【課題】低電流書換えを可能とする相変化メモリの構造、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】相変化メモリは、シリコン基板１の一主面側に形成された層間絶縁膜９およびプラグ１３と、プラグ１３上に形成された相変化膜１５と、相変化膜１５上に形成された上部電極膜１６とを有し、プラグ１３の上面を上部電極膜１６の下面を有する平面に投影した領域で、相変化膜１５と絶縁膜１７が接している。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリ素子の製造方法及びこれに適用された相変化層の形成方法を提供する。
【解決手段】相変化層が形成される下部膜上に、ゲルマニウム（Ｇｅ）を含む二価の第１前駆体を供給する段階を含むことを特徴とする相変化メモリ素子の製造方法を提供する。相変化層は、ＭＯＣＶＤ、サイクリック−ＣＶＤ及びＡＬＤのうちいずれかの方法で形成し、このとき、相変化層の組成は、圧力、蒸着温度または反応ガス供給量で調節でき、圧力範囲は、０．００１Ｔｏｒｒ−１０Ｔｏｒｒ、蒸着温度の範囲は、１５０℃−３５０℃、反応ガスの供給量は、０−１ｓｌｍでありうる。 （もっと読む）

【課題】分子メモリ、分子スイッチ、分子整流器及び分子導線等の電子素材として使用できる化合物及びこれを含む電子素子を提供する。
【解決手段】前記電子素子用化合物は、下記化学式の構造を持つ。


式中、Ｒは、電気伝導性を持つ単分子であり、Ｍは、各々独立に電気伝導性高分子を構成する繰返し単位であり、ｎは、各々独立に１００〜５００の整数である。 （もっと読む）

【課題】抵抗値の変動が少なく安定した値を示す相変化メモリを提供する。
【解決手段】メモリセルは、第１の電極、第２の電極、絶縁材料２０６、および相変化材料２０８を有している。相変化材料２０８は、第１の相変化部分２１０ａ、第２の相変化部分２１０ｂ、第３の相変化部分２１０ｃ、第４の相変化部分２１０ｄ、および第５の相変化部分２１０ｅを有している。第１の電極、第２の電極、および相変化材料２０８は、プレーナ構造またはブリッジ構造を形成している。 （もっと読む）

【課題】下部電極コンタクト層と相変化層とが広い接触面積を持つ相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ビアホ―ルを満たした下部電極コンタクト層、相変化層及び上部電極層を備えるストレージノードと、下部電極コンタクト層に連結されるスイッチング素子とを備える相変化メモリ素子において、下部電極コンタクト層は、相変化層に向かって突出した突出部を持つことを特徴とする相変化メモリ素子及びその製造方法。突出部は、下部電極コンタクト層のエッチング率が低いエッチング条件で、その周囲の層間絶縁層をドライまたはウェットエッチングして形成でき、選択的成長法で形成でき、蒸着及び写真エッチング工程を利用して形成できる。選択的成長法や蒸着及び写真エッチング工程以後にドライまたはウェットエッチングをさらに行える。 （もっと読む）

【課題】階段状のプログラミング特性を有する相変化メモリを形成し、相変化メモリの高密度化をはかる手法を提供する。
【解決手段】メモリセルは、第１の電極２０２、第２の電極２０６、および上記第１の電極２０２と上記第２の電極２０６との間にある相変化材料２０４を含んでいる。上記相変化材料２０４は、階段状のプログラム特性を有している。 （もっと読む）

【課題】所定の動作原理においてバイポーラ型の動作が可能であって記憶素子として利用可能な抵抗変化型素子を提供する。
【解決手段】本発明の抵抗変化型素子は、電極１と、電極２と、これら電極１，２間に位置する酸化物層３と、この酸化物層３に接して当該酸化物層３および電極２の間に位置する酸化物層４と、を含む積層構造を有する。酸化物層３は、酸化物層４に酸素イオン５を供与することによって低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸化物層４から酸素イオン５を受容することによって高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。酸化物層４は、酸化物層３から酸素イオン５を受容することによって低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸化物層３に酸素イオン５を供与することによって高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。 （もっと読む）

【課題】相変化層の表面処理工程を含む相変化メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】相変化層の表面処理工程を含む相変化メモリ素子の製造方法において、相変化層を形成する前に、相変化層が形成される下部膜の表面にコーティング膜を形成する工程を含み、コーティング膜は、下部膜の表面にアルキル系ラジカルの付着を容易にする化学構造を有することを特徴とする相変化メモリ素子の製造方法である。コーティング膜を形成した後、相変化層は、原子層堆積法を利用して形成する。 （もっと読む）

【課題】ＲＲＡＭなどの抵抗変化型メモリに適用できる新規な可変抵抗素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る可変抵抗素子１０は，第１電極１２と、第１電極１２の上方に形成された抵抗体層１４と、抵抗体層１４の上方に形成された第２電極１６と、を含み、抵抗体層１４は、Ｙ_ｘＡ_１−ｘＯ_２（０≦ｘ≦０．３）で表される遷移金属酸化物からなり、該Ａは、仕事関数の異なる少なくとも２種の遷移金属元素を表し、該遷移金属酸化物は，酸素欠陥を有する。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化型メモリに適用できる新規な可変抵抗素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る可変抵抗素子１０は，第１電極１２と、第１電極１２の上方に形成された抵抗体層１４と、抵抗体層１４の上方に形成された第２電極１６と、を含み、抵抗体層１４は、Ｙ_ｘＴｉ_１−ｘＯ_２（０≦ｘ＜１）で表される遷移金属酸化物からなり、遷移金属酸化物は，酸素欠陥を有する。 （もっと読む）