【課題】本発明は、発光ダイオードに関する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板と、第一半導体層と、第二半導体層と、活性層と、第一電極と、第二電極と、カーボンナノチューブ層と、を含む。前記第一半導体層、前記活性層、及び前記第二半導体層が、前記基板から離れる方向に沿って、前記基板に順次的に積層され、前記第一電極が、前記第一半導体層に電気的に接続され、前記第二電極が、前記第二半導体層に電気的に接続され、前記カーボンナノチューブ層が、前記第一半導体層の内に配置され、且つ前記カーボンナノチューブ層の一部が前記第一半導体層の外部に露出され、前記第一電極が、前記カーボンナノチューブ層の前記第一半導体層の外部に露出された部分に接続される。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥が発生することを防止した発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１０は、基板１００と、第一半導体層１２０と、第二半導体層１４０と、活性層１３０と、第一電極１５０と、第二電極１６０と、を含む。第一半導体層、活性層、及び第二半導体層は、基板から離れる方向に沿って、基板に順次的に積層され、第一電極は、第一半導体層に電気的に接続され、第二電極は、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の基板と隣接する表面は、複数の空隙を含むパターン化されたカーボンナノチューブ層１０２である。第一半導体層のパターン化された表面が基板に接続することによって複数のキャビティが形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードの製造方法は、結晶成長のための結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の前記結晶面に、バッファ層を成長させる第二ステップと、前記バッファ層の表面にカーボンナノチューブ層を設置する第三ステップと、前記バッファ層の表面に、第一半導体層、活性層及び第二半導体層を順に成長させる第四ステップと、前記第二半導体層の表面に、第二電極を形成する第五ステップと、前記基板を除去する第六ステップと、前記第一半導体層の表面に、第一電極を設置する第七ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードの製造方法は、結晶を成長させるための結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の前記結晶面に、カーボンナノチューブ層を設置する第二ステップと、前記基板の前記結晶面に、第一半導体層、活性層、及び第二半導体層を順に成長させる第三ステップと、前記第二半導体層及び前記活性層の一部をエッチングして、前記第一半導体層の表面の一部を露出させる第三ステップと、前記第一半導体層の表面に、第一電極を設置し、前記第二半導体層の表面には第二電極を設置する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥が発生することを防止した光取り出し効率の高い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、第一半導体層１２０と、第二半導体層１４０と、活性層１３０と、第一電極１５０及び第二電極１６０と、を含む。第一半導体層、活性層及び第二半導体層が、第一電極から離れる方向に沿って、基板に順に積層して設置され、第一半導体層が、第一電極に接続され、第二電極が、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の第一電極と隣接する表面が、複数の溝を含むパターン化表面１２２であり、第一半導体層のパターン化表面が、第一電極に接続される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の製造方法は、結晶成長のための結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、基板の結晶面に第一カーボンナノチューブ層を設置する第二ステップと、基板の結晶面に第一半導体層、活性層、及び第二半導体層を順に成長させる第三ステップと、第二半導体層の表面に第二カーボンナノチューブ層を設置する第四ステップと、第二半導体層の表面に第三半導体層を成長させる第五ステップであって、第三半導体層は複数の溝によって互いに間隔を開けて成長された結晶粒を含む第五ステップと、第一及び第二カーボンナノチューブ層を除去する第六ステップと、第三半導体層、第二半導体層、及び活性層の一部をエッチングして、第一半導体層の一部の表面を露出させる第七ステップと、第一半導体層の表面に第一電極、第二半導体層の表面に第二電極を設置する第八ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】露光領域の縁における形状の歪みを改善する。
【解決手段】チェッカーボードアレイ及びこれを囲むサブレゾリューション・アシスト位相パターンを備える位相シフトマスクである。このチェッカーボードアレイは、１８０度の位相差を有する交互位相シフト領域Ｒを有している。このサブレゾリューション・アシスト位相領域Ｒ’は、対応する位相シフト領域Ｒの隣に配設されているとともに、当該位相シフト領域Ｒとの間で１８０度の位相差を有している。このサブレゾリューション・アシスト位相領域Ｒ‘は、フォトリソグラフによるフォトレジスト加工の際の、不所望なエッジ効果を軽減するために形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、横方向エピタキシャル成長方式によって半導体構造内の積層欠陥と転位密度の低下を抑制するのに有効であり、発光層の結晶品質を高め、漏れ電流を減少させ、同時に半導体構造表面に粗化構造を形成して外部量子効率を高めることができるナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードは、基板と、基板上に位置する接合金属層と、接合金属層上に位置する第一電極と、第一電極上に位置し横方向エピタキシャル成長により形成される半導体構造と、半導体構造上に位置する第二電極であり、上述の半導体構造は第二電極によって被蓋していない上表面にナノスケール粗化構造を形成する第二電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層であって、前記第１半導体層の他の部分よりも層厚が薄い複数の薄層部を有する前記第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。そして、前記発光層とは反対側の前記第１半導体層の表面の上に設けられた透明電極と、前記透明電極の上に選択的に設けられた第１電極と、前記発光層とは反対側の前記第２半導体層の表面に接した第２電極と、前記透明電極と前記第２電極との間の電流経路の一部を遮断する電流ブロック層であって、前記第１半導体層の表面に平行な平面視において、前記薄層部に重ならない前記電流ブロック層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光取出し効率および軸上光度の両方または少なくとも一方が改善された窒化物系ＬＥＤ等を提供する。
【解決手段】
本発明の一形態の窒化物系ＬＥＤは、窒化物半導体基板のおもて面上に窒化物半導体からなる発光構造を有し、該基板の裏面には粗化領域が設けられており、該粗化領域は複数の突起を有しており、該複数の突起の各々は頂点または頂面を有し、かつ、その水平断面が隣接する他の突起と接する部分を除いて円形であり、かつ、該水平断面の面積が該頂点または頂面に近づくにつれて減少しており、更に、該複数の突起は、いずれのひとつに対しても他の６つが接触するように配置されており、該発光構造で生じる光が該粗化領域を通して外部に出射される、ことを特徴とする。 （もっと読む）