【課題】超伝導リングの磁束量子化というマクロ量子現象に基づいた新しい概念の力発生装置を提供する。
【解決手段】磁束量子数に比例する磁気モーメントを有する超伝導量子トラップ手段１と、前記超伝導量子トラップ手段１が設置され、弾性を有し、磁場勾配に置かれた前記超伝導量子トラップ手段１が受ける力によって変位される超高感度カンチレバー２と、前記超伝導量子トラップ手段１に磁場を加える磁場発生手段３とを含んで量子ベースの力発生装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする、新規なジョセフソン接合及びジョセフソン接合デバイスを提供する。
【解決手段】ジョセフソン接合１は、超伝導体層２と超伝導体層２の中央部２Ｃ上に積層した強磁性層３とを備える。強磁性層３は導電性又は絶縁性の強磁性層とすることができ、絶縁層を介して積層される導電性強磁性層としてもよい。超伝導体層２を高温超伝導体層とすれば、大きなＩ_ｃＲ_Ｎ積を有するジョセフソン接合１とすることができる。このジョセフソン接合１は、各種のジョセフソンデバイスの接合として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】サーマルサイクルによる破損がなく且つ外部接続用ケーブルを半田付けできる平面型ＳＱＵＩＤセンサを提供する。
【解決手段】外部接続半田付け用銅端子（２）、検出コイルパッド用銅端子（３）およびヒータ抵抗半田付け用銅端子（２ａ）を積層したポリイミド基板（１）の表面にＮｂ薄膜検出コイル（４）をスパッタリングにより形成し、ＳＱＵＩＤチップ（５）をマウントし、超伝導ボンディング（６）およびＡｌボンディング（７）により接続する。
【効果】スパッタリングのプロセスに耐えられる。サーマルサイクルによる破損がない。モールド材とポリイミド基板（１）の熱膨張の違いによって割れることもない。外部接続用ケーブルを半田付けで接続することが出来る。ヒータ抵抗を半田付けでマウントできる。 （もっと読む）

【課題】室温−４.２Ｋ（液体ヘリウム温度）のサーマルサイクルに起因する断線の発生を防止し且つ基板と超伝導回路チップの接続の機械的強度を高める。
【解決手段】基板（１）の表面に超伝導磁気センサチップ（２）をフリップ接続し、超伝導回路チップ（２）とその周辺の基板部分を樹脂（４）で覆い、超伝導磁気センサチップ（２）の直下に当たる基板部分に通気孔（１ｂ）を穿設する。
【効果】樹脂（４）によって覆われた空間に封止されたガスＧあるいは冷却時に浸透し昇温時に気化したガスＧが通気孔（１ｂ）から逃げることが出来るため、サーマルサイクルに起因する断線の発生を防止できる。超伝導磁気センサチップ（２）とその周辺の基板部分を樹脂（４）で覆っているから、両者の接続の機械的強度を高めることが出来る。 （もっと読む）

【課題】外部からの輻射熱や磁場による出力信号波高値の変動を、サンプル測定しながら補正できる超伝導放射線分析装置を提供する。
【解決手段】放射線のエネルギーを温度変化として検出するマイクロカロリーメータ１と、マイクロカロリーメータより抵抗値が小さいシャント抵抗２と、マイクロカロリーメータに定電圧を印加するバイアス電源５と、マイクロカロリーメータに一定の熱量を付加させるための熱付加装置８と、マイクロカロリーメータに流れる電流を検出する信号検出機構１１と、熱付加装置からの熱量付加に同期して、信号検出機構からの出力信号のうち付加した熱量に対応する波高値を測定する波高値モニター９と、波高値モニターからの出力に基づいて熱付加装置からの熱量に対応するように波高値を補正するエネルギー補正装置１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁束量子を情報担体とする単一磁束量子回路に基づくシグマデルタ変調回路またはデルタ変調回路において、ビット精度向上のための、積分リークのない積分回路、さらに熱雑音および量子化雑音の低減方法を提供する。
【解決手段】ジョセフソン接合とインダクタで積分回路を構成し、積分リークを低減し、複数の変調器を並べ出力を加算することで互いに無相関な熱雑音のビット精度に与える影響を低減する。さらに積分回路のジョセフソン接合へ供給するＳＦＱパルスの密度または位相を変えることで、各変調器の出力間での量子化雑音の相関性を無くし、ビット精度の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】超電導体薄膜を多層にしてもジョセフソン接合が劣化しない超電導素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板２と、基板２の上に形成された第１超電導体パターン３ａと、第１超電導体パターン３ａ上に形成された絶縁パターン５ａと、下面若しくは膜中にジョセフソン接合のバリア層８ｂが形成されたと共に、絶縁パターン５ａ上において回路要素を構成し、且つ多層の超電導体パターンの中で最上層に形成された第２超電導体パターン８ａとを有する超電導素子による。 （もっと読む）

【課題】２つのトンネル接合の間に配設されたアイランドの静電電位を変化させることにより動作するトランジスタ。
【解決手段】本トランジスタは、バンド・ギャップを有するアイランド２６、ソース・コンタクト２８及びドレイン・コンタクト３０が設けられ、アイランド２６とドレイン３０間に第１のトンネル接合障壁３６を有する。アイランドは、トランジスタの他の部分及び基板からオーム的に分離される。ゲート電圧によりアイランドの電位が変化するように、ゲート電極２４がアイランド２６に容量結合される。本トランジスタはｎ型及びｐ型実施形態を有する。動作時、正のゲート電圧を印加するとアイランドの伝導帯が降下し、負のゲート電圧印加で価電子帯が上昇する。伝導帯又は価電子帯がソース及びドレインのフェルミ準位と整合している時、トンネル効果電流がソース、アイランド及びドレインの間を通ることができる。 （もっと読む）

【課題】量子ビット間における量子もつれ状態を、高速に、かつ、簡単に信頼性よく生成することができる超伝導量子マルチビット素子及びそれを用いた集積回路を提供する。
【解決手段】複数の超伝導量子ビット素子１，２〜Ｎと、各超伝導量子ビット素子のインダクタンスに電磁結合する共振器１１と、を備え、各超伝導量子ビット素子は３つのジョセフソン接合１ｄ，１ｅ，１ｆを有する超伝導量子干渉素子からなり、各超伝導量子ビット素子１，２〜Ｎは互いに電磁結合しないように配置されており、各超伝導量子ビット素子１，２〜Ｎへの高周波パルスの印加により各超伝導量子ビット素子間１，２〜Ｎに量子もつれ状態を生成する。 （もっと読む）

【課題】常伝導状態においても超伝導三端子素子における超伝導電極間の電流値を制御可能にする。
【解決手段】二つの超伝導電極１０１，１０２間の常伝導チャネルによる接合部として強磁性体１０４を適用する。これにより、電流注入用の電極１０３から注入される電流量に依存して、超伝導体と強磁性体との間におけるアンドレーフ反射の電流量が変化するので、超伝導電極１０１，１０２間の電流値を制御することが可能となる。 （もっと読む）