【課題】本発明の実施形態は、発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層であって、前記第１半導体層の他の部分よりも層厚が薄い複数の薄層部を有する前記第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。そして、前記発光層とは反対側の前記第１半導体層の表面の上に設けられた透明電極と、前記透明電極の上に選択的に設けられた第１電極と、前記発光層とは反対側の前記第２半導体層の表面に接した第２電極と、前記透明電極と前記第２電極との間の電流経路の一部を遮断する電流ブロック層であって、前記第１半導体層の表面に平行な平面視において、前記薄層部に重ならない前記電流ブロック層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光照射に適合した、少なくとも１つの電位障壁、又は表面障壁を持つ半導体デバイスの製造または処理に関し、高い絶縁破壊電圧と、大電流で低いキヤリア密度を有するデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ａ）基板１を用意するステップと、ｂ）第１エピタキシャル半導体層３を基板１の上に設けるステップと、ｃ）１次元または２次元の繰り返しパターンを形成するステップと、を含み、パターンの各部分が、０．１〜５０の範囲のアスペクト比を有するようにした方法を開示する。対応する半導体デバイス、電子回路および装置も開示している。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の光出力を特定の方向において強く、光の取り出し効率を向上させる。
【解決手段】サファイア基板上に発光層を有するＩＩＩ族窒化物半導体からなる積層構造が形成されたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、サファイア基板の積層構造側の表面に、発光層から出力された光に対して光強度の干渉パターンを生じる周期で２次元配列された凸部の周期構造を設けた。これにより、この２次元周期構造で反射された光、又は、透過した光は干渉パターンを有する。この干渉パターンにおける光強度の強い領域に光が集光されているので、この領域の光を外部に効果的に出力させることで、所望の指向性を得ることができると共に、取り出し効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】光抽出効率を向上させることができる垂直型発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持層７０と、支持層上に位置する第１電極と、第１電極上に位置する複数の半導体層であって、第１電極上に位置するｐ型ＧａＮ層４３と、ｐ型ＧａＮ層上に位置する発光層４２と、発光層上に位置するｎ型ＧａＮ層４１と、を含む複数の半導体層と、ｎ型ＧａＮ層上に位置し、周期的に配列された複数のホールによって形成される光結晶層と、光結晶層上に位置する第２電極と、を備える、垂直型発光素子。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率を向上した発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、基板２と、基板２の第１主面２Ａに、平面視して、格子状に引いた仮想直線５同士の交点位置に重なるように配置された複数の第１突起３ａ、および第１突起３ａと重ならない位置に配置された、基板２と異なる材料からなる第２突起３ｂを有する突起群３と、突起群３を埋めるように基板２の第１主面２Ａ上に設けられた光半導体層４とを有する。このように基板２上に第２突起３ｂを有していることから、発光素子１の光取り出し効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し面における局所的な電界集中を防止して光出力と静電気耐圧を向上できる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】カウンタ電極構造の半導体発光素子は、第１半導体層の支持基板側に設けられ、第１半導体層とオーミック接触し、少なくとも１つの線状の第１電極片を含む第１電極と、第２半導体層の上に設けられ、第２半導体層とオーミック接触し、少なくとも１つの線状の第２電極片を含む第２電極と、第２の半導体層上に形成された複数の錐状突起と、を有する。第１電極片と第２電極片とは、半導体発光積層体の積層方向に重ならずに配置される。第１電極片と第２電極片とは、上面視において平行に配置される。複数の錐状突起のうち、上面視において、相互に平行に配置された第１電極片と第２電極片との間に位置する錐状突起は、その軸が、いずれも、該第一電極片と該第２電極片の伸長方向との成す角度が、±２６度の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】マスクパターンが配置されたサファイア基板に対して、プラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、ＰＲ選択比を向上させて、凹凸構造の高アスペクト比化や微細化を実現する。
【解決手段】サファイア基板のプラズマ処理方法において、表面に配置されたレジスト膜によりマスクパターンが形成されたサファイア基板に対して、ＢＣｌ_３が主体のガスにＣＨ_２Ｆ_２ガスを混合した混合ガスを用いてプラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を改善した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１半導体層、第２半導体層、発光層、第１電極、第２電極及び支持基板、を備える。第１半導体層は第１導電形であり、発光光のピーク波長よりも長いピッチの凹凸を有する凹凸部分と、凹凸部分よりも平坦な平坦部分と、を有する第１面と、第１面とは反対側の第２面と、を有する。第２半導体層は第２導電形であり、第１半導体層の第２面の側に設けられる。発光層は、第２面のうちの、凹凸部分の反対側の領域と、第２半導体層と、の間に設けられる。発光層は、発光光を放出する。第１電極は、第２面のうちの、平坦部分の反対側の領域において第１半導体層と接する。第２電極は、第２半導体層の発光層とは反対側で第２半導体層と接する部分を有する。支持基板は、第２半導体層の発光層とは反対側に設けられ第１電極と導通する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を改善した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、第１電極と、第２電極と、を備える。積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、発光層と、を含む。積層構造体は、第１半導体層側の第１主面と、第２半導体層側の第２主面と、を有する。第１電極は、第２主面の側で第１半導体層と接する第１接触部を有する。第２電極は、第２主面で第２半導体層と接する部分を有する。第１半導体層の第１主面の側の表面は、第１部分と、第２部分と、を有する。第１部分は、積層方向にみたときに、第１接触部における第１半導体層との接触面と重なる部分を有する。第２部分は、積層方向にみたときに、第２半導体層と重なる部分を有する。第２部分は、発光層から放射される発光光のピーク波長よりも長いピッチの凹凸を有する。第１部分は、第２部分の凹凸よりも平坦である。 （もっと読む）

【課題】広い視野角を有する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、基板１００と、複数の柱構造部と、充填構造部と、透明導電層１１２と、第１の電極１１４と、および第２の電極１１６とを有する。これらの柱構造部は前記基板上に形成される。前記柱構造部のそれぞれは第１型の半導体層１０２と、活性層１０４と、第２型の半導体層１０６とを有する。前記第１型の半導体層は前記基板上に形成される。前記柱構造部同士は前記第１型の半導体層を介して互いに電気的に接続される。前記充填構造部は前記柱構造部間に形成される。前記充填構造部及び前記柱構造部の前記第２型の半導体層は透明導電層に被われる。前記第１の電極は前記透明導電層と接続される。前記第２の電極は前記第１型の半導体層と接続される。 （もっと読む）