【課題】薄膜半導体発光素子における反りやクラックの発生を防止し、歩留まりを向上することを目的とする。
【解決手段】半導体発光装置１００は、基板１０９と、基板１０９上に実装された複数の薄膜半導体発光素子１０１とを備える。各薄膜半導体発光素子１０１は、アノード接続パッド１１１およびカソード接続パッド１１５を有する。アノード接続パッド１１１およびカソード接続パッド１１５の少なくとも一方は、微細加工された部分（例えば、メッシュ形状、縞模様、渦巻模様、回折模様など）を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光装置に関する。
【解決手段】本発明は、互いに対向する第１及び第２面とを有し、上記第１及び第２面を夫々提供する第１及び第２導電型半導体層とその間に形成された活性層を有し、分離溝によって第１及び第２領域に分割された半導体積層体と、上記第１領域の第２面から上記活性層を経て上記第１導電型半導体層の一領域に連結された少なくとも一つのコンタクトホールと、上記半導体積層体の第２面上に形成され、上記少なくとも一つのコンタクトホールを介して、上記第１領域の第１導電型半導体層に連結され、上記第２領域の第２導電型半導体層に連結された第１電極と、上記第１領域の第２面上に形成され、上記第１領域の第２導電型半導体層に連結された第２電極と、上記第２電極と上記第２領域の第１導電型半導体層とを連結する電極連結部と、を含む半導体発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させることができ、且つ、小型化を図ることができる半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電形の第１半導体層１２と、第２導電形の第２半導体層１１と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる発光層１３と、を含み、前記発光層が放射する光を前記第２半導体層側の第１の主面から放射する積層体１５と、前記積層体の前記第１の主面１５ａとは反対側の第２の主面１５ｂ側において、前記第１半導体層に接続される第１電極１６と、前記積層体の前記第２の主面側において前記第２半導体層に接続される第２電極１７と、前記第１電極に接続される第１配線部２１と、前記第２電極に接続される第２配線部２２と、前記積層体の前記第２の主面側に設けられ、前記第１配線部と、前記第２配線部と、を覆う封止部２５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子から生じた光を１つの発光素子から取り出すことができる発光装置を提供する。
【解決手段】基体と、前記基体上に設けられた端面発光型素子と、前記端面発光型素子の光出射端面内を起点とし該光出射端面に略垂直な軸と交わるように、前記基体上に設けられた発光ダイオード素子と、を備え、前記端面発光型素子は、前記発光ダイオード素子の上面よりも上に発光領域を有する発光装置である。 （もっと読む）

【課題】放熱性を高めて光取り出し効率を改善することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、第１電極と、第２電極と、誘電体部と、を備える。積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第１半導体層の一部に対向する第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層の前記一部と第２半導体層とのあいだに設けられた発光層と、を含む。積層構造体は、第１半導体層側の第１主面と、第２半導体層側の第２主面と、を有する。第１電極は、第２主面の側で第１半導体層と接する接触部を有する。第２電極は、第２主面で第２半導体層と接する第１部分と、第１部分と電気的に接続され、第１半導体層から第２半導体層へ向かう積層方向にみたときに、接触部と重なる部分を有する第２部分と、を有する。誘電体部は、接触部と、第２部分と、のあいだに設けられる。 （もっと読む）

【課題】ｎ側電極にＡｌ単体またはＡｌ合金からなるｎ側第１金属層を含み、ｐ側電極にＡｌよりも酸化還元電位の貴な金属の酸化物を含む導電性酸化物膜を含む、ＧａＮ系ＬＥＤの製造工程において、該導電性酸化物膜が腐食することを防止する。
【解決手段】第１のマスクパターンを形成する工程に含まれるフォトレジスト現像工程では、該第１のマスクパターンによって導電性酸化物膜の表面を保護し、第２のマスクパターンを形成する工程に含まれるフォトレジスト現像工程では、該第２のマスクパターンによってｎ側第１金属層の表面を保護することによって、ｎ側第１金属層および導電性酸化物膜を同時にアルカリ現像液に接触させないようにする （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】平面視においてｎ電極１７の配線状部１７Ｂおよび、ｐ電極１８の配線状部１８Ｂに重なる領域には、ｐ型層１３表面からｎ型層１１に達する深さの溝１４が設けられている。溝１４の側面、底面、ｐ型層１３上、ＩＴＯ電極１５上に連続して、絶縁膜１６が設けられている。絶縁膜１６中であって、ｎ電極１７、ｐ電極１８の下側（サファイア基板１０側）にあたる領域には、反射膜１９が形成されている。そのうち、ｎ電極１７の配線状部１７Ｂ、ｐ電極１８の配線状部１８Ｂの下側にあたる領域の反射膜１９は、発光層１２よりも下側に位置している。ｎ電極１７、ｐ電極１８上は、絶縁膜２２によって覆われている。絶縁膜２２中であって、配線状部１７Ｂ、１８Ｂの上部にあたる領域には、反射膜２３が埋め込まれている。反射膜２３は、発光層１２よりも下側に位置している。 （もっと読む）

【課題】ｎ電極とｐ電極が半導体膜の同一面側に設けられた半導体発光素子において、半導体膜内における横方向および積層方向における電流拡散を促進させ電流密度の均一化を図るとともに蛍光体を用いた光の混色のコントロールを容易にすることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
半導体発光素子は、第一の導電型を有する第一半導体層と、第二の導電型を有する第二半導体層と、第一半導体層と第二半導体層との間に設けられた活性層と、を含む半導体膜と、第一半導体層の内部に埋設され且つ半導体膜の外縁に沿って環状に伸長する埋設部を有する第一電極と、第二半導体層の表面に設けられた第二電極と、第一半導体層内に設けられ且つ第一半導体層の導電率よりも高い導電率を有する電流誘導部と、を含む。活性層は、第一電極の環状パターンの内側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の化合物半導体層を積層する前に清浄な成長面を容易に準備することができ、第二成長装置に入れる前の洗浄工程が不要な半導体発光素子用テンプレート基板、半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ、電子機器、機械装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体発光素子用テンプレート基板は、基板上に、下地層と、加熱により除去可能な犠牲層とを順に備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単位ＬＥＤ素子を連結して構成したブロック型のＬＥＤ素子は、電極数が多くなるうえ負電極が小さいため実装性が悪い。
【解決手段】単位ＬＥＤ素子のｐ型半導体層１６ａ，１６ｂから露出するｎ型半導体層１７ａ，１７ｂの露出部１７ｃ，１７ｄは、ｐ型半導体層１６ａ，１６ｂの中央部にあり、負電極配線１９を介して第２保護膜１３上に形成されたカソード用バンプ電極１２と接続している。同様にｐ型半導体層１６ａ，１６ｂは、ｐ型半導体層１６ａ，１６ｂの４隅に形成された第１保護膜の開口部１５ａ〜ｄ、正電極配線１４を介して第２保護膜１３上に形成されたアノード用バンプ電極１１と接続している。 （もっと読む）

【課題】上記問題を解決し、従来に無い発光パターンを有し、エッチング加工性が改善された、ラージチップ型のＧａＮ系発光素子を提供すること。
【解決手段】基板１上に、積層体Ｓを形成し、該積層体Ｓには上面から凹部ｈを複数形成し、各凹部内にｎ型層を露出させる。該積層体Ｓの上面の残された領域にはｐ電極Ｐ２を設け、第ｐ電極を絶縁体層ｍで覆う。各凹部内に露出したｎ型層にはｎ電極Ｐ１を設け、記絶縁体層ｍを越えて凹部内同士を結ぶ導体層Ｐ３によって、ｎ電極同士を互いに接続し、発光部が網目状に広がったラージチップ型の窒化物半導体発光素子とする。積層体Ｓは、窒化物半導体からなり、例えば、ｎ型層２とｐ型層４とが発光層３を挟んでいる積層構造を有し、ｎ型層は基板側に位置している。 （もっと読む）

【課題】高いボンディング性と高い効率とを有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層構造体と第１導電層と第２導電層と第３導電層とを備えた半導体発光素子が提供される。積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を含む。第１導電層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対の側に設けられ、発光層から放出される発光光に対して透過性を有する。第２導電層は、第１導電層の第２半導体層とは反対の側の第１主面に接する。第３導電層は、第１主面に接し、発光光に対する第２導電層の反射率よりも高い反射率を有する。第３導電層は、少なくとも一部が第２導電層に覆われず第１主面に対して平行に延在する延在部を含む。 （もっと読む）

【課題】 配光特性を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子１は、複数の半導体層が積層されてなる光半導体層11と、光半導体層11に電圧を印加し、光半導体層11を発光させる一対の電極12とを備え、一対の電極12は、光半導体層11で発光した光を反射する一方電極（第２電極）14を有しており、一方電極14は光半導体層11上に設けられた、光半導体層11を構成する最上層の半導体層よりも屈折率が小さい第１透明電極層14ａと、第１透明電極層14ａ上に設けられた、第１透明電極層14ａよりも屈折率が大きい第２透明電極層14ｂと、第２透明電極層14ｂ上に設けられた、第２透明電極層14ｂを透過した光を光半導体層11の方向へ反射させる反射性電極層14ｃとを具備している。光半導体層11で発光した光を光半導体層11の厚み方向と垂直な方向へ良好に拡散させることができ、発光素子１の配光特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高出力化および高効率に有効なフリップチップマウントに適した電極配置を有しつつ、面内での発光の均一性をより向上させる。
【解決手段】発光素子１０は、２以上の第一導電型側電極２８と、第二導電型側電極２７とを有する。第二導電型側電極２７は、１以上の第二導電型側第１電極部２７ａと、第二導電型側第１電極部２７ａよりも外側に位置して第二導電型側第１電極部２７と直接接している２以上の第二導電型側第２電極部２７ｂと、を含む。第一導電型側電極２８および第二導電型側電極２７を平面的な投影図形として見たときに、個々の第一導電型側電極２８は、第二導電型側電極２７と交差しないように、隣接する任意の２つの第二導電型側第２電極部２７ｂの間に位置しており、かつ、第二導電型側第１電極部２７ａに近接した位置から半導体発光素子１０の周辺部まで任意の形状で延びて形成されている。 （もっと読む）

【課題】低い電圧で駆動でき、優れた光取り出し効率を有する半導体発光素子、これを備えたランプ、電子機器及び機械装置を提供する。
【解決手段】基板１１の一面１１ａに、ｎ型半導体層１２と、発光層１３と、ｐ型半導体層１４と、結晶構造がアナターゼ型からなる酸化チタン系導電膜層１５とがこの順で積層されてなり、ｐ型半導体層１４と酸化チタン系導電膜層１５との間に、５ｍｇ／ｃｍ^３〜５ｇ／ｃｍ^３の濃度範囲のＺｒ元素を含む酸化物層が存在している半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】ｐクラッド層の結晶性に起因する不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において前記第一ｎ型半導体層上に、前記第一ｎ型半導体層の再成長層と、第二ｎ型半導体層と、障壁層およびＧａ_１−ｘＩｎ_ｘＮ（０＜ｘ＜０．２）なる組成の井戸層からなる発光層と、Ａｌ_１−ｙＧａ_ｙＮ（０．１＜ｙ＜０．５）なる組成のｐクラッド層およびｐコンタクト層からなるｐ型半導体層と、を順次積層する第二工程とを具備し、前記第二工程において前記再成長層を基板温度７００℃〜１２００℃で形成し、前記ｐクラッド層を基板温度８００℃〜１２００℃で形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】裏面に金属膜を有する発光素子を搭載する発光装置において、高放熱性と光の高い反射効率を有することで光取り出し効率に優れ、しかも経時的な劣化による光取り出し効率の低下が抑制された発光装置を提供する。
【解決手段】無機絶縁材料基板と、基板の搭載部に形成された金属導体層と、金属導体層上に形成された導電性保護層と、裏面に金属膜を有し該金属膜が導電性保護層に対向しかつ導電性保護層の端縁の内側に位置するように前記基板の搭載部に搭載された発光素子と、発光素子と導電性保護層とを接合する導電性接合材と、基板の搭載面の導電性保護層とその周囲近傍を除くかたちに形成された反射膜と、反射膜の端縁を含む全体を覆うように基板の搭載面に形成された絶縁性保護層と、を備えることを特徴とする発光装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い信頼性を有するオーミック電極を備えた化合物半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体層と、この窒化物半導体層上に設けられたオーミック電極と、を備え、前記オーミック電極は、前記窒化物半導体層との間で金属窒化物を形成する金属を含む第１電極層と、前記第１電極層上に設けられた、アルミニウム（Ａｌ）を含む第２電極層と、前記第２電極層の外面を被覆し、かつタングステン（Ｗ）を含む第３電極層と、前記第３電極層の外面を被覆し、かつ金（Ａｕ）を含む第４電極層と、を有することを特徴とする化合物半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコン等の半導体を用いた半導体発光素子を実現できるようにする。
【解決手段】半導体発光素子は、ｎ型不純物がドープされたｎ型半導体基板１１と、該ｎ型半導体基板１１の上に形成され、不純物が意図的にドープされていないｉ型半導体層１２と、該ｉ型半導体層１２の上に形成された金属周期構造を有する金属膜１３とを備えている。ｎ型半導体基板１１から金属膜１３にｉ型半導体層１２を通して電子を注入することにより、金属膜１３に励起された表面プラズモンが発光する。 （もっと読む）