急激なＭＩＴを起こす転移温度または転移電圧を要求される特定温度または特定電圧で可変となりうる急激なＭＩＴ素子、その急激なＭＩＴ素子を利用したＭＩＴセンサ、及びそのＭＩＴセンサを備えた警報機及び二次電池の爆発防止回路を提供する。該急激なＭＩＴ素子は、転移温度または転移電圧で急激な金属−絶縁体転移（ＭＩＴ）を起こす急激なＭＩＴ薄膜と、急激なＭＩＴ薄膜にコンタクトする少なくとも２層の電極薄膜とを有し、電極薄膜に印加される電圧、急激なＭＩＴ薄膜に影響を及ぼす電磁波、圧力及びガス濃度変化のうち少なくともいずれか１つの因子の変化によって転移温度または転移電圧が可変される。該ＭＩＴセンサは、急激なＭＩＴ素子を利用して形成され、温度センサ、赤外線センサ、イメージセンサ、圧力センサ、及びガス濃度センサ及びスイッチなどになりうる。また、該警報機はＭＩＴセンサと、ＭＩＴセンサに直列に連結された警報信号機と備え、該二次電池の爆発防止回路は、二次電池と、二次電池に付着されて二次電池の温度を感知して二次電池の爆発を防止するＭＩＴセンサと、二次電池によって電力を供給される回路本体とを備える。
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【課題】初期不良を低減した記憶素子および当該記憶素子を有する半導体装置を提供することを目的とする。また、製造時以外にデータの追記が可能であり、書き換えによる偽造等を防止可能な不揮発性の記憶素子および当該記憶素子を有する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層とに挟持される液晶性を示す化合物を含む層と、第１の導電層と第２の導電層に挟持され、液晶性を示す化合物を含む層に接する有機化合物を含む層と、を有し、液晶性を示す化合物を含む層は第１の導電層に接して形成されており、少なくとも第１の相から第２の相へ相転移する層である記憶素子である。 （もっと読む）

【課題】相変化記憶セルを提供する。
【解決手段】相変化記憶セルは、半導体基板上に形成された層間絶縁膜及び前記層間絶縁膜内に提供された第１電極及び第２電極を具備する。前記第１及び第２電極間に相変化物質パターンが提供される。前記相変化物質パターンは、アンドープトＧｅＢｉＴｅ膜、不純物を含むドープトＧｅＢｉＴｅ膜または不純物を含むＧｅＴｅ膜に相当する。前記アンドープトＧｅＢｉＴｅ膜はゲルマニウム（Ｇｅ）、ビスマス（Ｂｉ）及びテルル（Ｔｅ）の頂点を具備する三角形の組成図上の座標によって示される４点（Ａ１（Ｇｅ２１．４３、Ｂｉ１６．６７、Ｔｅ６１．９）、Ａ２（Ｇｅ４４．５１、Ｂｉ０．３５、Ｔｅ５５．１４）、Ａ３（Ｇｅ５９．３３、Ｂｉ０．５、Ｔｅ４０．１７）及びＡ４（Ｇｅ３８．７１、Ｂｉ１６．１３、Ｔｅ４５．１６））で囲まれた範囲内の組成比を有する。 （もっと読む）

【課題】書き込み消去サイクルを繰り返した場合における、動作閾値電圧や高抵抗状態あるいは低抵抗状態での抵抗値の変化が少ない記憶素子を提供する。
【解決手段】第１の電極２と、第２の電極４との間に、記憶層３が挟まれて構成され、記憶層３が、酸化物層３１と、イオン化するＣｕもしくはＡｇを含有するイオン化層３２とを積層してなり、酸化物層３１が、希土類元素酸化物もしくはＣｕ酸化物からなり、イオン化層が、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選ばれる１種以上の元素の窒化物を含有する記憶素子１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】酸素欠乏金属酸化物を利用した不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スイッチング素子１１５と、スイッチング素子１１５に連結されたストレージノード１９とを具備する不揮発性メモリ素子において、ストレージノード１９は、下部電極１２と、下部電極１２上に形成された酸素欠乏金属酸化物層１４と、酸素欠乏金属酸化物層１４上に形成されたデータ保存層１６と、データ保存層１６上に形成された上部電極１８とを備える不揮発性メモリ素子及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】製造工程が簡単であり、高価の伝導性高分子を使用しないことで製造費用を節減し、動作電圧及び電流が低く、長期間の記録情報を保存できる有機メモリ素子を提供する。
また、製造費用を節減し、製造工程を単純化できる有機メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１電極１０と、前記第１電極１０上に形成されたイオン移動層２０と、前記イオン移動層２０上に形成された第２電極３０と、を含んで有機メモリ素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】セット状態の抵抗を任意に制御できるメモリ素子駆動回路を提供する。また、セット状態の抵抗を一定に維持してメモリ素子の誤動作を防止し、動作信頼性を向上できるメモリ素子駆動回路を提供する。
【解決手段】第１電極１１０と第２電極１３０との間にメモリ層１２０を含むメモリ素子１００と、前記メモリ素子１００に連結され、前記メモリ素子１００を駆動するメイン駆動部２００と、前記メモリ素子１００と前記メイン駆動部２００との間に連結され、前記メモリ素子１００のセット抵抗を制御する第２駆動部３００と、を含んでメモリ素子駆動回路を構成する。 （もっと読む）

３５０℃よりも低い温度で基板上に相変化メモリカルコゲニド合金の堆積を生じさせる条件下で相変化メモリカルコゲニド合金の前駆体に基板を接触させる、基板上に相変化メモリ材料を形成するシステム及び方法であって、接触が化学蒸着又は原子層堆積を介して行われるシステム及び方法。基板上にＧＳＴ相変化メモリ膜を形成するために有用である種々のテルル前駆体、ゲルマニウム前駆体及びゲルマニウム−テルル前駆体が記載されている。 （もっと読む）

【課題】可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子を提供する。
【解決手段】下部電極２０と、下部電極上に形成された第１酸化層２２と、第１酸化層上に形成されて可変抵抗特性を有する第２酸化層２４と、第２酸化層上に形成されたバッファ層２６と、バッファ層上に形成された上部電極２８と、を備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。 （もっと読む）

【課題】下部電極上に形成されたバッファ層を備える可変抵抗メモリ素子を提供する。
【解決手段】可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、下部電極２０と、下部電極上に酸化物で形成されたバッファ層２２と、バッファ層上に形成され、可変抵抗特性を有した酸化層２４と、酸化層上に形成された上部電極２６と、を備える。 （もっと読む）