電膜１４１に積層された接着誘電膜１４２と、接着誘電膜１４２と接合し、導通領域Ｃ１において透明導電膜１３と導通する反射導電膜１４３とを備える。また、反射導電膜１４３上に積層されたｐ電極１６と、ｐ電極１６と接合する複数のバンプＰとを備え、導通領域Ｃ１は、ｐ電極１６とバンプＰとの接合面を透明導電膜１３へ投影した投影領域Ｔ１の外に設けられる。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、製造の容易な発光デバイス、及び、その製造方法を提供するこを提供すること。
【解決手段】透明結晶基板２は、一面が光出射面２１であり、発光素子１は透明結晶基板２の光出射面２１とは反対側の他面２２に積層されている。透明結晶基板の側に位置するＮ型半導体層３１は、Ｐ型半導体層３２と重ならない部分３３を有している。Ｎ型半導体層３１の第１半導体面電極５１は、重ならない部分３３の表面に設けられており、Ｐ型半導体層３２の第２半導体面電極５２は、第１半導体面電極５１と同じ側の面に設けられている。発光素子１は絶縁層６によって覆われており、絶縁層６には支持基板９が積層されている。絶縁層６を通って第１及び第２半導体面電極５１、５２に接続された第１及び第２縦導体７１、７２が、支持基板９を貫通する第１及び第２貫通電極９４、９５と接続されている。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高効率、高信頼性を高度に同時に満足する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物系半導体からなる第１導電型の第１半導体層と、窒化物系半導体からなる第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、前記第２半導体層の前記発光層とは反対側に設けられ、銀または銀合金を含む第１金属層と、第１金属層の第２半導体層とは反対側に設けられ、金、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムの少なくともいずれかの元素を含む第２金属層と、を有する電極と、を備え、第２半導体層は、第２半導体層と第１金属層との界面に接して設けられ、銀を含む界面層を含み、第２半導体層と電極との間のコンタクト抵抗は、１０×１０^−４Ωｃｍ^２以下である半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高効率、高信頼性を高度に同時に満足する半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、第２半導体層の発光層とは反対側に設けられた電極と、を有する半導体発光素子の製造方法が提供される。第２半導体層の発光層とは反対側の面の上に銀または銀合金を含む第１金属層を形成し、第１金属層の上に、白金、パラジウム、ロジウムの少なくともいずれかの元素を含む第２金属層を形成し、第２半導体層、第１金属層及び第２金属層を、酸素を含有する雰囲気においてシンター処理し、シンター処理の温度は、シンター処理を実施した後の第１金属層に含まれる銀の平均粒径が、シンター処理を施す前の銀の平均粒径の３倍以下である温度である。 （もっと読む）