【課題】水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を好適に分布させることができる非線形素子、非線形素子の製造方法、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】非線形素子１０ｘを製造するにあたって、窒素含有タンタル膜によって下電極１３ｘを構成する一方、絶縁層１４ｘにおいて、少なくとも電気特性に大きな影響を及ぼす下電極１３ｘの上面部分については、窒素含有タンタル酸化膜のスパッタ膜１４ｙで構成し、下電極１３ｘの側面部には陽極酸化膜１４ｚを形成する。絶縁層１４ｘには水素を導入するが、スパッタ膜１４ｙは、表層部分も、その深い部分と同様、多量の窒素を含有しているので、十分な水素保持力を備えている。 （もっと読む）

【課題】アニール温度を高い温度に設定しなくても、絶縁層に十分な水素を導入することのでき、さらには、絶縁層からの水素の脱離を防止可能な非線素子の製造方法、およびこの方法を利用した電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非線形素子１０ｘの製造工程では、まず、タングステンおよび窒素を含有するタンタル膜によって下電極１３ｘを形成する。その後、下電極１３ｘの表面を陽極酸化してタンタル酸化膜からなる絶縁層１４ｘを形成する陽極酸化工程と、絶縁層１４ｘに水素を導入する水素添加アニール工程とを交互に複数回行う。 （もっと読む）

【課題】水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を好適に分布させることができる非線素子の製造方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】非線形素子１０ｘを製造するにあたって、窒素含有タンタル膜１３および窒素含有アルミニウム膜１７を形成した後、下電極１３ｘをパターニング形成する。次に、下電極１３ｘを陽極にして陽極酸化を行い、窒素含有アルミニウム膜１７ｘをアルミニウム酸化膜１８ｘとするとともに、下電極１３ｘの上面部および側面部に窒素含有タンタル酸化膜１４ｙ、１４ｚを形成し、絶縁層１４ｘとする。次に、窒素含有アルミニウム膜１８ｘをエッチング除去した後、絶縁層１４ｘに水素を導入する。次に、上電極１５ｘを形成する。 （もっと読む）

【課題】水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を好適に分布させることができる非線素子の製造方法、およびこの方法を利用した電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非線形素子１０ｘを製造するにあたって、タングステンおよび窒素を含有するタンタル膜によって下電極１３ｘを形成した後、下電極１３ｘの表面を陽極酸化して絶縁層１４ｘを形成する。次に、絶縁層１４ｘに水素を導入した後、上電極１５ｘを形成する。絶縁層１４ｘを形成した後、水素を導入する前あるいは後に、プラズマ発生室に窒素を含有するガスを導入してプラズマを発生させ、かかるプラズマを絶縁層１４ｘに照射して絶縁層１４ｘに窒素を導入する。 （もっと読む）

【課題】水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を分布させることができる非線素子の製造方法、およびこの方法を利用した電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非線形素子１０ｘを製造するにあたって、タングステンおよび窒素を含有するタンタル膜によって下電極１３ｘを形成した後、下電極１３ｘの表面を酸化してタンタル酸化膜からなる絶縁層１４ｘを形成する。次に、絶縁層１４ｘに水素を導入した後、上電極１５ｘを形成する。絶縁層１４ｘを形成する際、気相酸化により、絶縁層１４ｘを形成するのに必要な膜厚のタンタル酸化膜を形成した後、陽極酸化を行う。 （もっと読む）

【課題】 ２００℃でも安定した動作を示す抵抗変化素子を提供すること。
【解決手段】 プラセオジウム（Ｐｒ）、カルシウム（Ｃａ）、マンガン（Ｍｎ）を含む酸化物よりなる抵抗変化層（１３）に電気的に接続された上部電極（１４）と下部電極（１２）とを備え、前記上部電極（１４）と前記下部電極（１３）との間に電気パルスを印加して前記抵抗変化層（１３）の抵抗を変化させる抵抗変化素子であって、
前記抵抗変化層（１３）と前記上部電極（１４）および前記下部電極（１２）の少なくとも一方との間に酸素欠損層（２５）を有する抵抗変化素子。 （もっと読む）

【課題】可逆的な可変抵抗特性を有する金属酸化物薄膜における抵抗比の改善による不揮発性メモリのデータ貯蔵部に適した読み取り余裕度を備えたスイッチング素子の提供。
【解決手段】遷移金属と酸素の定比化合物から、結晶構造、金属元素イオンの価数、不定比性のうち何れか１つ若しくは複数を変化させた、該遷移金属と酸素からなる金属酸化物を、第１電極と第２電極との間に形成したスイッチング素子。並びに第１電極及び第２電極の間に成膜された、組成ゆらぎを含む単一中心金属元素からなる金属酸化物薄膜に、４００〜８００°Ｃの温度範囲で熱処理、及び／又は酸素プラズマに暴露する処理を施す工程を含む、電力の印加履歴による可逆的な可変抵抗特性を有するスイッチング素子の製造方法。
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【課題】第１および第２の電極と当該各電極に狭持された抵抗変化層とを含み、当該各電極間の電気抵抗値が異なる２以上の状態が存在し、抵抗変化層に当該各電極を介して駆動電圧または電流を印加することにより、上記２以上の状態から選ばれる１つの状態から他の状態へと変化する抵抗変化素子であって、駆動電圧または電流の印加時に抵抗変化層への部分的な電流の集中を緩和でき、抵抗変化層の劣化を抑制できる素子を提供する。
【解決手段】抵抗変化層における第１の電極との接合面の形状が長方形であり、該接合面に垂直な方向から見たときに、第１の電極における上記接合面と重複しない部分に該電極に駆動電圧または電流を印加する印加面があり、かつ、上記接合面は、駆動電圧または電流の印加時に印加面から接合面へと第１の電極を流れる電流の方向に実質的に垂直な方向に長辺を有する素子とする。 （もっと読む）

【課題】反応生成膜に含まれる反応性ガス由来の元素の含有量について基板面内ばらつきを抑えることにより、反応生成膜の膜質の面内ばらつきを抑えることができる非線形素子の製造方法、非線形素子、電気光学装置、および反応性スパッタ成膜装置を提供すること。
【解決手段】反応性スパッタ成膜法により反応生成膜を形成する際、ヒータ７と基板２０ｘとの間に、被成膜面２１の内側領域２１ａと重なる領域に矩形の開口部８ｂが形成された温度分布調整板８を配置し、被成膜面２１の内側領域２１ａを外周側領域２１ｂに比して低い温度に設定する。このため、内側領域２１ａでは反応性ガス由来の元素が薄膜に取り込まれやすいので、反応性ガス由来の元素がプラズマの中心に到達しにくいとしても、反応生成膜に含まれる反応性ガス由来の元素量に面内ばらつきを解消することができる。 （もっと読む）

【課題】下電極での水素の吸蔵や、下電極の自然酸化膜が絶縁層に含まれることを防止して、電気特性の低下やばらつきの発生を防止することのできる非線形素子の製造方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】タンタルなどの水素吸蔵性を有する金属材料からなる下電極１３ｘ、絶縁層１４ｘ、および上電極１５ｘを備えた非線形素子１０ｘの製造方法において、下電極用のタンタル膜１３を形成した後、タンタル膜１３を水素および水分と接触させることなく、タンタル膜１３の表面に保護用酸化膜１４０を形成し、しかる後に、保護用酸化膜１４０とともにタンタル膜１３をパターニングして下電極１３ｘを形成する。 （もっと読む）