説明

国際特許分類[H01L37/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 異種材料の接合を持たない熱電装置;熱磁気装置,例.ネルンスト・エッチングハウゼン効果を利用するもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (224)

国際特許分類[H01L37/00]の下位に属する分類

国際特許分類[H01L37/00]に分類される特許

11 - 20 / 135


【課題】 Pbを使用することなく室温抵抗率を低減しながらも優れたジャンプ特性を示し、且つ経時変化を低減したPTC素子と発熱モジュールを提供する。
【解決手段】 少なくとも2つのオーミック電極と、前記電極の間に配置されたBaTiOのBaの一部がBi−Naで置換された半導体磁器組成物とを有するPTC素子であって、前記半導体磁器組成物が、組成式を[(Bi-Na)(Ba1−y−θθ1−x]Ti1−z(但し、Rは希土類元素のうち少なくとも一種、AはCa、Srのうち少なくとも一種、MはNb、Ta、Sbのうち少なくとも一種)と表し、前記x、y、z、θが、0<x≦0.30、0≦y≦0.020、0≦z≦0.010、0≦θ≦0.20を満足し、前記電極と半導体磁器組成物の界面において電極のオーミック成分と半導体磁器組成物が接触していない面積の割合が25%以下としたPTC素子である。 (もっと読む)


【課題】赤外線吸収膜の帯電を防止した、赤外線検出感度の高い赤外線センサおよび赤外線センサアレイを提供する。
【解決手段】赤外線を検出する赤外線センサ100において、凹部2を有する基板1と、基板1に接続された支持脚4で凹部2の上に支持され、検知素子6を含む温度検知部3と、温度検知部3の上に載置され、赤外線吸収金属膜12を含む赤外線吸収部7であって、基板1の表面に平行な傘部17と傘部17を温度検知部3に接合する接合部14とを含む赤外線吸収部7とを含み、傘部17の赤外線吸収金属膜12と、接合部14の赤外線吸収金属膜12とが、電気的に絶縁されているか、または赤外線吸収金属膜12は、少なくとも接合部14の、温度検知部3の表面に接合された部分には設けない。 (もっと読む)


【課題】高出力と省スペース性の両立を容易に実現することができる熱電変換素子を提供する。
【解決手段】本発明における熱電変換素子は、少なくとも1つの磁化方向を有する磁性体と、前記磁化方向に対して略平行な面に配設され、スピン軌道相互作用を有する材料を含む複数の起電体とで構成され、前記複数の起電体同士の起電力が加算されるように直列に接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 赤外線検知用と温度補償用との感熱素子間で高い温度差分が得られると共に小型化が可能で、安価な構造を有している赤外線センサを提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム2と、該絶縁性フィルム2の一方の面に互いに離間させて設けられた第1の感熱素子3A及び第2の感熱素子3Bと、絶縁性フィルム2の一方の面に形成され第1の感熱素子3A及び第2の感熱素子3Bに別々に接続された複数対の導電性の配線膜4と、第1の感熱素子3Aに対向して絶縁性フィルム2の他方の面に設けられた受光領域5Aと、第2の感熱素子3Bに対向して絶縁性フィルム2の他方の面に設けられた赤外線反射膜6と、を備え、赤外線反射膜6が、受光領域5Aの周囲も覆って形成されている。 (もっと読む)


【課題】スピン流熱電変換素子の出力及び熱電変換効率の増大を図る。
【解決手段】素子の基本構造を積層フェリ構造04とし、その積層面にPtなどのスピン軌道相互作用の大きな非磁性導電層02が接合された構造とする。非磁性導電層の積層フェリ構造の積層方向に生じた電圧差を電圧計05で検出する。 (もっと読む)


【課題】大きな熱起電力を発生させる放射検出器と電磁波を検出する方法とを提供する。
【解決手段】本発明は電磁波を検出する方法であって、以下の工程を具備する:放射検出器を準備する工程、ここで、放射検出器は、薄膜、基板、電磁波反射膜、第1電極および第2電極を具備し、前記基板は前記薄膜および前記電磁波反射膜の間に挟まれており、前記薄膜は、結晶体であり、ゼーベック係数に異方性を有し、かつ異方性を発現させる基準となる結晶面を有し、前記基板は結晶体であり、前記薄膜の前記結晶面と前記基板の表面とが形成する角度αは10°以上80°以下であり、前記基板の低指数面と前記基板の表面とが形成する角度βは10°以上80°以下であり、第1電極および第2電極は前記薄膜に電気的に接続され、および、第1電極と第2電極との間の電位差を検出し、電位差が検出されれば放射検出器に電磁波が照射されたことが決定される工程。 (もっと読む)


【課題】 熱電変換素子及び熱電変換装置に関し、温度勾配から電力を取り出す際の設計自由度を高める。
【解決手段】 磁性誘電体からなる熱スピン波スピン流発生部材に逆スピンホール効果部材を設け、前記熱スピン波スピン流発生部材の厚さ方向に温度勾配を設けるとともに、磁場印加手段により前記逆スピンホール効果部材の長手方向と直交する方向且つ前記温度勾配と直交する方向に磁場を印加して前記逆スピンホール効果部材において熱スピン波スピン流を電圧に変換して取り出す。 (もっと読む)


【課題】検出感度及び応答性が高く、製造が容易で、表面実装可能な小型の熱センサを提供する。
【解決手段】熱センサ101は、熱センサ本体となる負特性(NTC)サーミスタセラミックスで構成されるセラミック素体10、熱検知用内部電極1,2、空洞部5、温度補償用内部電極6,7、外部電極3,4及び温度補償用外部電極8を備えている。セラミック素体10内の、熱検知用内部電極1,2が形成された熱検知部と、温度補償用内部電極6,7が形成された温度補償部との間に空洞部5が形成されている。熱検知部と温度補償部との対向距離は空洞部5の中央部で小さく周辺部で大きく、且つ周辺部が温度補償部方向に延在するように空洞部5が形成されている。 (もっと読む)


【課題】高い放射検出感度や発電時の高い起電圧を実現するために、ゼーベック係数の大きな異方性を有し、かつ異方性を有する面に沿って大きな結晶が得られる異方的熱電材料を提供すること。
【解決手段】化学式Sr5Nb5O17で表され、c軸方向に5層のNbO6八面体からなるブロック層が周期的に積層してなる層状ペロブスカイト型の結晶構造を有し、a軸方向とa軸に対して垂直方向のゼーベック係数との差の絶対値が40μV/K以上であることを特徴とする異方的熱電材料によって高い放射検出感度や発電時の高い起電圧が実現できる。 (もっと読む)


基板間で電子電荷、熱または光を伝達する構造体および方法。このデバイス構造体は、互いに隔離された第1および第2の基板と、第1と第2の基板を合わせて接続する複数の局所スペーサとを含む。局所スペーサのうちの少なくとも1つが350nm未満の横方向寸法を有する。第1と第2の基板間のサブミクロン離隔距離は、第1と第2の基板の間で利益をもたらすトンネリング(earner tunneling)、熱伝達または光伝達が行われるように設定される。この方法では、電荷キャリア、熱または光を第1の基板に供給する。第1の基板は、説明されている少なくとも1つの局所スペーサによって第2の基板から隔離され、また第1の基板は、少なくとも1つの局所スペーサによって形成された第1と第2の基板間のサブミクロンギャップを越えて、第1の基板から第2の基板まで電荷キャリアをトンネリングし、熱を結合し、または光を結合する。
(もっと読む)


11 - 20 / 135