【課題】 保持容量において誘電体層として用いる陽極酸化膜を薄くすることにより、素子基板上に大きな段差が発生することを防止可能な電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置１の素子基板１０において、非線形素子４３の絶縁層は、非線形素子用下電極４４の上面４４１を覆う部分が、サリチル酸塩をエチレングリコール−水との混合溶媒に溶解させた有機系電解液中で形成した第１の陽極酸化膜４９であり、側面部４４２を覆う部分が、クエン酸の水溶液からなる水系電解液中で形成した第２の陽極酸化膜４６である。第１の陽極酸化膜４９は第２の陽極酸化膜４６より膜厚が厚く、かつ、誘電率が低い。 （もっと読む）

【課題】 保持容量において誘電体層として用いる陽極酸化膜を薄くすることにより、素子基板上に大きな段差が発生することを防止可能な電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置１の素子基板１０において、非線形素子４３の絶縁層は、クエン酸の水溶液からなる水系電解液中で形成した第１の陽極酸化膜４６であり、保持容量９ａの誘電体層は、サリチル酸塩をエチレングリコール−水との混合溶媒に溶解させた有機系電解液中で形成した第２の陽極酸化膜４９であり、誘電率が低い。従って、同一容量値の保持容量９ａを形成するのに第２の陽極酸化膜４９を薄くできる。 （もっと読む）

【課題】 ２つの非線形素子を極性を逆向きにして並列に電気的して画素スイッチング素子を構成した場合でも、その占有面積を狭くすることのできる電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置の素子基板には、データ線２（第１の上電極５３）、第１の下電極５１、第２の上電極５４および第２の下電極５２が略井桁状に配置され、第１の下電極５１とデータ線２との重なり領域、および第２の下電極５２と第２の上電極５４との重なり領域に第１の非線形素子５ａおよび第２の非線形素子５ｂが形成され、これらの非線形素子５ａ、５ｂは、極性を逆向きにして並列に接続されて画素スイッチング素子５として用いられる。 （もっと読む）

【課題】 物理気相堆積法で合金膜を成膜する際に合金膜表面の表面粗さを改善可能な合金膜の製造方法、下電極が合金膜からなる非線形素子の製造方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０は、タンタルとニオブとの合金膜からなる下部電極１３と、この下部電極１３の表面を陽極酸化してなる絶縁体１４と、この絶縁体１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを備えている。下部電極１３をスパッタ法で形成する際、チャンバーに酸素ガスあるいは窒素ガスを導入して、タンタルとニオブとの合金膜の表面粗さを改善する。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング電圧を従来よりも高く設定したスイッチング素子を提供する。
【解決手段】 酸化タンタルを含むイオン伝導層２３と、イオン伝導層に接して設けられた第１電極２１と、イオン伝導層に接して設けられ、イオン伝導層に金属イオンを供給可能な第２電極２２とを有する構成である。 （もっと読む）

【課題】 下電極、絶縁層および上電極をこの順に積層した構造において下電極の抵抗を低減でき、かつ、電流−電圧の非線形特性における正負の双方向の対称性を向上可能な非線形素子、およびこの非線形素子を用いた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】 ＴＦＤ１０において、下電極１１は、立方晶系構造の窒化タンタルからなる第１の下電極用薄膜１２、立方晶系構造のタンタルからなる第２の下電極用薄膜１３、および窒化タンタル（Ｔａ₂Ｎ）からなる第３の下電極用薄膜１４がこの順に積層されてなる。絶縁層１５は、下電極１１の陽極酸化膜である。上電極１６は、窒化タンタル（Ｔａ₂Ｎ）からなる第１の上電極用薄膜１７、および立方晶系構造のタンタルからなる第２の上電極用薄膜１８がこの順に積層されてなる。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化型メモリセルを用いたメモリ装置の大容量化を実現する。
【解決手段】メモリ装置は、複数のメモリセルＭが２行×ｎ列（ｎは２以上の整数）の２次元マトリクス状に配置されたメモリセルアレイ１を有する構成を基本とすることにより、従来技術のようにメモリセル毎に選択スイッチトランジスタを設けずに周りのメモリセルの記憶状態に起因する誤読み出しを回避する。更に上記基本メモリセルアレイを１ブロックとし、複数個のブロックを配置することによりメモリ装置の大容量化が図れる。 （もっと読む）

【課題】 レジストマスクを形成する際に用いる露光装置の解像度によりも微細なパターニングを行うことができ、かつ、パターニングにより得た薄膜パターンがレジストによって汚染されることのない非線形素子の製造方法、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】 ＴＦＤ１０を製造するにあたって、タンタル膜１３の上層側にクロム膜からなるマスク形成用金属膜１８を形成した後、マスク形成用金属膜１８の上層にレジストマスク１９を形成し、この状態でマスク形成用金属膜１８に対してウエットエッチングを行い、エッチングの際のサイドエッチングにより、レジストマスク１９より小サイズのパターニングマスク１８ａを形成する。しかる後に、この状態でタンタル膜１３にドライエッチングを行い、下部電極１３ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】低電圧で駆動することが可能であり、かつ生産性の高い非線形素子、非線形素子を備えた素子基板及び非線形素子を備えた素子基板を有する液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】非線形素子の素子構造は、第１の電極と第２の電極との間に、無機化合物と有機化合物とを含む複合材料からなる膜を有している。また、無機化合物と有機化合物とを含む複合材料からなる膜は、双方向で非線形の挙動を示す複合材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＥＲ効果を有するペロブスカイト型遷移金属酸化物からなる不揮発性メモリ素子を３元素で構成することができる材料組成を提供することを課題とする。
【解決手段】 不揮発性メモリ素子において、電極としてＴｉ等の浅い仕事関数又は小さな電気陰性度を有する導電体とヘテロ接合を構成する材料として、Ｌａ_２ＣｕＯ_４のような希土類の１種と銅と酸素からなる希土類−銅の酸化物とすることによって解決される。 （もっと読む）