【課題】可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子を提供する。
【解決手段】下部電極２１と、下部電極上に形成されたＨｆＯ、ＺｎＯ、ＩｎＺｎＯまたはＩＴＯのうちから選択されたいずれか一つの物質から形成された中間層２２と、中間層上に形成されたＮｉＯ層２３と、ＮｉＯ層上に形成された上部電極２４とを備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。これにより、サイズによってマルチレベルのバイポーラスイッチング特性を有するメモリ素子を容易に提供できる。 （もっと読む）

【課題】抵抗メモリの一種として挙げられ、抵抗記憶素子に相変化材料を用いた相変化メモリを提供する。
【解決手段】メモリは、第１ドレイン１２４と第１ソース１２２ａとを含む第１トンネル電界効果トランジスタ１０８ａを含んでいる。上記第１ドレインは、第１抵抗記憶素子１０６ａに結合されている。上記メモリは、第２トンネル電界効果トランジスタ１０８ｂを含んでいる。上記第２トンネル電界効果トランジスタは、第２ドレインを含み、上記第１ソース１２２ａを共有している。上記第２ドレインは、第２抵抗記憶素子に結合されている。上記メモリは、ソースノードを設けるために、上記第１ソースに結合されている第１領域１１４を含む。 （もっと読む）

【課題】記憶素子として相変化膜を利用する際の高集積化を実現しつつ、相変化膜の形成が容易な半導体装置及びその製造方法を実現する。
【解決手段】１メモリセルを構成する領域ＡＲ１のＭＩＳＦＥＴとそれに隣接したＭＩＳＦＥＴとの２つのＭＩＳＦＥＴの間で、ＭＩＳＦＥＴの各ソースは、半導体基板１の表面において、絶縁しつつ隣接する。そして、相変化膜１０とその抵抗率よりも低い抵抗率の導電膜１１との積層構造は、半導体基板１の表面の平面視において、両ＭＩＳＦＥＴの各ソース、並びに、プラグ８およびプラグ７に跨って形成される。また、その積層構造は、半導体基板１の表面に平行に延在する配線として機能し、導電膜１１は、半導体基板１の表面に平行な方向の電流を流す。 （もっと読む）

【課題】相変化膜が、破壊し難いメモリ構造を有する不揮発性相変化メモリ構造を提供し、信頼性の高い相変化型不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】シリコン基板１上の一主面側に層間絶縁膜９およびプラグ１３が形成され、前記層間絶縁膜９および前記プラグ１３の表面に、相変化によって相異なる比抵抗値をとりうる相変化膜１５を有し、前記相変化膜１５の上面に上部電極膜１６を有する相変化型不揮発性メモリにおいて、相変化膜１５の膜厚Ｔと、プラグ１３からの上部電極膜１６の突き出し量Ｌとの関係を０．３≦Ｌ／Ｔ≦１とすることで、プラグ外周付近の相変化膜を流れる電流密度が減少し、マイグレーションが抑制でき、また、低エネルギーで書換えることが出来る。これにより、高信頼な相変化型不揮発性メモリを得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】相変化物質層、相変化物質層形成方法、及びこれを利用した相変化メモリ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ヘリウム／アルゴンプラズマが形成された反応チャンバー内に第１物質を含む第１ソースガスを供給して対象体上に第１物質膜を形成した後、反応チャンバー内に第２物質を含む第２ソースガスを供給して対象体上に第１及び第２物質を含む第１複合物質膜を形成する。反応チャンバー内に第３物質を含む第３ソースガスを供給して第１複合物質膜上に第３物質膜を形成した後、反応チャンバー内に第４物質を含む第４ソースガスを供給して第１複合物質膜上に第３及び第４物質を含む第２複合物質膜を形成する。ヘリウム／アルゴンプラズマが形成された雰囲気下で適切な供給時間ソースガスを提供して炭素を含む相変化物質層を形成することができる。即ち、別途の不純物注入工程を行うことなく、所定の抵抗値を有する相変化物質層を形成可能である。 （もっと読む）

メモリセル（２）を用いた相変化メモリデバイスは、相変化メモリ要素（３）及び選択スイッチ（４）によって形成される。それのための相変化メモリ要素（３）及びそれのための選択スイッチ（４）によって形成される基準セル（２ａ）は、読み取り対象のメモリのグループ（７）に関連する。メモリセルのグループの電気量は、基準セルの同種の電気量と比較される。これにより、メモリセルの特性においてドリフトを補償する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子を形成させずに動作可能な、可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリ素子は、Ｔｉ、Ｔａ、ＴａＮまたはＴｉＮのうちいずれか一つである下部電極２１と、下部電極２１上に形成され、下部電極の間にショットキー障壁が形成され、しきいスイッチング特性を有するｐ型酸化物であるＮｉ酸化物またはＣｕ酸化物で形成されたバッファ層２２と、バッファ層２２上にｐ型酸化物であるＮｉ酸化物で形成された可変抵抗物質層２３と、可変抵抗物質層２３上に形成されたオームコンタクトをなす上部電極２４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 可変抵抗素子と選択トランジスタを備えたメモリセルに対する書き換え動作における動作電圧の低電圧化により、半導体記憶装置のチップ面積や消費電力の増加を抑制する。
【解決手段】 メモリセル１０の両端間に所定の第１電圧を印加し、選択トランジスタ１２のゲートに所定のゲート電位を印加して可変抵抗素子１１の電気抵抗を第１状態から第２状態に変化させる第１書き換え動作と、メモリセル１０の両端間に第１電圧と逆極性の所定の第２電圧を印加し、選択トランジスタ１２のゲートに所定のゲート電位を印加して可変抵抗素子１１の電気抵抗を第２状態から第１状態に変化させる第２書き換え動作の２つの書き換え動作を行う書き換え手段を備え、第１書き換え動作と第２書き換え動作では、書き換え対象のメモリセル内の可変抵抗素子の両端に印加すべき電圧の極性及び絶対値が夫々異なる。 （もっと読む）

【課題】ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子を提供する。
【解決手段】下部電極と、下部電極上に形成されたｎ＋界面層と、ｎ＋界面層上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されて可変抵抗特性を有する酸化物層と、酸化物層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。前記酸化物層は、ｐ型遷移金属酸化物から形成される。前記酸化物層は、Ｎｉ酸化物層である。前記ｎ＋界面層は、ＺｎＯ_ｘ、ＴｉＯ_ｘ、ＩＺＯ_ｘを含む酸素欠乏酸化物と、ｎ型不純物が高濃度でドーピングされたＺｎＯ、ＴｉＯ、ＩＺＯのうち少なくともいずれか一つの物質からなる。 （もっと読む）

【課題】
スイッチの切換を電流制御によらないナノスイッチ、具体的には、光誘導による新規なナ
ノスイッチを提供するものである。
【解決手段】
導波路1を介して光を導入し、近接場光５を発生させ、この近接場光５を電子・イオン混
合伝導体2に注入し、前記電子・イオン混合体中の金属イオンの還元または酸化反応を誘
起することにより、微少間隔をもって配置された少なくとも一対の電極間に金属原子で構
成される金属原子架橋６を形成することによって、光ナノスイッチを実現する。 （もっと読む）