【課題】結晶性の良好な化合物半導体層、特にIII族窒化物系化合物半導体層を有する半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に下地層を成膜する工程と、下地層上にＳｉＯ₂ 膜の帯状パターンマスクを形成し、次いで下地層及びサファイア基板の上部をエッチングして帯状の凸部と溝状の凹部とを交互に周期的に備えた凹凸構造を形成する工程と、その凹凸構造上にＧａＮ層を横方向成長法により成長させる工程と、この横方向成長工程の前（または後）に、識別マークを基板の少なくとも一方の面側に形成する工程と、識別マークを基準にして低欠陥密度領域上に半導体素子形成領域を位置決めする位置決め工程とを含む。横方向成長工程において、低欠陥密度領域と高欠陥密度領域とが交互に周期的に形成されることを利用して、低欠陥密度領域の特定、および半導体素子形成領域の位置決めを行う。 （もっと読む）

【課題】基板上に窒化物半導体をエピタキシャル成長する場合、窒化物半導体素子厚さに依存しない反りの制御が可能になる多層構造窒化物半導体素子の構造を提供する。
【解決手段】多重構造窒化物半導体は、基板１上に、窒化物半導体が１層かまたは複数層積層されたバッファ層２と、バッファ層２上に窒化物半導体が形成された多層構造バッファ層３と、多層構造バッファ層３上に窒化物半導体が１層かまたは複数層積層された半導体層４とから構成される。多層構造バッファ層３は多層構造バッファ層５と多層構造バッファ層５上に接したバッファ層６とが１層かまたは複数層積層されることで成り、多層構造バッファ層５は、バッファ層７とバッファ層７上に接したバッファ層８から成り、バッファ層７とバッファ層８は複数層積層されている。バッファ層７およびバッファ層８のすくなくとも一方の３族材料の組成を変化させることで窒化物半導体素子の反りの制御を可能にした。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法を用いて、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの結晶を成長させる場合に、結晶組成値ｘを速やかに且つ正確に設定することによって、組成グレーディングを容易に実現する。
【解決手段】 アルミニウム原料と、ガリウム原料と、アンモニア原料と、キャリアガスとを用いたＨＶＰＥ法によって、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮを結晶成長させる。この結晶成長装置１１０は、水素ガス供給ポート３０を備えている。この水素ガス供給ポート３０を介してＨ_２＋ＩＧガスを炉中に導入することによって、原料ガスの濃度は一定に保ったまま、水素ガスの濃度（分圧比）を調節する。その結果、成長部の水素ガス濃度（分圧比）を速やかに変化させることができるので、成長させる結晶中の結晶組成値ｘを所望の値に速やかに且つ正確に設定することができる。その結果、組成グレーディングを効率よく実行することができる。 （もっと読む）

【課題】転位を少なくする半導体成長用基板および転位の少ない発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、 一方主面１５Ａから一部が突出するとともに、上面１４ａ´を有する突起１４ａを複数備えた単結晶基板１４と、
一方主面１５Ａの突起１４ａが配置されていない領域に設けられ、上部１４ａ´が突起１４ａの上面１４ａ´の高さ位置より高い位置にあるとともに、単結晶基板１４と異なる材料からなる複数の構造体１６と、単結晶基板１４上に構造体１６を被覆するように設けられた光半導体層１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が低いＡｌＧａＮ層やＧａＮ層を用いた超格子歪緩衝層を平坦性良く形成すると共に、該超格子歪緩衝層上に平坦性および結晶性が良好な窒化物半導体層を形成した窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたＡｌＮからなるＡｌＮ歪緩衝層と、ＡｌＮ歪緩衝層上に形成された超格子歪緩衝層と、超格子歪緩衝層上に形成された窒化物半導体層とを備える窒化物半導体素子であって、超格子歪緩衝層は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．２５）よりなり、且つ、ｐ型不純物を含む第１の層と、ＡｌＮよりなる第２の層とを交互に積層して超格子構造を形成したものであることを特徴とする、窒化物半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】レーザ光出力を従来よりも大きくする。
【解決手段】ｐ型クラッド層１２とｎ型クラッド層１４との間に、活性層１６と位相シフト部を備えた回折格子層１８とを備えていて、ｐ型クラッド層上の活性層に対応する位置に、活性層に電流を注入するための金属電極２０が、誘導放出光の光伝播方向に沿って設けられており、金属電極は、光伝播方向に沿って延在し、互いに平行であるとともに、電気的に接続された第１及び第２直線部と、第１直線部から前記第２直線部に向かって突出し、光伝播方向に沿って位相シフト部から離間するにつれて、互いの櫛歯の間隔が徐々に狭まっていく、複数の第１櫛歯部と、第２直線部から、第１直線部の隣接する２個の第１櫛歯部の間に突出する複数の第２櫛歯部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】Ｉ−Ｌカーブの温度変換を低減可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１の導波路コア１７及び第２の導波路コア１９は、第１導電型クラッド領域１３と第２導電型クラッド領域１５との間に設けられる。伝搬定数同調コア２３は活性導波路コア２５に中間半導体層２１を介して光学的に結合される。第１の導波路コア１７は例えば伝搬定数同調コア２３を含み、第２の導波路コア１９は活性導波路コア２５を含む。伝搬定数同調コア２３に係るフォトルミネセンス波長は活性層２７に係るフォトルミネセンス波長より短い。活性導波路コア２５に係る分散特性は伝搬定数同調コア２３に係る分散特性と異なる。活性導波路コア２５における光伝搬に係る位相速度は、ある波長で、伝搬定数同調コア２３における光伝搬に係る位相速度に等しくなる。活性導波路コア２５及び伝搬定数同調コア２３における位相速度に等しくなる波長でレーザ発振が生じる。 （もっと読む）

【課題】保持基板上に成長したＩＩＩ族窒化物結晶を、結晶品質を劣化させることなく剥離することができる
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）保持基板２０上の表側主面に、第１のＩＩＩ族窒化物結晶層２２を形成する工程と、（ｂ）前記保持基板２０裏側主面からレーザ光を照射して、前記第1のＩＩＩ窒化物結晶層２２の裏面側をレーザ加工する工程と、（ｃ）前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面に第２のＩＩＩ族窒化物結晶層２４を成長する工程と、（ｄ）前記保持基板２０と前記第1のＩＩＩ族窒化物層２２の界面から分離する工程とを備え、（ｅ）前記工程（ｂ）において、前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面にレーザ加工時に発生する分解ガスを放出するガス放出構造体を設ける。これにより、レーザ加工部の基板全体に対する面積を大きくすることができるので、剥離の際の応力による結晶のクラックを低減できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体層から成長用基板を再現性よく分離することが困難である。
【解決手段】 成長用基板の上に、Ｉｎ、Ｇａ、及びＮを含む化合物半導体からなる下地層を形成する。下地層の一部を成長核として、Ｇａ及びＮを含む化合物半導体からなる複数の支柱を成長させるとともに、Ｇａ及びＮを含む化合物半導体からなる半導体層を形成する。半導体層は支柱によって支持され、面内方向に連続する。半導体層と成長用基板との間に空洞が画定される。半導体層に、支持基板を接着する。成長用基板を半導体層から分離する。 （もっと読む）

【課題】実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。
【解決手段】発光ダイオード又はレーザーダイオードにおいてオーミック接触を形成するための薄膜電極において、ｐ型窒化ガリウム層上に積層され、Ｎｉ−Ｘ固溶体を含有する第１電極層と、前記第１電極層上に積層され、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃ、Ｃｕ、及びＩｒからなる群から選択される少なくとも１種以上の元素を含有する第２電極層と、を含むことを特徴とする、薄膜電極である。 （もっと読む）