集積回路が量子コンピューティングに好適な温度で動作させられる場合の、遮蔽領域内に配置された少なくとも２つのデバイス間の磁場相互作用を遮蔽領域において制限するための、集積回路の遮蔽領域内の超伝導遮蔽を含む量子コンピューティング用集積回路。
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加熱スイッチ５７０および加熱スイッチを有するグラジオ・メータが開示されている。加熱スイッチは、半導体材料のような非磁性材料を含むように形成される。半導体材料は、ホール効果デバイスを用いて提供することができる。加熱スイッチは、グラジオ・メータで回路基板８５６に配置される。回路基板８５０は、ブリッジ８５２によってセンサ７１の伝導性ストリップに接続される伝導性ストリップ８５６を有する。加熱スイッチ５７０は、ストリップ８５６および処理回路８５９と反対の回路基板８５０の側に接続される。加熱スイッチ５７０と同じ回路基板の側に銅基板８６５が設けられて、加熱スイッチがクローズしたときに、加熱スイッチ５７０から熱を伝導で取り除く。
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【課題】超伝導リングの磁束量子化というマクロ量子現象に基づいた新しい概念の力発生装置を提供する。
【解決手段】磁束量子数に比例する磁気モーメントを有する超伝導量子トラップ手段１と、前記超伝導量子トラップ手段１が設置され、弾性を有し、磁場勾配に置かれた前記超伝導量子トラップ手段１が受ける力によって変位される超高感度カンチレバー２と、前記超伝導量子トラップ手段１に磁場を加える磁場発生手段３とを含んで量子ベースの力発生装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】磁性体の磁化状態を制御することのできる技術を提供する。
【解決手段】微小磁性体と超伝導体とを近接して配置することによって、微小磁性体から生じる磁場を超伝導体に渦糸として侵入させる。そして、超伝導体に電流を流すことによって、渦糸を移動させ微小磁性体の磁化状態を制御する。微小磁性体の形状としては細線形状、リング形状、ディスク形状などを採用することができる。微小磁性体が細線形状およびリング形状であり多磁区構造を取る場合は、電流供給により磁壁の位置を制御する。微小磁性体がディスク形状であり単一磁区構造の場合は、電流供給により磁化の向きを制御する。 （もっと読む）

【課題】 量子ビット素子間を大きな結合力により簡易に結合し得る量子演算回路を提供すること。
【解決手段】 この量子演算回路では、一対の超伝導電荷量子ビット素子（超伝導量子箱電極１０１、１０２）に対して静電的に結合された２次元電子ガス層を電気的に制御することによって、超伝導電荷量子ビット素子（超伝導量子箱電極１０１、１０２）間の結合の強さを制御する。このため、ビット素子間結合用メサ部１１１（メサ構造）内に２次元電子ガス層が備えられ、超伝導量子箱電極１０１、１０２と電子ガス排除電極１１２とがビット素子間結合用メサ部１１１（メサ構造）の２次元電子ガス層上に配置されている。この構造では、電子ガス排除電極１１２へ電圧を適当に設定して印加することにより、２次元電子ガスとグランドとの間の静電容量が可変制御される。 （もっと読む）

【課題】超伝導状態とした多層カーボンナノチューブからなる超伝導素子及びその作製方法の提供。
【解決手段】多層カーボンナノチューブと金属電極とを備えた超伝導素子であって、前記多層カーボンナノチューブは、その直径が５〜２０ｎｍ、その層数が２〜２０であり、かつ、その長手方向に対し垂直に切断された切断面を有し、前記金属電極は、この切断面で多層カーボンナノチューブと接触していることを特徴とする超伝導素子。 （もっと読む）

【課題】高温超伝導デバイスの製造方法に関し、高温超伝導膜と電極とを接続した場合、室温及び低温の環境下で接続が剥離しないように、また、電極の半田食われが発生しないようにして、高温超伝導デバイスの信頼性を向上しようとする。
【解決手段】基板１１上に高温超伝導膜１２Ａを形成する工程と、高温超伝導膜１２Ａのライン・パターンを形成する工程と、該ライン・パターンの端部に電極１３を積層形成する工程と、電極１３上に第１の温度で熱処理することにより半田を形成する工程と、基板１１をパッケージ１５内に収容後、パッケージ１５を貫通する同軸コネクタと該電極１３とを接続するために該半田を該第１の温度よりも高い第２の温度で加熱する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】この発明は，超伝導体を磁化するための方法と装置に関する，特にフラックス・ポンプと新しい型の磁化された超伝導体に関する。
【解決手段】
超伝導体の磁化を変化させる方法であり，その方法は，前記超伝導体の表面の上を移動する変動磁束の波を発生させるための磁界を自動制御することを含む。 （もっと読む）

フィルタの設計、分析および調整のための方法、システムおよび装置が提供される。種々の実施形態は、例えば電気信号フィルタチューニングのための方法、システムおよび装置を含み得る。実施形態はまた、平面電気信号（たとえばＲＦ信号）フィルタチューニングのための設計技法も含み得る。本発明の少なくとも一つの実施形態では、ただ１回の永久的フィルタチューニングを必要とする可能性のあるパラメータ抽出、最適化およびチューニングレシピの技法を含み得るフィルタチューニングのための技法が提供される。少なくとももう一つの実施形態では、本発明によるフィルタの設計、分析および調整のシステムおよび方法は、機械的スクライビングツールまたはレーザートリミング装置を使用して設定され得るチューニングの使用を含む。少なくとも一つの他の実施形態ではフィルタチューニング技法が提供され、フィルタチューニングのために切断またはトリミングされ得るトリミングタブを共振器エッジ上に設けることを含み得る。 （もっと読む）

【課題】 超伝導デバイスにおいて、局所的な電流の集中を防止するとともに、安定した高周波伝送特性を実現する。
【解決手段】 超伝導フィルタ装置（１）は、所定の形状の超伝導フィルタパターン（１１）が形成されたフィルタデバイス基板（１０）と、前記超伝導フィルタパターン上に搭載される誘電体基板（２０）と、前記誘電体基板上に配置される応力分散部材（２２）と、前記応力分散部材上に配置される剛性の加圧板（２４）とを有する。 （もっと読む）