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国際特許分類[H01L37/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 異種材料の接合を持たない熱電装置;熱磁気装置,例.ネルンスト・エッチングハウゼン効果を利用するもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (224)

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【課題】発熱抵抗体や測温抵抗体の抵抗値経時変化を低減し、検出精度が向上された熱式ガス流量センサを実現する。
【解決手段】検出素子1は熱伝導率の良い材料で構成される平板基板32に保護膜30a、30b、31a、絶縁膜31b、30c、発熱抵抗体3、温度検出抵抗体4等を形成する。平板基板32を裏面からエッチングすることで絶縁膜30cの下部に空間35を形成し、ダイヤフラム2を形成する。発熱抵抗体の発熱時における最表面保護膜30aからのHOの脱離によりダイヤフラム2の膜応力が変動し、抵抗ピエゾ効果により発熱抵抗体3の抵抗値が変動するため、保護膜30aは、HOの含有量が小さく吸着しない材質の酸窒化膜(SiON膜)やポリシリコン膜で形成される。これにより、HOなどの含有量を低減して、クラックの発生も低減でき、発熱抵抗体、測温抵抗体の抵抗値変動が低減される。 (もっと読む)


【課題】発熱抵抗体の経時変化を低減できる熱式ガス空気流量センサを実現する。
【解決手段】薄肉部2の表面には発熱抵抗体3、温度検出抵抗体4、14を形成している。発熱抵抗体3及び温度検出抵抗体4、14から信号線を引き出せるように配線部18〜23とパッド8〜13が形成されている。発熱抵抗体部3及び温度検出抵抗体4、14と配線部18〜23とが接するコンタクト部24〜29が形成されている。発熱抵抗体3および温度検出抵抗体4、14は、保護膜30a、30b、31a、絶縁膜31b、30cで被覆され、保護膜31a、31bはナイトライドなどの緻密な膜で形成されている。配線部34と発熱抵抗体3とが接する部分はコンタクトバリアメタル膜36(チタンナイトライドやチタンタングステン、チタン等のチタン系電気導体)で覆われる。チタン系電気伝導体は緻密な膜であり水素に対して耐性があるため発熱抵抗体の経時変化を低減できる。 (もっと読む)


【課題】センサ素子へのダストの衝突を低減するとともに、センサ素子周りの被測定流体の流れの剥離による測定誤差を低減する。
【解決手段】主通路内を流れる流体の流れ方向に沿って設けられたベース部4と、前記主通路を流れる流体の流量を検知するための発熱抵抗体3が基板上に形成されたセンサ素子2とを備えた熱式流量センサ1Aにおいて、前記ベース部4に矩形状の凹部5が形成されるとともに、該凹部5内に前記センサ素子2がその検知部表面が前記凹部5の上端縁5aより低くなるように嵌め込まれて固着され、かつ、前記センサ素子2が対面する測定用通路壁部分に絞り9が設けられるとともに、前記発熱抵抗体3が、前記凹部5の上流側端縁5aから流れ方向に沿って、前記凹部5の上端縁5aと前記センサ素子2の検知部表面との間に形成される段差Dに起因して生じる流体の流れの乱れの影響を受けない位置まで離隔せしめられている。 (もっと読む)


【課題】工程数の削減と、製造工程での検査が容易に行える赤外線検出器を提供することにある。
【解決手段】赤外線検出器Aは、ステム1上に搭載する回路ブロック3の回路部位に対する電源供給用端子ピン19a及び検出信号出力用端子ピン19bの導電材21を用いた接合を、焦電素子Xを実装する回路ブロック3の上面で行っている。 (もっと読む)


【課題】S/N比を向上させることができる赤外線センサ装置を提供する。
【解決手段】赤外線の吸収による温度変化に応じたアナログ量の出力値を発生する赤外線センサISと、赤外線センサISの出力を信号成分の周波数に対して十分に高い周波数の変調パルス(変調信号)で変調する変調器3と、変調器3の出力を増幅する増幅器4と、増幅器4の出力を上記変調パルスに同期した復調パルス(復調信号)で抽出する復調器6とを備え、増幅器4で発生したフリッカ雑音を復調器6の後段に設けられたアナログローパスフィルタ7により除去する。赤外線センサISの信号成分の周波数に対して十分速いサンプリング周波数でアナログローパスフィルタ7の出力をアナログ−ディジタル変換するA/Dコンバータ8と、A/Dコンバータ8の後段側に設けられたディジタルローパスフィルタ9とを備え、ディジタルローパスフィルタ9により白色雑音の一部を除去する。 (もっと読む)


【課題】可視光画像の解像度が高く、赤外光画像の感度が高く、可視光撮像と赤外光撮像を同時に行なうことができ、冷却が不要であり、画素補間などの画像処理が不要な2波長イメージセンサを提供する。
【解決手段】この2波長イメージセンサでは、複数の可視光検出器1と複数の非冷却型赤外光検出器3を均一に分散配置し、1つの可視光検出器1で可視光検出用画素2を構成し、直列接続された4つの赤外光検出器3で熱赤外光検出用画素5を構成する。したがって、可視光画像の解像度は熱画像の解像度の4倍になる。また、赤外光画像の1画素当りの受光面積を4倍に高めることができ、熱赤外光画像の温度分解能が向上する。 (もっと読む)


【課題】高性能化を図れる赤外線センサを提供する。
【解決手段】ベース基板1と、赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部3と、温度検知部3がベース基板1の一表面から離間して配置されるように温度検知部3を支持して温度検知部3とベース基板1とを熱絶縁する断熱部4とを備える。断熱部4は、ベース基板1の上記一表面から離間して配置されベース基板1側とは反対側に温度検知部3が形成される支持部41と、支持部41とベース基板1とを連結した脚部42,42とを有する。断熱部4は、支持部41および脚部42,42が多孔質材料により形成されており、支持部41に、当該支持部41の厚み方向に貫通する複数の空孔41bが形成されている。 (もっと読む)


本発明は固体冷却/電力発生装置に関し、真空間隙により分離された第1および第2の電極を含んでいる。本発明によれば、少なくとも一方の電極にはナノスケールの半導体ヘテロ構造が設けられ、それは真空間隙(315)と結合して第1および第2の電極間の共鳴トンネリングを許す二重障壁共鳴構造を形成する少なくとも1つの量子井戸を含んでいる。
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【課題】 製作が容易で、断熱性、品質に優れたメンブレン構造素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化ケイ素膜で形成されたメンブレンと、前記メンブレンの周辺の一部を支持することによってメンブレンを中空状態で支持する基板とを備えたメンブレン構造素子の製造方法である。シリコン基板2の表面側に、プラズマCVD法により熱収縮可能な酸化ケイ素膜13を形成する膜形成工程と、前記基板1に形成された前記酸化ケイ素膜13を熱収縮させる加熱処理を施す加熱処理工程と、前記酸化ケイ素膜13のメンブレン相当部をメンブレンとして基板2に対して中空状態で支持されるように前記基板2の一部を除去し、凹部4を形成する除去工程を備える。 (もっと読む)


【課題】熱エネルギーを電気エネルギーに効率良く変換する。
【解決手段】密閉可能な容器11内にPZT膜12とアノード電極13とを配置する。そして、容器11内にアルゴンガスを供給してガス雰囲気を形成した後、PZT膜12に温度変化を与えて該PZT膜12から電子を放出させる。この電子は、アノード電極13に向かって移動し、その途中でアルゴン原子に衝突する。このとき、アルゴン原子は、電子を放出することでプラスイオン化される。そして、アルゴンプラスイオンは、PZT膜12へ移動し、該PZT膜12と衝突する。その結果、PZT膜12からは、さらに電子が放出される。 (もっと読む)


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