【課題】凹凸パターン加工の制御性、再現性を向上させること。
【解決手段】サファイア基板１０表面に周期０．１〜１μｍのドット状の凹凸パターンを形成する。次に、サファイア基板１０上にＡｌＮからなるバッファ層１１を形成し、バッファ層１１上にｎ型層１２、発光層１３、ｐ型層１４を積層する。次に、ｐ型層１４上にｐ電極１５を形成し、低融点金属層１６を介してｐ電極１５と支持基板１７とを接合する。次に、レーザーリフトオフによりサファイア基板１０とバッファ層１１を除去する。ｎ型層１２のサファイア基板１０除去側には、サファイア基板１０に設けられた凹凸パターン２０が転写され、凹凸パターン１９が形成される。ここで、バッファ層１１としてＡｌＮを用いているため、再現性、制御性よく微細な凹凸パターン１９を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、その効率を上げるためにＬＥＤの上あるいは内部に光取出し構造体（２６）を有する新規のＬＥＤを提供する。
【解決手段】新規の光取出し構造体（２６）は、光がパッケージへと出て行くのにより有利な方向に光を反射、屈折あるいは散乱させる表面を提供する。この光取出し構造体は、光取出し要素（４２、４４、４６、４８、５０、５２）のアレイあるいは分散体層（１１２、１２２、１３４、１４４、１５２、１６２）を備えている。光取出し要素は、様々な形状でありうるし、従来のＬＥＤを超えてＬＥＤの効率を増加させるために多くの位置に配置される。分散体層は光に散乱源を提供し、また同じように多くの位置にそれを配置することができる。光取出し要素アレイをもつ新規のＬＥＤは、それらの生産性を高くする標準的な加工技術で、標準的なＬＥＤと同様のコストで製造される。分散体層をもつ新規のＬＥＤは新規の方法で製造され、また生産性が高い。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に減少させることができる新規な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造方法は、成長基板１を提供する工程と、前記成長基板１に複数の溝１ａを形成する工程と、前記成長基板１に半導体素子層２を形成する工程と、前記成長基板１から前記半導体素子層２を分離するように、前記成長基板１及び前記半導体素子層２の温度を変更する工程と、を備えている。成長基板と窒化物半導体基板との間の接触面積を減らし、ウェハ接合工程においての加熱による温度変化工程では、成長基板と窒化物半導体基板とは異なる膨張係数を有しているので、応力が集中して、成長基板と窒化物半導体基板を互いに剥離する。 （もっと読む）

【課題】光抽出構造が形成されることで、発光効率及び信頼性を向上できる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、金属又は半導体からなる支持層；支持層上に位置する第１の電極；第１の電極上に位置し、発光層を含む多層構造の半導体層；及び半導体層上に配置され、少なくとも一つのホール又は柱形状の単位構造で形成される光抽出構造；を含む。光抽出構造はランダムに配置され、光抽出構造の高さは、ｎを光抽出構造が形成された物質の屈折率とし、λを発光層の中心波長とした場合にλ／２ｎ〜３０００ナノメートルであり、光抽出構造の周期又は隣接する単位構造の各中心間の平均距離は４００〜３０００ナノメートルであり、光抽出構造の単位構造はホール又は柱形状であり、単位構造の内側表面の半径と外側表面の半径とが互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】基板の側面からの光取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１および第２の面１１ａ、１１ｂに略直交する側面１１ｃを有している。基板１１の側面１１ｃには、第１の面１１ａから第１の距離Ｌｏ１だけ離間した位置から第２の面１１ｂ側に向かって、第１の粗さＲ１と第１の幅ａを有する第１の領域１２と、第１の粗さＲ１より小さい第２の粗Ｒ２さと第１の幅ａより小さい第２の幅ｂを有する第２の領域１３が交互に形成されている。第１の領域１２の繰り返しピッチは、一定である。基板１１の第１の面１１ａ上に、第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】成長用基板の剥離の際の半導体層の損傷を抑制した半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子用ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、凹凸が設けられた主面を有する第１基板の主面上に、発光層を含む窒化物半導体層を形成する工程と、窒化物半導体層と第２基板とを接合する工程と、第１基板を介して窒化物半導体層に光を照射して第１基板を窒化物半導体層から分離する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。窒化物半導体層を形成する工程は、凹凸の凹部の内壁面上に窒化物半導体層の少なくとも一部と同じ材料を含む薄膜を形成しつつ、凹部の内側の空間内に空洞を残すことを含む。分離する工程は、薄膜に光の少なくとも一部を吸収させて、窒化物半導体層のうちで凹部に対向する部分に照射される光の強度を、窒化物半導体層のうちで凹凸の凸部に対向する部分に照射される光の強度よりも低くすることを含む。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】発光層１４上に、ＭＯＣＶＤ法によってｐ−ＡｌＧａＮからなるｐクラッド層１５を形成する。圧力３０ｋＰａ、Ｍｇ濃度は１．５×１０²⁰／ｃｍ³ とする。これにより、III 族元素極性の結晶に窒素極性の領域が多数生じ、ｐクラッド層１５の表面は六角柱状の凹凸形状となる。次に、ｐクラッド層１５上に、ＭＯＣＶＤ法によって凹凸形状に沿って膜状にＧａＮからなるｐコンタクト層１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させることができる発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子は、導電型基板と、前記導電型基板上に配置され、第１半導体層、第２半導体層、及び前記第１半導体層と前記第２半導体層との間の活性層を有する複数の発光セルと、前記第１半導体層の側面及び前記活性層の側面を覆うように配置される保護層と、一つ以上の前記発光セルの前記第２半導体層を相互接続させる第１電極とを備え、前記保護層は、前記第１半導体層の側面及び前記活性層の側面から前記発光セルのそれぞれの内部に延在する突出部を有する。 （もっと読む）

【課題】エッチングにより、適切に、エッチング対象物の表面に凹凸形状を形成して粗面化を行うことができるエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、エッチング対象物の表面１６をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング液組成物であって、有機酸、有機酸塩、無機酸、無機酸塩、キレート剤、界面活性剤、糖アルコール類、フェノール類、アゾール類、および複素環化合物からなる群から選択される少なくとも一つと、酢酸と、フッ化水素酸と、硝酸とを含む。 （もっと読む）

【課題】発光領域への電流注入密度、および発光効率が高められた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、支持基板と、第１電極と、第１導電形層と、発光層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。第１導電形層は、第１コンタクト層、窓層、第１クラッド層、を有する。第２導電形層は、第２クラッド層、電流拡散層、第２コンタクト層、を有する。第２電極は、第２コンタクト層の非形成領域の上に設けられたパッド部と、第２コンタクト層の上に延在する第１領域および非形成領域に設けられた第２領域を有する細線部と、を有する。細線部の面とパッド部の面とは連続する金属材料からなる。第１コンタクト層および窓層のバンドギャップエネルギーは、発光層のバンドギャップエネルギーよりもそれぞれ大きい。第１コンタクト層は、選択的に設けられ、第１コンタクト層と、第２コンタクト層と、は、重ならない。 （もっと読む）