【課題】重イオンや超高分子をエネルギー分解能良くかつ検出効率も高く、高速で時間精度良く測定でき、粒子源からの輻射熱の影響も受け難い放射線検出器およびその放射線検出器を用いた分析装置を提供すること。
【解決手段】中央も含めて超伝導直列接合４で検出器用の基板１の表側を出来るだけ広く均一に覆うこと、薄い基板１を用いること、基板の少なくとも１つの表面に輻射反射膜２５を設けること、あるいは基板の超伝導直列接合を設けた面とは反対側の面の上に直接に超伝導体帯状薄膜検出器２８を設けることによって解決できる。 （もっと読む）

【課題】量子標準として適切な出力を持つ電流源は提案されていない。
【解決手段】島電極に非断熱パルスをポンピングパルスとして印加すると共に、ドレイン電極のバイアス電圧を選択設定しておくことにより、クーパー対を１個ずつ、ソース電極から前記島電極に注入し、更に、島電極からドレイン電極に転送するクーロン対ポンプが得られる。 （もっと読む）

検出を行ういくつかの双安定吸収体素子（２）に結合された一次元導波路（１）に基づく光子検出／計数装置の設計であって、前記装置はマイクロ波放射（３）の検出および特性化に応用される。前記検出は、誘起された放射から生じる吸収された光子の通過時に、その状態が不可逆的に変化されるキュービットを用いて行われる。
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本装置と方法は量子プロセッサの超伝導素子の望ましくない相違の能動的補償を可能にする。量子ビットは主複合ジョセフソン接合（ＣＪＪ）構造を備えることができ、主複合ジョセフソン接合（ＣＪＪ）構造は主ＣＪＪ構造におけるジョセフソン接合非対称性の補償を可能にするために少なくとも１つの第１の副ＣＪＪ構造を備えることができる。量子ビットは、チューニング可能な容量を与えるために第１のＣＪＪ構造と並列に結合された直列ＬＣ回路を備えることができる。量子ビット制御システムは、量子ビットループのインダクタンスをチューニングする手段、例えば量子ビットループに誘導結合されプログラミングインターフェースにより制御されるチューニング可能結合器あるいは量子ビットループと直列に結合されプログラミングインターフェースにより制御されるＣＪＪ構造を備えることができる。 （もっと読む）

【課題】誘電体障壁を用いない超伝導スイッチング素子を提案する。
【解決手段】超伝導層ごとのスピン交換相関作用が最大となるように、超伝導層と常伝導層の厚みを最適化することによって、常伝導層が、あたかも、絶縁体を配置したように働く。その状態では、半導体超格子と同様にＢｌｏｃｈ共鳴が発生し、Ｇａｔｅ層の電子状態を変調すること、または、外部環境からのＳｉｎｇｌｅ−ｅｖｅｎｔｓを導入することにより、スイッチ動作を可能にする。 （もっと読む）

【課題】温度を一定に保持したまま超伝導体から絶縁体へ遷移する超伝導体を用いた圧力検出装置を提供する。
【解決手段】圧力検出装置３０は、超伝導体から絶縁体へ遷移する臨界圧力が相互に異なる複数の超伝導体薄膜１１〜１４のうち、絶縁体へ遷移した超伝導体薄膜１２〜１４を電流計２４２，２５２，２６２によって検出し、その検出した超伝導体薄膜１２〜１４の臨界圧力のうち、最大の臨界圧力を容器１０内の圧力として検出する。 （もっと読む）

【課題】ＴＨｚ帯において、数ｍＷ程度の連続高出力発振が可能で、種々の計測や分析に使用することができるジョセフソン素子、すなわち、ジョセフソンスターエミッタを提供する。
【解決手段】ジョセフソン素子において、メサ１を、半導体、絶縁体、または、完全導体からなる基板２上に構築して構成する。 （もっと読む）

【課題】
超伝導トンネル接合の品質を評価することを容易にする超伝導トンネル接合の品質評価方法などを提供するとともに、超伝導トンネル接合の品質を向上する方法を提供する。
【解決手段】
本発明のある側面は、超伝導トンネル接合の超伝導ギャップエネルギの虚数部から超伝導トンネル接合の品質を評価することを特徴とする超伝導トンネル接合の品質評価方法にある。本構成によれば、虚数部は、動作温度と異なる温度のデータからも得ることができるため、超伝導トンネル接合の品質を評価することが容易になる。また、超伝導トンネル接合の超伝導ギャップエネルギの虚数部の大きさを制御することにより、高品質の超伝導トンネル接合を供する方法を提供する。 （もっと読む）

一実施形態では、本開示は、量子ビットを磁束量子論理ゲートに連結することにより、量子ビットを共鳴させたりそれを止めさせたりすることによって、量子ビットのエネルギー状態を制御するための方法および装置に関する。量子ビットは、ポンプ信号と、別の量子ビットと、または何らかの量子論理ゲートと共鳴状態になり得る。別の実施形態では、本開示は、ＲＳＦＱ論理で、またはＲＳＦＱと量子ビットとの間のインターフェースを通して、量子ビットを制御するための方法に関する。
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本発明は、量子力学トンネル効果に基づくトリプルゲート又はマルチゲート素子に関する。本素子は、電子がトンネリング可能なギャップによって隔てられた少なくとも二つのトンネル電極を基質上に有する。本発明による素子は、ギャップに電界を印加して、その電界による偏向によって、トンネル電極の間をトンネリングする電子の経路を延ばすための手段を有する。一般的に、トンネル電極の間のトンネル電流の方向に対して垂直で、かつ基質に対して平行に延びる電界成分を有する電界をギャップに印加するための手段を配備することができる。トンネル電極の間のトンネル電流は、電子がギャップ内を進む経路長に対して指数関数的に依存するので、そのような電界は、トンネリング確率に対して、、そのため制御すべきトンネル電流に対して大きな逆増幅率を有する。そのような素子は、例えば、大きな増幅率の非常に速いスイッチングトランジスタとして動作することができ、そのため半導体であってはならない。
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