【課題】原子間衝突による可干渉性の損失問題を解消した単一モード原子導波路による高感度な原子干渉計を提供する。
【解決手段】例えばサファイアなどのＡｌ₂Ｏ₃の結晶からなる基板１０１の上に、例えばニオブ（Ｎｂ）からなる配線より構成された原子導波路１０２および原子導波路１０３を備える。原子導波路１０２および原子導波路１０３は、超伝導による閉ループ回路を構成している。また、原子導波路１０２および原子導波路１０３は、互いに対向する領域を備えて近設されている。原子導波路１０２および原子導波路１０３が対向している領域において、この一端側に原子捕捉領域１１１が配置され、他端側に原子観測領域１１６が配置され、これらの間に干渉領域が配置されている。 （もっと読む）

【課題】電磁放射線用の検出装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電磁放射線用の検出装置は、該放射線を吸収する少なくとも一つの吸収膜を備える。該吸収膜は、窒化タングステン（Ｗ_２Ｎ）で形成されて窒素に対するタングステンの化学量論比が２に等しい吸収層（４）により形成される。 （もっと読む）

【課題】温度を一定に保持したまま超伝導体から絶縁体へ遷移する超伝導体を用いた圧力検出装置を提供する。
【解決手段】圧力検出装置３０は、超伝導体から絶縁体へ遷移する臨界圧力が相互に異なる複数の超伝導体薄膜１１〜１４のうち、絶縁体へ遷移した超伝導体薄膜１２〜１４を電流計２４２，２５２，２６２によって検出し、その検出した超伝導体薄膜１２〜１４の臨界圧力のうち、最大の臨界圧力を容器１０内の圧力として検出する。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線分析装置において、既知なＸ線をモニターする必要が無く、高エネルギー分解能を得ること。
【解決手段】 Ｘ線を受けてそのエネルギーを温度変化として検出し電流信号として出力するＴＥＳ１を有するセンサ回路部２と、該センサ回路部２に定電圧を印加してバイアス電流を流すバイアス電流源３と、ＴＥＳ１に流れる電流を検出する電流検出機構４と、該電流検出機構４に接続され検出された電流に基づいて波高値を測定する波高分析器５と、電流検出機構４に接続されバイアス電流によってＴＥＳ１に流れるベースライン電流を検出するベースラインモニター機構６と、該ベースラインモニター機構６で検出したベースライン電流が既定値からずれて変動している場合にその変動幅に応じてベースライン電流を修正するためにバイアス電流を調整するバイアス電流調整機構７と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線分析装置において、既知なＸ線をモニターする必要が無く、高エネルギー分解能を得ること。
【解決手段】 Ｘ線を受けてそのエネルギーを温度変化として検出し電流信号として出力するＴＥＳ１を有するセンサ回路部２と、これに定電圧を印加してバイアス電流を流すバイアス電流源３と、ＴＥＳ１に流れる電流を検出する電流検出機構４と、電流検出機構４に接続され検出された電流に基づいて波高値を測定する波高分析器５と、電流検出機構４に接続されバイアス電流によってＴＥＳ１に流れるベースライン電流を検出するベースラインモニター機構６と、ベースラインモニター機構６で検出したベースライン電流が既定値からずれて変動している場合にその変動幅に応じて電流検出機構４で検出した電流又は波高分析器５で測定した波高値を補正する感度補正演算部７と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】中心周波数と帯域幅を独立して制御可能な超伝導フィルタ装置を提供する。
【解決手段】高周波電気信号に対するフィルタ特性を有する超伝導フィルタ装置（１０）は、第１の主面と第２の主面を有する誘電体基板（１１）と、前記誘電体基板の前記第１の主面に形成され、超伝導体材料を含む共振器パターン（１２）と、前記誘電体基板の前記第２の主面に形成され、開口（１４ａ）を有するグランド層（１４）と、前記第１の主面側で、前記共振器パターンから離間して配置され、前記フィルタ特性を調整する第１の調整部材（２０，２３）と、前記第２の主面側で、前記グランド層の開口位置に設けられ、前記フィルタ特性を調整する第２の調整部材（２５，２６）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フィルタの使用中に、中心周波数と帯域幅を独立して制御可能なチューナブルフィルタ装置を提供する。
【解決手段】チューナブルフィルタ装置（１）は、誘電体基板（１１）上に共振器パターン（１２）が形成されたフィルタ（１０）と、前記共振器パターンの上方に位置し、前記共振器パターンの伝送特性を調整する調整ロッド（２５）と、前記フィルタ及び前記調整ロッドを収容するとともに、貫通穴（３２Ａ）が設けられた容器（３２）と、前記調整ロッドを前記共振器パターンに対して垂直方向に移動させる位置調整手段（２０）と、を備え、前記調整ロッドと前記位置調整手段の間がワイヤ（２３）で接続され、前記ワイヤが前記貫通穴を通過する。 （もっと読む）

【課題】非導電体を焼結又は形成することなく、超伝導体を製造する方法を提供するものである。
【解決手段】格子振動をする導体原子に対して、フェムト秒パルスレーザーを照射する第１パルスレーザーと、原子に対して１８０度反対方向からも上記第１パルスレーザーに対して、同位相のフェムト秒パルスレーザーを照射する第２パルスレーザーとからなる一対のフェムト秒パルスレーザーを導体原子に照射し格子振動を減衰させることによる、超電導体の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】原子の閉じ込めをより効率的に行えるようにする。
【解決手段】凸部１０２を備える基板１０１と、凸部１０２を含めた基板１０１の表面に形成され超伝導体薄膜１０３と、凸部１０２の上に形成されることで超伝導体薄膜１０３に形成された段差部１０４と、超伝導体薄膜１０３の段差部１０４に形成された開口部１０５と、超伝導体薄膜１０３の開口部１０５が形成されている部分の凸部１０２が除去された除去領域１０６とを備えている。超伝導体薄膜１０３の段差部１０４に形成された開口部１０５においては、開口部１０５の縁の部分に、３次元的な構造のループ回路が形成された状態となっている。 （もっと読む）

【課題】２Ｔ以上の超高磁場においても、磁束の拡散を抑えて、磁束を遠方まで維持可能とし、また、磁束を局部に集中可能とすることのできる新しい技術手段を提供する。
【解決手段】 少なくとも磁束発生源と、磁束発生源より発生される磁束が導入され誘導される内部空間を有する磁束誘導部材とを備え、磁束誘導部材は、超伝導体で構成されると共に、磁束の誘導方向に垂直な内部空間の断面積が前記磁束発生源から離れるに従って漸減する漸減部を有し、かつ、磁束の周りを周回する電流が生じない構成とされていて、磁束発生源により発生された磁束が磁束誘導部材に導入され、漸減部内を誘導されて、漸減部の内部空間断面積の最小部近傍で局所的に収束されることを特徴とする磁束集中化装置とする。 （もっと読む）