【課題】使用環境における温度変化の影響を効率良く低減しつつ、小型化を図ることができる赤外線検出器を提供する。
【解決手段】ボロメータ素子１１及びリファレンス素子２１を有する赤外線検出器１において、基板１０の表面から離間して基板１０の表面上に支持されたボロメータ薄膜２２と、ボロメータ薄膜２２の基板１０側の表面に絶縁膜３１を介して形成された放熱用金属膜２３と、放熱用金属膜２３及び基板１０と熱的に接続された複数の金属柱２５とを備えることで、赤外線により発生した受光部２２ａの熱が絶縁膜３１、放熱用金属膜２３、金属柱２５、基板側放熱用金属膜２４を介して基板１０へ効率良く放熱されるので、使用環境の変化によって発生する温度変化のみを正確に測定することができ、使用環境における温度変化の影響を効率良く低減しつつ、小型化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】赤外線検出感度の高い赤外線検出システムを提供する。
【解決手段】第１の半導体基板１１とヒータ層１３との間に形成された第１の多孔質部１２を有する赤外線放射素子１０と、第２の半導体基板２１と感温部２３との間に形成された第２の多孔質部２２を有し赤外線放射素子１０から放射された赤外線を検出する赤外線検出素子２０と、赤外線放射素子１０への入力電力を制御して赤外線放射素子１０から赤外線を放射させる制御部（図示せず）とを備える。赤外線放射素子１０は、第１の多孔質部１２におけるヒータ層１３側に第１の多孔質部１２の表層部を酸化することにより形成された第１の封孔層１２ｄを有し、赤外線検出素子２０は、第２の多孔質部２２における感温部２３側に第２の多孔質部２２の表層部を酸化することにより形成された第２の封孔層２２ｄを有する。 （もっと読む）

【課題】温度検出部が空洞部を介して中空に保持される第１素子と温度検出部が残存する犠牲層上に配設される第２素子とを備える構造において、第２素子の温度検出部の温度を正確に基板に追従させ、かつ、犠牲層の除去時の不具合を未然に防止することができる熱型赤外線検出器及びその製造方法の提供。
【解決手段】赤外線を検出する第１素子１ａと環境温度を補正する第２素子１ｂとが回路基板２上に形成される熱型赤外線検出器において、第１素子１ａの温度検出部１４は、空洞部１５により回路基板２から熱的に分離され、第２素子１ｂの温度検出部１４は、空洞部に残存するダイアモンドライクカーボンからなる第１犠牲層５上に形成され、第１犠牲層５により回路基板２と熱的に接続され、温度検出部１４の出力信号が電極配線９を介して読出回路２ａに伝達され、該読出回路２ａで出力信号の差分が検出される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱電子源に関する。
【解決手段】本発明の熱電子源は、基板と、少なくとも二つの電極と、熱電子放出素子とを含む。前記熱電子放出素子は前記の少なくとも二つの電極に電気的に接続し、前記熱電子放出素子はカーボンナノチューブ構造体を含み、前記熱電子放出素子は前記基板と分離して設置される。 （もっと読む）

【課題】更なる高感度を達成する。
【解決手段】熱型赤外線センサは、伝達された熱量に応じた電気信号を発生すると共に、基板２４の主面に形成された複数の空洞２６の各々の内部に配置された熱電変換素子としてのダイオード１７を各々含む複数の小型熱型赤外線センサ１４と、吸収した赤外線の熱量を複数の空洞２６の各々の内部に配置されたダイオード１７の各々に伝達するように配置された赤外線吸収膜２０と、複数の小型熱型赤外線センサ１４の各々に含まれるダイオード１７の各々を電気的に直列接続する接続配線１５と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スピン流熱変換素子及び熱電変換素子に関し、熱的にスピン流を生成するとともに、その具体的応用を実現する素子を提供する。
【解決手段】強磁性体部材或いは強磁性体を含有する導電性部材のいずれかからなる熱スピン流発生部材１に、熱スピン流発生部材１に温度勾配を形成する温度勾配形成手段２を設ける。このように、熱スピン流発生部材１自体が磁化している場合に、熱スピン流発生部材１に熱勾配を与えるだけで、アップスピン流とダウンスピン流に差ができるので、熱的にスピン流を発生させることができる。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、メンブレンベース部材に対する金属配線の接合性を向上させ、あるいはさらにメンブレンベース部材の平坦性を向上させて、耐久性に優れたメンブレン構造素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のメンブレン構造素子は、熱収縮により収縮した酸化ケイ素膜を主体とするメンブレンベース部材１と、前記メンブレンベース部材１の周辺の一部を支持することによって前記メンブレンベース部材を中空状態で支持する基板２とを備える。金属配線６が前記メンブレンベース部材の表面側に設けられた絶縁密着層１４に形成され、前記絶縁密着層１４は酸化アルミを主成分とする酸化化合物で形成される。また、前記金属配線６を覆うように酸化ケイ素膜の被覆層を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】低温度域で作動する熱電子発電素子（10）を実現する
【解決手段】エミッタ（11）とコレクタ（12）を仕事関数が所定値以下の材料により構成するとともに、エミッタ（11）とコレクタ（12）との間に順方向バイアスをかけるバイアス回路（C2）を設け、発電時にエミッタ（11）を低仕事関数化するとともに、エミッタ（11）からコレクタ（12）への熱電子の移動を促進させる、 （もっと読む）

【課題】製造プロセスの簡略化を図れるとともにプロセス温度の低温化を図れ且つ接合工程の歩留りの向上を図れるウェハレベルパッケージ構造体およびセンサ装置を提供する。
【解決手段】ウェハレベルパッケージ構造体１００は、センサウェハ１０と第１のパッケージウェハ２０との封止用金属層１８，２８同士および電気接続用金属層１９，２９同士が常温接合されている。各封止用金属層１８，２８および各電気接続用金属層１９，２９は、それぞれ、絶縁膜１６，２３上において、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮの群から選択される材料により形成された下層と、表面のＲＭＳあらさが１．８ｎｍ以下に形成された上層のＡｕ膜との積層膜により構成されている。センサ装置は、ウェハレベルパッケージ構造体１００をセンサウェハ１０におけるセンサ基板（センサ本体）１のサイズに基づいて規定した所望のサイズに分割することで形成されている。 （もっと読む）

【課題】抵抗体を用いて所定の物理量を感知するに際し、その感知精度を好適に確保することのできる半導体センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０には、上記シリコン酸化膜２０が形成されている。そして、シリコン酸化膜２０上には、上流側ヒータＲｈａ、下流側ヒータＲｈｂ、リード部Ｌ２、Ｌ５、上流側温度計Ｒｋａがそれぞれ形成されている。そして、これら上流側ヒータＲｈａや、下流側ヒータＲｈｂ、リード部Ｌ２、Ｌ５、上流側温度計Ｒｋａは、シリコン窒化膜４０によって覆われている。ここで、上流側ヒータＲｈａや、下流側ヒータＲｈｂ、上流側温度計Ｒｋａ、リード部Ｌ２、Ｌ５は全て半導体膜にて形成されている。そして、この半導体膜のうち、上流側ヒータＲｈａや、下流側ヒータＲｈｂ、上流側温度計Ｒｋａを構成する領域が局所的に薄膜化されている。 （もっと読む）