【課題】より微細化が可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板２１の上方に設けられ、かつ第１の方向に延在する第１乃至第３の配線と、半導体基板２１に設けられ、かつ第１の方向に対して斜め方向に延在する複数の活性領域ＡＡと、活性領域ＡＡに設けられ、かつ第２の配線に電気的に接続されたソース領域２５を共有する第１および第２の選択トランジスタ１２と、一端が第１の選択トランジスタ１２のドレイン領域２６に電気的に接続され、他端が第１の配線に電気的に接続された第１の記憶素子１１と、一端が第２の選択トランジスタ１２のドレイン領域２６に電気的に接続され、他端が第３の配線に電気的に接続された第２の記憶素子１１とを含む。 （もっと読む）

【課題】ストレージ要素に可変抵抗を使用する不揮発性記憶装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】この装置は、第１電極１２及び第２電極１４を含み、第１電極１２及び第２電極１４の間に可変抵抗体１６が介される。可変抵抗体１６は、臨界電圧を有すると共に、臨界電圧以上の電圧で抵抗−電圧の特性がスイッチングされ、スイッチングの後の読み出し電圧に対する抵抗値がスイッチングの前より大きいことを特徴とする。不揮発性記憶装置の動作方法は、初期臨界電圧より高い複数の書き込み電圧を設定し、各書き込み電圧からスイッチングされた状態にデータ値を与えることを含む。初期臨界電圧より低い電圧の読み出し電圧を設定し、読み出し電圧から可変抵抗体１６を通じて流れる電流を測定してデータ値を識別する。 （もっと読む）

【課題】有機メモリ素子の有機活性層の素材として使用するときに動作特性を向上させることが可能な新規のフェロセン含有伝導性高分子、これを用いる有機メモリ素子およびその製造方法の提供。
【解決手段】第１電極と第２電極との間に有機活性層を含む有機メモリ素子を製造するにおいて、フルオレニル繰り返し単位、チエニル繰り返し単位およびジアリールフェロセニル繰り返し単位を含むフェロセン含有伝導性高分子を用いて有機活性層を形成する段階を含むことを特徴とする、有機メモリ素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】セルダイオードを備えた不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１半導体領域を有する基板と、基板上に第１半導体領域内のリセスに対向するように延びる開口部を有する電気的絶縁膜と、第１半導体領域内のリセスの側壁上に位置する第１絶縁スペーサと、開口部内に位置し、第１半導体領域のリセスの底部に電気的に接続する第１ターミナルを有するダイオードと、ダイオードの第２ターミナルに電気的に接続する抵抗変化物質領域と、を備えた集積回路メモリセルである。 （もっと読む）

【課題】 構成分子と電極との界面での接触抵抗を低減できる構造を有する機能性分子素子であって、特異な導電性を有する機能性分子素子、及びその製造方法、並びに機能性分子装置を提供すること。
【解決手段】 リニアテトラピロールの１種で、略円盤状の中心骨格部２と、アルキル基からなるフレキシブルな側鎖部３とをもつπ電子共役系分子１を、4−ペンチル−4’−シアノビフェニルまたはテトラヒドロフランに溶解させ、適切な濃度に調整する。この溶液を電極５および６に被着させ、溶媒を蒸発させ、π電子共役系分子１の配列構造体４を自己組織化的に形成させる。配列構造体４の第１層の被吸着分子９は、側鎖部３が電極５または６の表面に吸着され、骨格部２の略円盤面が電極５または６の表面に平行に密着するように固定される。配列構造体４の第２層以後のπ電子共役系分子１の積層方向は、略円盤状の中心骨格部２間のπ-π相互作用によって制御される。 （もっと読む）

【課題】拡張性および製造コストを改善した情報記憶素子を提供する。
【解決手段】シリコン基板４０１上に、ワード線に接続する下部コンタクト４０２が堆積され、下部コンタクト４０２の上面に、六面体結合炭素と四面体結合炭素とを含有する炭素記憶材料４０３が備えられ、炭素記憶材料４０３の上にビット線に接続する上部コンタクト４０４が堆積される。六面体結合炭素と四面体結合炭素との比率を変えることによって情報を記憶するように構成されている。 （もっと読む）

対応する金属含有薄膜のＣＶＤ／ＡＬＤに有用なアンチモン、ゲルマニウム、およびテルル前駆体、ならびに該前駆体を含む組成物、該前駆体を作製する方法、ならびに該前駆体を使用して製造される膜およびマイクロ電子デバイス製品、さらに対応する製造方法が記載される。本発明の前駆体は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル（ＧＳＴ）膜、および該膜を含む相変化メモリデバイス等のマイクロ電子デバイス製品の形成に有用である。
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【課題】記憶素子の特性劣化を抑制することにより、安定して動作する記憶装置を提供する。
【解決手段】２つの電極の間に記憶層が設けられ、これら２つの電極間に極性の異なる電界を印加することにより原子又はイオンが移動し、可逆的に記憶層の抵抗値が変化する、不揮発性の抵抗変化型記憶素子５と、この抵抗変化型記憶素子５に直列接続された、スイッチング用の電界効果トランジスタ６とから成るメモリセル１０を複数有し、メモリセル１０に情報を記憶させる記憶装置において、メモリセル１０内にある電界効果トランジスタ６のオン電流が、メモリセル１０以外の部分にある電界効果トランジスタのオン電流よりも小さい構成とする。 （もっと読む）

不揮発性の抵抗切換メモリは、電子間の相関、特に、モット遷移により、絶縁状態と導電状態との間で変化する材料を含む。この材料は、導電状態へと結晶化されるものであり、電鋳を必要としない。
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ナノスケール電子スイッチングデバイス（１０）の接合部において用いるための制御層（２６、２６’、２８、２８’、２８’’）が開示される。制御層（２６、２６’、２８、２８’、２８’’）は、ナノスケール電子スイッチングデバイス（１０）内の接続層（１６）及び少なくとも１つの電極（１２、１４）と化学的に適合する材料を含む。制御層（２６、２６’、２８、２８’、２８’’）は、デバイス（１０）の動作中に、電気化学的反応経路、電気物理的反応経路又はこれらの組合せのうちの少なくとも１つを制御するようになっている。 （もっと読む）