【課題】可変抵抗素子およびそれを用いた記憶素子として適している新しい材料を提供する。
【解決手段】基板４上に下部電極３を設け、下部電極３上に可変抵抗膜２を形成し、可変抵抗膜２上に上部電極１を設けている。可変抵抗膜２はＡ_１−ｘＢ_ｘＳ_ｙで表される硫化物であり、前記ＡはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕから選ばれた少なくとも１種であり、前記Ｂは前記Ａとは異なるＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕから選ばれた少なくとも１種からなる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＥＲ効果を有するペロブスカイト型遷移金属酸化物からなる不揮発性メモリ素子を３元素で構成することができる材料組成を提供することを課題とする。
【解決手段】 不揮発性メモリ素子において、電極としてＴｉ等の浅い仕事関数又は小さな電気陰性度を有する導電体とヘテロ接合を構成する材料として、Ｌａ_２ＣｕＯ_４のような希土類の１種と銅と酸素からなる希土類−銅の酸化物とすることによって解決される。 （もっと読む）

【課題】 ラテラル構造を採用して場合でも、漏れ電流が小さい非線形素子、この非線形素子を画素スイッチング素子として用いた電気光学装置、および非線形素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＴＦＤ１０は、下部電極１３ｂと、この下部電極１３ｂの上面および側面を覆うように形成された絶縁体１１と、この絶縁体１１の表面に形成されて相互に離間した上部電極１５ａ、１５ｂとから構成され、絶縁体１１は、下部電極１３ｂの上面を覆う第１の絶縁膜１７ａと、下部電極１３ｂの側面を覆う第２の絶縁膜１４と、第１の絶縁膜１７ａおよび第２の絶縁膜１４を覆う第３の絶縁膜１８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 非線形素子に用いる薄膜を側面が基板に対して垂直に近い形状にパターニングすることができる非線形素子の製造方法、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】 ラテラル構造のＴＦＤ１０を製造するにあたって、タンタル膜１３および分厚い第１の絶縁膜１７の上にレジストマスク１９を形成した後、第１の絶縁膜１７およびタンタル膜１３に対してドライエッチングを行う。このドライエッチングの際、第１のガス成分（ＳＦ₆）の比率が比較的低く、第２のガス成分（Ｏ₂）の比率が比較的高い第１のエッチングガスＧ１を用いた第１のエッチング処理を行った後、第１のガス成分（ＳＦ₆）の比率が比較的高く、第２のガス成分（Ｏ₂）の比率が比較的低い第２のエッチングガスＧ２を用いた第２のエッチング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 材料組成の変動を抑制し、均一な双安定特性を得ることができ、量産に適するスイッチング素子を提供する。
【解決手段】 印加される電圧に対して２種類の安定な抵抗値を持つ有機双安定材料を、少なくとも２つの電極間に配置してなるスイッチング素子において、前記有機双安定材料を下記一般式（Ｉ）で表されるベンゾジチオール系化合物により構成する。前記スイッチング素子は、基板１０に、第１電極層２１ａ、有機双安定材料層３０、第２電極層２１ｂが順次積層されている構造とすることができる。
【化１】



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【課題】消費電力を抑えながら画素電圧の損失を防ぐことができ、かつ、開口率を高くすることができる電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器を提供すること。
【解決手段】ＴＦＤ素子を用いたＩＰＳ型液晶装置において、各画素領域７について設けられた容量電極１３と走査線８の一部との間に保持される静電容量により画素電圧の損失を補完することができる。これにより、シフト電圧を余分に印加する必要が無いため、消費電力を抑えながら画素電圧の損失を防ぐことができる。また、独立した容量電極１３を設けたことにより、画素電極１１及び共通電極１２を容量保持部として利用する必要が無くなる。当該画素電極１１、共通電極１２を広くする必要がなくなるため、画素電極１１及び共通電極１２の幅を狭く形成することができる。これにより、開口率を高くすることができる。 （もっと読む）

定格信号電圧未満の電圧を有するノイズ信号を効果的に除去できる急激な金属−絶縁体遷移（ＭＩＴ）素子を用いた低電圧ノイズ防止回路を提供する。急激なＭＩＴ素子はノイズ信号から保護されようとする電気電子システムに直列に接続され、所定電圧での急激なＭＩＴに従う。従って、低電圧ノイズが効果的に除去できる。
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ディスプレイが、開示される。このディスプレイは、発光する構成とした複数のピクセルを含む。ディスプレイは、それぞれピクセルからの光の照射を調整するように構成された複数のピクセル制御回路もまた含む。このピクセル制御回路は、それぞれ有機半導体を含む１以上の２端子スイッチング素子を含む。
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【課題】 製造プロセスの複雑化を招くことなく、電気的特性および信頼性の向上を図ることのできる非線形素子、この非線形素子を画素スイッチング素子として備えた電気光学装置、及び非線形素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 非線形素子１０は、タンタルなどからなる下部電極１３と、下部電極１３の表面を陽極酸化してなる酸化膜１４と、酸化膜１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを有している。下部電極１３は、下層側に酸素を含有しない酸素非含有層１３２、上層側に向けて酸素含有率が連続的に増加する酸素含有率傾斜増加層１３３と、酸素を含有する最上層１３１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 画素面積が減少しても容量比を確保することが可能な電気光学装置の構造を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置は、一対の基板と、該一対の基板に狭持される電気光学物質１３０と、該電気光学物質の一側に配置された画素電極１１４と、該画素電極に接続された二端子型非線形素子１１７と、前記電気光学物質を介して前記画素電極に対向する対向電極１２２と、前記電気光学物質を駆動する駆動ＩＣと、前記基板の表示領域外に配置され前記駆動用ＩＣと前記対向電極とを接続する配線１１８とを有し、前記画素電極に対して前記電気光学物質とは反対側に対向配置され、前記画素電極との間に補助容量を構成する容量電極１１２を設け、前記対向電極は前記電気光学物質よりも前記画素電極側に設けられた配線１１８に導電接続され、前記容量電極が前記配線と導電接続されている。 （もっと読む）