国際特許分類[H01L51/50]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (29,607) | 光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード (22,000)
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装置の細部
材料の選択
このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
国際特許分類[H01L51/50]に分類される特許
1,021 - 1,030 / 22,000
半導体装置の作製方法
【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。
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バッファ層を含む有機発光素子およびその製作方法
【課題】有機発光素子の製作工程中、有機物層上に電極形成時の有機物層の損傷を防止するための層を含む有機発光素子およびその製作方法を提供する。
【解決手段】基板、第1電極、2層以上からなる有機物層および第2電極を順次積層された形態で含む有機発光素子において、有機物層は発光層を含み、有機物層のうち第2電極に接する有機物層は下記化学式1の化合物を含むバッファ層であることを特徴とする。
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照明装置
【課題】照明装置を大面積化した際に、発光領域内での輝度のばらつきを抑制することができる(つまり、輝度の均一性が良い)照明装置を提供する。
【解決手段】基板10上に設けられた絶縁層11と、絶縁層上に設けられた配線13と、絶縁層及び配線を覆うように基板上に形成された透明導電膜からなる第1の電極12と、第1の電極上に形成された発光物質を含む層14と、発光物質を含む層上に形成された第2の電極15とを有する照明装置。
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半導体装置
【課題】プロセス技術が比較的簡単、且つ、少ない素子数で多値情報を記憶することがでるメモリを提供する。
【解決手段】メモリ素子426において、第1の記憶素子における第1の電極417の形状の一部を、第2の記憶素子における第1の電極417の形状と異ならせることで、第1の電極417と第2の電極420の間の電気抵抗が変化する電圧値を異ならせて、1ビットを越える多値の情報の記憶を一つのメモリセルで行う。第1の電極417を部分的に加工することで単位面積当たりの記憶容量を増大することができる。
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半導体装置
【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。
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半導体装置
【課題】高い開口率を有し、安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼
性のよい表示装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動
回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物
半導体によって構成された駆動回路用薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動
回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体に
よって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用薄膜トランジスタ
と、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する。
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半導体装置
【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第1のソース電極又はドレイン電極と、前記第1のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第1のソース電極又はドレイン電極上に
第2のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第2のソース電極又はドレイン電極は
前記第1のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第1のソース電極又はドレ
イン電極及び第2のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。
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積層体とその製造方法及びそれを用いたデバイス構造体の製造方法
【課題】各種デバイスを積層するための基材とするためのポリイミドフィルムと支持体との積層体であって、デバイス作製時の高温プロセスにおいても剥がれることなく、しかもポリイミドフィルム上にデバイスを作製した後には容易に支持体からポリイミドフィルムを剥離することができる積層体を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム6として、少なくとも支持体1に対向させる面にプラズマ処理が施されたフィルムを用い、支持体1とポリイミドフィルム6とが対向する面の少なくとも一方にカップリング剤を用いて、接着剥離強度は異なり表面粗さは略同一である良好接着部分と易剥離部分とを形成するパターン化処理を施した後、重ね合わせて加圧加熱処理することとし、ポリイミドフィルム6は、70モル%以上がベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類を主成分とするジアミン類とテトラカルボン酸類との反応によって得られる。
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ベンゾトリフェニレノフラン化合物およびそれを有する有機発光素子
【課題】高効率及び長寿命発光を実現する有機発光素子の提供。
【解決手段】下記一般式[1]に示されることを特徴とする有機化合物。
一般式[1]においてR1乃至R3は水素原子、置換あるいは無置換のアリール基又は置換あるいは無置換の複素環基からそれぞれ独立に選ばれる。ただし、R1乃至R3のうち少なくとも一つは前記アリール基又は前記複素環基である。前記複素環基はジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基のいずれかである。
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有機化合物
【課題】固体状態において高い色純度の青色発光を示す有機化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式で表される化合物。
【化1】
[式中、
RBはn価(nは3以上の整数を表す)の橋かけ環炭化水素基であって、RBの三級炭素原子または二級炭素原子における水素原子の少なくとも3つが置換基Ruで置換されている。これらの基は置換基を有してもよく、複数あるRuはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ruはアルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、−G−Eで表される基、又は、−O−RAで表される基を示し、Ruのうち少なくとも3つは−G−Eで表される基である。Gは炭素数1〜24の2価の連結基であり、Eは縮合環を有するアリール基または縮合環を有する芳香族複素環基であり、RAは、アルキル基、アリール基、又は、1価の芳香族複素環基を表す。]
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