【課題】真空包封された微細構造装置に関し、２ウエハー間の空洞部の真空密封、特に空洞部からガスを排出する止栓の可能な穴を有する２枚のウエハーの製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハー対１３，１４の一方のウエハー１４には少なくとも１のくぼみ部１６が形成され、他方のウエハー１３はその外面の蒸着層で閉鎖される栓可能なポート１１を有し、くぼみ部は他方のウエハーを一方のウエハーと接着することによりくぼみ部がチャンバ１６に形成される。蒸着層の蒸着は極めて低い圧力環境で実行可能であるので、密封されたチャンバ内で同じ環境が保証される。チャンバは熱電センサ、ボロメータ、エミッタあるいは他の種類の装置のような少なくとも１の装置を囲む。ウエハー対は通常それぞれ装置を有する多くのチャンバを有し、多くのチップに分割可能である。 （もっと読む）

【課題】抵抗型イメージングボロメータ１４０を具備した赤外線放射検出用デバイスを提供する。
【解決手段】本発明によれば、このデバイスは、ボロメータ１４０の電気抵抗の基準値に対するボロメータ１４０の電気抵抗のドリフトを測定する測定手段１６，３８；１６，２４，３８；１６，１４０；１６，２４と、ドリフトの影響を補正する補正手段３４又は抵抗のドリフトを補正する補正手段とを具備する。ボロメータ１４０の電気抵抗の基準値は、ボロメータ１４０の所定の動作条件に対応する。 （もっと読む）

【課題】高性能化が可能な固体真空デバイスを提供する。
【解決手段】シリコン基板１０の一表面側に、第１のポリシリコン層１２に支持された熱型デバイス要素部２０が形成され、熱型デバイス要素部２０を囲む形で真空封止用キャップ部４０が形成されている。真空封止用キャップ部４０は、シリコン基板１０の上記一表面側に形成した第２のポリシリコン層４１の一部を陽極酸化することにより形成された真空封止用多孔質部４２と、真空封止用多孔質部４２に積層されたキャップ層４３とを有し、熱型デバイス要素部２０におけるシリコン基板１０側の第１の空間１５および真空封止用キャップ部４０側の第２の空間３５が真空となっている。第１のポリシリコン層１２の一部を陽極酸化することにより形成された多孔質ポリシリコン部からなり熱型デバイス要素部２０とシリコン基板１０とを熱絶縁する断熱部１３を備えている。 （もっと読む）

【課題】冷電子放出源や有機ＥＬ等の素子へＣ１２Ａ７エレクトライドを応用するために
、大気中でも界面が劣化することが少ない、オーミック表面を形成すること。
【解決手段】１２ＣａＯ・７Ａｌ_２Ｏ_３エレクトライドを導電性素子材料として、その表
面に金属を蒸着してオーミック接合を形成する方法において、該素子材料表面をリン酸処
理して改質した後、該素子材料表面に金属を蒸着することによって、該素子材料表面と該
金属との界面の接触抵抗を０．５Ω・ｃｍ^２未満とすることを特徴とするＣ１２Ａ７エレ
クトライドからなる導電性素子材料表面に対するオーミック接合形成方法。 （もっと読む）

【課題】ゲッタ材料によりマイクロ電子デバイスを封入する方法を提供する。
【解決手段】基板１０２上に配置されているマイクロ電子デバイス１００を封入する方法であって、ａ）マイクロ電子デバイス１００の少なくとも一部を覆う犠牲材料を形成し、該犠牲材料の一部分の体積が、デバイス１００が封入されることになるキャビティ１１４の少なくとも一部を形成することになる空間を占めるステップと、ｂ）少なくとも１つのゲッタ材料を基礎とする層１０８を蒸着させて、犠牲材料の一部分の少なくとも一部を覆うステップと、ｃ）少なくともゲッタ材料層１０８を貫通する少なくとも１つの開口部１１２を形成して、犠牲材料の一部分への進入路を形成するステップと、ｄ）開口部１１２を経由して犠牲材料の一部分を除去して、マイクロ電子デバイス１００が封入されるキャビティ１１４を形成するステップと、ｅ）キャビティ１１４を密閉するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】構造安定性および製造歩留まりの向上を図れ、且つ、高感度化を図れる赤外線センサを提供する。
【解決手段】断熱部４は、ベース基板１の一表面から離間して配置されベース基板１側とは反対側に抵抗ボロメータ３が形成される支持部４１と、支持部４１とベース基板１とを連結し配線８，８が形成された２つの脚部４２，４２とを有する。断熱部４は、多孔質シリカ膜４１ａと、多孔質シリカ膜４１ａにおけるベース基板１側に形成された第１のシリコン酸化膜４１ｂと、多孔質シリカ膜４１ａにおけるベース基板１側とは反対側に形成された第２のシリコン酸化膜４１ｃと、第１のシリコン酸化膜４１ｂにおけるベース基板１側に形成された金属薄膜４１ｄとで構成され、抵抗ボロメータ３および各配線８，８は、Ｔｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＴｉＯ_２膜とで構成されている。 （もっと読む）

本発明は赤外線検出デバイスに関するものであり、赤外線検出デバイスは、基材と、前記赤外線を検出するための素子の少なくとも1つの行からなり、それぞれの素子が抵抗型イメージングボロメータ(14)を備え、前記基材の上に形成されるマトリックス(12)と、マトリックスのボロメータを読み取るための手段(18)と、基材の少なくとも1つの点において温度を測定するための手段(22)と、それぞれのボロメータ(14)から形成される信号を、基材の少なくとも1つの点において測定された温度に基づいて補正するための手段(26)とを備える。補正手段(26)は、前記信号の温度挙動の所定の物理的モデルを使ってイメージングボロメータ(14)から形成される当該信号を補正することができる。
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【課題】赤外線を検出し赤外線強度に比例した電流、又は電圧の出力がえられる多素子の赤外線センサ１０１が持つオフセット、又は、オフセットばらつきによる増幅回路の飽和を防止し、高い増幅率を得ることができかつＳ／Ｎを向上させた信号処理装置を提供すること。
【解決手段】赤外線センサ１０１に大きなオフセット、オフセットバラつきがあっても、Ａ／Ｄ変換器１０９、第一メモリ１１４、Ｄ／Ａ変換器１１２、第二メモリ１１４を制御回路１１３で駆使しながらオフセットを除去し、増幅回路を飽和させることなく第一増幅回路１０２、第二増幅回路１０４で増幅を行い、且つ、デジタル値に変換時の量子誤差もなくしたデジタル出力を得る。 （もっと読む）

中間的に機械仕事に変換することなく熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱磁気発生機であって、−２０℃〜２００℃の範囲の温度で作動し、例えば以下の化合物より選ばれる
熱磁気材料を有する熱磁気発生機。
（１）一般式（Ｉ）の化合物
（Ａ_yＢ_y-1）_2+δＣ_wＤ_xＥ_z （Ｉ）
式中、
Ａは、Ｍｎ又はＣｏであり、
Ｂは、Ｆｅ、Ｃｒ、又はＮｉであり、
ＣとＤとＥは、ＣとＤとＥのうち少なくとも２つ異なり、濃度がゼロでなく、Ｐ、Ｂ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｎ、Ａｓ、およびＳｂから選ばれ、ＣとＤとＥの少なくとも一つがＧｅ又はＳｉであり、
δは、−０．１〜０．１の範囲の数字であり、
ｗ、ｘ、ｙ、ｚは、０〜１の範囲の数字である（ただし、ｗ＋ｘ＋ｚ＝１）； （もっと読む）

【課題】大気圧による基板の変形を防止することができ、基板の変形による感度不良を防止できる非冷却赤外線センサを提供する。
【解決手段】基板と、一端が基板に接続された支持脚によって基板上面から離れて保持された赤外線検知部と、基板上面との間に空間が形成されるように設けられた窓基板とを有し、赤外線検知部が空間内に真空封止された赤外線イメージセンサにおいて、基板の変形を防止するために、基板下面に対向する第２基板を設けた。 （もっと読む）