【課題】熱電子発電素子用の電極(11,12）を低コストで製造可能にする。
【解決手段】導電材料によって、所定粗さの表面を有する電極本体（21）を作成する工程（P1）、電極本体（21）を構成する材料の仕事関数よりも低い仕事関数を有する低仕事関数材料により、電極本体（21）の表面に所定厚さのコーティング層（22）を形成する工程（P2）、及び、コーティング層（22）の形成後に、電極表面の一部に前記電極本体（21）が露出するように、コーティング層（22）を除去する工程（P3）、を含む。 （もっと読む）

【課題】エミッタ（21,41)及びコレクタ（22,42）の間隔を狭くして熱電子発電装置（1）の発電効率を高めつつ、熱歪み等に起因するエミッタ（21,41)及びコレクタ（22,42）の接触を防止する。
【解決手段】第１熱源に接続される高温側部材（13）と第２熱源に接続される低温側部材（14）とは、第１方向に相対して配置される。エミッタ（21,41)とコレクタ（22,42）とは、エミッタ（21,41)が高温側部材（13）に接触しかつ、コレクタ（22,42）が低温側部材（14）に接触した状態で、第１方向とは異なる第２方向に熱電子が移動するように所定の間隙を隔てて配置される。 （もっと読む）

【課題】物理量の検出感度をより高めることのできる半導体センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体圧力センサユニットは、当該センサを取り巻く雰囲気の圧力の変化に応じてひずむステム７０と半導体圧力センサ１とを有している。半導体圧力センサ１は、ステム（正確にはステムの薄肉部）７０のひずみに応じてひずむゲージ部３１と、ゲージ部３１の両端に形成されるとともに、当該センサ１外との電気的な接続に供される第１及び第２ボンディングパッド３４ａ及び３４ｂとを有しており、当該センサ１を取り巻く雰囲気の圧力の変化を、第１及び第２ボンディングパッド３４ａ及び３４ｂ間の電気抵抗値の変化として検出する。このゲージ部３１は、支持基板、埋め込み絶縁膜、及び半導体層が順次積層されているＳＯＩ基板を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】広い温度範囲において、抵抗値の経時変化を抑制すると共に、抵抗値の温度依存性を大きくすることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に半導体からなる抵抗体が形成されたものであって、抵抗体が不純物のドーピングされた単結晶シリコンからなり、抵抗体の不純物濃度が、１×１０^２０ｃｍ^−３未満、４×１０^１９ｃｍ^−３以上とされている。これにより不純物の拡散係数を低く抑え、抵抗値の経時変化を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】素子全体における構造の簡素化、ひいてはその製造工程の簡略化を図ることのできる熱電変換素子を提供する。
【解決手段】熱電変換素子１５は、スクッテルダイト型結晶構造を有する熱電材料１６と、熱電材料１６を挟んで対向するように配設される一対の永久磁石１７，１８と、永久磁石１７，１８により生じる磁界Ｂ２の方向と直交する方向の温度勾配ΔＴ３を熱電材料１６に生じせしめる手段と、磁界Ｂ２の方向及び温度勾配ΔＴ３の方向にそれぞれ直交する周方向ｎにおいて離間して熱電材料１６に配設される一対の電極１９，２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】単一方形シリコン（ＳＳＳ）センサを使用し、典型的なホイートストンブリッジセンサの複雑さを低減すること、圧力感度を高めてオンチップ電圧を減少し、平均電力使用を低減すること、および圧力測定値と温度測定値との間の温度勾配を低減することができる。
【解決手段】本発明のセンサは、電流の流れが検出素子３２に対して接線方向であるときに接線方向抵抗Ｒ_ｔを有し、電流の流れが検出素子に対して半径方向であるときに半径方向抵抗Ｒ_ｒを有する単一の検出素子を備え、検出素子が定電流源を用いて稼働されるとき、前記接線方向抵抗と前記半径方向抵抗との差が、前記検出素子に供給された圧力の測定値であり、前記接線方向抵抗と前記半径方向抵抗との和が、前記検出素子の周囲温度の測定値である。 （もっと読む）

【課題】デバイス全体の小型化を図ることが可能であり且つデバイス性能の安定化を図れる真空封止デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】気密パッケージＰ内の所定部位に形成された層状のゲッタ部４により気密パッケージＰ内の真空を維持する真空封止デバイスであり、デバイス本体１の一部とパッケージ用基板２，３とで気密パッケージＰを構成している。ゲッタ部４は、気密パッケージＰ内の気体を吸着する多数のゲッタ粒子４ａと、隣り合うゲッタ粒子４ａ間を繋ぐ多数のバインダ４ｂとを有する複合化層により構成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン／ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）超格子温度センサをその製造方法とともに提供する。
【解決手段】上記製造方法では、第１のシリコン基板に能動ＣＭＯＳ素子を形成するとともに、第２のＳＯＩ（Si-on-insulator）基板上にＳｉＧｅ超格子構造を形成する。次に、第１の基板を第２の基板に貼り合わせて、貼り合わせ基板を形成する。そして、ＳｉＧｅ超格子構造とＣＭＯＳ素子とを接続する電気接続配線を形成し、ＳｉＧｅ超格子構造と貼り合わせ基板との間に空洞を形成する。 （もっと読む）

熱・電気変換の改善された方法および装置では、比較的高温および低温の並置された表面が、小さい真空ギャップにより分離され、前記低温の表面が、単一電荷キャリア変換器エレメントのアレイをその表面に沿って提供し、前記高温の表面が、クーロン静電結合相互作用を通じて、励起エネルギーを対向する前記低温の表面へ、前記ギャップを横切って移動させる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラム割れ防止の強度補強緩衝膜とダイヤフラム端部とが基板の厚み方向で互いに重なり合っているか否かを容易に判定可能な熱式ガス流量センサを実現する。
【解決手段】検出素子１は平板基板３２に保護膜３０ａ、３０ｂ、３１ａ、絶縁膜３１ｂ、３０ｃ、発熱抵抗体３、温度検出抵抗体４、コンタクト部３３、引き出し配線部３４、コンタクトバリアメタル膜３６、強度補強保護膜３７を形成する。その後、平板基板３２を裏面からエッチングすることでダイヤフラム２を形成する。強度補強緩衝膜３７の端部の基盤３２の厚み方向に対応する位置に目盛パターン３８が配置されている。ダイヤフラム２の端部と、強度補強緩衝膜３７の端部との間に位置ずれが発生していないか否かを目盛パターン３８により容易に判断することができる。 （もっと読む）