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国際特許分類[H01L51/50]の内容

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装置の細部
材料の選択
このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置

国際特許分類[H01L51/50]に分類される特許

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【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。
【解決手段】Inと、M1と、M2と、Znと、を含む酸化物材料であり、M1=13族元素、代表的にはGaであり、M2の元素は、M1の元素よりも含有量が少ない材料を提供する。M2としてはTi、Zr、Hf、Ge、Snなどが挙げられる。M2を含ませることで、酸化物半導体材料における酸素欠損の発生を抑制することができる。酸素欠損がほとんど存在しないトランジスタを実現できれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極
、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し
、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が
除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供
給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜
上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である
(もっと読む)


【課題】半導体発光素子を高速且つ安定化してPWM信号で駆動する。
【解決手段】LED18と、直流の動作電力を供給する電源電圧変換部11と、電源電圧変換部11からの電力を蓄積して放出するインダクタ13、及びインダクタ13に電源電圧変換部11からの電力を供給して蓄積する充電経路R1と、インダクタ13に蓄積された電力をLED18で発光させて放出する放電経路R2とを切換えるFET12、15、14、19を含み、FET12、15、14、19での切換えによりLED18を間欠駆動する駆動回路と、充電経路及び放電経路の各選択時に経路にかかる電圧を検出し、その検出結果に応じてFET12、15、14、19を切換えて、インダクタ13を流れる電流を一定値に保つ定電流制御部21と、定電流制御部21によるFET12、15、14、19の切換えデューティ比に応じて電源回路が供給する直流電圧値を調整するデューティ監視部22とを備える。 (もっと読む)


【課題】照明の輝度が大きく低下することなく、光触媒機能を合わせ持った有機エレクトロルミネッセンス照明装置を提供する。
【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス照明装置の発光面側の最表面に、内部に空隙を有する可視光応答型の光触媒粒子を有し、可視光応答型の光触媒粒子が、酸化チタンに窒素または硫黄がドープされ、または酸化タングステンにパラジウム、白金、銅の少なくとも一種が担持されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス照明装置。 (もっと読む)


【課題】 TFT形成時や通常使用時の熱による寸法変化が小さく、且つ、透明性及び信頼性に優れた樹脂−ガラス複合透明基板を得ることが可能な樹脂−ガラス複合透明基板用ガラスを提供する。
【解決手段】 質量%で、SiO 60〜80%、Al 0〜10%、B 15〜25%、MgO 0〜10%、CaO 0〜10%、SrO 0〜10%、BaO 0〜10%、ZnO 0〜10%、LiO 0〜5%、NaO 0〜5%、KO 0〜5%、LiO+NaO+KO 0〜5%、TiO 0〜10%、ZrO 0〜10%を含有し、30〜380℃における線熱膨張係数が40×10−7/℃未満であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】耐久性が高い有機電界発光素子の提供。
【解決手段】下記一般式で表される化合物。


(式中、Z1〜Z4はそれぞれ独立に、炭素原子または窒素原子を表す。A1はZ1と窒素原子と共に5または6員のヘテロ環を形成する原子群を表し、B1はZ2と炭素原子と共に5または6員環を形成する原子群を表し、C1はZ3と窒素原子と共に5または6員のヘテロ環を形成する原子群を表し、D1はZ4と炭素原子と共に5または6員環を形成する原子群を表す。nは1または2を表す。Lは単結合または連結基を表す。Gは3環以上の縮合環を表す。但し、A1〜C1が形成する環には3環以上の縮合環は含まれない。) (もっと読む)


【課題】新規のアリールシリコンおよびアリールゲルマニウムホスト材料、および詳細にはトリフェニレンおよびピレンフラグメントを含有するホスト材料を記載する。
【解決手段】OLEDの発光層中にホストとして使用される場合、この化合物は、OLED素子の性能を改善する。 (もっと読む)


【課題】フェニルピリジンおよびジベンゾ含有配位子を含む新規の燐光性ヘテロレプティックイリジウム錯体を提供する。
【解決手段】開示した化合物は、精製を容易にしおよび様々なOLED素子の作製を可能にする低い昇華温度を有する。 (もっと読む)


【課題】基板に有機物薄膜を蒸着する全体の工程時間を最小化できる平板パネル製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも二つの基板10が処理される複数の工程チャンバー110;第1の方向L1に沿って複数の工程チャンバーの間に配置され、第1の方向に直交する第2の方向L2に沿って直線状に往復移動しながら未処理の基板を工程チャンバーに供給したり、処理が完了した基板を工程チャンバーから排出する移送ロボット123を備える移送チャンバー120;移送チャンバーの一側に結合され、供給される基板を収容するローディングチャンバー130;及び移送チャンバーの他側に結合され、排出された基板を収容するアンローディングチャンバー140;を含み、工程チャンバーの内部では、第2の方向に沿っていずれか一つの基板に工程ガスが蒸着されると同時に、残りの基板に対する移送及び位置整列が行われることを特徴とする。 (もっと読む)


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