【課題】本発明者らは、前面に発光できる有機発光素子において、素子の発光層から出る光に対して透過度（ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ）が８０％以上である上部電極を使う場合であっても、上部電極と空気層との間の屈折率の差によってｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ ｅｆｆｅｃｔを示すことができ、この場合、上部電極上にさらに層を形成して光路長を調節することができるという事実を明らかにした。このような方法により、従来技術に比べて遥かに容易に光路長を調節して、発光効率に優れた有機発光素子を提供することができる。
【解決手段】前記目的を達成するために、本発明は、下部電極、発光層をはじめとする１層以上の有機物層、および上部電極を含む有機発光素子であって、赤色、緑色および青色が各々透過する領域のうちの少なくとも一つの領域の前記上部電極上に屈折率が１．３〜３である層がさらに備えられることを特徴とする有機発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第１導電層、少なくとも１つの中間導電層および第２導電層と、前記導電層の間に配置された発光単位を含む積層型有機発光素子である。
【解決手段】本発明は、第１導電層、少なくとも１つの中間導電層および第２導電層と、前記導電層の間に配置された発光単位を含む積層型有機発光素子であって、前記導電層のうちの互いに隣接しない少なくとも２つの導電層が共通電位となるように電気的に連結した第１群の導電層であり、前記第１群の導電層と共通電位となるように電気的に連結しない導電層のうちの互いに隣接しない少なくとも１つの導電層が共通電位となるように電気的に連結した第２群の導電層であり、前記第１群の導電層と第２群の導電層が＋電圧と−電圧が交互に印加されるようにする電圧制御器を介在して連結したことを特徴とする積層型有機発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】明るく、信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に設けられ、コンタクトホールを
有する絶縁膜と、コンタクトホールを埋めて設けられた導電体と、絶縁膜上に設けられ、
導電体を介して薄膜トランジスタと電気的に接続された第１の金属膜と、第１の金属膜上
に設けられた透明導電膜と、透明導電膜上に設けられたＥＬ層と、ＥＬ層上に設けられた
第２の金属膜と、を有し、第２の金属膜を透過した光が放射される。 （もっと読む）

【課題】十分な発光効率を有し、色度に優れる有機電界発光素子の提供。
【解決手段】基板と、該基板上に配置され、陽極及び陰極を含む一対の電極と、該電極間に配置された有機層とを有し、前記有機層が、下記式で表される化合物を含有する有機電界発光素子。


（式中、Ｒ¹〜Ｒ³およびＲ⁶〜Ｒ⁸はそれぞれ独立に水素原子（重水素原子を含む）またはハメットの置換基定数σ_p値が−０．１５以上の置換基を表し、Ｒ⁵、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｌ¹は２価の連結基を表し、ＤＧ¹はドナー性基を表す。ｎ１は１または２を表す。ただし、Ｒ¹〜Ｒ³、Ｒ⁵〜Ｒ¹⁰、Ｌ¹、およびＤＧ¹は互いに結合して環を形成しない。） （もっと読む）

【課題】１１０℃以上の高温処理に供しても特性の劣化を抑制する。
【解決手段】支持基板１上に陽極２、有機化合物層３および陰極４が形成された有機ＥＬ素子が開示されている。当該有機ＥＬ素子では、有機化合物層３が少なくとも正孔輸送層３０２、発光層３０３および電子輸送層３０５を有し、正孔輸送層３０２が正孔輸送材料から構成され、発光層３０３がホスト化合物と発光ドーパントとから構成され、電子輸送層３０５が電子輸送材料から構成され、前記発光ドーパントを除く前記正孔輸送材料、前記ホスト化合物および前記電子輸送材料のすべてのガラス転移点Ｔｇが１１０℃以上であり、かつ、電子輸送層３０５にはアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも１種類以上の金属またはそれらの金属化合物が含有されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く、発光寿命に優れ、発光色の経時変化が少ない有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにあり、好ましくはウエット成膜で形成された有機ＥＬ素子であって、駆動電圧が低く、ダークスポットが低減され、発光の輝度ムラの発生が抑制された有機ＥＬ素子および照明装置を提供する。
【解決手段】陽極と、陰極と、発光層を有する単層または複数層からなる有機層とを有し、有機層が陽極と陰極との間に挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子において、有機層の少なくとも１層には、特定の一般構造式で表されるフェニルイミダゾール系化合物の少なくとも1種を配位子とするリン光発光性の有機金属錯体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 （もっと読む）

【課題】溶液塗布法による正孔注入輸送層の形成が可能で、デバイスの寿命の向上が可能な正孔注入輸送層用材料及びその製造方法、溶液塗布法により正孔注入輸送層を形成可能で、且つ、デバイスの寿命の向上が可能な正孔注入輸送層形成用インク及びその製造方法、高寿命なデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】モリブデン錯体と下記化学式（１）で表される化合物との反応生成物である、正孔注入輸送層用材料である。


（化学式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｘ^１及びＸ^２は、酸素原子、硫黄原子、または直接結合を表す。） （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第１のゲート絶縁膜と第２のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下（好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下）とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられたボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜上に接して設けられる絶縁層、及び／または、ソース電極層及びドレイン電極層の形成後に不純物除去処理を行うことで、エッチングガスに含まれる元素が、酸化物半導体膜表面に不純物として残存することを防止する。酸化物半導体膜の表面における不純物濃度は、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 （もっと読む）