赤外線検出器を製造するに際して、先ず、シリコン基板上に形成された絶縁層上に、電極を形成する。この電極は、前記赤外線検出器を構成する感熱抵抗素子の形状に合わせた形状とされている。この半導体基板を反応槽内に置き、所定の電位とされ、且つ、加熱する。次に、前記感熱抵抗素子を構成する感熱抵抗体の材料をガス化して原料ガスとなし、当該原料ガスをイオンクラスター化して前記反応槽内に供給する。すると、前記電極を所定の電位とすることによって発生する電界の作用により前記原料ガスが前記電極に捕集される。電極に接した原料ガスが電子を受け取って安定化し、熱分解されることによって、電極上に感熱抵抗体が成長する。 （もっと読む）

本発明は、存在する場合もあるドープ剤を別にして、実験式Ｉ：
Ｆe_{３−（ｘ＋ｙ）}Ｍ_ｘＡ_ｙＯ_４＋δ （Ｉ）
を満足する化学組成のスピネル型フェライト構造を有する材料の使用であって、赤外線のボロメーター検出用の薄層における感光材料としての使用に関する。また、本発明は、前記の薄層の形の感応素子を具備した少なくとも一つのセンサーを含む赤外線検出用又は赤外線画像作成用のボロメーター装置を提供する。 （もっと読む）

同一基板に、抵抗の温度変化係数が正である抵抗体と、読み出し集積回路（ＲＯＩＣ）とが組み込まれて成るボロメータである。ＲＯＩＣと非常に大きな絶対値の正のＴＣＲを示す抵抗体とが同一の基板に組み込まれているので、高集積と小型化が可能である。 （もっと読む）

【解決手段】 熱検出構造の製作に使用する方法は、その導電接点への電気的接続部の形成に使用するためにその接触領域（即ち、熱検出材料の露出面）を改質する段階を含んでいる。例えば、熱検出材料は、酸化バナジウムであり、その場合には改質は、不活性ガスイオンを使用して、接触領域にバックスパッタリングを施すことにより行われる。導電接点に対する電気的接続部の形成は、導体材料を、少なくとも改質された接触領域に接触させて設ける段階を含んでいる。 （もっと読む）

センサに関連する電子回路を含む、赤外線検出ピクセルのための単層を有する熱センサ構造。電子回路は小さい範囲に置かれ、そのため、ピクセル用電子回路が無い層と比べても、ピクセルが配置される範囲に対しての電子回路の影響は少ない。その層は、シリコンに対してのアクセス・ビアがあるため、基板に対しての付着が構造的に制限され、それにより基板に対して熱的に隔離される。更に、これは、単層の下の基板からシリコンが除去されて形成されたピットにより隔離される。熱センサは、多数のピクセルを含むアレイを有することができ、ピクセルおよび電子回路のための単層を有する。

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