【課題】配線が配置された基板表面近傍においても、原子の強い閉じ込めを安定した状態でできるようにする。
【解決手段】まず、冷却部１７１により、原子捕捉素子を上記Ｔｃ以下まで冷却し、次に、レーザ照射部１６２からのレーザ照射により、加熱領域１５２を加熱して上記Ｔｃ以上にまで昇温し、当該部分を常伝導状態とする。次に、原子を捕捉しているＱＭＴ１７３を、原子捕捉素子の捕捉領域１５１の上に移動させ、この状態で、端子１３１及び端子１３２の間に電流を流して超伝導開回路１０３に電流が流れた状態とし、加えて、外部磁場発生部１６０より磁場１６１を発生させて捕捉領域１５１に外部からバイアス磁場が印加された状態とする。次に、レーザ照射部１６２からのレーザ照射を停止し、加熱領域１５２の加熱状態を停止し、超伝導閉回路１０２の全体が超伝導（超伝導閉回路）にされた状態とする。 （もっと読む）

開示しているのは超伝導の単一磁束量子回路であり、当該回路は、通過する電流が臨界電流を超えた時点で状態変化するジョセフソン接合を少なくとも１つ有する。ジョセフソン接合へのバイアス電流は、抵抗器ではなくバイアストランスによって供給される。バイアス抵抗器が存在しないことで、不要な電力損失が解消されることが保証される。 （もっと読む）

集積回路が量子コンピューティングに好適な温度で動作させられる場合の、遮蔽領域内に配置された少なくとも２つのデバイス間の磁場相互作用を遮蔽領域において制限するための、集積回路の遮蔽領域内の超伝導遮蔽を含む量子コンピューティング用集積回路。
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閉ループ伝送ラインと、付加伝送ラインと、上記閉ループ伝送ラインと上記付加伝送ラインとが接続される接合部とを備えるフラクソン・デバイス。一個またはそれ以上のフラクソンを格納するフラクソン・コンテナと、フラクソンが伝播する事が可能なフラクソン界面と、上記フラクソン・コンテナと上記フラクソン界面が接続される接合部と、上記接合部におけるフラクソンを制御するための制御器とを備える。電磁輻射生成器は所定の長さ、深さ及び幅を有しかつ長さ方向の摂動を含むフラクソン伝送ラインと、深さ方向に駆動電流を印加するための機構と、幅方向の磁場を生成するための磁場生成器とを備える電磁輻射発生装置。 （もっと読む）

【課題】超伝導物質である二硼化マグネシウムを用い、電流電圧特性としてＲＳＪ特性を有する積層型の積層型超伝導接合を提供する。
【解決手段】積層型超伝導接合は、サファイアからなる基板１上に形成された二硼化マグネシウム（ＭｇＢ_２）層からなる下部電極２と、下部電極２上に形成された窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層からなる絶縁層３と、絶縁層３上に形成されたアルミニウム（Ａｌ）層からなる導体層４と、導体層４上に形成された二硼化マグネシウム（ＭｇＢ_２）層からなる上部電極５とを備える。積層型超伝導接合は、その電流電圧特性としてＲＳＪ特性を備える。絶縁層３の膜厚が０．６４ｎｍであり、導体層４の膜厚が５０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】量子ビット素子を最適な条件でバイアスしたままでそのエネルギー固有状態への射影測定が可能な量子ビット素子用読み出し回路を提供すること。
【解決手段】この読み出し回路では、超伝導磁束量子ビット素子１０１に磁気的に結合された超伝導磁束量子干渉素子１０２へ超伝導ＬＣ共振回路１０３が直列接続され、マイクロ波パルス源１０７から入出力分離回路１０６，入力キャパシタ１０５を経てマイクロ波伝送線路１０４へマイクロ波入力信号（超伝導ＬＣ共振回路１０３の共振周波数付近）を供給したとき、共振回路１０３から出力されるマイクロ波出力信号（ビット素子１０１のスイッチング駆動時に誘起される双安定状態間のスイッチングの波形であり、マイクロ波入力信号の反射波）を分離回路１０６から得た位相検出回路１０８が位相の変化をビット素子１０１のエネルギー固有状態への射影測定として検出し、量子ビットの読み出しを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ジョセフソン接合素子、その形成方法、および超電導接合回路に関し、ＩｃＲｎ積を向上することを目的とする。
【解決手段】ジョセフソン接合素子は、基板１１上に形成された下部電極層１２と、絶縁膜１３と、下部電極層１２の一端に形成された斜面を覆うバリア層１４と、バリア層１４を覆う上部電極層１５を有し、超電導接合部１６が形成される。下部電極層１２及び上部電極層１５は、（ＲＥ）₁（ＡＥ）₂Ｃｕ₃Ｏ_yを主成分とする酸化物超電導材料からなり、元素ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、およびＬｕからなる群のうち少なくとも１種、元素ＡＥがＢａ、Ｓｒ、およびＣａからなる群のうち少なくとも１種である。バリア層１４は、元素ＲＥ、元素ＡＥ、Ｃｕ、及び酸素を含む材料からなり、この材料中のカチオンのうち、Ｃｕ含有量が３５〜５５原子％、かつ元素ＲＥ含有量が１２〜３０原子％の範囲に設定され、かつ下部電極層１２及び上部電極層１５の組成と異なる。 （もっと読む）

【課題】単一光子検出の際に、より高い量子効率が得られる超伝導光検出素子を提供する。
【解決手段】超伝導受光材料からなる細線（１０２）を、密に詰めるようにメアンダ形状で、結晶基板（１０１）の表面に配置するとともに、そのメアンダ形状の細線の隙間に対応する位置で、結晶基板の裏面あるいは絶縁膜を介した上層に、別のメアンダ形状の細線（１０３）を配置する。これにより、複数組のメアンダ形状の細線が互いにずらされて、ほぼ隙間のなく重ねて設置される。最初のメアンダ形状の細線（１０２）の隙間に照射された光子（１０４）は、次のメアンダ形状の細線（１０３）に照射されるため、すべての光子は必ずいずれかの細線に照射され、光照射域での光子の取りこぼしが無いので、量子効率が格段に向上する。 （もっと読む）

【課題】超伝導リングの磁束量子化というマクロ量子現象に基づいた新しい概念の力発生装置を提供する。
【解決手段】磁束量子数に比例する磁気モーメントを有する超伝導量子トラップ手段１と、前記超伝導量子トラップ手段１が設置され、弾性を有し、磁場勾配に置かれた前記超伝導量子トラップ手段１が受ける力によって変位される超高感度カンチレバー２と、前記超伝導量子トラップ手段１に磁場を加える磁場発生手段３とを含んで量子ベースの力発生装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＦＱ論理回路との間での接続・集積化が容易な光インターフェイスを実現することが可能な光入力素子を提供する。
【解決手段】高温超伝導体により構成される制御電流線１００と、制御電流線１００を流れるパルス電流により発生する磁束が侵入し、かつパルス光が照射されるジョセフソン接合１２０を有し、高温超伝導体により構成されるバイアス電流線１１０と、ジョセフソン接合１２０に開口部２００ａを有し、バイアス電流線１１０を覆う第１遮光膜２００と、制御電流線１００を覆う第２遮光膜２１０とを備える。 （もっと読む）