【課題】半極性面を有するＧａＮウエハを用いて、良質な劈開面を有する窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】けがき線５１ａはエッジ部ＥＤＧＥ１に形成されており、エッジ部ＥＤＧＥ１では、上面と側面が鋭角を成す。また、けがき線５１ａはｍ軸に直交する方向に延びる基準線ＬＩＮＥに沿って延びている。けがき線５１ａは、基準線ＬＩＮＥに沿って延びる溝を含む。けがき線５１ａはエッジ部ＥＤＧＥ２には形成されていない。エッジ部ＥＤＧＥ２では、上面と側面が鈍角を成す。けがき線５１ａの形成はレーザけがき装置を用いて行われることができる。或いは、けがき線５１ａは、けがき針及びダイヤモンド針等を用いるけがき装置によって形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】リークパスが狭窄化された光半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】光半導体装置の製造方法は、一導電型半導体基板１０上に順に形成された一導電型クラッド層、活性層、および反対導電型クラッド層に対してメサ構造を形成する工程と、前記メサ構造の両側を前記活性層より高い位置で埋込む第１埋込層５０を成長する工程と、前記メサ構造の上面の両側に位置する前記反対導電型クラッド層に対してエッチングを施し、前記メサ構造の上面よりも低い面を形成する工程と、前記エッチングにより形成された低い面および前記第１埋込層上に一導電型の第２埋込層６０を成長する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】厚みのある半導体基板に対し、正確な位置でのへき開を可能とするような十分な深さのガイド溝を形成する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板の製造方法は、インジウムリン化合物半導体またはガリウムヒ素化合物半導体からなる基板本体の表面に、開口幅が略４０ｕｍ以下である開口部が形成されたマスクを、その開口部が基板本体のへき開線に沿って延びるように転写する工程と、基板本体の表面に臭素系のエッチング液を用いてウエットエッチング処理を施すことによって、縦断面で略Ｖ字型を有するガイド溝を形成する工程と、ガイド溝に反応性ガスを用いてドライエッチング処理を施すことによって、底部の縦断面形状を略Ｖ字型に保持したままガイド溝の溝深さを深くする工程と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】レーザ光のパワーを高出力化してもＦＦＰ（遠視野像）特性が安定して広角化が可能な窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】ｎ型基板１の上に形成されたｎ型クラッド層２と、ｎ型クラッド層の上に形成された活性層４と、活性層の上に形成され、光の出射方向に延びる断面凸状のリッジ部６ａと該リッジ部の両側方に位置する平坦部６ｂとを有するｐ型クラッド層６と、両平坦部の上に形成され、ｐ型クラッド層よりも大きい光吸収係数を有する光吸収層９と、光吸収層を含むｐ型クラッド層の上面及びリッジ部の側面に形成された絶縁膜８とを有している。光吸収層は、出射端面側に設けられ、リッジ部中心から光吸収層のリッジ部側の端面までの距離がＤｉ１である第１領域と、出射端面と反対側に設けられ、リッジ部中心から光吸収層のリッジ部側の端面までの距離がＤｉ２である第２領域とを有し、Ｄｉ１とＤｉ２との関係は、Ｄｉ１＜Ｄｉ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】所定の波長帯域における光を均一の光利得で増幅させる。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に形成された下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成された光吸収層及び光増幅層と、前記光吸収層及び前記光増幅層上に形成された上部クラッド層と、を有し、前記光吸収層を形成している半導体材料のバンドギャップは、前記光増幅層を形成している半導体材料のバンドギャップよりも広く、前記光吸収層を形成している半導体材料のバンドギャップと前記光増幅層を形成している半導体材料のバンドギャップとの差は、０．１２ｅＶ以上であることを特徴とする半導体光増幅器により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】自励発振に関わる特性と、通常の半導体レーザとしての特性との両立した窒化物半導体レーザ素子を提供する。
を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、基板上に少なくともｎ型窒化物半導体層と活性層とｐ型窒化物半導体層とｎ側電極とリッジストライプを有する共振器とを含む窒化物半導体レーザ素子であって、リッジストライプは、共振器の長手方向に並列する、第１のリッジストライプと第２のリッジストライプとからなり、第１のリッジストライプ上に形成された第１のｐ側電極と第２のリッジストライプ上に形成された第２のｐ側電極とを有し、第１のｐ側電極と第２のｐ側電極とは、互いに電気的に分離されており、第２のｐ側電極は、該第２のリッジストライプの側面に露出したｐ型窒化物半導体層に接することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光学的用途に適した、改良されたスピネル材料ならびにそれらの改良された製造方法を提供する。
【解決手段】融液法により形成される単結晶スピネルブールであり、そのブールは非化学量論的な組成を有し、約２０％以上の収率で表される、減少した機械的応力もしくはひずみを有し、ここで収率は式Ｗi/（Ｗi＋Ｗf）×１００％であり、Ｗi＝ブールから加工処理された無傷ウェハの数、そしてＷf＝ブールにおける機械的内部応力もしくはひずみによる、ブールからの破壊されたウェハの数である、単結晶スピネルブール。前記単結晶スピネル非化学量論的組成を有し、波長範囲にわたって吸光率により表される透明性窓を有し、その波長範囲は通常、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍに延び、透明性窓は波長範囲に沿って最大単一吸光率ピーク高さとして定義され、最大単一吸光率ピーク高さは０．３５cm−１以下である （もっと読む）

【課題】良質の半導体層をエピタキシャル成長させて高品質の半導体デバイスが得られる半導体デバイスの製造方法などを提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、積層支持基板１の作製工程と、積層貼り合せ基板２の作製工程と、エピ成長用積層支持基板３の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の作製工程と、デバイス用積層ウエハ５の作製工程と、透明半導体層積層ウエハ６を含む半導体デバイス７の作製工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半極性面を有するＧａＮウエハを用いて、良質な劈開面を有する窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】けがき線５１ａはエッジ部ＥＤＧＥ１に形成されており、エッジ部ＥＤＧＥ１では、上面と側面が鋭角を成す。また、けがき線５１ａはｍ軸に直交する方向に延びる基準線ＬＩＮＥに沿って延びている。けがき線５１ａは、基準線ＬＩＮＥに沿って延びる溝を含む。けがき線５１ａはエッジ部ＥＤＧＥ２には形成されていない。エッジ部ＥＤＧＥ２では、上面と側面が鈍角を成す。けがき線５１ａの形成はレーザけがき装置を用いて行われることができる。或いは、けがき線５１ａは、けがき針及びダイヤモンド針等を用いるけがき装置によって形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】III-Ｖ族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置（ＨＦＥＴ）は、ＳｉＣ基板１１上にバッファ層１２を介在させて形成された第１の窒化物半導体層１３と、該第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、該第１の窒化物半導体層１３の上部に２次元電子ガス層を生成する第２の窒化物半導体層１４と、該第２の窒化物半導体層１４の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極１６、１７とを有している。第２の窒化物半導体層１４は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部１４ａを有し、オーム性を持つ電極１６、１７はコンタクト部１４ａに形成されている。 （もっと読む）