【課題】 製造プロセスが比較的簡単で製造コストが安価な横電界方式の液晶表示装置等の電気光学装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置は、一対の基板のうちの一方の基板に、非線形素子（ＴＦＤ素子４３）と、共通電極４２（第１電極）と、非線形素子と電気的に接続された画素電極４８（第２電極）とが備えられ、第１電極と前記第２電極との間に生じる電界によって電気光学物質層が駆動され、非線形素子が、下部電極４４と、下部電極４４の上面を覆う上面絶縁膜４５と、下部電極４４の延在方向に対して両側にあたる２つの側面のうちの片側の側面を覆い、かつ上面絶縁膜４５の膜厚よりも小さい膜厚を有する側面絶縁膜４６と、少なくとも側面絶縁膜４６を介して下部電極と対向する上部電極１９とを有している。 （もっと読む）

【課題】 素子用下電極の側面に形成した薄い絶縁膜のみを実質的に利用する、いわゆるラテラル構造の非線形素子およびその製造方法において、素子用下電極の寸法や側面形状にばらつきが発生しない構成を提供し、さらに、このような非線形素子を画素スイッチング素子として用いたアクティブマトリクス型の電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】 非線形素子４３は、素子用下電極４４の上面４４１を覆う第１の絶縁膜４６ａが素子用下電極４４の第２の側面４４ｂを覆う第２の絶縁膜４６ｂより厚いラテラル構造を備えている。素子用下電極４４の側面のうち、その外周縁に位置する側面は、膜厚が厚い第１の絶縁膜４６ａが形成された第１の側面４４ａになっている一方、切り欠き４９に面する側面は、膜厚が薄い第２の絶縁膜４６ｂが形成された第２の側面４４ｂになっている。 （もっと読む）

【課題】 保持容量に用いる容量用絶縁層を厚くすることなく、非線形素子の信頼性を向上可能な電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型の電気光学装置１において、非線形素子５の素子用絶縁層７１は、素子用下電極６１の側面を覆う部分７１１がタンタル酸化膜７ａによって構成され、素子用下電極６１の上面を覆う部分７１２がタンタル−ニオブ合金の酸化膜７ｂによって構成されている。保持容量９において、容量用絶縁層７２は、容量用下電極６２の側面を覆う部分７２１がタンタル酸化膜７ａによって構成され、容量用下電極６２の上面を覆う部分７２２は、タンタル酸化膜７ａからなる下層と、タンタル−ニオブ合金の酸化膜７ｂからなる上層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 明るく高画質の表示を得られるとともに信頼性に優れ、かつ安価に製造可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】 下側基板１０上に、画素電極４８と、該画素電極４８との間で液晶（電気光学物質）に作用させる電界を発生させる共通電極４２と、前記画素電極４８と電気的に接続されたラテラル構造のＴＦＤ素子４３と、該ＴＦＤ素子４３と前記液晶との間に介挿された保持容量５０と、が設けられており、前記ＴＦＤ素子４３を構成する上面絶縁膜４５と側面絶縁膜４６とが、タンタル酸化窒化膜である構成の電気光学装置とした。 （もっと読む）

【課題】 保持容量に用いる容量用酸化膜を薄くすることにより、素子基板上に大きな段差が発生することを防止可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型の電気光学装置１において、画素スイッチング素子としての非線形素子５、および保持容量９を構成するにあたって、タンタル膜からなる素子用下電極６１および容量用下電極６２を陽極酸化してなる素子用酸化膜７１および容量用酸化膜７２の上層に、ＩＴＯなどの金属酸化物層や、酸化物標準生成エンタルピーがクロムよりも高い金属層からなる素子用上電極８１ａ、８１ｂおよび容量用上電極８４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が高く、かつ、リーク電流の小さな絶縁膜及びこれを用いた電子素子を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンを主成分とする半導体層と、前記半導体層の上に直接接合してエピタキシャル成長されたペロブスカイト構造の誘電体薄膜であって、前記ペロブスカイト構造の面内格子定数の２^１／２倍が、前記半導体層の面内格子定数に対してプラスマイナス１．５％以内であり、前記ペロブスカイト構造を化学式ＡＢＯ_３と表した時に、Ａは、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇの少なくともいずれかを含み、且つ前記Ａに占めるＭｇの割合は１０％以下であり、前記組成式におけるＢは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの少なくともいずれかを含み、且つ前記Ｂに占めるＴｉの割合は５０％以下である誘電体薄膜と、を備えたことを特徴とする電子素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 明るく高画質の表示を得られ、安価に製造可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】 下側基板１０上に、画素電極４８と、該画素電極４８との間で液晶（電気光学物質）に作用させる電界を発生させる共通電極４２と、前記画素電極４８と電気的に接続されたラテラル構造のＴＦＤ素子４３と、該ＴＦＤ素子４３と前記液晶との間に介挿された保持容量５０と、が設けられており、前記ＴＦＤ素子４３の上部電極を成す信号線４７及び画素電極４８が、クロムより大きい酸化物標準生成エンタルピーを有する導電材料により形成されている電気光学装置とした。 （もっと読む）

【課題】 熱処理工程による素子部分および保持容量部分の変形を防止することにより、上電極材料の断線に起因する点欠陥や線欠陥が発生することを防止可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型の電気光学装置において、画素スイッチング素子としての非線形素子５、および保持容量９を構成するにあたって、酸素添加タンタルによって素子用下電極６１および容量用下電極６２を形成し、酸素添加タンタルの陽極酸化膜によって素子用絶縁層７１および容量用絶縁層７２を形成する。また、データ線２も酸素添加タンタルによって構成する。 （もっと読む）

【課題】 明るく高画質の均一な表示を得られ、信頼性にも優れる電気光学装置を提供する。
【解決手段】 下側基板１０上に、画素電極４８と、該画素電極４８との間で液晶（電気光学物質）に作用させる電界を発生させる共通電極４２と、前記画素電極４８と電気的に接続されたラテラル構造のＴＦＤ素子４３と、該ＴＦＤ素子４３と前記液晶との間に介挿された保持容量５０と、が設けられており、少なくとも前記ＴＦＤ素子４３の下部電極４４が、酸素を含有するタンタル膜からなる構成を備えた電気光学装置とした。 （もっと読む）

【課題】素子の微細化の向上及び製造コストの低下を図る。
【解決手段】下部基板１０上に下部電極２を成膜し、その上に非線形抵抗膜４を成膜する。非線形抵抗膜４の上に、例えば導電性粒子１８を含む絶縁膜６を成膜し、その上に上部電極８を成膜する。図中、符号１２は液晶、１４は対向電極、１６は上部基板を示している。非線形抵抗膜４の導電性粒子１８に対応する微小領域のみで非線形抵抗膜４の機能が得られため、導電性粒子１８の密度を変えることにより非線形抵抗膜４の機能する領域を微細加工によらずに調整できる。 （もっと読む）