【課題】記憶装置間のクロストークがなく、高集積化ができて量産性に富み高信頼性の記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】記憶装置１０は、抵抗変化膜１１を含む抵抗変化素子１２と電流抑制層１３を含む電流抑制素子１４とが直列に接続されている。そして、抵抗変化膜１１は、第１の層間絶縁膜１６を貫通して形成された第１のコンタクトホール１７の下部に配置され、電流抑制層１３は第１のコンタクトホール１７の上部で、かつ抵抗変化膜１１に対向する位置に配置されている。そして、抵抗変化膜１１と電流抑制層１３とは第１のコンタクトホール１７の中に形成されたプラグ１８により電気的に接続されており、プラグ１８中の導電層１９は抵抗変化素子１２および電流抑制素子１４の一部を構成している。 （もっと読む）

【課題】下部電極層上に形成した金属薄膜層のうち、コンタクトホールに露出した領域のみをイオン注入法により酸化して抵抗変化層に変換することにより、簡単で、かつ再現性のよい抵抗変化層を形成して、より微細化が可能で、かつ安定な特性を有する不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極層２０と、上部電極層２５と、下部電極層２０のあらかじめ設定された領域に設けられ、かつ上部電極層２５に接続し、電気的パルスの印加により２値の抵抗値のいずれか一方を示す金属酸化物からなる抵抗変化層２３とを備える。この抵抗変化層２３は下部電極層２０の表面に形成された金属薄膜層２２と同じ金属母体を有する金属酸化物からなり、この抵抗変化層２３と、抵抗変化層２３に接続する領域の下部電極層２０ａおよび上部電極層２５とにより記憶素子２７を構成している。 （もっと読む）

【課題】複数の第１配線層を覆う形状に形成した絶縁性金属酸化物薄膜層のうち、コンタクトホールに露出した領域のみを水素プラズマ処理により還元して抵抗変化層に変換することにより、簡単な工程で素子分離を可能とし、より微細化、かつ安定な特性を有する不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１と、この基板１１上に形成された下部電極層２０ａと、下部電極層２０ａに接続され、電気的パルスの印加により２値の抵抗値のいずれか一方を示す抵抗変化層２２と、抵抗変化層２２に接続される上部電極層２４ｂと、下部電極層２４ｂ上に形成された絶縁性金属酸化物薄膜層２１とを備え、抵抗変化層２２は、絶縁性金属酸化物薄膜層２１に隣接して形成され、かつ絶縁性金属酸化物薄膜層２１と同じ金属母体を有し、かつ抵抗変化層２２の酸素含有量は絶縁性金属酸化物薄膜層２１の酸素含有量よりも少ない構成である。 （もっと読む）

【課題】より単純な構造で構成されるとともに、安定的にスイッチング動作を行うことができる３端子のスイッチング素子を提供する。
【解決手段】スイッチング素子１００であって、絶縁性基板１０と、絶縁性基板の上面に設けられた第１電極２０及び第２電極３０と、第１電極と第２電極間に設けられ、第１電極と第２電極間にナノメートルオーダーの間隙を有する電極間間隙部４０と、絶縁性基板の下部に設けられ、当該絶縁性基板を介して電極間間隙部に電界を加える第３電極５０と、電極間間隙部を内包する封止部材６０とを備え、第３電極に電圧が印加されることにより、第１電極と第２電極間のスイッチング特性を制御するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の構成を簡単化して製造を容易にし、それにも関らず広視野角及び高コントラストの表示を実現でき、さらに横クロストークを軽減できる電気光学装置を提供する。
【解決手段】液晶層を支持する基板２１上に設けられており走査信号を伝送する走査線２と、走査線２に導電接続したスイッチング素子５と、スイッチング素子５に導電接続した島状の画素電極２５と、画素電極２５及びスイッチング素子５を覆った誘電体膜２６と、走査線２に交差する方向に延在し画素電極２５に平面視で対向する共通電極２８とを有する液晶装置１である。スイッチング素子５は、第１導電膜、絶縁膜、第２導電膜を積層して成るＴＦＤ素子であり、共通電極２８はスリット３７を有して平行に並んだ複数の電極線状部３８を画素電極２５に対向する領域に有し、共通電極２８はデータ信号を伝送するデータ線である。 （もっと読む）

【課題】より高密度で集積でき、且つ、積層化が容易になるスイッチング素子を提供する。
【解決手段】スイッチング素子１００において、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０に設けられた第１電極３０と、第１電極３０の上方に設けられた第２電極４０と、第１電極３０と第２電極４０との間に設けられ、第１電極３０と第２電極４０との間への所定電圧の印加により抵抗のスイッチング現象が生じるナノメートルオーダーの間隙を有する電極間間隙部５０と、を備えるよう構成した。 （もっと読む）

【課題】二端子型非線形素子を備える横電界方式の液晶装置において、黒表示時におけるコントラストの低下を抑制する。
【解決手段】この液晶装置は、液晶層を挟持するアレイ基板及びカラーフィルタ（ＣＦ）基板を備える。アレイ基板は、ＴＦＤ素子と、それに接続された画素電極と、画素電極との間で電界を発生させる走査電極と、第１の配向軸を有する第１の配向膜と、第１の透過軸を有する第１の偏光板とを備える。ＣＦ基板は、第１の配向軸に対して平行な第２の配向軸を有する第２の配向膜と、第１の透過軸に対して直交する第２の透過軸を有する第２の偏光板とを備える。これにより、ＴＦＤ素子を備える横電界方式の液晶装置を構成している。特に、初期配向状態における液晶配向軸は、第１及び第２の配向軸に対し所定の角度を有し且つ前記第１の透過軸に対して平行とされる。これにより、黒表示時の輝度を下げることでき、コントラストの低下を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 空乏層内の酸素イオンが気化することを抑制し、非線形特性機能の低下を未然に防止する。
【解決手段】 主成分のＺｎＯと所定の添加物で組成され、多数のＺｎＯ粒子およびＺｎＯ粒子間に形成された粒界層からなる多結晶質酸化物としての避雷器用非線形抵抗素子において、前記ＺｎＯ粒子のショットキー障壁の高さを０．５ＲＴ（Ｒ：気体定数、Ｔ：絶対温度）以上とする。 （もっと読む）

【課題】導通時のオン抵抗の値を小さくする。
【解決手段】一対の外部電極１０，２０と、一対の外部電極の間に配置された内部電極３０と、内部電極と前記一対の外部電極との間に配置され、内部電極又は一対の外部電極のイオンが伝導可能な固体電解質４０，４５と、を備え、固体電解質は、一対の外部電極と内部電極との何れか少なくとも二つの電極に所定以上の電圧を印加したときに、電圧が印加された電極間にイオンの金属５０，５５が連なる。 （もっと読む）

【課題】半透過反射型液晶表示装置において、透過表示及び反射表示の双方について残像やしみ状のむら等の表示不良発生を抑え、さらには明るく広視野角の表示を実現可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、マルチギャップ構造を備えた垂直配向モードの半透過反射型液晶表示装置であって、画素電極３１が、前記ドット領域内で複数の島状部３１ａ〜３１ｃと、隣接する前記島状部３１ａ〜３１ｃを互いに電気的に接続する連結部３１ｄ、３１ｅとを有しており、前記複数の島状部３１ａ〜３１ｃのうち、２つの島状部３１ｂ、３１ｃは前記透過表示領域Ｔに配置され、残りの島状部３１ａは前記反射表示領域Ｒに配置されており、前記液晶層厚が連続的に変化している境界段差領域Ｎと、前記画素電極３１の連結部３１ｂとが平面的に重なって配置された構成を備えている。 （もっと読む）