【課題】コレクターの温度を下げずにコレクターのバックエミッションを抑制することにより、発電効率を向上させることができる熱電子発電素子を提供する。
【解決手段】エミッター１とコレクター２とを対向配置させた熱電子発電素子において、半導体材料を用いてエミッター１およびコレクター２をそれぞれ構成する。そして、エミッター１のドーパント濃度をコレクター２のドーパント濃度よりも濃くする。これにより、コレクター２からエミッター１へ到達する熱電子の数を少なくすることができる。このため、エミッター１とコレクター２を同じ温度で加熱しても、発電効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】サーモパイルセンサ型赤外線検出器に於いて、サーモパイル型赤外線検出器内の容積に対し、実装部材が少なく、熱容量が小さい事から、急激な環境温度変化が加わった際に、サーモパイルチップが受ける熱影響が大きく、環境温度変化に対し、信号出力がドリフトしてしまうという課題がある。
【解決手段】サーモパイル型赤外線検出器に於ける回路部分である抵抗、コンデンサ、オペアンプ等を部材実装した基板を格納し、内部部材体積・熱容量を増加させする事を特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ボロメータ用抵抗材料、それを用いた赤外線検出器用ボロメータ、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るボロメータ用抵抗材料は、アンチモン(Ｓｂ)に、窒素(Ｎ)、酸素(Ｏ)及びゲルマニウム(Ｇｅ)からなる群から選択された１つ以上の元素を含むものであって、このような抵抗材料は、優れた特性、すなわち、高いＴＣＲ、低い比抵抗及び低いノイズ定数 を有し、ＣＭＯＳ工程で一般的に用いるスパッタリング法を用いて容易に薄膜で製造され、非冷却型赤外線検出器のボロメータに抵抗体として用いることができ、赤外線検出器に優れた温度精度を具現することができる。 （もっと読む）

【課題】カーボン薄膜を材料として、室温付近で高いＴＣＲ絶対値を有するボロメータ材料を製造できる技術を提供する。
【解決手段】カーボン薄膜を通電しながら酸処理を施すことによりボロメータ材料を作製する。 （もっと読む）

【課題】メンブレン部と梁部の下部のＳｉ（１００）基板そのものを除去してブリッジ構造を形成するためのＳｉ異方性ウェットエッチングの処理時間を短縮できる半導体装置技術を提供すること。
【解決手段】メンブレン部５１と梁部５２〜５５は、Ｓｉ（１００）基板の＜１００＞方向に形成され、梁部５２〜５５はメンブレン部５１の対向する二辺上でのみメンブレン部５１を支持し、梁部５２〜５５の最短部分の長さが幅よりも長い構成となっている。メンブレン部５１上には赤外線を検出するための感熱部９０（赤外線センサーの場合）と赤外線吸収膜９１が形成され、検出した赤外線によって発生される信号を、配線９２、９３が感熱部９０からメンブレン部５１、梁部５３、５５を通って外部へと導いている。メンブレン部５１は底面保護層９４、層間膜９５、上面保護層９６によってエッチング溶液から保護されている。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体を用いて起電力を大きくすることが可能な熱電子発電素子を提供する。
【解決手段】エミッタ電極１にｐ型ダイヤモンド半導体を用いると共に、コレクタ電極２にｎ型ダイヤモンド半導体を用いている。例えば、エミッタ電極１のダイヤモンド半導体薄膜１ｂに対してボロンを添加すると、アクセプタ準位は伝導帯から約５．１ｅＶに存在し、コレクタ電極２のダイヤモンド半導体薄膜２ｂに対して窒素を添加すると、ドナー準位は伝導帯から約１．７ｅＶに存在する。したがって、フェルミ準位の差が約３．４ｅＶと大きくなり、起電力を大きくできる。よって、ダイヤモンド半導体を用いて起電力を大きくすることが可能な熱電子発電素子となる。 （もっと読む）

【課題】 赤外線検知用と温度補償用との感熱素子間で高い温度差分が得られると共に小型化が可能で、安価な構造を有している赤外線センサを提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム２と、該絶縁性フィルム２の一方の面に互いに離間させて設けられた第１の感熱素子３Ａ及び第２の感熱素子３Ｂと、絶縁性フィルム２の一方の面に形成され第１の感熱素子３Ａ及び第２の感熱素子３Ｂに別々に接続された複数対の導電性の配線膜４と、第１の感熱素子３Ａに対向して絶縁性フィルム２の他方の面に設けられた赤外線吸収膜５と、第２の感熱素子３Ｂに対向して絶縁性フィルム２の他方の面に設けられた赤外線反射膜６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】集積化が容易で検出感度の向上が可能な赤外線２次元イメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体膜から成る赤外線検出容量ＣＦのうち、容量部分１００は、引出配線１０２および１０４により支持されて、溝部３３０の両側のＳｉ基板に対して保持される。下部電極は、引出配線１０２と結合し、上部電極は、引出配線１０４と結合する。容量部分１００の平面形状は、長方形形状から、対角線方向に互いに対向する１０６の部分および１０８の部分を除いた形状となっている。 （もっと読む）

【課題】常温の大気中で用いても１０^８（ｃｍＨｚ^１／２／Ｗ）以上の比検出能Ｄ^＊が得られる赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】赤外線検出装置２に赤外線が照射されると、白金黒膜２２０が赤外線を吸収して温度が上昇し、その裏面に接している単結晶シリコン層の温度が上昇する。その温度変化によって単結晶シリコン層の抵抗が変化する。この抵抗変化を検出することによって赤外線の強度を検出することができる。単結晶シリコン層の不純物濃度を４×１０^１５〜１×１０^１7／ｃｍ^３の範囲に設定し、単結晶シリコン層１４０の体積を１．２×１０^-１４〜８．０×１０^-１３ｍ^３の範囲に設定すると、高い抵抗温度係数と低い雑音電圧と必要な高速応答性を実現でき、常温大気中での比検出能Ｄ^＊を１０^８以上にできる。 （もっと読む）

【課題】常温での検出能力が高い赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】１対の配線１２ａ，１２ｂの間に導電性粒子群を含有している多孔質絶縁体４ａを介在させる。多孔質絶縁体４ａを赤外線吸収膜１６で被覆する。多孔質絶縁体４ａの内部には同一サイズの孔が同一間隔で形成されており、各孔の内部に導電性粒子が収容されている。各導電性粒子の粒径が１〜１０ｎｍであり、隣接する導電性粒子同士の間隔が１〜１０ｎｍであると、クーロンブロッケード現象の発生確率が常温近傍の温度域で温度に対して敏感に変化する関係が得られる。赤外線検出装置１によると、常温常圧で用いても１０^９（ｃｍＨｚ^１／２／Ｗ）以上の比検出能Ｄ^＊が得られる。 （もっと読む）