【課題】生産性を向上させることができ、光の反射効率の最大化によって光抽出効率を向上できる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子２００は、第１の導電型半導体層２３６、活性層２３４及び第２の導電型半導体層２３２を含む発光構造物と、第１の電極層２１０と、発光構造物と第１の電極層との間に配置された第２の電極層２２０と、第２の導電型半導体層の下側で第２の電極層の縁部を取り囲み、第２の電極層と第１の電極層との間に配置された絶縁層２４０とを含み、第２の電極層は、第２の導電型半導体層と接し、互いに所定間隔だけ離隔するように配置された複数の第１の反射層２２２を有し、第１の電極層は、第２の電極層、第２の導電型半導体層及び活性層を貫通して第１の導電型半導体層に接する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光利用効率を高め、蛍光体板により波長変換を行ってもイエローリングのない安定した白色光や、赤色、緑色の色むらのない安定した色の光を発光する安価な発光装置を提供するものである。
【解決手段】発光素子と、発光素子が発光する光を波長変換する蛍光体板を備える発光装置において、発光素子を形成する半導体層の表面に、発光素子が発光する光の半波長以下のピッチを有する凹部を形成して、矩形周期構造体を構成し、蛍光体板は、矩形周期構造体の上方に配置している。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層に加わるダメージを抑制しながら、窒化物半導体層と電極との間でオーミック接触を得ることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この発光素子（窒化物半導体素子）１は、主面１０ａを有する基板１０と、ｎ型層２０ａ、ｎ型コンタクト層２０ｂおよびｐ型層２０ｄを含む半導体層２０と、を備える。主面１０ａはｍ面に対してａ軸方向に所定のオフ角度を有する。半導体層２０は、傾斜領域２１と非傾斜領域２２とを含む。傾斜領域２１において、ｎ型層２０ａおよびｎ型コンタクト層２０ｂの所定領域上にｎ電極４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光出射率が高い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、第一半導体層と、第二半導体層と、活性層と、複数の三次元ナノ構造体と、第一電極及び第二電極と、を含む。前記第二半導体層の前記活性層に隣接する表面と反対側の表面は、該発光ダイオードの光出射面であり、前記複数の三次元ナノ構造体は、前記第一半導体層の前記活性層に隣接する表面と反対側の表面に、一次元アレイの形式によって設置され、三次元ナノ構造体は、第一突部と第二突部を含み、前記第一突部と前記第二突部とは互いに並列して、同じ方向に延伸し、三次元ナノ構造体の前記第一突部と前記第二突部との間には、第一溝が形成され、隣接する三次元ナノ構造体の間には、第二溝が形成され、前記第二溝の深度は前記第一溝より深い。 （もっと読む）

【課題】発光素子の半導体層の厚さを減少させ、発光素子の光抽出効率を改善しようとすること。
【解決手段】本発明の一実施例に係る発光素子は、第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を有する発光構造物と、前記発光構造物の下部に位置し、第２の導電型半導体層と電気的に連結された第２の電極層と、第２の電極層の下部に位置する主電極、及び前記主電極から分岐され、第２の電極層、第２の導電型半導体層及び活性層を貫通して第１の導電型半導体層と接する少なくとも１つの接触電極を有する第１の電極層と、第１の電極層と第２の電極層との間及び第１の電極層と前記発光構造物との間の絶縁層とを備え、第１の導電型半導体層は、第１の領域と、第１の領域と区分され、第１の領域より高さの低い第２の領域とを有し、第１の領域は前記接触電極と重畳されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光出射率が高い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、第一半導体層と、第二半導体層と、活性層と、複数の三次元ナノ構造体と、第一電極及び第二電極と、を含む。前記複数の三次元ナノ構造体は、前記基板の表面に、一次元アレイの形式によって設置され、前記三次元ナノ構造体は、第一突部と第二突部を含み、前記第一突部と前記第二突部とは互いに並列して、同じ方向で延伸し、三次元ナノ構造体の前記第一突部と前記第二突部との間には、第一溝が形成され、隣接する三次元ナノ構造体の間には、第二溝が形成され、前記第二溝の深度は前記第一溝より深い。 （もっと読む）

【課題】光出射率が高い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１０は、基板１００と、第一半導体層１１０と、第二半導体層１３０と、活性層１２０と、複数の三次元ナノ構造体１４０と、第一電極１５０及び第二電極１６０と、を含む。第二半導体層の活性層に隣接する表面と反対側の表面は、発光ダイオードの光出射面であり、複数の三次元ナノ構造体は、発光ダイオードの光出射面に、一次元アレイの形式によって設置され、各々の三次元ナノ構造体は、第一突部と第二突部とを含み、第一突部と第二突部とは同じ延伸規則によって延伸し、三次元ナノ構造体の第一突部と第二突部との間には、第一溝が形成され、隣接する二つの三次元ナノ構造体の間には、第二溝が形成され、第二溝の深度は第一溝より深い。 （もっと読む）

【課題】 光の取り出し効率を向上させるとともに、容易かつ再現性良く製造可能な半導体発光素子やその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１は、電力を供給することで発光する発光層１２を有した半導体積層構造１１〜１３と、半導体積層構造１１〜１３の上面に形成されて発光層１２が出射する光に対して透明であり導電性を有する透明電極１４と、透明電極１４の上面に形成されて発光層１２が出射する光に対して透明であり透明電極１４よりも屈折率が高い透明高屈折率膜１５と、を備える。透明高屈折率膜１５は、透明電極１４から離れるに従い連続的または段階的に屈折率が低くなり、かつ、透明電極１４からの距離にかかわらず組成が一様である。 （もっと読む）

【課題】ダブルフリップ製作プロセスによって形成されたダブルフリップチップ半導体デバイスを提供する。
【解決手段】最初にｎ型層２０４を成長させ、続いてｐ型層２０６を成長させる通常の方式で、基板上にエピタキシャル層を成長させる。チップを最初にフリップして、犠牲層に取り付ける。当初の基板を除去し、ｎ型層を露出させ、追加の層および処理をデバイスに追加する。ｎ型層は製作中に露出されるので、光取出しを向上させるためにさまざまな方式で加工することができる。チップを再度フリップして、支持要素に取り付ける。次いで、犠牲層を除去して、追加の層および処理をデバイスに追加する。完成したデバイスは、各層が当初の基板に対して有していたのと同じ向きを、支持要素に対して維持する構成を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤの発生光の外部への結合効率を効率的に改善する。
【解決手段】基板１１２上に堆積した半導体材料の第１の層１３と共にｐ−ｎダイオードを形成する前記半導体材料の第２の層１４と、第１と第２の層の間にあって、光を発生する発光領域１８と、第２の層に堆積した第１の電極１５と、第１の層に電気的に接続された第２の電極１６が含まれている。基板１１２の上部表面に、光を散乱または回折するための突出部１１８及び／または陥凹部１１９が設けられる。第２の層の上部表面の粗面化も用いることができる。 （もっと読む）