【課題】動作速度が速くかつ集積化が可能な新しい構造の不揮発性スイッチング素子およびこの不揮発性スイッチング素子を有する集積回路を提供することを可能とする。
【解決手段】基板２上に設けられ、所定温度から±８０Ｋの範囲内の温度変化によって電気抵抗率が１０倍以上の変化を生じる材料の膜を有するスイッチング部６と、スイッチング部に温度変化を生じさせる機能を有するペルチエ素子１０，１２，１３と、スイッチング部とペルチエ素子との間に設けられペルチエ素子からの熱を伝達する電気絶縁体の膜を有する熱伝達／電気絶縁膜８と、スイッチング部に接続される１対の電極６ａ、６ｂと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 可変抵抗体の電気的に寄与する領域の面積が上部電極若しくは下部電極等で規定される面積よりも微細な面積である構造の可変抵抗素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地基板５上に配置される下部電極１の上部には、突起電極物２が形成される。突起電極物２は、下部電極１の接触面と異なる面に可変抵抗体３と接触されており、この可変抵抗体３が突起電極物２との接触面と異なる面において上部電極４と接触している。これによって突起電極物２（可変抵抗体３）と上部電極４とのクロスポイント部分可変抵抗体の電気的に寄与している領域になるため、従来の可変抵抗素子における領域よりも、その面積が縮小される。 （もっと読む）

【課題】非線形素子の電気的特性のばらつきが発生せず、コントラストのムラを抑えた電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に複数の非線形素子を備えてなる電気光学装置の製造方法であって、基板上に、非線形素子を形成するための複数の導電パターン５０と、幹線５５ａと、当該幹線５５ａから分岐して所定の方向に延在する第１の支線５５ｂ，当該第１の支線５５ｂから分岐するとともに所定の方向とは交差する方向に延在して複数の導電パターン５０に電気的に接続する第２の支線５５ｃを有する給電パターン５５とを形成する工程と、給電パターン５５を介して導電パターン５０に給電し、当該導電パターン５０の表面に酸化膜を形成することにより、非線形素子の絶縁層を形成する陽極酸化工程とを有し、給電パターン５５の少なくとも第１の支線５５ｂ及び第２の支線５５ｃの幅を同一に形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】下電極の側面を素子部として利用した非線形素子の素子特性のばらつきを解消可能な非線形素子の製造方法、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】非線形素子を製造するにあたって、下電極形成工程ＳＴ１０２においてマスクスパッタ法により島状のタンタル膜からなる下電極１３を例えば１００〜１５０ｎｍ程度の厚さで形成した後、第１の絶縁膜形成工程ＳＴ１０３においてマスクスパッタ法により、下電極１３の上面にタンタル酸化物からなる第１の絶縁膜１７を例えば５０〜１５０ｎｍ程度の厚さで形成する。次に、第２の絶縁膜形成工程ＳＴ１０４において、気相酸化法により、下電極１３の側面１３２に第１の絶縁膜１７より薄い第２の絶縁膜１４を形成した後、上電極１５ａ、１５ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】下電極の側面を素子部として利用した非線形素子の素子特性のばらつきを解消可能な非線形素子の製造方法、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】非線形素子を製造するにあたって、Ｔａ膜パターニング工程ＳＴ１０４において、第１の絶縁膜１７の上層にレジストマスク１８ａを形成した状態で、フッ素を含有するエッチングガスを用いて、第１の絶縁膜１７とともにタンタル膜１３にドライエッチングを行った後、フッ素除去工程ＳＴ１０５で加熱処理を行って、下電極１３ｂの側面１３２ｂに残留するフッ素を除去する。そして、下電極１３ｂの側面１３２ｂに第１の絶縁膜１７ａより薄い第２の絶縁膜１４を形成した後、上電極１５ａ、１５ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】画素電極と非線形抵抗素子の第２素子電極とを絶縁膜によって異なる層に分けた
構造の電気光学装置において、画素電極と第２素子電極との間で良好なコンタクトを得る
。
【解決手段】基板７ａ上に設けられたＴＦＤ素子３１を有する電気光学装置である。ＴＦ
Ｄ素子３１は、第１素子電極３２と、第１素子電極３２に重ねられた絶縁膜３３と、絶縁
膜３３に重ねられた第２素子電極３４ａ，３４ｂとを有する。電気光学装置はさらにＴＦ
Ｄ素子３１を覆う層間絶縁膜２２と、その層間絶縁膜２２上に設けられた画素電極２４と
を有する。画素電極２４は、第２素子電極３４ａ，３４ｂと導電接続される。第２素子電
極３４ａ，３４ｂはＭｏ又はＭｏ合金によって形成される。 （もっと読む）

【課題】ＭＳＭ電流制限素子、およびＭＳＭ電流制限素子を有する抵抗メモリセルを製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】基板を用意する工程と、基板上にＭＳＭ下部電極を形成する工程と、ＭＳＭ下部電極上に、ｘが約１以上約２以下の範囲内であるＺｎＯｘ半導体層を形成する工程と、ＺｎＯｘ半導体層上にＭＳＭ上部電極を形成する工程とを有している。このＺｎＯｘ半導体層を、スピンコート法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＬＤ）のような様々な薄膜形成技術を用いて形成する。 （もっと読む）

【課題】大きく異なる２つの安定した抵抗特性を可逆的かつ反復的に示す、高度集積化した不揮発性メモリへ適用可能なスイッチング素子の提供。
【解決手段】２つの電極間に、組成揺らぎを含む単一中心金属元素からなる金属酸化物薄膜が介在した可変抵抗素子を備え、該両電極間に、第１の閾値以上の電圧又は電流と、該第１の閾値の絶対値よりもその絶対値が小さい第２の閾値以下の電圧又は電流と、該第２の閾値の絶対値よりもその絶対値が小さい第３の閾値以下の電圧又は電流とを選択的に印加可能な制御回路と接続し、その絶対値が少なくとも第３の閾値以下の電位域又は電流域における電極間の抵抗特性を可逆的に1000〜10000倍変化せしめることを特徴とする、スイッチング素子。 （もっと読む）

【課題】 第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造を有する素子基板の製造方法において、エッチング処理に伴うダメージを回復させて、素子特性の向上を図る。
【解決手段】 本発明の素子基板製造方法は、基体１０上に、第１導電膜２０、絶縁膜３０、及び第２導電膜４０を含む積層体２を形成する工程と、積層体２をエッチング処理により所定平面形状に形成する工程と、エッチング処理によって露出した積層体２の側壁２ａにラジカル状態又はイオン状態の改質ガス５５を供給する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 素子用下電極の側面に形成した薄い絶縁膜のみを実質的に利用する、いわゆるラテラル構造の非線形素子およびその製造方法において、素子用下電極の寸法や側面形状にばらつきが発生しない構成を提供し、さらに、このような非線形素子を画素スイッチング素子として用いたアクティブマトリクス型の電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】 非線形素子４３は、素子用下電極４４の上面４４１を覆う第１の絶縁膜４６ａが素子用下電極４４の第２の側面４４ｂを覆う第２の絶縁膜４６ｂより厚いラテラル構造を備えている。素子用下電極４４の側面のうち、その外周縁に位置する側面は、膜厚が厚い第１の絶縁膜４６ａが形成された第１の側面４４ａになっている一方、切り欠き４９に面する側面は、膜厚が薄い第２の絶縁膜４６ｂが形成された第２の側面４４ｂになっている。 （もっと読む）