【課題】下電極での水素の吸蔵や、下電極の自然酸化膜が絶縁層に含まれることを防止して、電気特性の低下やばらつきの発生を防止することのできる非線形素子の製造方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】タンタルなどの水素吸蔵性を有する金属材料からなる下電極１３ｘ、絶縁層１４ｘ、および上電極１５ｘを備えた非線形素子１０ｘの製造方法において、下電極用のタンタル膜１３を形成した後、タンタル膜１３を水素および水分と接触させることなく、タンタル膜１３の表面に保護用酸化膜１４０を形成し、しかる後に、保護用酸化膜１４０とともにタンタル膜１３をパターニングして下電極１３ｘを形成する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物層が積層された下部電極の表面をより小さな凹凸状態とすることで、ＲＲＡＭ等のより高性能な金属酸化物層を用いた素子を提供する。
【解決手段】基板１０１の上に、絶縁層１０２を介し、ルテニウム（Ｒｕ）と窒素（Ｎ）とから構成された導電薄膜よりなる下部電極層１０３と、金属酸化物層１０４と、上部電極１０５とを備える。例えば、下部電極層１０３は、ルテニウムと窒素とからなる膜厚２０ｎｍの導電薄膜であり、金属酸化物層１０４は、ビスマスとチタンと酸素からなる膜厚３０ｎｍの金属酸化物膜であり、上部電極１０５は、膜厚２０ｎｍのルテニウム膜から構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＤ素子の第１電極１５に含有される水素の量及び分布は、当該金属を用いたＴＦＤ素子の動作特性に影響を与える。例えば第１電極１５中の水素量を増加させるとＴＦＤ素子の絶縁抵抗値を高くでき好適である。反面水素が過剰量入るとＴＦＤ素子外に水素が時間と共に飛散し、ＴＦＤ素子の電気特性が不安定になる。当該水素はＴａ膜成膜後Ｔａ膜を大気中に晒すことで大気中の水素を吸収させることで導入しているため、水素量の制御が困難であるという問題があった。
【解決手段】第１電極１５を覆う第１散逸阻止膜５を減圧雰囲気中で除去する。この工程により、第１電極１５中に蓄えられていた水素は第１電極１５外に放出される。放出後、大気に晒すことなく新たに水素を吸着させ、更に第２散逸阻止膜６を形成することで内蔵水素量が制御されたＴＦＤ素子の提供が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 金属／半導体／金属の積層構造の双方向ショットキーダイオードの形成方法を提供する。
【解決手段】 下部電極１０４と上部電極１１４との間に挟持されるシリコン半導体層１１０を堆積する工程と、閾値電圧、降伏電圧、及び、オン／オフ電流比を有する双方向ショットキーダイオードを形成する工程と、双方向ショットキーダイオードの閾値電圧、降伏電圧、オン／オフ電流比をシリコン半導体層の膜厚１１２の制御によって調整する工程と、を備える。閾値電圧と降伏電圧は何れもシリコン半導体層の膜厚の増加に従って増加する。オン／オフ電流比に対してシリコン半導体層の最適膜厚が存在する。化学気相成長法またはＤＣスパッタリング法を用いて非晶質シリコンまたは多結晶シリコンの半導体層を形成する。シリコン半導体層はＶ族のドナー材料でドーピングできる。当該ドーピングによって閾値電圧は減少し、降伏電圧は増加する。 （もっと読む）

【課題】タンタルパターンの形成に必要な工程数を減らすことができるとともに、窒素含有タンタルパターンを効率よく形成可能なタンタルパターンの形成方法、およびこの方法を用いた電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】配線や非線形素子の下電極を窒素含有のタンタルパターン１３ｘにより形成するにあたって、レジストパターン形成工程において、タンタルパターンの反転パターンを有する窒素含有のレジストパターン６０を基板２０ｘ上に形成した後、成膜工程において、基板２０ｘ上にタンタル膜１３を成膜する。その際、レジストパターン６０から成膜雰囲気中に放出された窒素は、タンタル膜１３にドープされる。次に、リフトオフ工程において、剥離液によりレジストパターン６０を除去する。その際、レジストパターン６０ｘ上に形成されたタンタル膜１３も除去する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも水素および窒素を含有する絶縁層を用いることにより、非線形性の向上、残像現象の原因となる素子ドリフト現象の発生防止、および水素の脱離に起因する非線形特性の不可逆的なシフト現象の発生防止を図った場合でも、下電極から絶縁層への水素の侵入に起因する非線形特性の不可逆的なシフト現象の発生を防止可能な非線素子の製造方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】非線形素子１０ｘは、窒素およびタングステン含有のタンタル膜からなる下電極１３ｘ、この下電極１３ｘの表面側を覆う絶縁層１４ｘ、および上電極１５ｘを備えている。絶縁層１４ｘは、水素導入工程で導入された量以上の水素を含有しており、下電極１３ｘとの界面も含めて厚さ方向の全体にわたって水素原子が分布している。 （もっと読む）

【課題】非線形性の向上、残像現象の原因となる素子ドリフト現象の発生防止、および焼き付きの原因となる非線形特性の不可逆的なシフト現象の発生防止のいずれをも実現することのできる非線素子、この非線形素子を画素スイッチング素子として用いた電気光学装置、および非線形素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】非線形素子１０ｘは、下電極１３ｘ、この下電極１３ｘの表面側を覆う絶縁層１４ｘ、およびこの絶縁層１４ｘを介して下電極１３ｘに対向する上電極１５ｘを備えたＴＦＤ素子である。絶縁層１４ｘに用いたタンタル酸化膜は、水素、窒素およびタングステンを含有し、下電極１３ｘは、下電極１３ｘから絶縁層１４ｘの水素の侵入を防止する酸素を含有するタンタル膜からなる。 （もっと読む）

【課題】非線形性の向上、および残像現象の原因となる素子ドリフト現象の防止の双方を実現可能な非線形素子、この非線形素子を画素スイッチング素子として用いた電気光学装置、および非線形素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】非線形素子１０ｘは、下電極１３ｘ、この下電極１３ｘの表面側を覆う絶縁層１４ｘ、およびこの絶縁層１４ｘを介して下電極１３ｘに対向する上電極１５ｘを備えたＴＦＤ素子である。絶縁層１４ｘに用いたタンタル酸化膜は、窒素を含有しているため、非線形性が高い。また、絶縁層１４ｘに用いたタンタル酸化膜が窒素を含有していると、素子ドリフトが多くなり、残像現象が発生しやすくなるが、絶縁層１４ｘに用いたタンタル酸化膜は、窒素に加えて、水素も含有しているため、素子ドリフト現象が小さいので、残像現像が発生しにくい。 （もっと読む）

【課題】非線形性の向上、残像現象の原因となる素子ドリフト現象の発生防止、および焼き付きの原因となる非線形特性の不可逆的なシフト現象の発生防止のいずれをも実現することのできる非線形素子、この非線形素子を画素スイッチング素子として用いた電気光学装置、および非線形素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】非線形素子１０ｘは、下電極１３ｘ、この下電極１３ｘの表面側を覆う絶縁層１４ｘ、およびこの絶縁層１４ｘを介して下電極１３ｘに対向する上電極１５ｘを備えたＴＦＤ素子である。絶縁層１４ｘに用いたタンタル酸化膜は、タングステン、水素および窒素を含有している。水素および窒素は非線形性を向上させ、タングステンおよび水素は、残像現象の原因となる素子ドリフト現象の発生を防止する。窒素は、電圧印加時の水素の脱離を防止する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも水素および窒素を含有する絶縁層を用いた場合において下電極から絶
縁層への水素の侵入に起因する非線形特性の不可逆的なシフト現象の発生を防止可能な非
線形素子の製造方法、およびこの非線形素子を画素スイッチング素子として用いた電気光
学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非線形素子１０ｘは、下電極１３ｘ、この下電極１３ｘの表面側を覆う絶縁
層１４ｘ、およびこの絶縁層１４ｘを介して下電極１３ｘに対向する上電極１５ｘを備え
たＴＦＤ素子である。絶縁層１４ｘに用いたタンタル酸化膜は、水素、窒素およびタング
ステンを含有し、下電極１３ｘは、水素脱離工程により水素含有量を低減してある。 （もっと読む）