【課題】従来の方法では、それぞれのレーザーバーごとに溝部、及びブレイク・ラインを形成しなければならず、製造効率がわるい。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ基板１０上に半導体積層構造１２を形成することで複数の半導体レーザ１４を有するウェハを形成する。次に、半導体レーザ１４間の分離領域においてウェハの主面に第１の溝部２２を形成する。次に、ウェハを半導体レーザ１４がバー状に並んだレーザバー２６に分離する。次に、第１の溝部２２と同じか又は狭い幅を持つ第２の溝部３０をレーザバー２６の第１の溝部２２内に形成する。次に、第２の溝部３０に沿ってレーザバー２６を個々の半導体レーザ１４に分離する。 （もっと読む）

【課題】スクライビングの際に電極剥離が生じるようなことがなく、しかも動作電圧の安定した複数ビーム型の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板は、第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域中に、第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する結晶からなる複数の高欠陥領域を有する。高欠陥領域が基板の中央領域と両端部との３カ所にあり、それらの間に低欠陥領域が存在している。この基板の裏面側には、幾何学的な形状のｎ側電極が形成されている。ｎ側電極は、低欠陥領域の表面の一部を覆うと共に、中央領域にある高欠陥領域の表面を断続的に覆い、両端部にある高欠陥領域の表面を覆わないような形状となっている。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射によりＩＩＩ族窒化物半導体膜を下地基板から剥離する際に、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の破損を抑制する。
【解決手段】サファイア基板１１と、サファイア基板１１上に設けられているＧａＮ膜１２と、を含むサファイア／ＧａＮ構造体Ｗから、レーザ照射によりＧａＮ膜１２を剥離するレーザ剥離装置であって、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗを、ＧａＮ膜１２が下方または側方に向いた状態で、ＧａＮ膜１２表面に接触することなく保持する基板保持台１４と、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗに対してレーザを照射するレーザ照射部と、を備えるレーザ剥離装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体レーザ素子の放熱性をよりよいものとし、閾値電流の低下や出力の向上など種々の特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】
それぞれが窒化物半導体から構成されたｎ型層及びｐ型層を含む半導体積層部と、ｎ型層に接続されたｎ電極と、ｐ型層に接続されたｐ電極と、を有する窒化物半導体レーザ素子に関する。ｐ型層にはｐ電極が接続された領域と異なる領域において熱伝導部が接して配されており、熱伝導部はｐ電極と電気的に絶縁されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温成長薄膜の特性を備え、様々な種類の光電素子及び電子素子を改善し、集積回路素子の品質を改善することができる反応装置を提供する。
【解決手段】反応装置５００は、第１の加熱ユニット１００及び第２の加熱ユニット２００を備える。第１の加熱ユニット１００と第２の加熱ユニット２００とが向かい合うように配置して反応領域１５０を形成し、第１の加熱ユニット１００の内側面と第２の加熱ユニット２００の内側面とにより角度が形成され、第１の加熱ユニット１００の温度と第２の加熱ユニット２００の温度とを個別に制御する。第１の加熱ユニット１００上に少なくとも１つの基板３００を配置し、少なくとも１つの基板３００が第１の加熱ユニット１００と第２の加熱ユニット２００との間に位置し、第１の加熱ユニット１００上の少なくとも１つの基板３００上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】動作電圧などを改善した長波長窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】半極性面を主面とする窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板の主面上に形成されたｎ側窒化物半導体層と、前記ｎ側窒化物半導体層の上に形成され、窒化物半導体から成る発光層を有する活性層と、前記活性層の上に形成されたｐ側窒化物半導体層と、を備えた窒化物半導体素子であって、ｎ側窒化物半導体層は、ｎ型不純物を含むＩｎ_aＡｌ_bＧａ_１−a−bＮ（０＜a＜１、０＜ｂ＜１、０＜ａ＋ｂ≦１）から成る、ＩｎとＡｌを含むｎ側窒化物半導体層を有し、ＩｎとＡｌを含むｎ側窒化物半導体層におけるＡｌの混晶比ｂが０．１以上であり、かつ、Ｉｎの混晶比を横軸としＡｌの混晶比を縦軸とする座標系において、ＩｎとＡｌを含むｎ側窒化物半導体層のＩｎの混晶比ａとＡｌ混晶比ｂを示す座標（ａ，ｂ）が直線ＯＡと直線ＯＢによって挟まれた領域内にある。 （もっと読む）

【課題】安価に、反りの少ない窒化物半導体を成長することができる窒化物半導体の成長方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体の成長方法は、気相成長法により、基板１０上に、窒化物半導体の結晶からなる第１凹凸構造３０を形成し、該第１凹凸構造３０の凸部の上部から窒化物半導体を選択的に成長させることにより、前記第１凹凸構造３０上に、窒化物半導体の結晶からなる第２凹凸構造３２を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】段差などの乱れが少ない平坦な劈開面が得られるIII族窒化物半導体基板及びそ
の製造方法を提供する。
【解決手段】直径２５ｍｍ以上、厚さ２５０μｍ以上のIII族窒化物半導体基板であって
、前記III族窒化物半導体基板の外縁から５ｍｍ以内の外周部における少なくとも前記外
縁側の部分は、前記III族窒化物半導体基板の主面内の応力が引張応力であり、且つ前記III族窒化物半導体基板の前記外縁側の部分よりも中心側の部分に比べて相対的に引張応力が大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の信頼性および半導体発光素子の製造歩留まりをより向上させる。
【解決手段】第１の半導体層と、第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられた発光層と、を含む複数の半導体積層体を、支持基板の第１の主面の上に間隙を隔てて選択的に形成する工程と、前記複数の半導体積層体のそれぞれと、他の支持基板と、を接合材により接合する工程と、前記支持基板の前記第１の主面とは反対側の第２の主面からレーザ光を入射し、前記接合材には前記レーザ光を照射せずに、前記複数の半導体積層体に前記レーザ光を照射して前記複数の半導体積層体から前記支持基板を剥離する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性が、半導体素子の寸法相当において向上した半導体基板を提供し、更には、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子、半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１１と、この基板１１上に積層された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２と、基板１１と窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２との間に設けられた、不純物元素を５ｘ１０¹⁷ｃｍ^-3以上２ｘ１０¹⁹ｃｍ^-3以下含有する層１０とを備える。 （もっと読む）